JP2012044207A - シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本製造プロセスは、誘電性材料の堆積/成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。さらに、デバイス表面に堆積された誘電性材料は、デバイスの真性領域から除去される必要はない。このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。マルチゲートフィールドプレートを使うと、マルチ接続を使用するので、ゲート抵抗を減らすこともでき、こうして、大周辺デバイスおよび/またはサブミクロンゲートデバイスの性能を向上することができる。
【選択図】図4A
Description
本出願は、以下の同時係属中で、同一出願人による米国仮特許出願(シリアル番号第60/501,557号、題名「FABRICATION OF SINGLE OR MULTIPLE GATE FIELD PLATES」、Alessandro Chini、 Umesh K. Mishra、 Primit Parikh、 および、Yifeng Wuによって、2003年9月9日に出願、代理人整理番号第30794.105−US−P1号)の米国法典第35巻第119条(e)項の利益を主張するものであり、その出願がここに援用される。
本発明は、ONR MURIプログラムによって与えられた助成金第N00014−01−1−0764号、および、AFOSR MURIプログラムによって与えられた助成金第F49620−99−1−0296号の下、政府支援により行われた。政府は、本発明に関し、特定の権利を有する。
本発明は、半導体デバイスに関し、特に、シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造に関する。
半導体ベースの電界効果型トランジスタ(FET)において、動作中に、ゲート−ドレインのアクセス領域で、大きな電界が発生する。フィールドプレーティングは、高電界動作下におけるデバイス性能向上と、表面トラッピング現象を緩和する周知の技術である[1]、[2]。例えば、フィールドプレーティングは、高電界でデバイス動作中に起こる有害な影響全て(絶縁破壊電圧、トラッピングの影響、信頼性)を緩和する効果的で、周知の技術となっている。
本発明の実施形態は、シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造の改善方法を提供する。本発明に基づく製造プロセスは、電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料を堆積または成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを含む。本製造プロセスの利点は、誘電性材料の厚みを厳しく(tight)制御できること、および、電界効果型トランジスタを形成する半導体材料にダメージを与えうる任意の乾式または湿式エッチングプロセスに、デバイス活性領域の表面を、一切曝さないことを含む。さらに、デバイス表面に堆積された誘電性材料は、デバイスの真性領域から除去される必要はない。このため、乾式または湿式エッチングプロセスで生じるダメージを受けることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。マルチゲートフィールドプレートを使うと、マルチ接続を使用するので、ゲート抵抗を減らすことができ、大周辺デバイスおよび/またはサブミクロンゲートデバイスの性能を向上できる。最終的に、誘電性材料の厚みを適切に調整すると、平行なゲートコンタクトを誘電性材料の上に、堆積させることができる。これは、デバイスの外因性領域で、平行なゲートコンタクトを電気的に接続して、ゲート抵抗を著しく減少するためである。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
1以上のゲートフィールドプレートの製造方法であって、該方法は、
デバイスの表面に1つ以上のフィールドプレートを形成するために、誘電性材料を堆積または成長させること、誘電性材料をエッチングすること、および、メタル蒸着することからなる連続的ステップを実行することを包含し、
該表面に堆積される該誘電性材料は、活性領域から除去される必要がなく、それによって、低ダメージの乾式または湿式エッチングプロセスを用いずに、フィールドプレートされたデバイスの実現を可能とする、方法。
(項目2)
前記ステップが、フィールドプレートオペレーションの厳しい制御を可能とする、項目1に記載の方法。
(項目3)
ゲート抵抗を減少させるために、マルチフィールドプレートを用いてマルチ接続を形成することをさらに包含する、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記フィールドプレートをゲートドレインアクセス領域に配置することで、前記活性領域の調節能力を提供し、その結果、高い無線周波数(RF)信号下での適切なデバイス動作を妨げる表面トラッピングの影響を減少させる、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記デバイスにダメージを与えうる前記乾式または湿式エッチングプロセスに、前記活性領域の前記表面を、一切曝さないようにすることをさらに包含する、項目1に記載の方法。
