RU2694160C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2694160C1 RU2694160C1 RU2018142211A RU2018142211A RU2694160C1 RU 2694160 C1 RU2694160 C1 RU 2694160C1 RU 2018142211 A RU2018142211 A RU 2018142211A RU 2018142211 A RU2018142211 A RU 2018142211A RU 2694160 C1 RU2694160 C1 RU 2694160C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- arsenide
- sih
- ash
- silicate glass
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния р-типа проводимости ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-90 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки.
Известен способ изготовления прибора [Патент 5306945 США, МКИ H01L 29/34], предотвращающий влияние подвижных ионов на функциональные характеристики и надежность, покрытой тонким оксидным слоем и слоем борофосфоросиликатным стеклом, формированием рамки из вольфрама или сплава вольфрама, расположенная в соответствующей прямоугольной канавке на периферии кристалла. Нижняя поверхность рамки контактирует с легированной полоской р+ или n+ типа, расположенной в подложке комформно с рамкой. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.
Известен способ изготовления прибора [Патент 5362686 США, МКИ H01L 21/02] с защитной изолирующей пленкой. На полупроводниковой подложке выполняют разводку межсоединений для данного прибора, после чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку оксинитрида кремния, используя метод осаждения из паровой фазы силана и азотсодержащего газа.
Недостатками этого способа являются:
- повышенные значения тока утечки;
- низкая технологичность;
- высокая дефектность.
Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием пленки арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-90 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости, ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-90 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,2%.
Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования пленки арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-100 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающего полупроводниковую подложку, активные области прибора, разводку межсоединений, защитную изолирующую пленку, отличающийся тем, что защитную изолирующую пленку формируют из арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-100 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018142211A RU2694160C1 (ru) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018142211A RU2694160C1 (ru) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2694160C1 true RU2694160C1 (ru) | 2019-07-09 |
Family
ID=67252341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018142211A RU2694160C1 (ru) | 2018-11-29 | 2018-11-29 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2694160C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306945A (en) * | 1992-10-27 | 1994-04-26 | Micron Semiconductor, Inc. | Feature for a semiconductor device to reduce mobile ion contamination |
| US5362686A (en) * | 1990-06-05 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for protective silicon oxynitride film |
| SU1790316A3 (ru) * | 1990-12-06 | 1995-09-27 | Научно-исследовательский институт электронной техники | Способ изготовления структур больших интегральных кмоп схем |
| RU2497234C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2013-10-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Фотоэлектрический преобразующий элемент, фотоэлектрическое преобразующее устройство и система для считывания изображений |
-
2018
- 2018-11-29 RU RU2018142211A patent/RU2694160C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362686A (en) * | 1990-06-05 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for protective silicon oxynitride film |
| SU1790316A3 (ru) * | 1990-12-06 | 1995-09-27 | Научно-исследовательский институт электронной техники | Способ изготовления структур больших интегральных кмоп схем |
| US5306945A (en) * | 1992-10-27 | 1994-04-26 | Micron Semiconductor, Inc. | Feature for a semiconductor device to reduce mobile ion contamination |
| RU2497234C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2013-10-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Фотоэлектрический преобразующий элемент, фотоэлектрическое преобразующее устройство и система для считывания изображений |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100380890B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| US6639279B1 (en) | Semiconductor transistor having interface layer between semiconductor and insulating layers | |
| RU2584273C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2694160C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH046835A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2734094C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2688863C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| KR20180125100A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 | |
| RU2769276C1 (ru) | Способ изготовления нитрида кремния | |
| RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH03205830A (ja) | 半導体装置及び多結晶ゲルマニウムの製造方法 | |
| CN100378929C (zh) | 薄膜晶体管元件的制造方法 | |
| RU2805132C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH03165066A (ja) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2755175C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2804293C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2745589C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH01239940A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06196704A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH04349629A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201130 |