JPH11251378A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ状態での検査を容易かつ高い信頼度で
行なうのに適した半導体装置およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 ウエハ１０の上には、弾性材料からなる
環状ダム１３ａと、環状ダム１３ａと同じ材料からなる
低弾性率層１３ｂとが設けられている。また、素子電極
１１上のパッド３０と金属配線３１と外部電極となるラ
ンド３２とを一体化して構成される配線パターン３３が
形成され、ランド３２の上には突起状端子４０が設けら
れている。検査装置には、保持体２１と、電極２６を配
置した絶縁性基板２５と、吸引ノズル２７とが設けられ
ている。検査時には、突起状端子４０と電極２６とを相
対向させて、絶縁性基板２５を環状ダム１３ａに密着さ
せて吸引ノズル２７から真空引きする。検査装置に、シ
ール材，弾性体，プローブシートなどが不要となり、検
査装置が安価になり、検査の信頼度も向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に形成さ
れた複数の半導体素子をウェハ状態で検査するのに適し
た半導体装置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ウエハ上に形成された半導体
素子をウェハ状態で検査するためには、マニュアルプロ
ーバー、セミオートプローバー、フルオートプローバー
等のプローバーが用いられてきたが、近年では、例えば
特開平８−５６６６号公報に開示されるプローブシート
を用いた方法が開発されている。

【０００３】以下、上記公報に開示されている従来のプ
ローブシートを用いたウェハ状態での検査方法について
説明する。

【０００４】図１９は、上記従来の検査方法を概略的に
示す断面図である。同図に示すように、ウエハ１０１に
は図示しないが多数の半導体素子が設けられており、ウ
エハ１０１の主面上には、半導体素子の素子電極（図示
せず）にそれぞれ電気的に接続される多数の電極パッド
１０２が配列されている。そして、検査装置には、ウエ
ハ１０１を保持するための保持体１０３と、保持体１０
３の上に配置されウエハ１０１の設置領域を取り囲むシ
ール材１０４と、シール材１０４を貫通する吸引ノズル
１０５と、ウエハ１０１上の電極パッド１０２との電気
的接続を行なうためのプローブ端子１０７が配置された
プローブシート１０６と、プローブシート１０６の上に
設けられ、垂直方向のみに導電性を有する弾性体１０８
と、弾性体１０８を介してプローブ端子１０７に電気的
に接続される電極１１０を配置した絶縁性基板（検査ボ
ード）１０９とを備えている。

【０００５】検査時には、ウエハ１０１上の電極パッド
１０２とプローブシート１０６中のプローブ端子１０７
とを相対向させた状態で、プローブシート１０６をシー
ル材１０４に密着させながら、吸引ノズル１０５から真
空引きする。その結果、シール材１０４およびプローブ
シート１０６で囲まれるウエハ１０１上の領域が減圧状
態になり、ウエハ１０１上の電極パッド１０２とプロー
ブシート１０６中のプローブ端子１０７とが、安定した
接触状態に維持される。そして、この状態で半導体素子
の諸特性や配線の断線の有無などを検査し、不良品の存
在をチェックする。

【０００６】この方法によると、シール材１０４でシー
ルしながら内部を減圧することにより、数千から数万も
ある電極パッド１０２とプローブ端子１０７との間に均
一に押圧力を加えることができるとともに、弾性体１０
８によって電極パッド１０２およびプローブ端子１０７
の高さのばらつきやウエハ１０１の反りを吸収して電極
パッド１０２とプローブ端子１０７とを確実にコンタク
トさせることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のウエハ状態での検査技術においては、以下のような
問題があった。

【０００８】第１に、ウェハ１０１上の電極パッド１０
２とプローブシート１０６のプローブ端子１０７との接
触領域を減圧させるために、保持体１０３上にシール材
１０４を設けているが、このシール材１０４はある程度
高温で使用されるので、磨耗や弾性の劣化などが生じや
すく、それほど耐久性が期待できない。特に、今後バー
ン・インテストの時間を短縮すべくテスト温度を高くす
ると、頻繁に交換する必要が生じるおそれがある。

【０００９】第２に、絶縁性基板１０９と保持板１０３
との間に、プローブシート１０６や弾性体１０８が配設
され、絶縁性基板１０９の電極１１０とウエハ１０１上
の電極パッド１０２との間に、プローブシート１０６中
のプローブ端子１０７や弾性体１０８中の端子（図示せ
ず）が介在している。すなわち、これらの部材は絶縁性
基板１０９上の電極１１０とウエハ１０１上の電極パッ
ド１０２との間の電気的接続を不良にする要素となる。
このため、検査の信頼度の低下のおそれがあり、かつ、
両者間の電気的接続を完全にするためのコストの増大を
招いていた。

【００１０】さらに、高温下での使用による弾性体１０
８の劣化によって、プローブ端子１０７や電極パッド１
０２の高さのばらつきが吸収できなくなるために、弾性
体１０８の交換も必要であった。

【００１１】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、上記従来の半導体装置の検査装置
におけるシール部材や、弾性体や、プローブシートの機
能を有する部材をウエハ上に設けることにより、ウエハ
状態での検査を低コストかつ高い信頼度で行なうことが
できる半導体装置およびその製造方法を提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、請求項１〜１０に記載されている半導
体装置に関する手段と、請求項１１および１２に記載さ
れている半導体装置の製造方法に関する手段とを講じて
いる。

【００１３】本発明の半導体装置は、請求項１に記載さ
れているように、複数の半導体素子を有するウエハと、
上記ウエハの主面上に配列され、上記複数の半導体素子
にそれぞれ電気的に接続される複数の素子電極と、上記
複数の半導体素子および複数の素子電極を取り囲むよう
に上記ウエハの主面上に形成された弾性材料からなる環
状ダムとを備えている。

【００１４】これにより、環状ダムによってウエハの素
子電極につながる部材とその上方に配置される検査装置
側の部材との接触領域を密封することができるので、検
査装置側にシール部材がなくても、両者の接触領域を減
圧状態に維持して検査を行なうことが可能となる。そし
て、この環状ダムはウエハ毎に設けられているので、繰
り返し使用されるものではなく、性能の劣化や交換の手
間という問題は生じることがない。したがって、信頼度
の高い検査を行なうことが可能となるとともに、半導体
装置の製造コストの低減を図ることができる。

