JPH0322551A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、多層配
線構造体の層間絶縁膜やＭＯＳ｝ランジスタのゲート絶
縁膜や金多層配線構造使用の絶縁膜の形成法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の層間絶縁膜としては、主として化学気相
成長法によって形成した二酸化珪素膜を用いていた。す
なわち、第７図に示すように第ｌの配線７０２が形成さ
れた半導体素子基板７０１上に化学気相成長法により二
酸化珪素膜７０３を形成し開孔７０４を形戊後第２の配
線７０５を形成することによって２層アルミニウム配線
構造体を形成していた。

また、従来、ＭＯＳｈランジスターのゲート絶縁膜は、
半導体基体、例えば単結晶シリコン基板，あるいは多結
晶シリコン基板表面を熱酸化することにより形成してい
た。

さらに、従来、の種の金多層配線構造体としては、層間
絶縁膜としてプラズマ化学気相成長法によるシリコン窒
化膜とシリコン酸化膜との２層構造を用いた２層金メッ
キ配線が検討されている（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｄｅｃ．，　１　９　８　３　，
Ｐ　１　３　７）。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の層間絶縁膜の形成方法は、主としてシラ
ンガス等の発火性の強いガスを用いることから、非常に
危険であること、装置が高価であることなどから、製造
コストが高いという問題がある。また、近年の半導体基
板の大口径化によって、膜厚均一性の高い成膜を行うこ
とが難しく、バッチ処理を行い難く、したがって、製産
性が低下するという問題がある。さらに、従来の化学気
相戊長法では、３００℃以上の高温で形成する必要があ
り、アルミニウム配線上に形成するときには、アルミニ
ウム膜表面にヒロックが発生することから、表面の平滑
性が保てないこと、また、５一 上，下層配線間で短絡して著しく歩留りが低下したり、
信頼性上の問題が発生するという欠点がある。

また、上述した従来のゲート酸化膜の形成法は、基板を
熱酸化するという方法を使用するので、この熱酸化によ
り基板中の不純物濃度が変化してしまうという欠点があ
る。又、ゲート酸化膜を形成する基板が多結晶シリコン
のような多結晶の半導体材料であると、この多結晶半導
体材料表面に熱酸化法で形成した酸化膜には凹凸が発生
し電界集中により破壊しやすいゲート酸化膜が形戊され
てしまうという欠点がある。

また、従来の金多層配線構造体は、以下のような問題が
ある。すなわち、層間絶縁膜をプラズマ化学気相成長法
だけを用いて形成していることから、下地の金配線等に
よって形成される凹凸を反映しやすいばかりでなく、特
に配線間隔が狭い部分では、凹部がオーバハンダな形状
となりやすく、したがって、この上に配線を形成したと
きに、断線を起こしたり、また、配線形成時に、配線部
以六一 外の給電金属膜の除去を行う工程で、層間絶縁膜の凹部
内に金属残査が残りやすいために、同層配線間で短絡し
てしまうという問題がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造方法は、珪弗化水素酸（Ｈ２
ＳｉＦ６）水溶液に、二酸化珪素粉末を溶解・飽和せし
めた水溶液に弗化水素酸を消費するような添加物を添加
して形成した常時過飽和状態に保たれた水溶液中に浸漬
せしめることによって二酸化珪素膜を堆積する工程を有
している。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の
多層配線構造体において、珪弗化水素酸（Ｈ２　Ｓ　ｉ
　Ｆ　ａ）水溶液に、二酸化珪素粉末を溶解・飽和せし
めた水溶液に弗化水素酸を消費するような添加物を添加
して形成した常時過飽和状態に保たれた水溶液中に浸漬
せしめることによって堆積した二酸化珪素膜を、層間絶
縁膜の少くとも一部に用いる工程を有している。さらに
、上記の溶液の温度は、３０〜５０℃の間のある一定の
温度に保たれていることが望ましい。

−７− また、本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、珪弗
化水素酸（Ｈ２　Ｓ　ｉ　Ｆ　ａ）水溶液に、二酸化珪
素粉末を溶解・飽和した水溶液中に弗化水素酸を消費す
るような添加物を添加し常時過飽和状態に保持された水
溶液中に半導体基板あるいは材料を浸漬することにより
堆積した二酸化珪素膜によりゲート酸化膜を形成する工
程を有している。