(項目6)
外因性領域にある少なくとも2つの平行なゲートを電気的に接続することで、ゲート抵抗を著しく減少させるために、前記誘電性材料の厚さを適切に調整して、該誘電性材料のトップに、平行なゲートコンタクトを堆積させることをさらに包含する、項目1に記載の方法。
(項目7)
前記デバイスが、ソースオーミックコンタクトとドレインオーミックコンタクト、ゲートコンタクト、および、活性領域を含む電界効果型トランジスタである、項目1に記載の方法。
(項目8)
前記実行ステップが、
(1)前記デバイスの真性および外因性領域に、前記誘電性材料を堆積または成長させることと、
(2)該誘電性材料が、主として、前記デバイスの活性領域に残るように、該誘電性材料をパターニングすることと、
(3)該パターニングされた誘電性材料にフィールドプレートを生成することであって、ゲートフィールドコンタクトとフィールドプレートコンタクトとが、少なくとも、前記外因性領域での、少なくとも片側で電気的に短絡され、それによって、両コンタクト間に低抵抗接続を提供する、ことと
をさらに包含する、項目1に記載の方法。
(項目9)
前記誘電性材料の厚さが、前記デバイスの適切な動作を達成するために、制御される、項目8に記載の方法。
(項目10)
前記パターニングステップ(3)が、乾式または湿式エッチングプロセス、あるいは、リフトオフプロセスによって、前記誘電性材料をパターニングすることを包含する、項目8に記載の方法。
(項目11)
前記生成ステップ(3)が、前記誘電性材料上に、フィールドプレートを蒸着することを包含する、項目8に記載の方法。
(項目12)
複数のフィールドプレートを形成するために、前記ステップ(1)〜(3)が繰り返される、項目8に記載の方法。
(項目13)
前記フィールドプレートが、ゲート抵抗Rgに等価な抵抗Rfを有する、項目8に記載の方法。
(項目14)
前記フィールドプレートが、前記デバイスの真性領域の両側に接続されている、項目8に記載の方法。
(項目15)
ゲート抵抗を減少させるために、前記ゲートと前記フィールドプレートとの間に、マルチ接続を形成することをさらに包含する、項目8に記載の方法。
(項目16)
前記形成ステップが、前記ゲートと前記フィールドプレートとの間にマルチ接続を形成するための該ゲートの堆積の前に、前記活性領域の小部分をエッチングすることを包含する、項目15に記載の方法。
(項目17)
前記デバイスの熱インピーダンスを設計するために、前記活性領域間にスペーシングすることをさらに包含する、項目15に記載の方法。
(項目18)
前記デバイスは、エアブリッジの数を減少させた大周辺デバイスを含む、項目15に記載の方法。
(項目19)
前記生成ステップは、ゲート抵抗を低くするために、T字型プロセスを用いずに、前記マルチ接続を生成するステップを包含する、項目15に記載の方法。
(項目20)
前記生成ステップは、平行なフィールドプレートを用いて、前記マルチ接続を生成するステップを包含する、項目15に記載の方法。
(項目21)
前記生成ステップは、デバイスの線形性能を向上させるために、ソースアクセス抵抗を調節するために、ゲートソースアクセス領域をカバーする前記フィールドプレートを形成するステップを包含する、項目20に記載の方法。
(項目22)
項目1に記載の方法を使用して製造される、デバイス。
(項目23)
ゲートフィールドプレートを製造する方法であって、
(a)デバイスの真性領域と外因性領域上に、誘電性材料を堆積または成長することと、(b)該誘電性材料が、主として、該デバイスの活性化領域に残るように、該誘電性材料をパターニングすることと、
(c)該パターニングされた誘電性材料の上に、フィールドプレートを生成することであって、ゲートコンタクトとフィールドコンタクトは、該外因性領域の少なくとも片側で電気的に短絡され、それによって、両コンタクト間に低抵抗接続を提供する、ことと
を包含する、方法。
(項目24)
前記デバイスを適切な動作を達成するために、前記誘電性材料の厚さが制御されている、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記パターニングステップ(b)は、乾式エッチングまたは湿式エッチング、あるいは、リフトオフプロセスによって、前記誘電体材料をパターニングすることを包含する、項目23に記載の方法。
(項目26)
前記生成ステップ(c)は、前記パターニングされた誘電体材料上に、フィールドプレートを蒸着することを包含する、項目23に記載の方法。
(項目27)
前記ステップ(a)と(b)は、複数のフィールドプレートを生成するために、繰り返し行われる、項目23に記載の方法。
(項目28)
基板と、
該基板上に成長させた核形成層と
該核形成層上に形成されたチャネル層と、