【００１５】請求項２に記載されているように、上記半
導体装置において、上記ウエハの主面上の上記複数の半
導体素子の上に形成され、上記複数の素子電極の上方が
開口された弾性のある絶縁性材料からなる保護層と、上
記保護層上に形成され、上記複数の素子電極にそれぞれ
電気的に接続される複数の外部電極とをさらに備え、上
記環状ダムを構成する弾性材料と、上記保護層を構成す
る弾性のある絶縁性材料とは同じ材料であることが好ま
しい。

【００１６】これにより、ウエハ上の素子電極に代えて
外部電極と検査装置側の端子とを接触させて検査を行な
うことが可能になる。その場合、外部電極の下方には弾
性のある保護層が設けられているので、保護層によって
ウエハの反りや、外部電極，検査装置側の端子の高さの
ばらつきなどを吸収して、両者の電気的な接続状態を安
定化させることができるので、この半導体装置を検査す
るための検査装置には、例えば上記従来の検査装置にお
ける弾性体を配置する必要がなくなる。したがって、こ
の半導体装置を検査するための検査装置は、従来の検査
装置に比べると、ウエハ上の部材と検査装置側の部材と
の間の電気的な接続状態を不良にする要素を確実に減ら
せることができ、検査の信頼度を高めることができる。
しかも、保護層は環状ダムと同じ材料で構成されている
ので、半導体装置の製造工程が簡略化され、製造コスト
の増大を招くこともない。また、保護層があることで、
ウエハ上における素子電極と外部電極とを接続する配線
パターンへの熱応力を緩和することができるので、信頼
性の向上をも図ることができる。

【００１７】請求項３に記載されているように、上記半
導体装置において、上記複数の外部電極の上に形成され
た突起状端子をさらに備えていることが好ましい。

【００１８】これにより、保護層の上の突起状端子によ
り、上記従来の検査装置におけるプローブシートのプロ
ーブ端子の機能が得られるので、この半導体装置の検査
装置においては、上記従来の検査装置におけるプローブ
シートをなくして絶縁性基板上の電極に突起状端子を接
触させればよいことになる。すなわち、この検査装置に
おいて必要な部材の削減による検査コストの低減と、ウ
エハ上の部材と検査装置の部材との電気的な接続状態の
不良を招く要素のさらなる低減による検査の信頼度の向
上とを図ることができる。

【００１９】請求項４に記載されているように、上記半
導体装置において、上記環状ダムの上端部は上記保護層
の上端部よりも高くなっていることが好ましい。

【００２０】これにより、環状ダムの内方の領域をより
確実に減圧状態にすることが可能となる。

【００２１】請求項５に記載されているように、上記半
導体装置において、上記環状ダムの一部に切り欠き部を
設けることができる。

【００２２】これにより、この切り欠き部を介して環状
ダムの内方の領域を減圧することが可能な構造となる。

【００２３】請求項６に記載されているように、上記半
導体装置において、上記環状ダムに、上記ウエハの外周
に沿った複数列の環状凸部を設けることができる。

【００２４】請求項７に記載されているように、上記半
導体装置において、上記環状ダムは、ウエハの内方に向
かうほど低く傾斜するような縦断面形状を有しているこ
とが好ましい。

【００２５】これにより、環状ダムの内方の領域をより
確実に減圧状態に維持することが可能となる。

【００２６】請求項８に記載されているように、上記半
導体装置において、上記複数列ある環状ダムの各環状凸
部の上端部は、上記ウエハの内方に向かうほど低くなっ
ていることが好ましい。

【００２７】請求項９に記載されているように、上記半
導体装置において、上記環状ダムの上端部に凹部を形成
しておいてもよい。

【００２８】これにより、環状ダムの環状凸部の上端部
の凹部が吸盤の役割をはたすので、半導体装置の検査時
に、互いに接触すべき検査装置側の部材とウエハ側の部
材との位置合わせを行った後の両者間のずれを抑制する
ことができる。

【００２９】請求項１０に記載されているように、上記
半導体装置において、上記環状ダムの表面の少なくとも
一部を覆う導体層をさらに設けることができる。

【００３０】これにより、環状ダム表面の導体層と、複
数の半導体素子の電源もしくはグランドとをウエハ上で
電気的に接続しておくことが可能になり、この導体層を
複数の半導体素子を検査する際の電源もしくはグランド
として一括して使用できるので、検査装置側の電源端子
もしくはグランド端子の数を著しく削減することができ
る。

【００３１】本発明の半導体装置の製造方法は、請求項
１１に記載されているように、ウエハに複数の半導体素
子を形成する第１の工程と、上記ウエハの主面上に上記
半導体素子にそれぞれ接続される複数の素子電極を形成
する第２の工程と、上記ウエハの主面上に、上記複数の
半導体素子および複数の素子電極を取り囲む弾性材料か
らなる環状ダムを形成する第３の工程とを備えている。

【００３２】この方法により、上記請求項１の半導体装
置の構造を容易に実現することができる。

【００３３】請求項１２に記載されているように、上記
半導体装置の製造方法において、上記第３の工程では、
上記弾性材料として絶縁性材料を用い、上記ウエハの主
面上に上記複数の素子電極の上方を開口した保護層を、
上記環状ダムと共に形成することが好ましい。

【００３４】この方法により、上記請求項２の半導体装
置の構造を容易に実現することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の各実施形態について説明する。

【００３６】（第１の実施形態）まず、図１〜図３を参
照しながら第１の実施形態に係る半導体装置，その製造
方法およびその検査方法について説明する。

【００３７】図１（ａ）および（ｂ）は、第１の実施形
態に係る半導体装置の平面図および断面図である。図１
（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板からなるウ
エハ１０の上には、多数の半導体素子（図示せず）を有
し後に個別に分割されるチップ領域Ｒtpが形成されてい
る。なお、便宜上、図１（ａ）には１２個のチップ領域
Ｒtpしか図示されず、図１（ｂ）には３つのチップ領域
Ｒtpしか図示されていないが、実際には極めて多数のチ
ップ領域Ｒtpが形成されていることはいうまでもない。
そして、ウエハ１０の主面上には、半導体素子の素子電
極１１に接続される電極パッド１２が配列されている。
ただし、図示しないが、素子電極１１の上にはパッシベ
ーション膜が形成されており、パッシベーション膜の開
口部に露出した素子電極１１の上に広い電極パッド１２
が形成されている。また、ウエハ１０の主面上における
外周部付近には、半導体素子および電極パッド１２を取
り囲む環状ダム１３ａが設けられている。この環状ダム
１３ａは、例えばシリコンゴム，ポリイミド，エポキシ
のような弾性（伸縮性）のある絶縁性材料により構成さ
れている。この環状ダム１３ａは、ウエハ１０の端面と
一致した端面を有する位置に形成されていてもよいし、
ウエハ１０の端面から少し内方に入った位置に形成され
ていてもよい。

