JP2012064991A - フリップチップボンデッドパッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【解決手段】2列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ10aと、半導体チップ10a上の、隣接する3つのボンディングパッド毎に3つのパッド間の領域及びその3つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト50aと、絶縁ポスト50aによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト50aの部分上に形成された信号接続金属部材52aと、半導体チップ10aが絶縁ポスト50a及び信号接続金属部材52aによってフリップチップボンディングされ、第1面に電極を有し、第2面にボールランドを有する基板と、半導体チップ10aと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。
【選択図】図5
【解決手段】2列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ10aと、半導体チップ10a上の、隣接する3つのボンディングパッド毎に3つのパッド間の領域及びその3つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト50aと、絶縁ポスト50aによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト50aの部分上に形成された信号接続金属部材52aと、半導体チップ10aが絶縁ポスト50a及び信号接続金属部材52aによってフリップチップボンディングされ、第1面に電極を有し、第2面にボールランドを有する基板と、半導体チップ10aと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体パッケージに関し、より詳しくは、微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージに関する。
周知の通り、半導体パッケージング技術の開発は、限定された大きさの基板上により多くの数のパッケージを実装できる方向に、即ち、パッケージの大きさを縮小する方向に進められてきた。例えば、パッケージの全体の大きさに対して半導体チップの大きさが80%以上を占めるようなチップサイズパッケージ(Chip Size Package;以下、「CSP」と称する)が種々の形態で開発されてきた。本願では図示及び説明してはいないが、このようなCSPは典型的な半導体パッケージに比べて限定された大きさの基板上により多数のパッケージを実装できるので、小型で、かつ、高容量の製品を具現できるという利点を有する。
また、最近のパッケージング技術は、パッケージの大きさを減少させることに加えて、1つのパッケージ内に2〜4個の半導体チップを搭載させて、高容量を達成する方向にも向けられている。
このようなCSP及びスタックパッケージは、通常、基板を搭載させて製作されており、また、ワイヤーボンディングを用いて半導体チップと基板との間の電気的接続がなされている。
ところが、このようにワイヤーボンディングを用いて電気的接続がなされたパッケージの場合、後続のモールディング(molding)工程でボンディングワイヤの切断が発生しうることは勿論、ボンディングワイヤのループ(loop)及びその長さによってパッケージの大きさを減少させることに限界が生じる。特に、ワイヤーボンディングを用いるパッケージはボンディングワイヤの長さによって信号伝達経路の長さが決定されるので、パッケージの所望の電気的特性を確保することが困難となる。
これらの問題を解決するために、バンプ(bump)を用いて半導体チップと基板とを接続させるフリップチップボンディング(Flip Chip Bonding)技術が提案された。フリップチップボンディング技術によれば、半導体チップはそのボンディングパッド上に形成されたバンプを介して基板上に機械的に付着されると共に、基板上の電極とも電気的に接続される。
詳しくは、従来のフリップチップボンデッドパッケージ(Flip Chip Bonded Package)の構成を示す断面図である図1に示すように、半導体チップ10はそのボンディングパッド12上に形成されたソルダバンプ(Solder Bump)14を介して基板20上に付着されていると同時に、ソルダバンプ14によって基板20上の電極22とも電気的に接続されている。また、半導体チップ10と基板20との間の空間は埋込材30でアンダーフィル(under-fill)される。そして、基板20の裏面上のボールランド(Ball Land)24には外部回路への実装手段であるソルダボール(Solder Ball)40が付着されている。なお、図1において、符号26はソルダレジストを表す。
このようなフリップチップボンディング技術が適用されたフリップチップボンデッドパッケージは、ソルダバンプによって電気的及び機械的な接続がなされるので、ワイヤーボンディング技術を適用する場合に比べてパッケージの高さを低くすることができ、また、信号伝達経路の長さを短くすることで、電気的特性をも向上させることができる。