該チャネル層に形成されたバリア層と、
該バリア層上に成長させた半導体スペーサ層と、
ソース電極とドレイン電極であって、該ゲート電極が適切なレベルでバイアスされたとき、該ソース電極と該ドレイン電極との間で電流が流れるように、該バリア層を介してオーミックコンタクトするように形成された、ソース電極とドレイン電極と
を備える、高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって、
該ゲート電極の少なくとも一部分がバリア層の表面上にあるように、該スペーサ層はエッチングされ、該ゲート電極は堆積され、
該ゲート電極が、該ゲート電極から該ドレイン電極に向かってある距離拡がるフィールドプレートを形成するように、該ゲート電極の一部分は、該スペーサ層を横切って拡がるようにパターニングされている、HEMT。
(項目29)
前記電流は、前記ゲート電極が適切なレベルでバイアスされているとき、前記チャネル層とバリア層との間のヘテロ界面で生じる二次元電子ガス(2DEG)を介して、前記ゲート電極とドレイン電極との間を流れる、項目28に記載のHEMT。
(項目30)
前記スペーサ層上の前記ゲート電極の一部分は、エピタキシャルフィールドプレートを形成する、項目28に記載のHEMT。
(項目31)
前記スペーサ層をカバーする誘電性パッシベーション層をさらに備える、項目28に記載のHEMT。
(項目32)
前記スペーサ層は、誘電性層、アンドープのまたは空乏化したAl x Ga 1−x N(0≦x≦1)材料の層、あるいは、その組合せを含む、項目28に記載のHEMT。
(項目33)
前記フィールド層は、前記スペーサ層の上に形成され、前記ゲート電極の端から前記ドレイン電極に向かって、距離Lf(フィールドプレート距離)まで拡がる、項目28に記載のHEMT。
(項目34)
前記フィールドプレートは、前記ゲート電極に電気的に接続されている、項目28に記載のHEMT。
(項目35)
前記フィールドプレートは、前記ゲート電極の成長と同じ堆積ステップの間に形成される、項目28に記載のHEMT。
(項目36)
前記フィールドプレートとゲート電極は、別個の堆積ステップの間に形成される、項目28に記載のHEMT。
(項目37)
前記基板は、シリコンカーバイド、サファイア、スピネル、酸化亜鉛、シリコン、あるいは、III族窒化物材料の成長をサポートできる他の任意の材料からなる、項目28に記載のHEMT。
(項目38)
前記核形成層は、Al z Ga 1−z N(0≦z≦1)核形成層である、項目28に記載のHEMT。
(項目39)
前記核形成層は、AlN核形成層である、項目28に記載のHEMT。
(項目40)
前記チャネル層は、高抵抗のIII族窒化物チャネル層である、項目28に記載のHEMT。
(項目41)
前記チャネル層は、Al x Ga y In (1−x−y) N(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)を含む、項目28に記載のHEMT。
(項目42)
前記チャネル層は、GaN:Feを含む、項目28に記載のHEMT。
(項目43)
前記バリア層は、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)を含む、項目28に記載のHEMT。
(項目44)
前記バリア層は、AlNおよびAlGaNを含む、項目28に記載のHEMT。
(項目45)
前記チャネル層とバリア層のそれぞれは、III族窒化物材料のドープまたはアンドープの層であるサブ層を含む、項目28に記載のHEMT。
(項目46)
前記スペーサ層は、Al x Ga 1−x Nバリア層上に成長される、III族窒化物半導体スペーサ層を含む、項目28に記載のHEMT。
(項目47)
前記スペーサ層は、均一な組成を有する、項目28に記載のHEMT。
(項目48)
前記スペーサ層は、勾配のある組成を有する、項目28に記載のHEMT。
(項目49)
前記スペーサ層は、アンドープである、項目28に記載のHEMT。
(項目50)
前記スペーサ層は、成長すると完全に空乏化する、項目28に記載のHEMT。
(項目51)
前記ゲート電極は前記バリア層が形成された後に形成され、パッシベーション層は前記デバイス上に堆積され、
前記フィールドプレートは、該ゲートをオーバーラップし、ゲート−ドレイン領域で距離Lf拡がるように、該パッシベーション層に次いで形成され、該パッシベーション層は該フィールドプレートに対してスペーサ層として働く、項目28に記載のHEMT。
以下の好ましい実施形態の記述の中で、その記述の一部を形成する添付図面を参照する。その添付図面は、本発明が実施されうる特定の実施形態を図によって示すものである。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態も利用されうるし、構造的な変更もなされうることは、理解されるべきである。
