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本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
第1の形態の振動デバイスは、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数が−γ でありγ >0である第1の振動子と、前記第1の振動子に接続され、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数がγ でありγ >0である第2の振動子とを備え、前記第1の振動子の3次関数温度特性の変曲点となる温度と、前記第2の振動子の3次関数温度特性の変曲点となる温度との差の絶対値が19℃以下であり、0<|γ |≦|2.4γ |の関係を満たすことを特徴とする振動デバイス。
第2の形態の振動デバイスは、第1の形態に記載の振動デバイスであって、前記第1の振動子と前記第2の振動子とは、オイラー角(−1.5°≦φ≦+1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|49.75°)の水晶基板上に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励起する弾性表面波共振子であり、前記弾性表面波を励起する励振電極を構成する電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間の溝を備え、前記第1の振動子における前記電極指間の溝深さをG 、前記第2の振動子における前記電極指間の溝深さをG として、G <G の関係を満たすことを特徴とする振動デバイス。
第3の形態の振動デバイスは、第2の形態に記載の振動デバイスであって、前記第1の振動子と前記第2の振動子とを単一の前記水晶基板上に設けたことを特徴とする振動デバイス。
第4の形態の振動デバイスは、第3の形態に記載の振動デバイスであって、前記圧電基板上に段差を備え、前記段差は、前記水晶基板を平面視して前記第1の振動子と前記第2の振動子との間に設けることを特徴とする振動デバイス。
第5の形態の振動デバイスは、第1乃至第4のいずれか1形態に記載の振動デバイスであって、前記第1の振動子と前記第2の振動子とが電気的に並列に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
第6の形態の振動デバイスは、第5の形態に記載の振動デバイスであって、電気的に並列に接続された前記第1の振動子と前記第2の振動子と電気的に並列となるようにコンデンサを接続したことを特徴とする振動デバイス。
第7の形態の振動デバイスは、第1乃至第4のいずれか1形態に記載の振動デバイスであって、前記第1の振動子と前記第2の振動子とが電気的に直列に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
第8の形態の振動デバイスは、第7の形態に記載の振動デバイスであって、電気的に直列に接続された前記第1の振動子と前記第2の振動子のそれぞれに対し、電気的に並列となるようにインダクタを接続したことを特徴とする振動デバイス。
第9の形態の発振器は、第1乃至第8のいずれか1形態に記載の振動デバイスと、発振回路とを有することを特徴とする発振器。
第10の形態の電子機器は、第1乃至第8のいずれか1形態に記載の振動デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
第11の形態の振動デバイスの製造方法は、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数がγ でありγ >0である第1の振動子を製造する工程と、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数が−γ でありγ >0である第2の振動子を製造する工程と、製造された第1の振動子群と第2の振動子群の中から、前記3次関数温度特性の変曲点となる温度の差が19℃以下であり、0<|γ |≦|2.4γ |の関係を満たす前記第1の振動子と前記第2の振動子の組み合わせを選定する工程と、選定された前記第1の振動子と前記第2の振動子とを接続する工程とを有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。

Claims (11)

  1. 3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数が−γでありγ>0である第1の振動子と、
    前記第1の振動子に接続され、3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数がγでありγ>0である第2の振動子とを備え、
    前記第1の振動子の3次関数温度特性の変曲点となる温度前記第2の振動子の3次関数温度特性の変曲点となる温度との差の絶対値が19℃以下であり、
    0<|γ|≦|2.4γ
    の関係を満たすことを特徴とする振動デバイス。
  2. 請求項1に記載の振動デバイスであって、
    前記第1の振動子と前記第2の振動子とは、オイラー角(−1.5°≦φ≦+1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|49.75°)の水晶基板上に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励起する弾性表面波共振子であり、
    前記弾性表面波を励起する励振電極を構成する電極指間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間の溝を備え、
    前記第1の振動子における前記電極指間の溝深さをG、前記第2の振動子における前記電極指間の溝深さをGとし
    <G
    の関係を満たすことを特徴とする振動デバイス。
  3. 請求項2に記載の振動デバイスであって、
    前記第1の振動子と前記第2の振動子とを単一の前記水晶基板上に設けたことを特徴とする振動デバイス。
  4. 請求項3に記載の振動デバイスであって、
    前記圧電基板上に段差を備え、
    前記段差は、前記水晶基板を平面視して前記第1の振動子と前記第2の振動子との間に設けることを特徴とする振動デバイス。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の振動デバイスであって、
    前記第1の振動子と前記第2の振動子とが電気的に並列に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
  6. 請求項5に記載の振動デバイスであって、
    電気的に並列に接続された前記第1の振動子と前記第2の振動子と電気的に並列となるようにコンデンサを接続したことを特徴とする振動デバイス。
  7. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の振動デバイスであって、
    前記第1の振動子と前記第2の振動子とが電気的に直列に接続されていることを特徴とする振動デバイス。
  8. 請求項7に記載の振動デバイスであって、
    電気的に直列に接続された前記第1の振動子と前記第2の振動子のそれぞれに対し、電気的に並列となるようにインダクタを接続したことを特徴とする振動デバイス。
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の振動デバイスと、
    発振回路とを有することを特徴とする発振器。
  10. 請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の振動デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
  11. 3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数がγ でありγ >0である第1の振動子を製造する工程と、
    3次関数温度特性を備え前記3次関数温度特性における3次温度係数が−γ でありγ >0である第2の振動子を製造する工程と、
    製造された第1の振動子群と第2の振動子群の中から、前記3次関数温度特性の変曲点となる温度の差が19℃以下であり、
    0<|γ|≦|2.4γ
    の関係を満たす前記第1の振動子と前記第2の振動子の組み合わせを選定する工程と、
    選定された前記第1の振動子と前記第2の振動子とを接続する工程とを有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
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