しかしながら、上述のような従来のフリップチップボンデッドパッケージは、電気的導通のために、1つのソルダバンプに一対一の形態で対応する基板上の(図1の構成要素22のような)電極を備える必要があるため、電極のピッチが狭い場合にソルダバンプメッキのためのフォトレジストを画定することが困難になり、ソルダバンプ間でショートが発生する可能性が高いという問題がある。
これらの問題を解決するには、基板のデザインを変更したり高コストのプロセスを行ったり、さらに、チップ上のボンディングパッドを再配列したりする等、非効率的処理を行なわなければならないので、製品原価を高め、製品の競争性を低下させてしまうという問題がある。
したがって、本発明は、上記の従来の問題を解決するために案出されたものであって、基板上の電極が微細ピッチを有しても、ショートを防止できるフリップチップボンデッドパッケージを提供することをその目的とする。
また、本発明の別の目的は、製作が容易なフリップチップボンデッドパッケージを提供することにある。
また、本発明の更なる別の目的は、製品の競争性を高めることができるフリップチップボンデッドパッケージを提供することにある。
上記のような目的を達成するために、本発明は、2列に、かつ、互いにジグザグに配列される複数のボンディングパッドが一面上に形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記ボンディングパッドの形成部に形成され、隣接する3つの前記ボンディングパッド毎に該3つのボンディングパッド間の領域及び該3つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポストと、前記絶縁ポストによって覆われていない前記ボンディングパッドの部分及び該部分に隣接する前記絶縁ポストの部分上に形成された信号接続金属部材と、複数の前記絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成された前記半導体チップが前記絶縁ポスト及び前記信号接続金属部材によってフリップチップボンディングされ、第1面上には前記信号接続金属部材と電気的に接続される複数の電極を有し、前記第1面の裏面である第2面上には複数の前記電極と個別に接続される複数のボールランドを有する基板と、前記半導体チップと前記基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、前記基板の前記第2面上のボールランド上に各々付着された複数のソルダボールと、を備えるフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、一対一に対応する導電性バンプの代わりに2つのボンディングパッドに対して1つの絶縁ポストが対応する形態でフリップチップボンディングをなすことにより、従来使用していた工程をそのまま利用しながらもフリップチップボンデッドパッケージの製作を非常に容易にすることができる。
また、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、パッドピッチの限界を克服できるので、半導体チップ及び基板の微細ピッチの技術に適用が容易になり、製品の競争力を高めることができる。
さらに、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、微細ピッチへの適用を容易にすることができるので、半導体メモリ分野へのフリップチップ技術の適用を早めることができる。
その上、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、フリップチップボンディングの時に、従来と同じパッドサイズ及びピッチを有するチップにより大きなバンプを形成できるので、後続の接着処理を容易にすることができ、これにより、不良率を低下させることができる。
また、本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、ポリマーからなる絶縁ポストを適用することによって、この絶縁ポストが電気的絶縁の役割に加えてストレスバッファーとしての役割をも兼ねることになり、パッケージの信頼性を一層向上させることができる。
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明及び図面において、同じ参照符号は同じ又は同様の構成要素を示すこととし、よって、同じ又は同様の構成要素に関する説明を省略する。
まず、本発明の技術的原理を説明すれば、次の通りである。本発明はフリップチップボンディング技術を用いるにあたって、バンプを導電物質の代わりに絶縁物質で形成する。また、本発明は絶縁物質からなるバンプを、隣接する2つ(すなわち、一対)のボンディングパッド間の領域及び該2つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆う形態で形成する。そして、絶縁バンプ(「絶縁ポスト」とも表記する)によって覆われていないボンディングパッド部分の各々の上には電気的接続手段として信号接続金属部材を形成する。
このようにすることによって、フリップチップボンディング技術を用いる場合のチップパッドピッチの限界をより引き下げることができるので、従来よりピッチが狭いパッドに対してフリップチップボンディング技術を適用することができる。特に、本発明は狭いパッドピッチの半導体チップは勿論、狭いパッドピッチの基板の製作をも容易にすることができ、また、フリップチップボンディングの時に同じパッドサイズ及びピッチを有するチップにより大きなバンプを形成することができるので、得られたバンプの付着面積の増大により工程が容易になり、且つ、不良率を減少させることができる。