本発明は、電界効果型トランジスタ(FET)用のシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート構造を実現するためのものである。本発明は、シンプルで、典型的に十分制御された連続的なプロセッシングステップ(誘電性材料の堆積または成長、誘電性材料のエッチング、および、メタル蒸着)を用いる。
図1A、図1B、図2A、図2B、図3A、図3B、図4A、および、図4Bに、本発明の一実施形態に基づく製造プロセスを、一つの可能な形で実現するときのステップを示す。ここで、製造プロセスには、ゲートフィールドプレートを製造する方法を含む。
AlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含むGaNベースのトランジスタは、RF周波数、マイクロ波周波数、および、ミリ波周波数で、非常に高い電圧で、かつ、ハイパワーでの動作が可能である。しかしながら、電子トラッピング、および、それに続くDC特性とRF特性との違いによって、これらデバイスの性能に、制限がかけられていた。このトラッピング問題を緩和するために、SiNパッシベーションが用いられ、成功を収めてきた結果、10GHzで、電力密度10W/mmを超える高性能デバイスが可能になった。例えば、[3]は、GaNトランジスタのトラッピングの影響を減らすための方法と構造とを開示している。しかしながら、こうした構造に存在する高電界のために、電荷トラッピングは、相変わらず、問題となっている。
以下の参考文献が、本明細書中で、参考文献として、組み込まれている。
[1] K Asanoら、「Novel High Power AlGaAs/GaAs HFET with a Field−Modulating Plate Operated at 35V Drain Voltage」 IEDM Conference、 1998、 pp.59−62
[2] Y. Andoら、「10−W/mm AlGaN−GaN HFET With a Field Modulating Plate」、 IEEE Electron Device Letters, Vol. 24, No. 5, 2003年5月, pp. 289−291.
[3]米国特許第6,586,781号,2003年7月1日発行、Wuら、「Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same」
[4]米国特許第5,290,393号、1994年3月1日発行、Nakamura、「Crystal growth method for gallium nitride−based compound semiconductor」
[5]米国特許第5,686,738号、1997年11月11日発行、Moustakas、「Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films.」
[6]米国特許第5,393,993号、1995年2月28日発行、Edmondら、「Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices」
[7]米国特許第5,523,589号、1996年6月4日発行、Edmondら、「Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime」
[8]米国特許第5,739,554号、1998年4月14日発行、Edmondら、「Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer」
[9]米国特許第6,316,793号、2001年11月13日発行、Sheppardら、「Nitride based transistors on semi−insulating silicon carbide substrates」
[10]米国特許第6,548,333号、2003年4月15日発行、Smith、「Aluminum gallium nitride/gallium nitride
high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment」
[11]米国特許出願公開番号第2002/0167023号、2002年11月14日公開、Chavarkar, Prashantら、「Group−III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer」
[12]米国特許出願公開番号第2003/0020092号、2003年1月30日公開,Parikh, Primitら、「Insulating gate AlGaN/GaN HEMT」
[13]米国特許第5,192,987号、1993年3月9日発行、Khanら、「High electron mobility transistor with GaN/AlxGa1−xN heterojunctions」
[14]米国特許第5,296,395号,1994年3月22日発行、Khanら、「Method of making a high electron mobility transistor」
[15] Y.−F. Wu、 A. Saxler、 M. Moore、 R.P.
