JPS63184340A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS63184340A JPS63184340A JP62222411A JP22241187A JPS63184340A JP S63184340 A JPS63184340 A JP S63184340A JP 62222411 A JP62222411 A JP 62222411A JP 22241187 A JP22241187 A JP 22241187A JP S63184340 A JPS63184340 A JP S63184340A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、時に耐湿性の優れたシリコ
ン酸化窒化(silicon oxynitride)
膜半導体装置において、保護絶縁膜や多層金属配線用の
層間絶縁膜を構成する絶縁膜として窒化シリコン膜が広
く用いられる。
ン酸化窒化(silicon oxynitride)
膜半導体装置において、保護絶縁膜や多層金属配線用の
層間絶縁膜を構成する絶縁膜として窒化シリコン膜が広
く用いられる。
しかしながら、Si基板上のアルミニウム配線を窒化シ
リコン膜で被覆し、450℃以上の熱処理を行なうとr
Stress Induced Voids in
有する大ぎい膜応力に起因して、アルミニウム配線にボ
イドが発生する。従来はアルミニウム配線の幅は大きく
ボイドが発生しても断線にまでは至らなかっ′たが、最
近のLSIのように配線幅が2μm以下になるとアルミ
ニウム配線がこのボイドによって断線する現象が生じて
きた。
リコン膜で被覆し、450℃以上の熱処理を行なうとr
Stress Induced Voids in
有する大ぎい膜応力に起因して、アルミニウム配線にボ
イドが発生する。従来はアルミニウム配線の幅は大きく
ボイドが発生しても断線にまでは至らなかっ′たが、最
近のLSIのように配線幅が2μm以下になるとアルミ
ニウム配線がこのボイドによって断線する現象が生じて
きた。
窒化シリコン膜の大きい膜応力はシリコン酸化窒化膜を
使用することにより緩和ができることがrsilico
n 0xynitride Films from
theNO−いる。ここに示されているシリコン酸化窒
化膜の組成はSi’02と5isN+との組成すなわち
(S 1o2) x (S 1aNt) 1−x (0
<x<1)である。
使用することにより緩和ができることがrsilico
n 0xynitride Films from
theNO−いる。ここに示されているシリコン酸化窒
化膜の組成はSi’02と5isN+との組成すなわち
(S 1o2) x (S 1aNt) 1−x (0
<x<1)である。
本発明者達はこの提案されたSiO2とS i3
1N4との組成物から成るシリコン酸化窒化膜の欠点
を見い出した。Si基板上のアルミニウム配線にこのS
iO2とS i3N4との組成物を保護膜として使用し
たところ、膜応力に起因するボイドは減少したが、膜の
耐湿性はSi3N、膜よりも悪くなり、半導体装置の保
護膜や層間絶縁膜としては使用できないことがわかった
。
1N4との組成物から成るシリコン酸化窒化膜の欠点
を見い出した。Si基板上のアルミニウム配線にこのS
iO2とS i3N4との組成物を保護膜として使用し
たところ、膜応力に起因するボイドは減少したが、膜の
耐湿性はSi3N、膜よりも悪くなり、半導体装置の保
護膜や層間絶縁膜としては使用できないことがわかった
。
また、シリコン酸化窒化膜を半導体装置の保護膜として
用いることが、米国特許NO,4,097,889に示
されている。しかしながら、このシリコン酸化である。
用いることが、米国特許NO,4,097,889に示
されている。しかしながら、このシリコン酸化である。
」と記載されているのみであり、アルミニウム配線にボ
イドを発生させることがなく、かつ耐湿性の優れたシリ
コン酸化窒化膜の組成については何ら示されていない。
イドを発生させることがなく、かつ耐湿性の優れたシリ
コン酸化窒化膜の組成については何ら示されていない。
本発明の目的は耐湿性にすぐれ、かつアルミニウム配線
にボイドを発生させることのないシリコン酸化窒化膜を
有する半導体装置を提供するこにある。
にボイドを発生させることのないシリコン酸化窒化膜を
有する半導体装置を提供するこにある。
本発明の半導体装置は、半導体素子の形成され □た半
導体基板上に形成された配線と、この配線を覆い、Si
、N、Oを主な成分とし、これらの成分の組成比をSi
xNyOz(ただし、x十y十z=1.oO)と表わし
たときに、X r y、Zの範囲が、Si、N、O三元
系組成図において、以下の8個の組成点 (x=0.51. y=0.28. z=0.21)。
導体基板上に形成された配線と、この配線を覆い、Si
、N、Oを主な成分とし、これらの成分の組成比をSi
xNyOz(ただし、x十y十z=1.oO)と表わし
たときに、X r y、Zの範囲が、Si、N、O三元
系組成図において、以下の8個の組成点 (x=0.51. y=0.28. z=0.21)。
(x=0.47. y=0.28. z=0.25)
。
。
(x=0.44. y=0.31. z=0.25)
。
。
(x=0.41.y=0.36.z=0.23)。
(x=0.41. y=0.39. z=0.20
)。
)。
(x=0.44. y=0.38. z=0.18
)。
)。
(x=0.46. y=0.37. z=0.17
)。
)。
(x=0.51. y=0.32. z=0.17
)を結ぶ線上およびこれれらの8個の組成点を結ぶ線に
囲まれる組成範囲にあるシリコン酸化窒化膜とを有して
いる。
)を結ぶ線上およびこれれらの8個の組成点を結ぶ線に
囲まれる組成範囲にあるシリコン酸化窒化膜とを有して
いる。
このシリコン酸化窒化膜は、線幅2μm以下のアルミニ
ウム等の金属配線を被覆したときに、この金属配線にボ
イドな生じることがないので、このような時特に優れた
効果を有する。
ウム等の金属配線を被覆したときに、この金属配線にボ
イドな生じることがないので、このような時特に優れた
効果を有する。