【００３８】図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る
半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【００３９】まず、図２（ａ）に示す工程では、ウエハ
１０に、半導体素子と、半導体素子の素子電極１１に接
続される電極パッド１２とを形成する。

【００４０】次に、図２（ｂ）に示す工程では、ウエハ
１０の全面に感光性を有する絶縁性材料を１５０μｍ程
度の厚みで塗布して乾燥することにより絶縁性材料膜１
３を形成する。

【００４１】なお、本半導体装置の検査時におけるシー
ル機能を発揮するためには、絶縁性材料膜１３の塗布厚
は、塗布以降の工程に支障のない範囲で厚い方がよく、
例えば５００μｍ程度でも良いし１ｍｍ程度でも良い。

【００４２】また、感光性を有する材料としては、例え
ばエステル結合型ポリイミドやアクリレート系エポキシ
等のポリマーでよく、低弾性率を有していればよい。た
だし、必ずしも絶縁性材料である必要はなく、導体膜で
あってもよい。

【００４３】次に、図２（ｃ）に示す工程では、ウエハ
１０周辺部のみを開口したマスクを用いて、乾燥された
絶縁性材料膜１３に対して露光を行なう。

【００４４】さらに、図２（ｄ）に示す工程で、露光さ
れた絶縁性材料膜１３の現像を行なうことにより、ウエ
ハ１０の周辺部に環状ダム１３ａを形成する。

【００４５】なお、環状ダム１３ａの断面形状は、図
１，図２（ｄ）に示すような矩形状である必要はなく、
例えば丸みを帯びた山状であってもよい。

【００４６】次に、本実施形態に係る半導体装置をウエ
ハ状態で検査する方法について説明する。図３は、半導
体装置の検査方法を説明するための断面図である。

【００４７】同図に示すように、検査装置には、ウエハ
１０を保持するための保持体２１と、ウエハ１０上の電
極パッド１２との電気的接続を行なうためのプローブ端
子２３が配置されたプローブシート２２と、プローブシ
ート２２の上に設けられた弾性体２４と、検査時には弾
性体２４中の端子（図示せず）を介してプローブ端子２
３に電気的に接続される電極２６を配置した絶縁性基板
（検査ボード）２５と、プローブシート２２，弾性体２
４および絶縁性基板２５を貫通する吸引ノズル２７とを
備えている。

【００４８】検査時には、ウエハ１０上の電極パッド１
２とプローブシート２２中のプローブ端子２３とを相対
向させた状態で、プローブシート２２を環状ダム１３ａ
に密着させながら、吸引ノズル２７から真空引きする。
その結果、環状ダム１３ａで囲まれるウエハ１０上の領
域が減圧状態になり、ウエハ１０上の電極パッド１２と
プローブシート２２中のプローブ端子２３とが、安定し
た接触状態に維持される。そして、プローブ端子２３と
弾性体２４中の端子（図示せず）と介してウエハ１０上
の素子電極１１から絶縁基板２５上の電極２６に流れる
検査信号により、ウエハ状態で半導体素子の諸特性や配
線の断線の有無などを検査し、不良品の存在をチェック
する。

【００４９】この方法によると、環状ダム１３ａでシー
ルされた領域内を減圧することにより、数千から数万も
ある電極パッド１２とプローブ端子２３との間に均一に
押圧力を加えることができるとともに、弾性体２４によ
って電極パッド１２およびプローブ端子２３の高さのば
らつきやウエハ１０の反りを吸収して電極パッド１２と
プローブ端子２３とを確実にコンタクトさせることがで
きる。

【００５０】ここで、本実施形態の場合、ウエハ１０に
シール機能を有する環状ダム１３ａが設けられており、
何回も繰り返して使用されることがないので、上記従来
の検査装置のシール部材（図１９中の符号１０４で示さ
れる部材）を頻繁に交換する手間は不要となる。また、
ウエハ・バーンインテストのような高温（現在１２５℃
程度）で行なわれることによる環状ダム１３ａの弾性特
性の劣化や磨耗などは問題とならない。また、検査装置
には、従来の検査装置のようなシール部材が不要となる
ことにより、検査に要するコストを低減することもでき
る。

【００５１】さらに、今後、検査時間の短縮のためにバ
ーン・インテスト温度を高くするようになっても、上述
の作用効果を維持しながら、ウエハ状態で信頼度の高い
検査を行なうことができる半導体装置を実現することが
できる。

【００５２】（第２の実施形態）次に、図４〜図６を参
照しながら、第２の実施形態に係る半導体装置，その製
造方法およびその検査方法について説明する。

【００５３】図４（ａ）および（ｂ）は、第２の実施形
態に係る半導体装置の平面図および断面図である。図４
（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板からなるウ
エハ１０の上には、多数の半導体素子（図示せず）を有
し後に個別に分割されるチップ領域Ｒtpがあり、ウエハ
１０の主面上には、半導体素子の素子電極１１が配列さ
れている。なお、便宜上、図４（ａ）には１２個のチッ
プ領域Ｒtpしか図示されず、図４（ｂ）には３つのチッ
プ領域Ｒtpしか図示されていないが、実際には極めて多
数のチップ領域Ｒtpが形成されていることはいうまでも
ない。また、ウエハ１０の主面上における外周部付近に
は、半導体素子および素子電極１１を取り囲む環状ダム
１３ａが設けられている。この環状ダム１３ａは、例え
ばシリコンゴム，ポリイミド，エポキシのような弾性
（伸縮性）のある絶縁性材料により構成されている。こ
の環状ダム１３ａは、ウエハ１０の端面と一致した端面
を有する位置に形成されていてもよいし、ウエハ１０の
端面から少し内方に入った位置に形成されていてもよ
い。

【００５４】ここで、本実施形態に係る半導体装置の特
徴は、ウエハ１０の上に、環状ダム１３ａと同じ絶縁性
材料からなる保護層としての低弾性率層１３ｂが設けら
れている点である。この低弾性率層１３ｂは、ウエハ１
０上のチップ領域Ｒtp内にのみ形成されており、かつ、
低弾性率層１３ｂのうち素子電極１１が配列された領域
の上方は開口されている。また、素子電極１１の上から
低弾性率層１３ｂの上に亘って、金属膜からなる配線パ
ターン３３が形成されている。この配線パターン３３
は、素子電極１１上のパッド３０と、低弾性率層１３ｂ
の上の外部電極であるランド３２と、パッド３０とラン
ド３２とを接続する金属配線３１とを一体化して構成さ
れている。