Smith、 S. Sheppard、 P.M. Chavarkar、 T. Wisleder、 U.K. Mishra、 P. Parikh、「30 W/mm GaN HEMTs by field plate optimization」, IEEE EDL、 Vol.25、 No.3、 pp.117−119、2004年3月
[16] S.Karmalkar、 U.K. Mishra、 Very high
voltage AlGaN−GaN HEMT using a field plate deposited on a stepped insulator, Solid State Electronics, 45(2001)1645−1652.
(結論)
本明細書は、本発明の好ましい実施形態の記載を結論付けるものである。本発明の一以上の実施形態について前述してきたが、これは例示と記述の目的のために、示されたものである。ここに開示した細かな形式で、本発明の網羅を意図したものでも、本発明の制限を意図したものではない。上記に教示したことから、修正や変更を多数行うことも可能である。本発明の範囲は、ここに記載した詳細な記述で限定されることを意図しておらず、むしろ、以下に述べる請求項で限定されることを意図している。
Claims (26)
- バリア層と、
該バリア層上のスペーサ層と、
ソース電極とドレイン電極であって、ゲート電極が適切なレベルでバイアスされたとき、該ソース電極と該ドレイン電極との間に電流が流れるようにオーミックコンタクトを形成する、ソース電極とドレイン電極と
を備え、
該ゲート電極の少なくとも底部分がバリア層の表面上にあるように、該スペーサ層はエッチングされて該バリア層を曝して該ゲート電極が堆積され、
フィールドプレートは、該スペーサ層の少なくとも一部分に拡がり、
パッシベーション層は、該ゲート電極と該スペーサ層の少なくとも一部分との両方の上にある、高電子移動度トランジスタ(HEMT)。 - 前記電流は、前記ゲート電極が前記適切なレベルでバイアスされているとき、チャネル層と前記バリア層との間のヘテロ界面で生じる二次元電子ガス(2DEG)を介して、前記ソース電極とドレイン電極との間を流れる、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層上の前記ゲート電極の一部分は、前記フィールドプレートを形成する、請求項1に記載のHEMT。
- 前記フィールドプレートは、前記ゲート電極から離れたところに前記ドレイン電極に向かって拡がる、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層は、誘電性層、アンドープのまたは空乏化したAl x Ga 1−x N(0≦x≦1)材料の層、あるいは、その組合せを含む、請求項1に記載のHEMT。
- 前記フィールド層は、前記スペーサ層の上に形成され、前記ゲート電極の端から前記ドレイン電極に向かって、距離Lf(フィールドプレート距離)まで拡がる、請求項1に記載のHEMT。
- 前記フィールドプレートは、前記ゲート電極に電気的に接続されている、請求項1に記載のHEMT。
- 前記フィールドプレートは、前記ゲート電極の延長と同じ堆積ステップの間に形成される、請求項1に記載のHEMT。
- 前記フィールドプレートとゲート電極とは、別個の堆積ステップの間に形成される、請求項1に記載のHEMT。
- 前記基板上のバリア層は、シリコンカーバイド、サファイア、スピネル、酸化亜鉛、シリコン、あるいは、III族窒化物材料の成長をサポートできる他の任意の材料を含む、請求項1に記載のHEMT。
- 前記バリア層は、基板上の核形成層上にあり、該核形成層は、Al z Ga 1−z N(0≦z≦1)核形成層である、請求項1に記載のHEMT。
- 前記核形成層は、AlN核形成層である、請求項1に記載のHEMT。
- 前記バリア層は、高抵抗のIII族窒化物チャネル層上にある、請求項1に記載のHEMT。
- 前記バリア層は、Al x Ga y In (1−x−y) N(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)チャネル層上にある、請求項1に記載のHEMT。
- 前記チャネル層は、GaN:Feを含む、請求項14に記載のHEMT。
- 前記バリア層は、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)を含む、請求項1に記載のHEMT。
- 前記バリア層は、AlNおよびAlGaNを含む、請求項1に記載のHEMT。
- チャネル層をさらに含み、該チャネル層と前記バリア層のそれぞれは、III族窒化物材料のドープまたはアンドープの層であるサブ層を含む、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層は、Al x Ga 1−x Nバリア層であるバリア層上に成長される、III族窒化物半導体スペーサ層である、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層は、均一な組成を有する、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層は、勾配のある組成を有する、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層は、アンドープである、請求項1に記載のHEMT。
- 前記スペーサ層は、成長すると完全に空乏化する、請求項1に記載のHEMT。
- 前記ゲート電極は前記バリア層が形成された後に形成され、パッシベーション層は前記デバイス上に堆積され、
前記フィールドプレートは、該ゲートをオーバーラップし、ゲート−ドレイン領域で距離Lf拡がるように、該パッシベーション層に次いで形成され、該パッシベーション層は該フィールドプレートに対して該スペーサ層として働く、請求項1に記載のHEMT。 - 前記HEMTは、窒化物ベースのHEMTである、請求項1に記載のHEMT。
- 基板と、該基板上の核形成層と、該核形成層上のチャネル層とをさらに含み、前記バリア層は該チャネル層上にある、請求項1に記載のHEMT。
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US8389977B2 (en) | 2009-12-10 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Reverse side engineered III-nitride devices |
US8829999B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-09-09 | Cree, Inc. | Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors |
US8742460B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | Transistors with isolation regions |
US8643062B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-02-04 | Transphorm Inc. | III-N device structures and methods |
US8772842B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-08 | Transphorm, Inc. | Semiconductor diodes with low reverse bias currents |
US8716141B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Transphorm Inc. | Electrode configurations for semiconductor devices |
CN102201442B (zh) * | 2011-04-02 | 2014-06-18 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于沟道阵列结构的异质结场效应晶体管 |
US8901604B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-12-02 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with guard rings |
US9257547B2 (en) | 2011-09-13 | 2016-02-09 | Transphorm Inc. | III-N device structures having a non-insulating substrate |
US8598937B2 (en) | 2011-10-07 | 2013-12-03 | Transphorm Inc. | High power semiconductor electronic components with increased reliability |
US9165766B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-10-20 | Transphorm Inc. | Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates |
WO2013155108A1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-17 | Transphorm Inc. | N-polar iii-nitride transistors |
US9184275B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-11-10 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with integrated hole collectors |
JP6268366B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2018-01-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