このシリコン酸化窒化膜は、S iH4,NH3゜N
20を原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により
成長できる。シリコン酸化窒化膜の組成は成長時のS
iH4,NH31N20の分圧を変化させることによっ
て変化させることができる。このようにして成長したシ
リコン酸化窒化膜は通常水素(H)を含んでいる。この
Hはシリコン酸化窒化物に対して5〜18原子%含まれ
ることが好ましい。
20を原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により
成長できる。シリコン酸化窒化膜の組成は成長時のS
iH4,NH31N20の分圧を変化させることによっ
て変化させることができる。このようにして成長したシ
リコン酸化窒化膜は通常水素(H)を含んでいる。この
Hはシリコン酸化窒化物に対して5〜18原子%含まれ
ることが好ましい。
−6=
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
まず、本発明の第1の実施例について説明する。
第1図に示すように、直径4インチのシリコンウェハ1
01を熱酸化しI厚さ6000人の熱酸化膜102を形
成した。次に化学気相成長法(CVD)法により厚さ1
μmのP S G(phosph。
01を熱酸化しI厚さ6000人の熱酸化膜102を形
成した。次に化学気相成長法(CVD)法により厚さ1
μmのP S G(phosph。
5ilicate glass)膜103を堆積した。
続いて、スパッタ法により厚さ1μmのアルミニウム膜
を堆積し、リングラフィ技術を用いて、幅2μmのアル
ミニウム線104を形成した。
を堆積し、リングラフィ技術を用いて、幅2μmのアル
ミニウム線104を形成した。
このようにして表面にアルミニウム線が形成さ極に印加
し、厚さ1μmのシリコン酸化窒化膜をこれらのシリコ
ンウェハ上に堆積した。
し、厚さ1μmのシリコン酸化窒化膜をこれらのシリコ
ンウェハ上に堆積した。
シリコン酸化窒化膜の組成は導入する原料ガスの流入比
を変化させることによって変化させ、30種類の組成の
異なるシリコン酸化窒化膜を形成した。試料Nα1〜N
α13を形成するのに流した原料ガスの流量を表1に示
した。
を変化させることによって変化させ、30種類の組成の
異なるシリコン酸化窒化膜を形成した。試料Nα1〜N
α13を形成するのに流した原料ガスの流量を表1に示
した。
表1
ガス流量(cc/m石)
試料番号 SiH4NHs N20
10 20015’O250
次に、このようにして形成したシリコン酸化窒化膜の組
成を測定した。ウェハ上に直接シリコン酸化窒化膜を堆
積した4インチのシリコンウェハから1cmの角の試料
を5個切り出し、この試料それぞれについて、次に示す
方法によりSi、N。
成を測定した。ウェハ上に直接シリコン酸化窒化膜を堆
積した4インチのシリコンウェハから1cmの角の試料
を5個切り出し、この試料それぞれについて、次に示す
方法によりSi、N。
0、Hの組成比を求めこの5個の試料の平均値をとりシ
リコン酸化窒化物の組成を求めた。
リコン酸化窒化物の組成を求めた。
シリコン酸化窒化膜の各元素Si、N、○、Hの1d当
たりの原子数をそれぞれa、b、c、dとする。まずラ
ザフォード後方散乱分光法(Rutherford B
ackscattering 5pectroscop
y:RBS)によりSiとOとの原子数比に、に÷)、
Nと02の原子数比に2(=4)を求める。次に該反応
分析法(Nuclear Reaction Anal
ysis:NR5)により水素の原子数比dを求める。
たりの原子数をそれぞれa、b、c、dとする。まずラ
ザフォード後方散乱分光法(Rutherford B
ackscattering 5pectroscop
y:RBS)によりSiとOとの原子数比に、に÷)、
Nと02の原子数比に2(=4)を求める。次に該反応
分析法(Nuclear Reaction Anal
ysis:NR5)により水素の原子数比dを求める。
さらにシリコン(D−MHa)k+
(D−M□d)k2
k 、M s i 十k 2MN十M OD−M、rd
k、Ms i +に2Mn+M。
ここで、Ms i、MN、MOはそれぞれSi。
N、Oの原子量を表わす。
このようにして求めたa、b、cの値によりシリコン酸
化窒化膜をS i xoyNzと表わしたときのx、y
、z (原子%)をそれぞれ次の式により求める。
化窒化膜をS i xoyNzと表わしたときのx、y
、z (原子%)をそれぞれ次の式により求める。
さらに、HのSixOyNzに対する含有率W(原子%
)を a+b+c+d なる式により求める。
)を a+b+c+d なる式により求める。
RBS法でk I + k 2rを求めるには、試料に
2.275MeVのHeイオンを照射し、散乱角165
°で散乱イオンをエネルギー分析し、lO− Si、N、Oの各エツジの高さhs i、hN、h。
2.275MeVのHeイオンを照射し、散乱角165
°で散乱イオンをエネルギー分析し、lO− Si、N、Oの各エツジの高さhs i、hN、h。
を求め、hsiとhoとの比h s j#/ h oに
よりFJ klを、hNとhoとの比h=s=e / h oによ
りに2を求めた。
よりFJ klを、hNとhoとの比h=s=e / h oによ
りに2を求めた。
NRA法により水素の原子数比dを求めるには、により
得られる。γ線Xの強度を測定し、H原子密度の知られ
ているポリスチレン膜を標準試料としてHの原子密度を
求めた。15N2+イオンのエネルギーは6.38Me
Vから、7.96MeVまで0.08MeV刻みに変化
させ、シリコン酸化窒化膜の深さ方向に20点測定し、
これらの点の値を平均して水素原子のl cl当たりの
原子数dを求めた。
得られる。γ線Xの強度を測定し、H原子密度の知られ
ているポリスチレン膜を標準試料としてHの原子密度を
求めた。15N2+イオンのエネルギーは6.38Me
Vから、7.96MeVまで0.08MeV刻みに変化
させ、シリコン酸化窒化膜の深さ方向に20点測定し、
これらの点の値を平均して水素原子のl cl当たりの