また、本発明の半導体装置の金多層配線構造体の製造方
法は、絶縁膜を介して下側にバリア金属膜を有する第１
の金配線が形成された半導体素子基板上にスパッタ法，
プラズマ化学気相成長法によってシリコン酸化膜，又は
、シリコン窒化膜，又は、シリコン酸化窒化膜を形成す
る工程と、続いて、珪弗化水素酸（Ｈ　２　Ｓ　ｉ　Ｆ
　ｓ）水溶液に、二酸化珪素粉末を溶解・飽和せしめた
水溶液に弗化水素酸を消費するような添加物を添加して
形成した常時過飽和状態に保たれ、かつ液温か３０〜５
０℃の間のある一定の温度に保たれた水溶液中に浸漬せ
しめることによって、二酸化珪素膜を形成する工程と、
公知のフォトエッチング技術を用８ いて開孔を形成する工程と、続いて、給電用の金属膜と
してチタン系又はタングステン系の金属膜と金薄膜とを
連続してスパッタ形成する工程と、公知のフォトリソグ
ラフィー技術を用いてパターニングされたフォトレジス
ト膜を形成する工程と、電解メッキ法により、第２の金
配線を形成する工程と、該フォトレジスト膜を除去した
後に、第２の金配線以外の部分の給電時に用いた金属膜
を、イオンミリング、又は、反応性イオンビームエッチ
ングによって、除去する工程とを有しており、さらに上
記の工程を繰り返すことによって多層化せしめることが
できる。

本発明においては、二酸化珪素の過飽和溶液中に半導体
基板を浸漬せしめることによって、３０℃〜５０℃の低
温で層間絶縁膜やゲート酸化膜等の絶縁膜を形成できる
。

また、本発明においては、層間絶縁膜の一部に、二酸化
珪素の過飽和水溶液中に浸漬せしめることによって形成
した二酸化珪素膜を用いることによって段差被覆性に優
れた層間絶縁膜を形成でき一へ る。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例である２層アルミ．ニ
ウム配線構造体の製造方法を示す工程断面図である。

第１図（ａ）に示すように素子が形成された半導体基板
１０１上に、厚さ約０、８μｍのリンガラス膜１０２を
介して厚さ約１μｍの第１のアルミニウム配線１０３が
形成されている。次に、同図（ｂ）に示すように、スパ
ッタ法により、厚さ約２００ＯＡの二酸化珪素膜１０４
を形成する。次に、濃度２ｍｏｌ／４２の珪弗化水素酸
水溶液に、粒径が５〜１０μｍの二酸化珪素の微粒子を
溶解し、飽和させた水溶液に、濃度０．０５ｍｏｌ／Ａ
のホウ酸水溶液を添加し、その液温を４０℃に保ちつつ
、該基板を２４時間浸漬することによって、同図（ｃ）
に示すように厚さ約０．７μｍの二酸化珪素膜１０５を
堆積する。続いて、公知のフォトエッチング技術を用い
て、同図（ｄ）に示すように開孔一］・０ １０６を形成した後、同図（ｄ）に示すように、厚さ約
１μｍの第２のアルミニウム配線１０７を形成すること
によって２層アルミニウム配線構造体が形成される。

形成した２層アルミニウム配線構造体において、直径約
１μｍの開孔部の接続抵抗を測定したところ、１００〜
１５０ｍΩ（配線抵抗を含む）であり、これは、従来の
化学気相成長法によって形成した二酸化珪素膜を層間絶
縁膜に用いた場合と同等であった。さらに、本発明に基
づく層間絶縁膜の絶縁耐圧は、約７ＭＶ／ｃｍであり、
かつ、低電界におけるリーク電流は、１　０−”Ａ／ｃ
Ｊ　（電極面積：１−，印加電圧５Ｖ）以下であった。

これらの値は、化学気相成長法による二酸化珪素膜のも
のよりも優れたものであった。さらに、第１のアルミニ
ウム配線の表面にはヒロックの発生は全くないものであ
った。

本実施例では、本発明に基づく二酸化珪素膜の下層にス
パッタ法によって二酸化珪素膜を形成しているが、これ
は、二酸化珪素膜と同等の特性を有する他の絶縁膜であ
ってもよい。また、本発明に基づく二酸化珪素膜上にス
パッタ法，化学気相成長法，塗布法等によって絶縁膜を
形成してもよい。