WO2014127150A1 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Transphorm Inc. | Electrodes for semiconductor devices and methods of forming the same |
JP2014165280A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US9087718B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-21 | Transphorm Inc. | Enhancement-mode III-nitride devices |
US9245992B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Transphorm Inc. | Carbon doping semiconductor devices |
US9755059B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-09-05 | Cree, Inc. | Cascode structures with GaN cap layers |
US9847411B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-12-19 | Cree, Inc. | Recessed field plate transistor structures |
US9679981B2 (en) | 2013-06-09 | 2017-06-13 | Cree, Inc. | Cascode structures for GaN HEMTs |
US9407214B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-08-02 | Cree, Inc. | MMIC power amplifier |
WO2015009514A1 (en) | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Transphorm Inc. | Iii-nitride transistor including a p-type depleting layer |
US20150171860A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-06-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Circuits and methods for improved quality factor in a stack of transistors |
US9093394B1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-07-28 | Hrl Laboratories, Llc | Method and structure for encapsulation and interconnection of transistors |
JP2015195288A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9318593B2 (en) | 2014-07-21 | 2016-04-19 | Transphorm Inc. | Forming enhancement mode III-nitride devices |
CN104332498B (zh) * | 2014-09-01 | 2018-01-05 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法 |
US9536967B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Recessed ohmic contacts in a III-N device |
US9536966B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Gate structures for III-N devices |
US10056478B2 (en) * | 2015-11-06 | 2018-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | High-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof |
US11322599B2 (en) | 2016-01-15 | 2022-05-03 | Transphorm Technology, Inc. | Enhancement mode III-nitride devices having an Al1-xSixO gate insulator |
US9722063B1 (en) | 2016-04-11 | 2017-08-01 | Power Integrations, Inc. | Protective insulator for HFET devices |
US10224401B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-03-05 | Transphorm Inc. | III-nitride devices including a graded depleting layer |
US10192980B2 (en) | 2016-06-24 | 2019-01-29 | Cree, Inc. | Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates for power switching and radio frequency applications and process for making the same |
US10840334B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates for power switching and radio frequency applications and process for making the same |
US10892356B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-01-12 | Cree, Inc. | Group III-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers and process for making the same |
US11430882B2 (en) | 2016-06-24 | 2022-08-30 | Wolfspeed, Inc. | Gallium nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same |
US10354879B2 (en) | 2016-06-24 | 2019-07-16 | Cree, Inc. | Depletion mode semiconductor devices including current dependent resistance |
KR20180068172A (ko) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | (주)웨이비스 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN107170797B (zh) * | 2017-03-29 | 2020-04-14 | 西安电子科技大学 | 基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法 |
CN117976705A (zh) | 2019-10-30 | 2024-05-03 | 联华电子股份有限公司 | 高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
TWI812805B (zh) | 2019-11-05 | 2023-08-21 | 聯華電子股份有限公司 | 高電子遷移率電晶體及其製作方法 |
FR3105580A1 (fr) * | 2019-12-20 | 2021-06-25 | Thales | Transistor hemt ameliore |
US11257940B2 (en) | 2020-01-14 | 2022-02-22 | Cree, Inc. | Group III HEMT and capacitor that share structural features |
US11424356B2 (en) | 2020-03-16 | 2022-08-23 | Raytheon Company | Transistor having resistive field plate |
US11228287B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-01-18 | Cree, Inc. | Multi-stage decoupling networks integrated with on-package impedance matching networks for RF power amplifiers |
US11316019B2 (en) | 2020-07-29 | 2022-04-26 | Globalfoundries U.S. Inc. | Symmetric arrangement of field plates in semiconductor devices |
US11929428B2 (en) | 2021-05-17 | 2024-03-12 | Wolfspeed, Inc. | Circuits and group III-nitride high-electron mobility transistors with buried p-type layers improving overload recovery and process for implementing the same |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232827A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路 |