原子数dを求めた。
シリコン酸化窒化膜の密度は、Si基板上にシリコン酸
化窒化膜が堆積された試料の重量をμグラム計により測
定し、その後、シリコン酸化窒化膜を除去し、Si基板
のみの重量を測定し、これらの重量の差を体積で割るこ
とにより密度を求めた。
化窒化膜が堆積された試料の重量をμグラム計により測
定し、その後、シリコン酸化窒化膜を除去し、Si基板
のみの重量を測定し、これらの重量の差を体積で割るこ
とにより密度を求めた。
このようにして求めた試料1〜30のシリコン酸化窒化
膜の組成を表2及び第2図に示した。
膜の組成を表2及び第2図に示した。
次に表面にアルミニウム線を形成し、その上にシリコン
酸化窒化膜を形成したシリコンウェハを3mmX3.5
mmの複数のチップに切り出した。
酸化窒化膜を形成したシリコンウェハを3mmX3.5
mmの複数のチップに切り出した。
ル料番号の複数のチップから100個を選び、500℃
で1時間熱処理をした後、60℃のリン酸液に30分間
浸した。このような処理をした各チップを光学顕微鏡に
より観察することによりシリコン酸化窒化膜のクラック
を調べた。大きいクラックは顕微鏡により直接観察でき
、マイクロクラックの有無は 表2 試料番号 組成比 Hの含有量 PCT試験の良品率(
原子%) (原子%) (%) Si N 0 23、 46 2826 13
50マイクロクラツクを介して侵入したリン酸液により
アルミニウム線が侵されることがら判別できる。
で1時間熱処理をした後、60℃のリン酸液に30分間
浸した。このような処理をした各チップを光学顕微鏡に
より観察することによりシリコン酸化窒化膜のクラック
を調べた。大きいクラックは顕微鏡により直接観察でき
、マイクロクラックの有無は 表2 試料番号 組成比 Hの含有量 PCT試験の良品率(
原子%) (原子%) (%) Si N 0 23、 46 2826 13
50マイクロクラツクを介して侵入したリン酸液により
アルミニウム線が侵されることがら判別できる。
100個の試料のうち、全試料にクラックが見い出せな
いのを良品とする。このようにして試料番号1〜30の
各試料を評価したところ、いずれの番号の試料について
もクラックは観察されなかった。
いのを良品とする。このようにして試料番号1〜30の
各試料を評価したところ、いずれの番号の試料について
もクラックは観察されなかった。
各試料番号の複数のチップから100個選び400℃、
N250%−H250%の雰囲気で、1時間熱処理を行
なった後、光学顕微鏡によりアルミニウム線へのボイド
の発生の有無を調べた。試料番号14,15.16の試
料にはボイドが見られたが、他の試料番号の試料にはボ
イドは観察されなかった。
N250%−H250%の雰囲気で、1時間熱処理を行
なった後、光学顕微鏡によりアルミニウム線へのボイド
の発生の有無を調べた。試料番号14,15.16の試
料にはボイドが見られたが、他の試料番号の試料にはボ
イドは観察されなかった。
各試料番号の複数のチップから100個を選び、125
℃、 2.3atm、 100%相相対変(RH)の条
件でプレッシャクツカー試験(P CT)を2000時
間行ない、電気的にアルミニウム線の断線の有無を調べ
、断線のない試料を良品として良品率を求めた。この結
果も表2に示した。
℃、 2.3atm、 100%相相対変(RH)の条
件でプレッシャクツカー試験(P CT)を2000時
間行ない、電気的にアルミニウム線の断線の有無を調べ
、断線のない試料を良品として良品率を求めた。この結
果も表2に示した。
次に原料ガスに水素を加えることにより、表2に示した
試料番号1〜13の試料について、Si、O,Nの比は
変えず、水素の含有量を変化させて同様の評価を行なっ
たが、水素の含有量が5〜18原子%の範囲内ではボイ
ド、クラックの発生は見られず、プレッシャクツカー試
験でもほぼ100%の良品率が得られた。
試料番号1〜13の試料について、Si、O,Nの比は
変えず、水素の含有量を変化させて同様の評価を行なっ
たが、水素の含有量が5〜18原子%の範囲内ではボイ
ド、クラックの発生は見られず、プレッシャクツカー試
験でもほぼ100%の良品率が得られた。
このようにSi、O,Nが第2図の点1,3゜4.8,
13,12,11.9を結ぶ線上及びこれらの線に囲ま
れる領域内の組成範囲内の組成であれば、ボイドや、ク
ラックを発生させず、プレッシャクツカー試験でもほぼ
100%の良品率を示す。集積回路に適用した場合その
配線は100%近い良品率が求められるため、この組成
膜に適用した実施例について延べる。
13,12,11.9を結ぶ線上及びこれらの線に囲ま
れる領域内の組成範囲内の組成であれば、ボイドや、ク
ラックを発生させず、プレッシャクツカー試験でもほぼ
100%の良品率を示す。集積回路に適用した場合その
配線は100%近い良品率が求められるため、この組成
膜に適用した実施例について延べる。
第3図は本発明の第2の実施例として最終保護絶縁膜に
本発明のシリコン酸化窒化膜を用いたNチャネルシリコ
ンゲートMO8FETを示した断面図である。
本発明のシリコン酸化窒化膜を用いたNチャネルシリコ
ンゲートMO8FETを示した断面図である。
第3図において、311は面方位100.比抵抗lOΩ
−cmのP型Si基板、312はN型のソース又はドレ
イン、313は膜厚が400人のゲートシリコン酸化膜
、314は膜厚が4000人2層抵抗が20Ω/口の多
結晶シリコンによるゲートφ電極、315は膜厚が40
00人素子分離用シリコン酸化膜、316は膜厚が50
00人のCVDシリコン酸化膜、317は膜厚が0.5
μm、線幅2μmのアルミニウム配線であり、318は
プラズマ化学気相成長法により形成された膜厚が0.5
μmのシリコン酸化窒化膜で、Si:N:0=44:3
1:25.Hが全体の7原子%含まれている組成をもっ
たものである。
−cmのP型Si基板、312はN型のソース又はドレ
イン、313は膜厚が400人のゲートシリコン酸化膜
、314は膜厚が4000人2層抵抗が20Ω/口の多
結晶シリコンによるゲートφ電極、315は膜厚が40
00人素子分離用シリコン酸化膜、316は膜厚が50
00人のCVDシリコン酸化膜、317は膜厚が0.5