【００５５】図５（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態に係る
半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【００５６】まず、図５（ａ）に示す工程では、ウエハ
１０に、半導体素子と半導体素子の素子電極１１とを形
成するとともに、ぞの上に素子電極１１の一部を露出さ
せたパッシベーション膜（図示せず）を形成する。

【００５７】次に、図５（ｂ）に示す工程では、ウエハ
１０の全面に感光性を有する絶縁性材料を１５０μｍ程
度の厚みで塗布して乾燥することにより、絶縁性材料膜
１３を形成する。

【００５８】なお、本半導体装置の検査時におけるシー
ル機能を発揮するためには、絶縁性材料膜１３の塗布厚
は、塗布以降の工程に支障のない範囲で厚い方がよく、
例えば５００μｍ程度でも良いし１ｍｍ程度でも良い。

【００５９】また、感光性を有する材料としては、例え
ばエステル結合型ポリイミドやアクリレート系エポキシ
等のポリマーでよく、低弾性率を有していればよい。ま
た、必ずしも絶縁性材料である必要はなく、導体膜であ
ってもよい。

【００６０】次に、図５（ｃ）に示す工程では、ウエハ
１０周辺部と各チップ領域Ｒtpにおける素子電極１１の
配列領域とを開口したマスクを用いて、乾燥された絶縁
性材料膜１３に対して露光を行なう。この場合におい
て、本実施形態では、露光で平行光ではなく散乱光を使
用する。

【００６１】さらに、図５（ｄ）に示す工程で、露光さ
れた絶縁性材料膜１３の現像を行なうことにより、ウエ
ハ１０の周辺部に環状ダム１３ａを形成する一方、各チ
ップ領域Ｒtpには素子電極１１の配列領域の上方を開口
した低弾性率層１３ｂを形成する。本実施形態の製造方
法においては、露光で平行光ではなく散乱光を使用する
ことにより、環状ダム１３ａの内方側端部と低弾性率層
１３ｂの端部とにおける断面形状を、ウエハ１０の主面
に対して垂直ではなく鋭角部分のないくさび状にして形
成する。ただし、散乱光を用いずにステップ状の低弾性
率層や環状ダムを形成してもよい。

【００６２】次に、図５（ｅ）に示す工程で、ウエハ１
０の全面上に、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ
法，無電解めっき法または電界めっき法によって例えば
厚みが１０μｍ程度の金属層３４を形成する。

【００６３】次に、図５（ｆ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて、金属層３４をパターニング
することによって、ウエハ１０の主面において、素子電
極１１上のパッド３０と、低弾性率層１３ｂ上のランド
３２と、両者を接続する金属配線３１とからなる所定の
金属配線パターン３３が形成される。

【００６４】次に、本実施形態に係る半導体装置をウエ
ハ状態で検査する方法について説明する。図６は、半導
体装置の検査方法を説明するための断面図である。

【００６５】同図に示すように、検査装置には、ウエハ
１０を保持するための保持体２１と、ウエハ１０上のラ
ンド３２との電気的接続を行なうためのプローブ端子２
３が配置されたプローブシート２２と、検査時にはプロ
ーブ端子２３に電気的に接続される電極２６を配置した
絶縁性基板（検査ボード）２５と、プローブシート２２
および絶縁性基板２５を貫通する吸引ノズル２７とを備
えている。

【００６６】検査時には、ウエハ１０上の外部電極とし
て機能するランド３２とプローブシート２２中のプロー
ブ端子２３とを相対向させた状態で、プローブシート２
２を環状ダム１３ａに密着させながら、吸引ノズル２７
から真空引きする。その結果、環状ダム１３ａで囲まれ
るウエハ１０上の領域が減圧状態になり、ウエハ１０上
のランド３２とプローブシート２２中のプローブ端子２
３とが、安定した接触状態に維持される。そして、この
状態で半導体素子の諸特性や配線の断線の有無などを検
査し、不良品の存在をチェックする。

【００６７】この方法によると、環状ダム１３ａでシー
ルされた領域内を減圧することにより、数千から数万も
あるランド３２とプローブ端子２３との間に均一に押圧
力を加えることができるとともに、低弾性率層１３ｂに
よってランド３２およびプローブ端子２３の高さのばら
つきやウエハ１０の反りを吸収してランド３２とプロー
ブ端子２３とを確実にコンタクトさせることができる。

【００６８】本実施形態に係る半導体装置によれば、ウ
エハ１０にシール機能を有する環状ダム１３ａが設けら
れているので、第１の実施形態と同様の効果を発揮する
ことができる。すなわち、上記従来の検査装置のシール
部材（図１９中の符号１０４で示される部材）を頻繁に
交換する手間は不要となる。また、ウエハ・バーンイン
テストのような高温（現在１２５℃程度）で行なわれる
ことによる環状ダム１３ａの弾性特性の劣化や磨耗など
は問題とならない。さらに、今後検査時間の短縮のため
にバーン・インテスト温度が高くなっても、上述の作用
効果を維持しながら、ウエハ状態で信頼度の高い検査を
行なうことができる半導体装置を実現することができ
る。また、検査装置には、従来の検査装置のようなシー
ル部材が不要となることにより、検査に要するコストを
低減することもできる。

【００６９】加えて、本実施形態では、ウエハ１０の上
に押圧力の緩衝機能を有する低弾性率層１３ｂが形成さ
れているので、検査装置には上記第１の実施形態におけ
る図３に示すような弾性体２４が不要となっている。し
たがって、この半導体装置を検査するための検査装置
は、従来の検査装置に比べると、ウエハ１０上の部材
（外部電極であるランド３２）と検査装置側の部材（絶
縁性基板２５上の電極２６）との間の電気的な接続状態
を不良にする要素をさらに減らせることができ、検査の
信頼度を高めることができる。しかも、低弾性率層１３
ｂは環状ダム１３ａと同じ材料で構成されているので、
半導体装置の製造工程が簡略化され、製造コストの増大
を招くこともない。また、低弾性率層１３ｂがあること
で、ウエハ１０上における金属配線３１などへの熱応力
を緩和することができるので、信頼性の向上をも図るこ
とができる。

【００７０】さらに、ランド３２を例えば格子状に配列
することで、ランド間隔をパッド３０の間隔よりも大き
くとることが可能となり、検査ボード内の配線引き回し
が容易となり、検査ボードのコスト増大を回避すること
ができる。