JP2000315804A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2001085670A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2001230407A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002016245A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002100642A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-05 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 化合物半導体装置 |
WO2002093650A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Cree, Inc. | Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer |
JP2003100778A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US6559513B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-05-06 | M/A-Com, Inc. | Field-plate MESFET |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE401036A (ja) | 1933-06-27 | |||
JPS5893377A (ja) | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4999682A (en) | 1987-08-14 | 1991-03-12 | Regents Of The University Of Minnesota | Electronic and optoelectronic laser devices utilizing light hole properties |
JPH04162633A (ja) | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
DE69229265T2 (de) | 1991-03-18 | 1999-09-23 | Univ Boston | Verfahren zur herstellung und dotierung hochisolierender dünner schichten aus monokristallinem galliumnitrid |
US5192987A (en) | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
JP3135939B2 (ja) * | 1991-06-20 | 2001-02-19 | 富士通株式会社 | Hemt型半導体装置 |
JPH05326563A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH06124965A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
JPH06163600A (ja) | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
US5393993A (en) * | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
US5523589A (en) | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US5739554A (en) | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
US6002148A (en) * | 1995-06-30 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Silicon carbide transistor and method |
KR0167273B1 (ko) | 1995-12-02 | 1998-12-15 | 문정환 | 고전압 모스전계효과트렌지스터의 구조 및 그 제조방법 |
JP3616447B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2005-02-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US6316820B1 (en) * | 1997-07-25 | 2001-11-13 | Hughes Electronics Corporation | Passivation layer and process for semiconductor devices |
DE19800647C1 (de) * | 1998-01-09 | 1999-05-27 | Siemens Ag | SOI-Hochspannungsschalter |
TW373247B (en) | 1998-04-02 | 1999-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Contact face having uplift and delay S/D and stock silicon gate electrode P type gold oxygen semi-field effect transistor forming method |
JP3534624B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2004-06-07 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6009023A (en) | 1998-05-26 | 1999-12-28 | Etron Technology, Inc. | High performance DRAM structure employing multiple thickness gate oxide |
US6316793B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-11-13 | Cree, Inc. | Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates |
JP3111985B2 (ja) * | 1998-06-16 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2000082671A (ja) | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置とその製造方法 |
JP3180776B2 (ja) | 1998-09-22 | 2001-06-25 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
TW517260B (en) | 1999-05-15 | 2003-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for its fabrication |
US6774449B1 (en) | 1999-09-16 | 2004-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP3344416B2 (ja) | 1999-09-16 | 2002-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6639255B2 (en) * | 1999-12-08 | 2003-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer |
US6586781B2 (en) | 2000-02-04 | 2003-07-01 | Cree Lighting Company | Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same |
JP2001237250A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2001326335A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
TWI257179B (en) | 2000-07-17 | 2006-06-21 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | High-speed compound semiconductor device operable at large output power with minimum leakage current |
US6690042B2 (en) * | 2000-09-27 | 2004-02-10 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor |
JP2002118122A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Nec Corp | ショットキゲート電界効果トランジスタ |
US6548333B2 (en) | 2000-12-01 | 2003-04-15 | Cree, Inc. | Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment |
TW466747B (en) | 2000-12-14 | 2001-12-01 | United Microelectronics Corp | Using inner field ring and complex multiple field plates to reduce surface breakdown of power LDMOSFET |