μm、線幅2μmのアルミニウム配線であり、318は
プラズマ化学気相成長法により形成された膜厚が0.5
μmのシリコン酸化窒化膜で、Si:N:0=44:3
1:25.Hが全体の7原子%含まれている組成をもっ
たものである。
このように構成された半導体装置においては低応力のシ
リコン酸化窒化膜318が形成されているためクラック
は発生せず又、450℃N250%−H250%雰囲気
中で1時間熱処理を行なった後においても、アルミニウ
ム配線317にはボイドが発生せず信頼性の高いものと
なる。
リコン酸化窒化膜318が形成されているためクラック
は発生せず又、450℃N250%−H250%雰囲気
中で1時間熱処理を行なった後においても、アルミニウ
ム配線317にはボイドが発生せず信頼性の高いものと
なる。
更に、半導体装置の耐湿性については、この半導体装置
を樹脂封止した後、高温高湿雰囲気中(125℃、 2
.3atm、 100%’RH)に置き不良発生率を調
べた。上述のように作成したM’O8)ランジスタの閾
値電圧が10%以上変動したものを不良とした。その結
果第4図の耐湿性試験結果を得た。この第4図に示され
るように10000時間の試験時間範囲内でシリコン酸
化窒化膜318を最終保護に用いた半導体装置の不良率
はシリコン窒化膜やSiO2とSiN4との1対lの組
成物である5i2N20を用いたものに比べて低い。し
たがって、かかる半導体装置はシリコン酸化窒化膜31
8を最終保護膜として用いることにより、優れた耐湿性
を有し、一層信頼性の高いものとなる。
を樹脂封止した後、高温高湿雰囲気中(125℃、 2
.3atm、 100%’RH)に置き不良発生率を調
べた。上述のように作成したM’O8)ランジスタの閾
値電圧が10%以上変動したものを不良とした。その結
果第4図の耐湿性試験結果を得た。この第4図に示され
るように10000時間の試験時間範囲内でシリコン酸
化窒化膜318を最終保護に用いた半導体装置の不良率
はシリコン窒化膜やSiO2とSiN4との1対lの組
成物である5i2N20を用いたものに比べて低い。し
たがって、かかる半導体装置はシリコン酸化窒化膜31
8を最終保護膜として用いることにより、優れた耐湿性
を有し、一層信頼性の高いものとなる。
次に本発明の第2の実施例の半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
第5図(a)〜(d)は本発明の第2の実施例による半
導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である
。
導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である
。
まず第5図(a)に示すように、選択酸化法等により素
子分離用酸化膜315がP型Si基板311上に形成さ
れる。
子分離用酸化膜315がP型Si基板311上に形成さ
れる。
次に第5図(b)に示すように、素子分離用酸化膜31
5以外の活性領域にゲートシリコン酸化膜313を40
0人の膜厚に形成し、その上に、ゲート電極として多結
晶シリコン314が温度600℃、ソースガスとしてS
iH,を用いた熱ガスを用いたりアクティブイオンエツ
チング法によりパターニングされてゲート電極が形成さ
れる。
5以外の活性領域にゲートシリコン酸化膜313を40
0人の膜厚に形成し、その上に、ゲート電極として多結
晶シリコン314が温度600℃、ソースガスとしてS
iH,を用いた熱ガスを用いたりアクティブイオンエツ
チング法によりパターニングされてゲート電極が形成さ
れる。
次に、多結晶シリコン314をマスクとする自己整合法
により、Asイオンをエネルギー70KeVドーズ量5
X 1015cm−2の条件のもとてP型S1基板3
11に注入してソース又は、ドレイン312が形成され
、900℃1時間の熱処理を加えてソース又はドレイン
312のシート抵抗は100Ω/口の抵抗値に設定され
る。
により、Asイオンをエネルギー70KeVドーズ量5
X 1015cm−2の条件のもとてP型S1基板3
11に注入してソース又は、ドレイン312が形成され
、900℃1時間の熱処理を加えてソース又はドレイン
312のシート抵抗は100Ω/口の抵抗値に設定され
る。
次に、第5(c)に示すように、ソースガスとしてS
i H4,02を用い、温度が400℃の熱CVD法に
よりシリコン酸化膜316が素子分離用シリコン酸化膜
315.多結晶シリコン314等を被覆するように0.
5μmの膜厚に形成され、その後CF、と02ガスを用
いたりアクティブイオンエツチング法等によりコンタク
トホールがCVDシリコン酸化膜316に形成される。
i H4,02を用い、温度が400℃の熱CVD法に
よりシリコン酸化膜316が素子分離用シリコン酸化膜
315.多結晶シリコン314等を被覆するように0.
5μmの膜厚に形成され、その後CF、と02ガスを用
いたりアクティブイオンエツチング法等によりコンタク
トホールがCVDシリコン酸化膜316に形成される。
次に、DCスパッタ法によりアルミニウムを0.5μm
の膜厚に形成し、バターニングを行い、線幅2μmのア
ルミニウムの配線17が形成される。
の膜厚に形成し、バターニングを行い、線幅2μmのア
ルミニウムの配線17が形成される。
次に第5図(d)に示すように、放電周波数380KH
zを有する平行平板型プラズマ化学気相成長装置に原料
ガスとしてモノシランガス(SiH4)を200cc/
分、アンモニアガス(NH3)を120cc/分、亜酸
化窒化ガス(N20)を400cc/分流し、全ガス圧
力を0.3Torrに設定後、放電電力を密度0.5
W / cntで印加し、基板温度300℃の条件でシ
リコン酸化窒化膜318がアルミニウム配線317を直
接被覆するように0.5μmの膜厚に形成される。その
後、アルミニウム配線317上のシリコン酸化窒化膜3
18の一部がリアクティブイオンエツチング法等により
選択的に取り除かれて第3図に示す半導体装置が得られ
る。
zを有する平行平板型プラズマ化学気相成長装置に原料
ガスとしてモノシランガス(SiH4)を200cc/
分、アンモニアガス(NH3)を120cc/分、亜酸