したがって、本発明は、フリップチップボンディング技術の使用に際して歩留まりを高め、工程時間を短縮させることができ、結果的に、高付加価値の製品を適時に開発できることを可能にするという利点を有する。
以下、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの構成を図2を参照しながら、詳細に説明する。
図2に示すように、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージは、半導体チップ10、半導体チップ10の表面上に配置された複数のボンディングパッド12、半導体チップ10のボンディングパッド形成面上に絶縁物質からなるバンプ、即ち絶縁ポスト50、及び導電性の信号接続金属部材52を備え、絶縁ポスト50及び信号接続金属部材52によって半導体チップ10が基板20上にフリップチップボンディングされ、半導体チップ10と基板20との間の空間が埋込材30でアンダーフィルされ、そして、基板20の半導体チップ10とは反対側の裏面に外部回路への実装手段であるソルダボール40が形成された構造を有する。
ここで、半導体チップ10は、例えば、ボンディングパッド12がチップ10の面上に一列に配列されるように形成されたセンターパッド型のチップである。絶縁ポスト50は、半導体チップ10上の隣接する2つのボンディングパッド12間の領域及びこの領域の両側のボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成され、特に、ポリマー(polymer)によって形成される場合、ストレスバッファーとしての役割をも兼ねることにより、パッケージの信頼性を向上させることができる。導電性の信号接続金属部材52は半導体チップ10と基板20とを電気的に接続させる実質的な電気的接続手段であり、ボンディングパッド12の露出された部分、該ボンディングパッド12の露出された部分に隣接する絶縁ポスト50の部分、及び該ボンディングパッド12の露出された部分に隣接する半導体チップ10の部分の上に形成される。
基板20は、上面には信号接続金属部材52と電気的に接続される複数の電極22を備え、下面には電極22と個別的に接続される複数のボールランド24を備える。基板20の上面は電極22を除いた残りの部分がソルダレジスト26で覆われている。埋込材30は、例えば、EMC(Epoxy Molding Compound)であって、半導体チップ10と基板20との間の電気的接続部位を外部環境から保護する。外部回路への実装手段であるソルダボール40は基板20の下面のボールランド24上に形成されている。
このような構成を有する本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージは、半導体チップ10上のボンディングパッド12と基板20上の電極22とが、一対一の形態で対応して相互接続される必要がなく、代わりに、隣接する2つのボンディングパッドに亘って形成された絶縁ポスト50及び信号接続金属52によって相互接続されるので、基板に微細ピッチ技術が適用された場合にも十分に対応することができる。即ち、本実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージは、基板20上の電極22のピッチが微細であっても絶縁ポスト50及び信号接続金属部材52を用いることによりショートの発生を回避すると共に、半導体チップ10と基板20との間の安定した電気的接続を保証することができる。
一方、本発明に係る上記のようなフリップチップボンデッドパッケージを製作する際、絶縁ポスト及び信号接続金属部材を含むバンプを以下に示す方法で形成する。
図3A〜図3Cは、本発明の一実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージ上にバンプを形成する方法を説明するための図で、各製作段階におけるパッケージの構成を示す断面図であり、図4A〜図4Cはそれぞれ図3A〜図3Cに対応する平面図である。
まず、図3A及び図4Aに示すように、上面に一列のボンディングパッド12が配列された半導体チップ10を準備する。
次に、図3B及び図4Bに示すように、半導体チップ10の上面に、隣接する2つのボンディングパッド12の間の領域及びこの領域の両側の2つのボンディングパッド12のそれぞれの一部を覆う絶縁ポスト50を形成する。この際、絶縁ポスト50はポリマーで形成されることによって、ストレスバッファーとしての役割を担うことが好ましい。
次に、図3C及び図4Cに示すように、絶縁ポスト50を含む半導体チップ10の上面に金属膜を蒸着した後、該金属膜をパターニングして、絶縁ポスト50によって覆われていないボンディングパッド12の部分、該覆われていないボンディングパッド12の部分に隣接する絶縁ポスト50の部分、及び該覆われていないボンディングパッド12の部分に隣接する半導体チップ10の部分の上に信号接続金属部材52を形成し、バンプの形成を完了する。
以後、このように形成されたバンプを用いて半導体チップを基板上にフリップチップボンディングし、その後、アンダーフィル及びソルダボール形成工程を順次行って本発明に係るフリップチップボンデッドパッケージを完成する。