【００７１】（第３の実施形態）次に、図７および図８
を参照しながら、第３の実施形態に係る半導体装置およ
びその検査方法について説明する。

【００７２】図７（ａ）および（ｂ）は、第３の実施形
態に係る半導体装置の平面図および断面図である。図７
（ａ），（ｂ）において、図４（ａ），（ｂ）に示す上
記第２の実施形態の半導体装置と同じ構造を有する部材
については、図４（ａ），（ｂ）と同じ符号で示し、そ
の説明は省略する。なお、便宜上、図７（ａ）には１２
個のチップ領域Ｒtpしか図示されず、図７（ｂ）には３
つのチップ領域Ｒtpしか図示されていないが、実際には
極めて多数のチップ領域Ｒtpが形成されていることはい
うまでもない。

【００７３】ここで、本実施形態の半導体装置の特徴
は、上記第２の実施形態における配線パターン３３のラ
ンド３２の上に、はんだボールからなる突起状端子４０
が形成されている点である。この突起状端子４０を低弾
性率層１３ｂよりも大きく上方に突出させることによ
り、半導体装置の検査時における検査装置の電極との電
気的接続を容易ならしめるように構成されている。

【００７４】次に、本実施形態に係る半導体装置をウエ
ハ状態で検査する方法について説明する。図８は、半導
体装置の検査方法を説明するための断面図である。

【００７５】同図に示すように、検査装置には、ウエハ
１０を保持するための保持体２１と、検査時にはウエハ
１０上の突起状端子４０に電気的に接続される電極２６
を配置した絶縁性基板（検査ボード）２５と、絶縁性基
板２５を貫通する吸引ノズル２７とを備えている。

【００７６】検査時には、ウエハ１０上の突起状端子４
０と絶縁性基板２５上の電極２６とを相対向させた状態
で、絶縁性基板２５を環状ダム１３ａに密着させなが
ら、吸引ノズル２７から真空引きする。その結果、環状
ダム１３ａで囲まれるウエハ１０上の領域が減圧状態に
なり、ウエハ１０上の突起状端子４０と絶縁性基板２５
中の電極２６とが、安定した接触状態に維持される。そ
して、この状態で半導体素子の諸特性や配線の断線の有
無などを検査し、不良品の存在をチェックする。

【００７７】この方法によると、環状ダム１３ａでシー
ルされた領域内を減圧することにより、数千から数万も
ある突起状端子４０と電極２６との間に均一に押圧力を
加えることができるとともに、低弾性率層１３ｂによっ
て突起状端子４０および電極２６の高さのばらつきやウ
エハ１０の反りを吸収して突起状端子４０と電極２６と
を確実にコンタクトさせることができる。

【００７８】ここで、本実施形態の場合、ウエハ１０に
シール機能を有する環状ダム１３ａが設けられているの
で、第１の実施形態と同様の効果を発揮することができ
る。すなわち、上記従来の検査装置のシール部材（図１
９中の符号１０４で示される部材）を頻繁に交換する手
間は不要となる。また、ウエハ・バーンインテストのよ
うな高温（現在１２５℃程度）で行なわれることによる
環状ダム１３ａの弾性特性の劣化や磨耗などは問題とな
らない。また、検査装置には、従来の検査装置のような
シール部材が不要となることにより、検査に要するコス
トを低減することもできる。さらに、今後、検査時間の
短縮のためにバーン・インテスト温度を高くするように
なっても、上述の作用効果を維持しながら、ウエハ状態
で信頼度の高い検査を行なうことができる半導体装置を
実現することができる。

【００７９】加えて、本実施形態では、ウエハ１０の上
に緩衝機能を有する低弾性率層１３ｂが形成されている
ので、上記第２の実施形態と同様の効果も発揮すること
ができる。すなわち、検査装置には上記第１の実施形態
における図３に示すような弾性体２４が不要となってい
るので、検査装置における回路の接続状態を不良にする
要素を確実に減らせることができ、検査の信頼度を高め
ることができる。しかも、低弾性率層１３ｂは環状ダム
１３ａと同じ材料で構成されているので、半導体装置の
製造工程が簡略化され、製造コストの増大を招くことも
ない。また、低弾性率層１３ｂがあることで、ウエハ１
０上における金属配線３１などへの熱応力を緩和するこ
とができるので、信頼性の向上をも図ることができる。

【００８０】さらに、本実施形態では、配線パターン３
３のランド３２の上に突起状端子４０を設けたことによ
り、図３や図６に示す検査装置におけるプローブシート
２２や、プローブ端子２３は不要となる。したがって、
検査装置の構造がより簡素なものとなり、検査コストが
低減するだけでなく、検査装置における回路の接続状態
を不良にする要素をより確実に減らせることができ、検
査の信頼度を大幅に高めることができる。また、絶縁性
基板２５とウエハ１０の熱膨張係数はそれ程変わらない
ので、温度係数差を補償するための特別の工夫をしなく
ても、温度を自由に変えて半導体装置の検査を行なうこ
とが可能である。

【００８１】また、本実施形態において絶縁性基板２５
で構成されている検査ボードをウエハ１０と同じ材料で
構成してもよい。その場合、検査ボードとウエハとの熱
膨張率が全く一致するので、ウエハ側の部材と検査ボー
ド側の部材との電気的接続の信頼度について著効を発揮
することができる。

【００８２】なお、本実施形態における突起状端子とし
ては、上述のはんだボールのような金属ボールあるいは
金属メッキされたボールや、Ａｕバンプや、スタッドバ
ンプなどを用いることができる。

【００８３】（第４の実施形態）次に、図９および図１
０を参照しながら、第４の実施形態に係る半導体装置お
よびその検査方法について説明する。

【００８４】図９（ａ）および（ｂ）は、第４の実施形
態に係る半導体装置の平面図および断面図である。図９
（ａ），（ｂ）において、図７（ａ），（ｂ）に示す上
記第３の実施形態の半導体装置と同じ構造を有する部材
については、図７（ａ），（ｂ）と同じ符号で示し、そ
の説明は省略する。なお、便宜上、図９（ａ）には１２
個のチップ領域Ｒtpしか図示されず、図９（ｂ）には３
つのチップ領域Ｒtpしか図示されていないが、実際には
極めて多数のチップ領域Ｒtpが形成されていることはい
うまでもない。