化窒化ガス(N20)を400cc/分流し、全ガス圧
力を0.3Torrに設定後、放電電力を密度0.5
W / cntで印加し、基板温度300℃の条件でシ
リコン酸化窒化膜318がアルミニウム配線317を直
接被覆するように0.5μmの膜厚に形成される。その
後、アルミニウム配線317上のシリコン酸化窒化膜3
18の一部がリアクティブイオンエツチング法等により
選択的に取り除かれて第3図に示す半導体装置が得られ
る。
第6図は本発明の第3の実施例として、最終保護絶縁膜
に本発明のシリコン酸化窒化膜とリンガラスを有するN
チャネルシリコンゲートMO8FETを示した断面図で
ある。第6図において601は面方位100.非抵抗1
0Ω−cmのP型Si基板、602はN型のソース又は
ドレイン。
に本発明のシリコン酸化窒化膜とリンガラスを有するN
チャネルシリコンゲートMO8FETを示した断面図で
ある。第6図において601は面方位100.非抵抗1
0Ω−cmのP型Si基板、602はN型のソース又は
ドレイン。
603は膜厚が400人ゲートシリコン酸化膜。
604は膜厚が4000人1層抵抗が20Ω/口の多結
晶シリコンによるゲート電極、605は膜厚が4000
人の素子分離用シリコン酸化膜。
晶シリコンによるゲート電極、605は膜厚が4000
人の素子分離用シリコン酸化膜。
606は膜厚が5000人のCVDシリコン酸化膜、6
07は膜厚が5000人線幅が2μmのアルミニウムの
配線、608はCVD法により形成された膜厚が500
0人のリンガラスであり、609はプラズマ化学気相成
長法により形成されたシリコン酸化窒化膜で、Si:N
:0=48:30:22.Hが全体の7原子%含まれて
いる。
07は膜厚が5000人線幅が2μmのアルミニウムの
配線、608はCVD法により形成された膜厚が500
0人のリンガラスであり、609はプラズマ化学気相成
長法により形成されたシリコン酸化窒化膜で、Si:N
:0=48:30:22.Hが全体の7原子%含まれて
いる。
このように構成された半導体装置は第2の実施例の半導
体装置と比較して、シリコン酸化窒化膜609の下にリ
ンガラス608を形成しているので最終保護絶縁膜のナ
トリウム(Na)イオンに対するバリア性は高まり一層
信頼制の高いものになる。また、リンガラス6080基
本特性として膜応力は低いから、シリコン酸化窒化膜6
09とリンガラス608を合わせて最終保護絶縁膜とし
て用いても、クラックは発生せず又、N250%−H2
50%雰囲気中で1時間熱処理を行なった後においても
、アルミニウム配線607にはボイドは発生しない。更
に、かかるリンガラス608とシリコン酸化窒化膜60
9とを保護絶縁膜として有する半導体装置の耐湿性は第
2の実施例の半導体装置と同等であった。
体装置と比較して、シリコン酸化窒化膜609の下にリ
ンガラス608を形成しているので最終保護絶縁膜のナ
トリウム(Na)イオンに対するバリア性は高まり一層
信頼制の高いものになる。また、リンガラス6080基
本特性として膜応力は低いから、シリコン酸化窒化膜6
09とリンガラス608を合わせて最終保護絶縁膜とし
て用いても、クラックは発生せず又、N250%−H2
50%雰囲気中で1時間熱処理を行なった後においても
、アルミニウム配線607にはボイドは発生しない。更
に、かかるリンガラス608とシリコン酸化窒化膜60
9とを保護絶縁膜として有する半導体装置の耐湿性は第
2の実施例の半導体装置と同等であった。
次に本発明の第3の実施例の製造方法について説明する
。
。
第7図(a)〜(d)は本発明の第3の実施例にかかる
半導体装置の製造方法のを説明するための工程断面図で
ある。
半導体装置の製造方法のを説明するための工程断面図で
ある。
まず、第7図(a)に示すように、選択酸化法により素
子分離用シリコン酸化膜605がP型Si基板601に
形成される。
子分離用シリコン酸化膜605がP型Si基板601に
形成される。
次に、第7図(b)に示すように素子分離用シリコン酸
化膜605以外の活性領域にゲートシリコン酸化膜60
3が400人の膜厚に形成され、そ法ニヨリ4000人
の膜厚に形成される。この多結晶シリコン604中にP
OCl sを用いた920℃1時間の熱拡散によりリ
ン(P)がド一プされ20Ω/口の抵抗値に設定された
後、CF 4ガスを用いたリアクティブイオンエ、ソチ
ング方法によりパターニングされてゲート電極が形成さ
れる。次に、ゲート電極をマスクとして用いる自己整合
法によりAsイオンをエネルギ70K e V 、
ドーズ量5 X 1015cm−2の条件でP型Si基
板601に注入し、ソース又はドレイン602が形成さ
れ、900℃1時間の熱処理を加えてソース又はドレイ
ン602のシート抵抗は100Ω/口の抵抗値に設定さ
れる。
化膜605以外の活性領域にゲートシリコン酸化膜60
3が400人の膜厚に形成され、そ法ニヨリ4000人
の膜厚に形成される。この多結晶シリコン604中にP
OCl sを用いた920℃1時間の熱拡散によりリ
ン(P)がド一プされ20Ω/口の抵抗値に設定された
後、CF 4ガスを用いたリアクティブイオンエ、ソチ
ング方法によりパターニングされてゲート電極が形成さ
れる。次に、ゲート電極をマスクとして用いる自己整合
法によりAsイオンをエネルギ70K e V 、
ドーズ量5 X 1015cm−2の条件でP型Si基
板601に注入し、ソース又はドレイン602が形成さ
れ、900℃1時間の熱処理を加えてソース又はドレイ
ン602のシート抵抗は100Ω/口の抵抗値に設定さ
れる。
次に第7図(C)に示すように、ソースガスとしてSi
H,,02を用い、温度が400℃の熱CVD法により
シリコン酸化膜606が素子分離用シリコン酸化膜60
5.多結晶シリコン604等を′ 被覆するように0.
5μmの膜厚に形成され、その後、CF、、02を用い
たリアクティブイオンエツチング法によりコンタクトホ
ールがCVDシリコン酸化膜606に形成される。次に
DCスパッタ法によりアルミニウムを0.5μmの膜厚
に形成し。
H,,02を用い、温度が400℃の熱CVD法により
シリコン酸化膜606が素子分離用シリコン酸化膜60
5.多結晶シリコン604等を′ 被覆するように0.