また、本実施例では、溶液中に添加物としてホウ酸を添
加しているが、これは珪弗化水素酸水溶液に、二酸化珪
素粉末を溶解したときに発生する弗化水素（ＨＦ）を消
費させるために添加しているものであり、これは、ホウ
酸に限らず、リン酸，水酸化アンモニウム等であっても
良い。

さらに、配線材料はアルミニウムに限ラス、タングステ
ン，モリブデン等の高融点金属、又は、これらと珪素か
らなる合金等を用いることもできる。

第２図は、本発明の第２の実施例を示す工程断面図であ
る。本実施例では、ＭＯＳ型半導体装置のポリシリコン
ゲート電極と、アルミニウム配線との層間絶縁膜に用い
た例を示す。

第２図（ａ）に示すように、素子分離領域２０２，２０
２’，ソース領域２０３，ドレイン領域２０４，ゲート
酸化膜２０５，ポリシリコンゲート２０６が形成された
基板２０１上に、第１の実施例で述べたと同条件で同図
（ｂ）に示すように本発明に基づく、厚さ約０．７μｍ
の二酸化珪素膜２０７を形成する。続いて、同図（ｃ）
に示すように、公知のフォトエッチング技術を用いて開
孔２０８，２０８’を設け、同図（ｄ）に示すように、
バリアメタルとして厚さ約０．１μｍのチタン含有タン
グステン膜２０９、厚さ約０．６μｍの珪素含有アルミ
ニウム膜２１０を連続してスパッタ法により形成する。

この後、同図（ｅ）に示すように、公知のフォトエッチ
ング技術を用いて、アルミニウム配線２１１，２１１′
を形成する。

上記の工程によって、形成したＭＯＳ型トランジスタの
特性を調べたところ、化学気相成長により形成した二酸
化珪素膜を層間絶縁膜として用いたものと同等な特性で
あった。さらに、ソース領域，ドレイン領域と、アルミ
ニウム配線との間の直径約０．８μｍの開孔部の接続抵
抗は、２０〜３０Ωであり、これは、化学気相成長法に
よって１３ 形成した二酸化珪素膜を層間絶縁膜として用いたものと
同等の値であった。

第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施例であるゲ
ート酸化膜の形成法を説明する為の縦断面図である。第
３図（ａ）はＬＯＣ：ＯＳ法により比抵抗１Ω・印のＰ
型シリコン基板３１０に５０００人のフィールド酸化膜
３１２を形成したものである。

３１１はチャネルストッパーのＰ＋拡散層である。

次に第３図（ｂ）のように第３図（ａ）のウェハーを過
飽和な珪弗化水素酸（Ｈ　２　Ｓ　ｉ　Ｆ　ｇ）に二酸
化珪素（Ｓｉｇｈ）粉末を添加し、さらにアンモニア水
（ＮＨ．ＯＨ）を加えた溶液３１４の入った溶槽３１５
に浸漬し、ヒーター３１５′で３５℃の温調をする。す
ると、Ｈ２Ｓ　ｉＦ１１＋２Ｈ２０→６ＨＦ＋Ｓｉｎ２
の反応でウェハー表面にＳｉＯ２３１５が堆積する。Ｓ
　ｉ　０２をエッチングするＨＦ’は、ＮＨ４０Ｈ＋Ｈ
Ｆ→Ｎ　Ｈ　４　Ｆ　十Ｈ　２　０の反応で消費され、
ウェハー表面に堆積したＳｉＯ２３１５をエッチングし
てしまうことはない。本実施例ではＳｉＯ２３１５を２
００人堆積させる。さらに−１４，一 ゲート電極のｎ＋多結晶シリコン３１６を５０００人を
ＣＶＤ法で堆積しゲート電極を目合せ露光，エッチング
を行なって形成した後、ソース，ドレインのｎ＋拡散層
３１７を５　０ＫｅＶ，　　Ｉ　Ｘ　１　０１６ｃｍ−
２のヒ素Ａｓのイオン注入でゲート電極３１６をマスク
として形成する。これで第３図（Ｃ）に示したＭＯＳ電
界効果トランジスターのゲート，ソース，ドレインの形
成は完或する。