【００８５】ここで、本実施形態における半導体装置の
特徴は、上記第３の実施形態における半導体装置と同じ
構造において、環状ダム１３ａの一部、つまりウエハ１
０のオリフラの部分の上方に位置する部分に切り欠き部
１３ｃが設けられている点である。このように切り欠き
部１３ｃを設けることにより、環状ダム１３ａの内方を
減圧するための構成の容易化を図っている。

【００８６】次に、本実施形態に係る半導体装置をウエ
ハ状態で検査する方法について説明する。図１０は、半
導体装置の検査方法を説明するための断面図である。

【００８７】本実施形態における検査方法は、図８に示
す第３の実施形態における検査方法とほとんど共通して
おり、図１０において、図８に示す第３の実施形態の検
査装置と同じ構造を有する部材については、図８と同じ
符号で示されている。

【００８８】本実施形態の検査方法の特徴は、吸引ノズ
ル２７が、絶縁性基板２５を貫通するのではなく、環状
ダム１３ａの切り欠き部１３ｃから環状ダム１３ａ内に
挿入されている点である。すなわち、検査時には、ウエ
ハ１０上の突起状端子４０と絶縁性基板２５上の電極２
６とを相対向させた状態で、絶縁性基板２５を環状ダム
１３ａに密着させながら、吸引ノズル２７の先端部を環
状ダム１３ａの切り欠き部１３ｃから環状ダム１３ａの
内方に挿入した状態で、吸引ノズル２７から真空引きす
る。その結果、環状ダム１３ａで囲まれるウエハ１０上
の領域が減圧状態になり、ウエハ１０上の突起状端子４
０と絶縁性基板２５中の電極２６とが、安定した接触状
態に維持される。そして、この状態で半導体素子の諸特
性や配線の断線の有無などを検査し、不良品の存在をチ
ェックする。

【００８９】本実施形態の半導体装置によると、上記第
３の実施形態と同様の効果を発揮することができる。た
だし、本実施形態における環状ダム１３ａに切り欠き部
１３ｃを設ける構造は、上記第１，第２の実施形態の半
導体装置にも適用でき、その場合には、上記第１，第２
の実施形態と同じ作用効果を発揮することができる。そ
して、環状ダム１３ａの一部に切り欠き部１３ｃを設け
たことにより、吸引ノズル２７が絶縁性基板２５，弾性
体２４，プローブシート２２などを貫通する構造を採る
必要がなくなり、検査装置の構成が簡素化される。そし
て、吸引ノズル２７を介して環状ダム１３ａ内の領域を
減圧するのが容易となる。

【００９０】なお、環状ダム１３ａの切り欠き部１３ｃ
の形状は、ウェハ外側ほど広い開口を有することが好ま
しい。そして、切り欠き部１３ｃのウエハの外側におけ
る開口径が吸引ノズル２７の外形よりも大きく、かつ、
切り欠き部１３ｃのウェハの内側における開口径が吸引
ノズル２７と同等もしくは小さくて、吸引の際に吸引ノ
ズル２７と密着する程度であることが好ましい。

【００９１】（第１〜第４の実施形態の変形形態）次
に、第１〜第４の実施形態において共通に適用できる変
形形態について、図１１〜図１６を参照しながら説明す
る。ただし、図１１〜図１６において、ウエハ１０上の
電極パッド，低弾性率層，配線パターン，突起状端子等
の図示は省略するが、変形形態に係る部材以外の部材
は、上記図１，図４，図７，図９等に示す構造を有する
ものとする。

【００９２】−第１の変形形態− まず、縦断面が山状の環状ダムに関する第１の変形形態
について、図１１（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明す
る。

【００９３】図１１（ａ）は、単一の環状凸部からなる
環状ダム１３ａを有する半導体装置の断面図である。図
１１（ｂ），（ｃ）は２つの環状凸部１３a1，１３a2か
らなる環状ダム１３ａを有する半導体装置の断面図であ
って、図１１（ｂ）は２つの環状凸部１３a1，１３a2が
互いに重なっている場合、図１１（ｃ）は２つの環状凸
部１３a1，１３a2が互いに離れている場合をそれぞれ示
す。ただし、３つ以上の環状凸部が設けられていてもよ
い。

【００９４】特に、環状ダム１３ａを複数列の環状凸部
からなる構造とすることにより、環状ダム１３ａのシー
ル機能をより高めることができ、ウエハ上の部材と検査
装置側の部材との電気的な接続状態をより安定化させる
ことができる。

【００９５】−第２の変形形態− 次に、縦断面においてウエハの内方に向かって低くなる
ように傾斜した斜面を有する環状ダムに関する第２の変
形形態について、図１２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら
説明する。

【００９６】図１２（ａ）は、単一の環状凸部からなる
環状ダム１３ａを有する半導体装置の断面図である。図
１２（ｂ），（ｃ）は２つの環状凸部１３a1，１３a2か
らなる環状ダム１３ａを有する半導体装置の断面図であ
って、図１２（ｂ）は２つの環状凸部１３a1，１３a2が
互いに重なっている場合、図１２（ｃ）は２つの環状凸
部１３a1，１３a2が互いに離れている場合をそれぞれ示
す。ただし、３つ以上の環状凸部が設けられていてもよ
い。

【００９７】特に、環状ダム１３ａを複数列の環状凸部
からなる構造とすることにより、上記第１の変形形態と
同じ効果を発揮することができる。また、縦断面におい
てウエハの内方に向かうほど低くなるように、つまり内
側に傾斜した斜面を有する環状ダム１３ａを設けること
により、シール機能をより高めることができ、ウエハ上
の部材と検査装置側の部材との電気的な接続状態をより
安定化させることができる。

【００９８】−第３の変形形態− 次に、複数の環状凸部を有するとともに、各環状凸部の
上端部の高さがウエハの内方に向かって低くなるように
形成された環状ダムに関する第３の変形形態について、
図１３（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。

【００９９】図１３（ａ）は、山状の縦断面形状を有す
る２つの環状凸部１３a1，１３a2からなる環状ダム１３
ａを有する半導体装置の断面図である。図１３（ｂ），
（ｃ）は、内側に傾斜した斜面を有する３つの環状凸部
１３a1，１３a2，１３a3からなる環状ダム１３ａを有す
る半導体装置の断面図であって、図１３（ｂ）は３つの
環状凸部１３a1，１３a2，１３a3が互いに重なっている
場合、図１３（ｃ）は３つの環状凸部１３a1，１３a2，
１３a3が互いに離れている場合をそれぞれ示す。

【０１００】特に、環状ダム１３ａを複数列の環状凸部
からなる構造とするとともに、各環状凸部の上端部の高
さがウエハ１０の内方に向かうほど低くなるように構成
することにより、シール機能をより高めることができ、
ウエハ上の部材と検査装置側の部材との電気的な接続状
態をより安定化させることができる。