5μmの膜厚に形成され、その後、CF、、02を用い
たリアクティブイオンエツチング法によりコンタクトホ
ールがCVDシリコン酸化膜606に形成される。次に
DCスパッタ法によりアルミニウムを0.5μmの膜厚
に形成し。
パターニングを行い、線幅2μmのアルミニウムの配線
607が形成される。
607が形成される。
第7図(d)に示すように、アルミニウムの配線607
を直接被覆するようにリンガラス608がされる。その
後、放電周波数380KHzを有する平行平板型プラズ
マ化学気相成長装置に原料ガスとしてモノシランガス(
SiHa)を200ccス圧力を0.3Torrに設定
後、放電電力を密度0.5W/adで印加し、基板温度
300℃の条件でシリコン酸化窒化膜609がリンガラ
ス608上に0.5μmの膜厚に形成される。その後ア
ルミニウム配線607上のシリコン酸化窒化膜609及
びリンガラス608の一部がリアクティブイオンエツチ
ング法等により取り除かれ第6図に示す半導体装置が得
られる。
を直接被覆するようにリンガラス608がされる。その
後、放電周波数380KHzを有する平行平板型プラズ
マ化学気相成長装置に原料ガスとしてモノシランガス(
SiHa)を200ccス圧力を0.3Torrに設定
後、放電電力を密度0.5W/adで印加し、基板温度
300℃の条件でシリコン酸化窒化膜609がリンガラ
ス608上に0.5μmの膜厚に形成される。その後ア
ルミニウム配線607上のシリコン酸化窒化膜609及
びリンガラス608の一部がリアクティブイオンエツチ
ング法等により取り除かれ第6図に示す半導体装置が得
られる。
次に、第8図を用いて本発明の第4の実施例として、多
層金属配線を有する半導体装置を説明する。面方位10
0.比抵抗10Ω−cmのP型シリコン基板811表面
の膜厚1μmのシリコン酸化に、このアルミニウム配線
214を直接被覆する様に、プラズマ化学気相成長法に
よりS i : N :0=45:33:22.Hが全
体の11原子%含まれているシリコン酸化窒化膜813
が膜厚5000人に形成されている。このシリコン酸化
窒化膜813上に第2のアルミニウム配線815が膜厚
5000人蛯線幅2μmに形成されている。
層金属配線を有する半導体装置を説明する。面方位10
0.比抵抗10Ω−cmのP型シリコン基板811表面
の膜厚1μmのシリコン酸化に、このアルミニウム配線
214を直接被覆する様に、プラズマ化学気相成長法に
よりS i : N :0=45:33:22.Hが全
体の11原子%含まれているシリコン酸化窒化膜813
が膜厚5000人に形成されている。このシリコン酸化
窒化膜813上に第2のアルミニウム配線815が膜厚
5000人蛯線幅2μmに形成されている。
このアルミニウム配線上にシリコン酸化窒化膜813と
同じ結成を有するシリコン酸化窒化膜816が形成され
ている。
同じ結成を有するシリコン酸化窒化膜816が形成され
ている。
このように構成された多層配線構造を有する半導体装置
においては、450℃、N250%−H250%雰囲気
中で1時間熱処理を行なった後においても、第1のアル
ミニウム配線814にはボイドが発生せず信頼性の高い
ものであった。また、125℃、 2.3atm、 1
00%RHの条件でプレッシャクッ力試験を6000時
間行なったが、アルミニウム配線814,815には断
線が見られなかった。
においては、450℃、N250%−H250%雰囲気
中で1時間熱処理を行なった後においても、第1のアル
ミニウム配線814にはボイドが発生せず信頼性の高い
ものであった。また、125℃、 2.3atm、 1
00%RHの条件でプレッシャクッ力試験を6000時
間行なったが、アルミニウム配線814,815には断
線が見られなかった。
次に、かかる本発明の第4の実施例による多層配線構造
を有する半導体装置の製造方法について、各工程の断面
図を示す第9(a)〜(d)を参照して説明する。
を有する半導体装置の製造方法について、各工程の断面
図を示す第9(a)〜(d)を参照して説明する。
まず、第9図(a)に示すように、ソースガスとしてS
iH4,02を用いた温度が400℃の熱化学気相成長
法によりシリコン酸化膜812をシリコン基板811上
に1μmの厚さに堆積させたのち、第9図(b)に示す
ようにアルミニウム膜をDCスパッター法によりシリコ
ン酸化膜812上に0,5μmの厚さに形成後、パター
ニングして線幅2μmの第1のアルミニウム配線814
を形成する。次に放電周波数380KHzを有する平行
平板型プラズマ化学気相成長装置に原料ガスとしてモノ
シランガス(SiH4)を200cc/分、アンモニア
ガス(N H3)を120cc/分、亜酸化窒素ガス(
N20)を300cc/分を流し、全ガス圧26一 力を0.3Torrに設定後、放電電力を密度0.5
W/cTAで印加し基板温度300℃の条件で第9図(
c)に示すようにシリコン酸化窒化膜813を第1のア
ルミニウム配線814を1μm膜厚に直接被覆する様に
形成する。その後、このシリコン酸化窒化膜213にC
F4.02ガスを用いたりアクティブイオンエツチング
によりスルーホールを形成し、第9図(d)に示すよう
に、シリコン酸化窒化膜813上にアルミニウム膜をD
Cスパッタ法により0.5μmの膜厚に形成してパター
ニングし、線幅2μmの第2のアルミニウム配線815
を形成し、さらにシリコン酸化窒化膜816を形成する
ことにより第8図に示す多層配線を有する半導体装置が
得られる。
iH4,02を用いた温度が400℃の熱化学気相成長
法によりシリコン酸化膜812をシリコン基板811上
に1μmの厚さに堆積させたのち、第9図(b)に示す
ようにアルミニウム膜をDCスパッター法によりシリコ
ン酸化膜812上に0,5μmの厚さに形成後、パター
ニングして線幅2μmの第1のアルミニウム配線814
を形成する。次に放電周波数380KHzを有する平行
平板型プラズマ化学気相成長装置に原料ガスとしてモノ
シランガス(SiH4)を200cc/分、アンモニア
ガス(N H3)を120cc/分、亜酸化窒素ガス(
N20)を300cc/分を流し、全ガス圧26一 力を0.3Torrに設定後、放電電力を密度0.5
W/cTAで印加し基板温度300℃の条件で第9図(
c)に示すようにシリコン酸化窒化膜813を第1のア
ルミニウム配線814を1μm膜厚に直接被覆する様に
形成する。その後、このシリコン酸化窒化膜213にC
F4.02ガスを用いたりアクティブイオンエツチング
によりスルーホールを形成し、第9図(d)に示すよう
に、シリコン酸化窒化膜813上にアルミニウム膜をD
Cスパッタ法により0.5μmの膜厚に形成してパター
ニングし、線幅2μmの第2のアルミニウム配線815
を形成し、さらにシリコン酸化窒化膜816を形成する
ことにより第8図に示す多層配線を有する半導体装置が
得られる。
第10図は本発明の第5の実施例による多層金属配線を
有する半導体装置を示す断面図である。
有する半導体装置を示す断面図である。
面方位100.比抵抗10Ω−cmのP型シリコン基板
1001表面の膜厚1μmのシリコン酸化膜1002上
には第1のアルミニウム配線1004が膜厚0.5μm
、線幅2μmに形成されている。
1001表面の膜厚1μmのシリコン酸化膜1002上
には第1のアルミニウム配線1004が膜厚0.5μm
、線幅2μmに形成されている。
次に、アルミニウム配線304を直接被覆するように、
プラズマ化学気相成長法により、Si:N:0=45:
33:22.Hが全体の11原子%含まれている組成を