第４図は本発明の第４の実施例の縦断面図である。４０
０はＰ型Ｓｉ基板，４２０はフィールド酸化膜，４１０
はＰ＋拡散層よりなるチャネルストッパー，４３０は熱
酸化法により形成した第１’Ｉ　　｝ＳｉＯ２酸化膜で
ある。この実施例では、ＥＰ−ＲＯＭのトランジスター
でありフローティングゲート電極４４０上の第２ゲー｝
ＳｉＯ２酸化膜４５０を、第３の実施例の第３図（ｂ）
の方法と同様の方法で形成した。４６０はコントロール
ゲート電極である。

第５図は、本発明の第５の実施例である２層金配線構造
体の製造方法を示す工程断面図である。

第５図（ａ）に示すように、絶縁膜５０２を介してバリ
ア金属となる厚さ約０．２μｍのチタン含有タングステ
ン膜５０３を下層に有する厚さ約ｌμｍの第１の金配線
５０４が形成された半導体素子基板５０１上に、同図（
ｂ）に示すように、プラズマ化学気相成長法により厚さ
約０．２μｍのシリコン酸化膜５０５を形成する。次に
、濃度２ｍｏｌ／４２の珪弗化水素酸水溶液に、粒径が
５〜１０μｍの二酸化珪素の微粒子を溶解し、飽和させ
た水溶液に、濃度０．　０　５　ｍｏ　Ｉ／　ｊ？のホ
ウ酸水溶液を添加し、その液温を４０℃に保ちつつ２４
時間浸漬することによって、同図（Ｃ）に示すように厚
さ約０．　７μｍの二酸化珪素膜５０６を形成する。続
いて、公知のフォトエッチング技術を用いて、同図（ｄ
）に示すように開孔５０７を形成し、次に、厚さ約０．
２μｍのチタン含有タングステン膜、続いて厚さ約５０
０人の金薄膜を連続してスパッタ形成する。続いて、公
知のフォトリソグラフィー技術により、特定のパターン
を形成し、電界メッキ法により厚さ約１．２μｍの金メ
ッキ膜を形成する。この後、フォトレジスト膜を除去し
、次に、第２の金配線以外の給電金属膜を、反応性イオ
ンビームエッチングにより除去することによって、同図
（ｅ）に示すように、下層にチタン含有タングステン膜
５０８を有する第２の金配線５０９を形成する。

上記の工程で形成した２層金配線構造体は、給電金蔵膜
の除去を行う際に、金属残査の残りは全くないことから
第２の金配線の断線，短絡は全くないものであり、かつ
、開孔部における接続抵抗は、直径約１μｍの開孔１個
当り１５０〜２００ｍΩ（配線抵抗含む）であり、実用
上問題ないものであった。

第６図は、本発明の第６の実施例である。２層金配線構
造体を有するＭＯＳ型半導体装置の製造方法を示す工程
断面図である。

第６図（ａ）に示すように素子分離領域６０２，６０２
′、ゲート酸化膜６０３、ポリシリコンゲート６０４、
ソース領域６０５、ドレイン領域６０６、第１の層間絶
縁膜（ＰＳＧ膜）６０７、１７ー 第１の開孔６０８，６０８’　、バリア金属膜（チタン
含有タングステン膜’）６０９，６０９’　、第１の金
配線６１０，６１０’が順次形成された半導体基板６０
１上に、第５の実施例と同様な方法で、同図（ｂ）に示
すように厚さ約０．２μｍのプラズマ化学気相或長シリ
コン酸化膜６１１，本発明に基づく厚さ約０．７μｍの
二酸化珪素膜６１２を順次形成し、続いて公知のフォト
エッチング技術を用いて、第２の開孔６１３を形成する
。次に、第５の実施例と同様な工程により、同図（ｃ）
に示す様に下層にチタン含有タングステン膜６１４を有
する第２の金配線６１５を形成する。

上記のように形成したＭＯＳ型半導体装置の特性は良好
であり、かつ、信頼性上特に問題ないものであった。

以上に述べた第５，第６の実施例においては、本発明に
基づく、二酸化珪素の飽和水溶液に弗化水素酸を消費さ
せるために、ホウ酸水溶液を添加しているが、これは、
リン酸水溶液，水酸化アンモニウム等であってもよい。

−１８ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は珪弗化水素酸水溶液に二
酸化珪素粉末を溶解し、ホウ酸，リン酸あるいは、水酸
化アンモニウム等の弗化水素を消費するような添加物を
添加して形成した二酸化珪素の過飽和水溶液中に、その
温度を３０〜５０℃の間のある一定の温度に保ちつつ、
浸漬せしめて形成した二酸化珪素膜を多層配線層間絶縁
膜の少くとも一部に用いることから、特別な装置を必要
としないこと、半導体基板の口径によらずバッチ処理が
できることなどの利点を有する。したがって低コスト化
，生産性の向上に寄与できる。