JP2001230263A (ja) * | 2001-01-29 | 2001-08-24 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ |
JP2002270830A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP4220683B2 (ja) | 2001-03-27 | 2009-02-04 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP3744381B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2006-02-08 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2005527102A (ja) * | 2001-07-24 | 2005-09-08 | クリー インコーポレイテッド | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
JP2003059948A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
TW511190B (en) | 2001-11-09 | 2002-11-21 | Macronix Int Co Ltd | Non-volatile semiconductor memory device with multi-layer gate insulating structure |
JP4117535B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2008-07-16 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体素子 |
US7030428B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Strain balanced nitride heterojunction transistors |
TW200305283A (en) | 2001-12-06 | 2003-10-16 | Hrl Lab Llc | High power-low noise microwave GaN heterojunction field effet transistor |
US6955858B2 (en) * | 2001-12-07 | 2005-10-18 | North Carolina State University | Transition metal doped ferromagnetic III-V nitride material films and methods of fabricating the same |
JP3705431B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2005-10-12 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6893947B2 (en) * | 2002-06-25 | 2005-05-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Advanced RF enhancement-mode FETs with improved gate properties |
JP3790500B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2006-06-28 | ユーディナデバイス株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US6740535B2 (en) | 2002-07-29 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors |
US6933544B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power semiconductor device |
WO2005024909A2 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-17 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of single or multiple gate field plates |
US7126426B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-10-24 | Cree, Inc. | Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates |
US7501669B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-03-10 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistor devices with field plates |
US7573078B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-08-11 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistors with multiple field plates |
US7692263B2 (en) * | 2006-11-21 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | High voltage GaN transistors |
-
2004
- 2004-09-09 WO PCT/US2004/029324 patent/WO2005024909A2/en active Application Filing
- 2004-09-09 US US10/570,964 patent/US7812369B2/en active Active
- 2004-09-09 TW TW093127327A patent/TWI430341B/zh active
- 2004-09-09 EP EP04788636.1A patent/EP1665358B1/en active Active
- 2004-09-09 TW TW100142118A patent/TWI431674B/zh active
- 2004-09-09 TW TW103103844A patent/TWI560783B/zh active
- 2004-09-09 CA CA2538077A patent/CA2538077C/en active Active
- 2004-09-09 KR KR1020067004893A patent/KR101128376B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-09 CN CNB2004800259769A patent/CN100541745C/zh active Active
- 2004-09-09 JP JP2006525544A patent/JP2007505483A/ja active Pending
- 2004-09-09 EP EP12192425.2A patent/EP2592655B1/en active Active
-
2010
- 2010-10-05 US US12/898,341 patent/US9496353B2/en active Active
-
2011
- 2011-10-19 JP JP2011229873A patent/JP2012044207A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012081726A patent/JP2012164994A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-09-30 US US15/283,008 patent/US10109713B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232827A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路 |
JP2000315804A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2001085670A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2001230407A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002016245A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002100642A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-05 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 化合物半導体装置 |
WO2002093650A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Cree, Inc. | Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer |
JP2003100778A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US6559513B1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-05-06 | M/A-Com, Inc. | Field-plate MESFET |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1665358B1 (en) | 2020-07-01 |
TW201209895A (en) | 2012-03-01 |
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