有するシリコン酸化窒化膜1003が膜厚0.5μmに
形成されている。このシリコン酸化窒化膜1003上に
塗布方法により膜応力が5 X 10 ”dyn/cu
t (圧縮)以下のシリコン酸化膜1005が形成され
、その上に、シリコン酸化窒化膜1003と同組成のシ
リコン酸化窒化膜1007がプラズマ化学気相成長法に
より膜厚0.5μmに形成されている。このシリコン酸
化窒化膜1007上に第2のアルミニウム配線1006
が0.5μmの膜厚、線幅2μmに形成されている。そ
の上にシリコン酸化窒化膜1007と同じ組成を持つ、
シリコン酸化窒化膜1008体装置は第4の実施例で述
べた構造を有する半導体装置に比較して段差部分をシリ
コン酸化膜1005によって埋めているため層間膜の平
坦性が優れており第2のアルミニウム配線1007の段
差部分での断線及び薄膜化が防止され信頼性が向上する
という利点を有する。シリコン酸化窒化膜1003.1
007とシリコン酸化膜1005で構成される層間膜の
膜応力は5 X 10’dyn/cni以下と低い応力
であり、この半導体装置を450℃N250%−H25
0%雰囲気中で1時間熱処理を行なった後においても第
1のアルミニウム配線1004にはボイドが発生しない
。また、125℃、 2.3atm、 100%RHの
条件でプレッシャフッカ試験を6000時間行なったが
アルミニウム配線1004.1006には断線が見られ
なかった。
プラズマ化学気相成長法により、Si:N:0=45:
33:22.Hが全体の11原子%含まれている組成を
有するシリコン酸化窒化膜1003が膜厚0.5μmに
形成されている。このシリコン酸化窒化膜1003上に
塗布方法により膜応力が5 X 10 ”dyn/cu
t (圧縮)以下のシリコン酸化膜1005が形成され
、その上に、シリコン酸化窒化膜1003と同組成のシ
リコン酸化窒化膜1007がプラズマ化学気相成長法に
より膜厚0.5μmに形成されている。このシリコン酸
化窒化膜1007上に第2のアルミニウム配線1006
が0.5μmの膜厚、線幅2μmに形成されている。そ
の上にシリコン酸化窒化膜1007と同じ組成を持つ、
シリコン酸化窒化膜1008体装置は第4の実施例で述
べた構造を有する半導体装置に比較して段差部分をシリ
コン酸化膜1005によって埋めているため層間膜の平
坦性が優れており第2のアルミニウム配線1007の段
差部分での断線及び薄膜化が防止され信頼性が向上する
という利点を有する。シリコン酸化窒化膜1003.1
007とシリコン酸化膜1005で構成される層間膜の
膜応力は5 X 10’dyn/cni以下と低い応力
であり、この半導体装置を450℃N250%−H25
0%雰囲気中で1時間熱処理を行なった後においても第
1のアルミニウム配線1004にはボイドが発生しない
。また、125℃、 2.3atm、 100%RHの
条件でプレッシャフッカ試験を6000時間行なったが
アルミニウム配線1004.1006には断線が見られ
なかった。
次に、本発明の第5の実施例による多層配線構造を有す
る半導体装置の製造方法について各工程の断面図を示す
第11図(a)〜(「)を参照して説明する。
る半導体装置の製造方法について各工程の断面図を示す
第11図(a)〜(「)を参照して説明する。
まず、第11図(a)に示すようにソースガスとン基板
1001上に1μmの厚さに堆積させたのち、第11図
(b)に示すようにアルミニウム膜をDCスパッタ法に
よりシリコン酸化膜1002上に0.5μmの厚さに形
成後パターニングし線幅2μmの第1のアルミニウム配
線1004を形成する。次に第11図(c)に示すよう
に、第4の実施例において述べたと同じ条件及び方法に
よりシリコン酸化窒化膜1003を0.5μmの膜厚に
堆積し、その後、塗布法により有機シリカ膜を形成し3
00℃、N2雰囲気中で30分間アニールして有機シリ
カ膜中の有機成分をとばし第11図(d)に示す様にシ
リコン酸化膜1005を形成し、その直後に第11図(
e)に示す様に前記と同じシリコン酸化窒化膜1007
を0.5μmの膜厚に堆積する。その後シリコン酸化窒
化膜1007とシリコン酸化膜1005により構成され
た層間膜にCF4.02カスを用いたりアクティブイオ
ンエツチングによりスルーホールを形成し、第11図(
f)に示す様にこの層間膜上にアルミニウム膜を(DC
)スパッタ法により0.5μmの膜厚に形成=30− してパターニングし、線幅2μmの第2のアルミニウム
配線1006を形成することにより第10図に示す多層
配線構造を有する半導体装置が得られる。
1001上に1μmの厚さに堆積させたのち、第11図
(b)に示すようにアルミニウム膜をDCスパッタ法に
よりシリコン酸化膜1002上に0.5μmの厚さに形
成後パターニングし線幅2μmの第1のアルミニウム配
線1004を形成する。次に第11図(c)に示すよう
に、第4の実施例において述べたと同じ条件及び方法に
よりシリコン酸化窒化膜1003を0.5μmの膜厚に
堆積し、その後、塗布法により有機シリカ膜を形成し3
00℃、N2雰囲気中で30分間アニールして有機シリ
カ膜中の有機成分をとばし第11図(d)に示す様にシ
リコン酸化膜1005を形成し、その直後に第11図(
e)に示す様に前記と同じシリコン酸化窒化膜1007
を0.5μmの膜厚に堆積する。その後シリコン酸化窒
化膜1007とシリコン酸化膜1005により構成され
た層間膜にCF4.02カスを用いたりアクティブイオ
ンエツチングによりスルーホールを形成し、第11図(
f)に示す様にこの層間膜上にアルミニウム膜を(DC
)スパッタ法により0.5μmの膜厚に形成=30− してパターニングし、線幅2μmの第2のアルミニウム
配線1006を形成することにより第10図に示す多層
配線構造を有する半導体装置が得られる。
以上、詳細に説明したように、本発明の組成範囲内のシ
リコン酸化窒化膜を半導体装置の最終保護絶縁層や層間
絶縁膜として用いることにより、クラックが発生せず、
又、金属配線にはボイドが発生せず、更に耐湿性不良の
少ない、すなわち信頼性の高い半導体装置を製造できる
効果がある。
リコン酸化窒化膜を半導体装置の最終保護絶縁層や層間
絶縁膜として用いることにより、クラックが発生せず、
又、金属配線にはボイドが発生せず、更に耐湿性不良の
少ない、すなわち信頼性の高い半導体装置を製造できる
効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例に用いた試料の断面図、
第2図は本発明の第1の実施例に用いたシリコン酸化窒
化膜の組成を説明するための5i−N−〇三元素の組成
図、第3図は本発明の第2の実施例による半導体装置の
断面図、第4図は本発明の第2の実施例による半導体装
置の高温高湿雰囲気における不良発生率の試験時間依存
性を示すグラフ、第5図(a)〜(d)は本発明の第2
の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための
工程断面図、第6図は本発明の第3の実施例による半導
体装置の断面図、第7図(a)〜(d)は本発明の第3
の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための
工程断面図、第8図は本発明の第4の実施例による多層
配線構造を有する半導体装置の断面図、第9図(a)〜
(d)は本発明の第4の実施例による多層配線構造を有
する半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図