さらに、低温で形成できることから、例えば、アルミニ
ウム多層配線に用いる場合には、ヒロックの発生が全く
ないため配線層の間で短絡することもなく、さらに平滑
性も保てることから、同層配線間での断線，短絡も発生
しない。したがって、歩留りの向上，信頼性の向上にも
寄与できる。

さらに、シランガス等の発火性の強いガスを用いる必要
もないため、非常に安全であるという利点も併せ持つよ
うになる。

以上説明したように本発明は、ＭＯＳ電界効果トランジ
ターのゲート酸化膜を過飽和のＨ２ＳｉＦａ水溶液中に
、二酸化珪素粉末を添加し、さらにホウ酸あるいはアン
モニア水等のＨＦを消費する薬品を加えた溶液中で形成
できるので、半導体基板中の不純物濃度を変化させない
、あるいはゲート酸化膜を形戊する半導体材料の膜質を
劣化させることなくゲート酸化膜が容易に形成可能であ
る。例えば、リンがドープされた多結晶シリコンを酸化
してゲート酸化膜を形成すると多結晶シリコン表面の凹
凸が激しくなり、そこでの電界集中により耐圧の悪い酸
化膜が形成されてしまう。しかしながら、本発明の方法
によれば、多結晶シリコン表面の平滑性を維持したまま
でゲート酸化膜形成が可能である。

以上説明したように本発明は、層間絶縁膜の一部に、二
酸化珪素の過飽和水溶液中に浸漬せしめることによって
形成した二酸化珪素膜を用いることによって、段差被覆
性に優れた層間膜の形成が可能である。したがって、上
層配線の断線や凹部での金属残・査に起因する短絡等の
問題がない。すなわち、本発明によって高歩留り，高信
頼性化が可能となると同時に将来の微細多層配線構造体
には必須となる。