【０１０１】−第４の変形形態− 次に、低弾性率層を設けるとともに低弾性率層の高さを
環状ダムの高さよりも低くした半導体装置に関する第４
の変形形態について説明する。

【０１０２】図１４は、本変形形態に係る半導体装置の
構造を示す断面図である。同図に示すように、本変形形
態においては、ウエハ１０の上には、環状ダム１３ａと
同じ絶縁性材料によって構成される低弾性率層１３ｂが
設けられており、この低弾性率層１３ｂの高さは環状ダ
ム１３ａの高さよりも低い。ただし、本変形形態は第２
〜第４の実施形態にのみ適用できることはいうまでもな
い。

【０１０３】このように低弾性率層１３ｂよりも環状ダ
ム１３ａを高くしておくことにより、検査時に、環状ダ
ム１３ａの内方領域の減圧度をより大きくすることがで
きる利点がある。

【０１０４】−第５の変形形態− 次に、上端部に凹部が形成された環状ダムに関する第５
の変形形態について、図１５（ａ），（ｂ）を参照しな
がら説明する。

【０１０５】図１５（ａ）は、凹部１３ｄを有する単一
の環状凸部からなる環状ダム１３ａを有する半導体装置
の断面図である。図１５（ｂ）は、各々凹部１３d1，13
d2を有する２つの環状凸部１３a1，１３a2からなる環状
ダム１３ａを有する半導体装置の断面図であって、２つ
の環状凸部１３a1，１３a2が互いに離れている場合を示
す。ただし、３つ以上の環状凸部が設けられていてもよ
い。

【０１０６】本変形形態のように、環状ダムの上端部に
凹部を設けることにより、検査時に、環状ダムがプロー
ブシートや絶縁性基板と密着したときに、この凹部が吸
盤機能を発揮することで、密着後のプローブシートや絶
縁性基板の位置ずれを防止することができる。

【０１０７】−第６の変形形態− 次に、導体層を被覆した環状ダムに関する第６の変形形
態について、図１６（ａ），（ｂ）を参照しながら説明
する。

【０１０８】図１６（ａ）は、内側に傾斜した斜面を有
する環状ダム１３ａの外側の端面を除く部分を導体層３
５で被覆した構造を有する半導体装置の断面図である。
図１６（ｂ）は、内側に傾斜した斜面を有する環状ダム
１３ａの全面を導体層３５で被覆した構造を有する半導
体装置の断面図である。ただし、２つ以上の環状凸部が
設けられていてもよい。

【０１０９】このような導体層３５は、例えば上記第１
の実施形態における図１に示す電極パッド１２や、上記
第２の実施形態における配線パターンと同じ金属膜を用
いて容易に形成することができる。

【０１１０】本変形形態のように、環状ダム１３ａを導
体層３５で被覆することにより、環状ダム１３ａ上の導
体層３５と、複数の半導体素子の電源もしくはグランド
とをウエハ１０上で電気的に接続しておくことが可能に
なり、複数の半導体素子を検査する際の電源もしくはグ
ランドとして一括して使用できるので、検査装置側の電
源端子もしくはグランド端子の数を著しく削減すること
ができる。つまり、スクライブライン上に配線を引き回
しておくなどの手段を講ずることにより、導体層３５を
半導体素子のグランド（もしくは電源端子）に電気的に
接続させておけば検査時の共通グランド（もしくは電
源）として用いることが可能である。

【０１１１】（その他の実施形態）上記第１の実施形態
における半導体装置の製造方法においては、図２（ｂ）
〜（ｄ）に示す手順で、ウエハ１０の上に絶縁性材料膜
１３を形成し、この絶縁性材料膜１３をパターニングす
ることにより環状ダム１３ａを形成したが、本発明にお
ける環状ダム１３ａの形成方法は、かかる実施形態に限
定されるものではない。

【０１１２】例えば、図１７に示すように、シート状の
弾性を有する絶縁性材料膜１３ｘを予め形成しておき、
この絶縁性材料膜１３ｘを接着材１６（シート材又はグ
ルー材）によりウエハ１０の外周部に接着するようにし
てもよい。このとき、絶縁性材料膜１３ｘと接着剤１６
とは予め接着されていてもよい。さらに、絶縁性材料膜
１３ｘを熱硬化性材料により予めシート状に形成してお
き、ウエハ上に接着剤を介さずに熱圧着によって固着し
てもよい。

【０１１３】上記第２の実施形態における半導体装置の
製造方法においては、図５（ｂ）〜（ｆ）に示す手順
で、環状ダム１３ａおよび低弾性率層１３ｂと、その上
の配線パターン３３とを形成したが、本発明の半導体装
置の構造はかかる実施形態の構造に限定されるものでは
ない。

【０１１４】例えば、図１８（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ウエハ１０の上に、絶縁性材料膜１３ｘを接着剤１
６により接着して環状ダム１３ａと低弾性率層１３ｂと
を形成するとともに、絶縁性材料膜１３ｘの上にさらに
配線や外部電極が形成された柔軟性シート状の配線回路
シート３７と、この配線回路シート３７に接続される部
分リード３８とを接着するようにしてもよい。その際、
部分リード３８はウエハ１０上の電極パッド１２に接続
される。このような工程によって、低弾性率層１３ｂの
上に配線回路シート３７を介して外部電極（図示せず）
が設けられた半導体装置を形成することもでき、上記各
実施形態と同様に、ウエハ状態での検査が可能である。

【０１１５】また、低弾性率層１３ｂの上に第２の実施
形態のような外部電極となるランド３２を設ける場合で
あっても、このランド３２は金属配線やパッドと一体的
に形成されて配線パターン３３を構成している必要はな
い。要するに、低弾性率層１３ｂ上の外部電極が、ワイ
ヤーボンド、バンプ接続，ＩＬＢ，メッキ等によって電
気的に接続されていればよく、その接続方法はどのよう
な方法であってもよいものとする。

【０１１６】また、上記第２〜第４の実施形態におい
て、外部電極となるランド３２と低弾性率層１３ｂとの
間にポリイミドテープのようなフレキシブル材料からな
る膜が介在していてもよいものとする。

【０１１７】と密着することが望ましい。

【０１１８】

【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、ウエハの
主面上において半導体素子およびこれに接続される端子
を取り囲む弾性材料からなる環状ダムを設けたので、半
導体装置の検査時にウエハ側の端子と検査装置側の端子
との接触領域を密封することが可能となり、信頼度の高
い検査が可能でトータルコストの安価な半導体装置の提
供を図ることができる。