、第10図は本発明の第5の実施例による多層配線構造
を有する半導体装置の断面図、第11図(a)〜(f)
は、本発明の第5の実施例による多層配線構造を有する
半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。 101・・・・・・シリコンウェハ、102・・・・・
・熱酸化膜、103・・・・・・PSG膜、104・・
・・・・アルミニウム線、105・・・・・・シリコン
酸化窒化膜、311゜601.811.1001・・・
・・・P型Si基板、312.602・・・・・・ソー
ス又はドレイン、313.603・・・・・・ゲートシ
リコン酸化膜、314.604・・・・・・多結晶シリ
コン、315゜605・・・・・・素子分離用シリコン
酸化膜、316゜606・・・・・・CVDシリコン酸
化膜、317゜607・・・・・・アルミニウム配L
318,609・・・・・・シリコン酸化窒化膜、6
08・・・・・・リンガラス、812.1002.10
05・・・・・・シリコン酸化膜、813.1003.
1007・・・・・・シリコン酸化窒化膜、814.1
004・・・・・・第1のアルミ配線、815.100
6・・・・・・第2のアルミ配線。
第2図は本発明の第1の実施例に用いたシリコン酸化窒
化膜の組成を説明するための5i−N−〇三元素の組成
図、第3図は本発明の第2の実施例による半導体装置の
断面図、第4図は本発明の第2の実施例による半導体装
置の高温高湿雰囲気における不良発生率の試験時間依存
性を示すグラフ、第5図(a)〜(d)は本発明の第2
の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための
工程断面図、第6図は本発明の第3の実施例による半導
体装置の断面図、第7図(a)〜(d)は本発明の第3
の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための
工程断面図、第8図は本発明の第4の実施例による多層
配線構造を有する半導体装置の断面図、第9図(a)〜
(d)は本発明の第4の実施例による多層配線構造を有
する半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図
、第10図は本発明の第5の実施例による多層配線構造
を有する半導体装置の断面図、第11図(a)〜(f)
は、本発明の第5の実施例による多層配線構造を有する
半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。 101・・・・・・シリコンウェハ、102・・・・・
・熱酸化膜、103・・・・・・PSG膜、104・・
・・・・アルミニウム線、105・・・・・・シリコン
酸化窒化膜、311゜601.811.1001・・・
・・・P型Si基板、312.602・・・・・・ソー
ス又はドレイン、313.603・・・・・・ゲートシ
リコン酸化膜、314.604・・・・・・多結晶シリ
コン、315゜605・・・・・・素子分離用シリコン
酸化膜、316゜606・・・・・・CVDシリコン酸
化膜、317゜607・・・・・・アルミニウム配L
318,609・・・・・・シリコン酸化窒化膜、6
08・・・・・・リンガラス、812.1002.10
05・・・・・・シリコン酸化膜、813.1003.
1007・・・・・・シリコン酸化窒化膜、814.1
004・・・・・・第1のアルミ配線、815.100
6・・・・・・第2のアルミ配線。
Claims (5)
- (1)半導体素子の形成された半導体基板上を覆う絶縁
膜が、Si、N、Oを主な成分とし、該成分の組成比を
Si_xN_yO_z(ただし、x+y+z=1.00
)と表わしたときに、x、y、zの範囲が、Si、N、
Oの三元系組成において、以下の8個の組成点 (x=0.51、y=0.28、z=0.21)、(x
=0.47、y=0.28、z=0.25)、(x=0
.44、y=0.31、z=0.25)、(x=0.4
1、y=0.36、z=0.23)、(x=0.41、
y=0.39、z=0.20)、(x=0.44、y=
0.38、z=0.18)、(x=0.46、y=0.
37、z=0.17)、(x=0.51、y=0.32
、z=0.17)を結ぶ線上および前記8個の組成点を
結ぶ線に囲まれる組成範囲にあるシリコン酸化窒化膜を
少くともその一部に有していることを特徴とする半導体
装置。 - (2)前記半導体基板上には配線を有し、該配線上を前
記シリコン酸化窒化膜が覆っていることを特徴とする特
許請求の範囲の第1項記載の半導体装置。 - (3)前記配線はアルミニウム配線である特許請求の範
囲第2項記載の半導体装置。 - (4)前記アルミニウム配線の線幅は2μm以下である
特許請求の範囲第3項記載の半導体装置。 - (5)前記シリコン酸化窒化膜はHを5〜18原子%含
んでいる特許請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第
4項記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-212358 | 1986-09-08 | ||
JP21235886 | 1986-09-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63184340A true JPS63184340A (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=16621222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62222411A Pending JPS63184340A (ja) | 1986-09-08 | 1987-09-04 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4907064A (ja) |
EP (1) | EP0259826B1 (ja) |
JP (1) | JPS63184340A (ja) |
KR (1) | KR910001779B1 (ja) |
DE (1) | DE3774808D1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2005510872A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | シリコン欠乏雰囲気中のpecvdプロセスを用いた、金属ゲート電極のための酸窒化物スペーサの形成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5365104A (en) * | 1993-03-25 | 1994-11-15 | Paradigm Technology, Inc. | Oxynitride fuse protective/passivation film for integrated circuit having resistors |
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JPH10256539A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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