上述したように本発明は、高信頼性を有する半導体装置
に多大な効果をもたらす。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例である
２層アルミニウム配線構造体の製造方法を示す工程断面
図である。同図において、１０１は半導体基板、１０２
はリンガラス膜、１０３は第１のアルミニウム配線、１
０４はスパッタ法による二酸化珪素膜、１０５は本発明
に基づく二酸化珪素膜、１０６は開孔、ｌ０７は第２の
アルミニウム配線である。 第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実施例である
ＭＯＳ型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である
。同図において、２０１は基板、２０２，一２１− ２０２′は素子分離領域、２０３はソース領域、２０４
はドレイン領域、２０５はゲート酸化膜、２０６はポリ
シリコンゲート、２０７は本発明に基づく二酸化珪素膜
、２０８，２０８’は開孔、２０９はチタン含有タング
ステン膜、２１０は珪素含有アルミニウム膜、２１１，
２１１’はアルミニウム配線である。 第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施例を説明す
るための断面図である。同図において、３１０はＰ型シ
リコン基板、３１１はチャネルストッパー、３１２はフ
ィールド酸化膜、３１３はＳｉＯ２膜、３１４は過飽和
珪弗化水素酸＋ＳｉＯ２＋ＮＨ４０Ｈ水溶液、３１５は
溶槽、３１５′はヒーター　３１６はゲート電極、３１
７はｎ＋拡散層である。 第４図は本発明の第４の実施例を説明するための断面図
である。同図において、４００はＰ型シリコン基板、４
１０はＰ＋拡散層、４２０はフィールド酸化膜、４３０
は第１ゲートＳｉＯ２、４４０はフローティング・ゲー
ト電極、４５０は−２２＝ ？２ゲー｝ＳｉＯ■、４６０はコントロール・ゲート電
極である。 第５図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第５の実施例である
２層金配線構造体の製造方法を示す工程断面図である。 同図において、５０１は半導体素子基板、５０２は絶縁
膜、５０３はバリア金属膜（チタン含有タングステン膜
）、５０４は第１の金配線、５０５はプラズマ化学気相
或長シリコン酸化膜、５０６は本発明に基づく二酸化珪
素膜、５０７は開孔、５０８はチタン含有タングステン
膜、５０９は第２の金配線である。 第６図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第６の実施例をある
２層金配線構造体を有するＭＯＳ型半導体装置の製造方
法を示す工程断面図である。同図において、６０１は半
導体基板、６０２，６０２’は素子分離領域、６０３は
ゲート酸化膜、６０４はポリシリコンゲート、６０５は
ソース領域、６０６はドレイン領域、６０７は第１の層
間絶縁膜（ＰＳＧ膜）、６０８，６０８’は第１０開孔
、６０９，６０９′はバリア金属膜（チタン含有タング
ステン膜）、６１０，６１０’は第１の金配線、６１１
はプラズマ化学気相戒長シリコン酸化膜、６１２は本発
明に基づく二酸化珪素膜、６１３は第２の開孔、６１４
はチタン含有タングステン膜、６ｌ５は第２の金配線で
ある。 第７図は、従来の化学気相成長法による二酸化珪素膜を
層間絶縁膜として用いた２層配線構造体の断面図である
。同図において、７０１は半導体素子基板、７０２は第
１の配線、７０３は化学気相戊長法による二酸化珪素膜
、７０４は開孔、７０５は第２の配線である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）珪弗化水素酸（Ｈ＿２ＳｉＦ＿６）水溶液に、二
   酸化珪素粉末を溶解・飽和せしめた水溶液に弗化水素酸
   を消費するような添加物を添加して形成した常時過飽和
   状態に保たれた水溶液中に半導体基板を浸漬せしめるこ
   とによって二酸化珪素膜を堆積する工程を有することを
   特徴とする半導体装置の製造方法
2. （２）半導体装置の多層配線構造体において、珪弗化水
   素酸（Ｈ＿２ＳｉＦ＿６）水溶液に、二酸化珪素粉末を
   溶解・飽和せしめた水溶液に弗化水素酸を消費するよう
   な添加物を添加して形成した常時過飽和状態に保たれた
   水溶液中に浸漬せしめることによって堆積した二酸化珪
   素膜を、層間絶縁膜の少くとも一部に用いることを特徴
   とする半導体装置の製造方法
3. （３）上記の溶液の温度は３０〜５０℃の間のある一定
   の温度に保たれていることを特徴とする請求項（２）に
   記載の半導体装置の製造方法
4. （４）ＭＯＳ電界効果トランジスターを能動素子として
   使用する集積回路装置の製造方法において、少なくとも
   一部の前記ＭＯＳトランジスターのゲート絶縁膜を、珪
   弗化水素酸（Ｈ＿２ＳｉＦ＿６）水溶液に、二酸化珪素
   粉末を溶解・飽和した水溶液に弗化水素酸を消費するホ
   ウ酸、水酸化アンモニウム等の添加物を混入させて形成
   した常時過飽和状態に保たれた水溶液中に半導体基板を
   浸漬することにより形成した二酸化珪素膜で形成する工
   程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
   方法
5. （５）絶縁膜を介して下側にバリア金属膜を有する第１
   の金配線が形成された半導体素子基板上にスパッタ法、
   プラズマ化学気相成長法によってシリコン酸化膜、又は
   、シリコン窒化膜、又は、シリコン酸化窒化膜を形成す
   る工程と、続いて、珪弗化水素酸（Ｈ＿２ＳＩＦ＿６）
   水溶液に、二酸化珪素粉末を溶解・飽和せしめた水溶液
   に弗化水素酸を消費するような添加物を添加して形成し
   た常時過飽和状態に保たれ、かつ、液温が３０〜５０℃
   の間のある一定の温度に保たれた水溶液中に浸漬せしめ
   ることによって二酸化珪素膜を形成する工程と、公知の
   フォトエッチング技術を用いて開孔を形成する工程と、
   続いて、給電用の金属膜としてチタン系又はタングステ
   ン系の金属膜と金薄膜とを連続してスパッタ形成する工
   程と、公知のフォトリソグラフィー技術を用いてパター
   ニングされたフォトレジスト膜を形成する工程と、電解
   メッキ法により第２の金配線を形成する工程と、該フォ
   トレジスト膜を除去した後に、第２の金配線以外の部分
   の給電時に用いた金属膜を、イオンミリング、又は、反
   応性イオンエッチング又は、反応性イオンビームエッチ
   ングによって除去する工程とを含み、さらに、上記の工
   程を繰り返すことによって多層化せしめることを特徴と
   する半導体装置の金多層配線構造体の製造方法