一方、上述した実施の形態で図示及び説明してはいないが、絶縁ポスト及び信号接続金属部材から構成されたバンプのフリップチップボンディングの際、信号接続金属部材にソルダペーストを塗った後、ソルダペーストを硬化させて完全な電気的接続をなさせるようにすることもできる。
そして、さらに別の実施の形態として、ソルダペーストの代わりに、信号接続金属部材上にソルダバンプを追加的に形成して、ソルダバンプを用いて完全な電気的接続をなさせることも可能である。
また、上述した実施の形態では隣接する2つのボンディングパッド毎に絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成する構成を図示及び説明したが、本発明の別の実施の形態として、2つ以上、例えば、3つのボンディングパッド毎に絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成することもできる。
図5は、本発明の別の実施の形態に係るバンプが形成されたフリップチップボンデッドパッケージの概略構成を示す平面図である。図5に示すように、ボンディングパッド(図示せず) が半導体チップ10aの上面に2列で、ジグザグに配列されている。3つのボンディングパッド毎にボンディングパッド間の領域及び各ボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように1つの絶縁ポスト50aを形成し、覆われていないボンディングパッドの部分及び、該覆われていないボンディングパッドの部分に隣接する絶縁ポスト50aの部分上に信号接続金属部材52aを形成する。
この別の実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージの、絶縁ポスト50a及び信号接続金属部材52a以外の他の構成は図示及び説明されていないが、前述した実施の形態と同一の構成を有することは当業者が容易に理解できるであろう。
また、この別の実施の形態に係るフリップチップボンデッドパッケージも前述した実施の形態のそれと同様に、絶縁ポスト及び信号接続金属部材を用いることによってショートが発生せずに半導体チップと基板との間の安定した電気的接続を保証することができ、これにより、微細なチップパッドピッチの限界を克服することができる。
以上では、本発明を特定の実施の形態に関連して図示及び説明したが、本発明は、それらに限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められる本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で、様々に改変できるということは、当業者であれば容易に分かるであろう。
10、10a 半導体チップ
12 ボンディングパッド
14 ソルダバンプ
20 基板
22 電極
24 ボールランド
26 ソルダレジスト
30 埋込材
40 ソルダボール
50、50a 絶縁ポスト
52、52a 信号接続金属部材
12 ボンディングパッド
14 ソルダバンプ
20 基板
22 電極
24 ボールランド
26 ソルダレジスト
30 埋込材
40 ソルダボール
50、50a 絶縁ポスト
52、52a 信号接続金属部材
Claims (4)
- 2列に、かつ互いにジグザグに配列される複数のボンディングパッドが一面上に形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディングパッドの形成部に形成され、隣接する3つの前記ボンディングパッド毎に該3つのボンディングパッド間の領域及び該3つのボンディングパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポストと、
前記絶縁ポストによって覆われていない前記ボンディングパッドの部分、及び該部分に隣接する前記絶縁ポストの部分上に形成された信号接続金属部材と、
複数の前記絶縁ポスト及び信号接続金属部材を形成された前記半導体チップが前記絶縁ポスト及び前記信号接続金属部材によってフリップチップボンディングされ、第1面上には前記信号接続金属部材と電気的に接続される複数の電極を有し、前記第1面の裏面である第2面上には複数の前記電極と個別に接続される複数のボールランドを有する基板と、
前記半導体チップと前記基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、
前記基板の前記第2面上のボールランド上に各々付着された複数のソルダボールと、を備えることを特徴とするフリップチップボンデッドパッケージ。 - 前記絶縁ポストは、ストレスバッファーの役割を担うようにポリマーからなることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
- 前記基板の前記第1面は、前記電極を除いた残りの部分がソルダレジストで覆われていることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
- 前記信号接続金属部材上に形成されたソルダバンプを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップボンデッドパッケージ。
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