JP2010087458A - 絶縁性被膜の形成方法および半導体装置の製造方法。 - Google Patents
絶縁性被膜の形成方法および半導体装置の製造方法。 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 酸化性溶液内に、表面に酸化シリコンを含む被膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体またはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記酸化性溶液の沸点以下の温度で加熱して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することにより、被処理用シリコン基板1上に厚膜の酸化シリコン膜4を化学的形成法で実現して、絶縁性被膜の形成並びにそれを用いた半導体装置の製造を実用的短時間で達成することができる。
【選択図】 図1
Description
2 処理槽
3 酸化ケイ素源含有溶液と高純度硝酸との混合溶液(混合液)
4 酸化シリコン膜
5 Al膜
Claims (10)
- 沸点以下の温度の酸化性溶液内に、酸化シリコン膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体もしくはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することを特徴とする絶縁性被膜の形成方法。
- 前記基材が単結晶シリコン,多結晶シリコン,非晶質シリコン,炭化珪素,II‐VI族化合物又はIII‐V族化合物,又はセラミックでなる請求項1に記載の絶縁性被膜の形成方法。
- 酸化性溶液又は酸化ケイ素源を含む酸化性溶液内に、沸点以下の温度で、珪酸ガラス,石英ガラスもしくは石英からなる組成物,又はSOGの組成物固体もしくはシリコンの酸化物固体とともに半導体基材を浸漬して、前記半導体基材の表面に酸化シリコン主体の絶縁性被膜を形成することを特徴とする絶縁性被膜の形成方法。
- 酸化性溶液又は酸化ケイ素源を含む酸化性溶液内に、沸点以下の温度で、珪酸ガラス板,石英ガラス板もしくは石英板,又は表面にSOG組成物の固体もしくはシリコンの酸化物の固体を有するシリコン源基板とともに半導体基材を浸漬して、前記半導体基材の表面に酸化シリコン主体の絶縁性被膜を形成することを特徴とする絶縁性被膜の形成方法。
- 前記酸化性溶液が硝酸、過塩素酸、硫酸、オゾン溶解水、過酸化水素水、塩酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と硝酸との混合溶液、王水、硝酸とケイフッ化水素酸との混合溶液および沸騰水の群から選ばれた少なくとも1つからなる請求項1〜4のいずれか1つに記載の絶縁性被膜の形成方法。
- 酸化性溶液又は所定の酸化性溶液中に予め珪酸ガラス,石英ガラスもしくは石英からなる組成物又はSOGの組成物もしくはシリコンの酸化物を溶解させた処理液内に、沸点以下の温度で、半導体基材を浸漬して、前記半導体基材の表面に酸化シリコン主体の絶縁性被膜を形成する工程をそなえた半導体装置の製造方法。
- 酸化性溶液又は所定の酸化性溶液に珪酸ガラス,石英ガラスもしくは石英からなる組成物、又はSOGの組成物もしくはシリコンの酸化物を溶解させた処理液内に、沸点以下の温度で、半導体基材を浸漬して、前記半導体基材の表面に酸化シリコン主体の絶縁性被膜を形成する工程をそなえた半導体装置の製造方法。
- 酸化性溶液又は酸化ケイ素源を含む酸化性溶液内に、沸点以下の温度で、珪酸ガラス板,石英ガラス板もしくは石英板,又はSOG組成物もしくはシリコンの酸化物を含む基板とともに被処理半導体基材を浸漬して、前記半導体基材の表面に酸化シリコン主体の絶縁性被膜を形成する工程をそなえた半導体装置の製造方法。
- 前記酸化性溶液が硝酸、過塩素酸、硫酸、オゾン溶解水、過酸化水素水、塩酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と過酸化水素水との混合溶液、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と硝酸との混合溶液、王水、硝酸とケイフッ化水素酸との混合溶液および沸騰水の群から選ばれた少なくとも1つからなる請求項6〜8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 酸化ケイ素源を含む酸化性溶液、又は酸化性溶液中に珪酸ガラス,石英ガラスもしくは石英からなる組成物,又はSOGの組成物もしくはシリコンの酸化物を溶解して含む処理液の中に、半導体基材を浸漬して、前記半導体基材の表面に絶縁性被膜を形成することを特徴とする絶縁性被膜の形成方法。
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