JP4027913B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
VLSIテクノロジー(VLSI Technology)、S.M.Sze編集、1984年、131〜168ページ
まず、本発明により半導体酸化膜を形成する第1の実施の形態を図1を用いて説明する。本実施の形態においては、半導体基板として単結晶シリコン基板を用いた場合を例に挙げて、MOS容量を形成する場合について説明する。
図4は本発明の第2の実施の形態における酸化膜の形成装置を示す概略図である。図4に示すように、サファイア(Al2 O3 )によって構成された容積1000cm3 の横長のチャンバー101内には、半導体基板102が水平状態で支持されている。チャンバー101の外側の上部及び下部にはハロゲンランプ103が設けられており、このハロゲンランプ103によって半導体基板102を上下方向から加熱することができるようにされている。この酸化膜形成装置においては、チャンバー101の左端から、酸化膜を形成する前に半導体基板102の表面の自然酸化膜を除去するための無水HFガス104、オゾンガス105及び過塩素酸の蒸気106を導入することができるようにされている。これらのガスは、チャンバー101内の半導体基板102の表面で反応した後、チャンバー101の右端の排気ポート107から排気される。実際の装置には、半導体基板搬送機構や、制御部、電源部などが備わっているが、本実施の形態においては、実際にプロセスを行うチャンバー付近のみを示している。
2 素子分離領域
3 清浄なシリコン表面
4 活性領域
5 シリコン酸化膜
6 アルミニウム
7 ゲート電極
8 過塩素酸水溶液
9 自然酸化膜
101 チャンバー
102 半導体基板(単結晶シリコン基板)
103 ハロゲンランプ
104 無水HFガス導入ライン
105 オゾンガス導入ライン
106 過塩素酸蒸気導入ライン
107 排気ポート
Claims (4)
- 半導体基板を、加熱した濃度10〜72.4vol.%の過塩素酸を含む溶液中に浸漬することにより、前記半導体基板の半導体表面にゲート酸化膜となる半導体酸化膜を形成し、前記半導体酸化膜上にゲート電極となる導電層を形成する半導体装置の製造方法。
- 半導体基板を加熱しながら、前記半導体基板を、濃度10vol.%以上の過塩素酸を含む蒸気に暴露することにより、前記半導体基板の半導体表面にゲート酸化膜となる半導体酸化膜を形成し、前記半導体酸化膜上にゲート電極となる導電層を形成する半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の加熱温度が170℃以上500℃以下である請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板が単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、砒化ガリウム、燐化インジウム、シリコンゲルマニウムカーバイド及びシリコンゲルマニウムからなる群から選ばれる少なくとも1つの材料からなる請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
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