【０１１９】上記半導体装置において、環状ダムと同じ
材料で構成される保護層とその上の外部電極とをさらに
設けることにより、保護層によってウエハの反りや端子
の高さのばらつきなどを吸収して、ウエハ側の端子と検
査装置の端子との間の接続状態を安定化させることがで
き、検査の信頼度の向上と検査装置のコストの低減を図
ることができる。

【０１２０】さらに、上記外部電極の上に金属ボール等
の突起状端子を設けることにより、プローブ端子および
これを保持するシートも不要となるので、検査の信頼度
の向上と検査装置のコストの低減を図ることができる。

【０１２１】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、上記半導体装置を容易に製造する半導体装置の製
造方法の提供を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウエハの上に環状ダムを設けた第１の実施形態
に係る半導体装置の平面図および断面図である。

【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を
示す断面図である。

【図３】第１の実施形態に係る半導体装置のウエハ状態
での検査方法を示す断面図である。

【図４】ウエハの上に環状ダム，低弾性率層および配線
パターンを設けた第２の実施形態に係る半導体装置の平
面図および断面図である。

【図５】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を
示す断面図である。

【図６】第２の実施形態に係る半導体装置のウエハ状態
での検査方法を示す断面図である。

【図７】ウエハの上に環状ダム，低弾性率層，配線パタ
ーンおよび突起状端子を設けた第３の実施形態に係る半
導体装置の平面図および断面図である。

【図８】第３の実施形態に係る半導体装置のウエハ状態
での検査方法を示す断面図である。

【図９】環状ダムに切り欠き部を設けた第４の実施形態
に係る半導体装置の平面図および断面図である。

【図１０】第４の実施形態に係る半導体装置のウエハ状
態での検査方法を示す断面図である。

【図１１】第１〜第４の実施形態に対する第１の変形形
態であって、山状の縦断面形状を有する環状ダムの構造
の各種バリエーションを示す断面図である。

【図１２】第１〜第４の実施形態に対する第２の変形形
態であって、内側に傾斜した斜面を有する環状ダムの構
造の各種バリエーションを示す断面図である。

【図１３】第１〜第４の実施形態に対する第３の変形形
態であって、高さの異なる複数の環状凸部を有する環状
ダムの構造の各種バリエーションを示す断面図である。

【図１４】第２〜第４の実施形態に対する第４の変形形
態であって、低弾性率層よりも高い環状ダムを有する半
導体装置の断面図である。

【図１５】第１〜第４の実施形態に対する第５の変形形
態であって、上端部に凹部が形成された環状ダムの構造
の各種バリエーションを示す断面図である。

【図１６】第１〜第４の実施形態に対する第６の変形形
態であって、導体層で被覆された環状ダムを有する半導
体装置の各種バリエーションを示す断面図である。

【図１７】環状ダムをシートの接着により形成したその
他の実施形態に係る半導体装置の断面図である。

【図１８】環状ダムをシートの接着により形成するとと
もに、配線回路シートと部分リードとを設けたその他の
実施形態に係る半導体装置の断面図である。

【図１９】従来の半導体装置におけるウエハ状態での検
査方法を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ ウエハ １１ 電極 １２ 電極パッド １３ 絶縁性材料膜 １３ａ 環状ダム １３ｂ 低弾性率層 １３ｘ 絶縁性材料膜 １６ 接着剤 ２１ 保持体 ２２ プローブシート ２３ プローブ端子 ２４ 弾性体 ２５ 絶縁性基板（検査ボード） ２６ 電極 ２７ 吸引ノズル ３０ パッド ３１ 金属配線 ３２ ランド（外部電極） ３３ 配線パターン ３４ 金属層 ３５ 導体層 ４０ 突起状端子 Ｒtp チップ領域

フロントページの続き (72)発明者 中村 嘉文 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体素子を有するウエハと、 上記ウエハの主面上に配列され、上記複数の半導体素子
   にそれぞれ電気的に接続される複数の素子電極と、 上記複数の半導体素子および複数の素子電極を取り囲む
   ように上記ウエハの主面上に形成された弾性材料からな
   る環状ダムとを備えていることを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 上記ウエハの主面上の上記複数の半導体素子の上に形成
   され、上記複数の素子電極の上方が開口された弾性のあ
   る絶縁性材料からなる保護層と、 上記保護層上に形成され、上記複数の素子電極にそれぞ
   れ電気的に接続される複数の外部電極とをさらに備え、 上記環状ダムを構成する弾性材料と、上記保護層を構成
   する弾性のある絶縁性材料とは同じ材料であることを特
   徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、 上記複数の外部電極の上に形成された突起状端子をさら
   に備えていることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項２又は３記載の半導体装置におい
   て、 上記環状ダムの上端部は上記保護層の上端部よりも高く
   なっていることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のうちいずれか１つに記載
   の半導体装置において、 上記環状ダムの一部に切り欠き部が形成されていること
   を特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
   の半導体装置において、 上記環状ダムは、上記ウエハの外周に沿った複数列の環
   状凸部を有することを特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のうちいずれか１つに記載
   の半導体装置において、 上記環状ダムは、ウエハの内方に向かうほど低く傾斜す
   るような縦断面形状を有することを特徴とする半導体装
   置。
8. 【請求項８】 請求項６記載の半導体装置において、 上記環状ダムの各環状凸部の上端部は、上記ウエハの内
   方に向かうほど低くなっていることを特徴とする半導体
   装置。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のうちいずれか１つに記載
   の半導体装置において、 上記環状ダムの上端部には凹部が形成されていることを
   特徴とする半導体装置。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９のうちいずれか１つに記
    載の半導体装置において、 上記環状ダムの表面の少なくとも一部を覆う導体層をさ
    らに備えていることを特徴とする半導体装置。
11. 【請求項１１】 ウエハに複数の半導体素子を形成する
    第１の工程と、 上記ウエハの主面上に、上記半導体素子にそれぞれ接続
    される複数の素子電極を形成する第２の工程と、 上記ウエハの主面上に、上記複数の半導体素子および複
    数の素子電極を取り囲む弾性材料からなる環状ダムを形
    成する第３の工程とを備えていることを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、 上記第３の工程では、上記弾性材料として絶縁性材料を
    用い、上記ウエハの主面上に上記複数の素子電極の上方
    を開口した保護層を、上記環状ダムと共に形成すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。