JP2012023249A - 半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、および半導体発光装置の製造方法 Download PDF

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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015015456A (ja) * 2013-06-03 2015-01-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
US9147807B1 (en) 2014-04-08 2015-09-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting diode
US9209350B2 (en) 2014-01-10 2015-12-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for fabricating triangular prismatic m-plane nitride semiconductor light-emitting diode
JP2016525288A (ja) * 2013-07-26 2016-08-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 内部高屈折率ピラーを有するledドーム
US9472735B2 (en) 2015-02-05 2016-10-18 Nichia Corporation Light-emitting device
CN106206558A (zh) * 2012-09-14 2016-12-07 晶元光电股份有限公司 具有改进的热耗散和光提取的高压led
WO2017119711A1 (ko) * 2016-01-05 2017-07-13 엘지이노텍(주) 반도체 소자
US9761764B2 (en) 2015-02-05 2017-09-12 Nichia Corporation Light emitting device
US9825011B2 (en) 2013-11-15 2017-11-21 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting element array
JP2019502951A (ja) * 2015-12-23 2019-01-31 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 光変換モジュール
JP2019129256A (ja) * 2018-01-25 2019-08-01 日機装株式会社 半導体発光装置
US10396244B2 (en) 2014-01-21 2019-08-27 Soko Kagaku Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting element
US11168865B2 (en) 2016-06-30 2021-11-09 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9263636B2 (en) * 2011-05-04 2016-02-16 Cree, Inc. Light-emitting diode (LED) for achieving an asymmetric light output
EP2602837A4 (en) 2011-07-14 2014-12-03 Panasonic Corp LIGHT-EMITTING NITRIDE-SEMICONDUCTOR ELEMENT
WO2013124924A1 (ja) 2012-02-23 2013-08-29 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光チップ、窒化物半導体発光装置及び窒化物半導体チップの製造方法
JP2019012845A (ja) * 2018-09-25 2019-01-24 創光科学株式会社 窒化物半導体発光素子
JP7216295B2 (ja) 2020-09-28 2023-02-01 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2024180083A (ja) * 2023-06-16 2024-12-26 シャープ株式会社 表示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007393A (ja) * 1999-06-08 2001-01-12 Agilent Technol Inc エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED
JP2001177146A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Mitsubishi Cable Ind Ltd 三角形状の半導体素子及びその製法
JP2003086843A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Sharp Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2006135309A (ja) * 2004-10-07 2006-05-25 Showa Denko Kk 半導体素子の製造方法
JP2007189097A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2007273506A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物半導体発光素子
JP2008053263A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子及びこれを備えた光源装置
JP2008244111A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009071174A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Rohm Co Ltd 半導体発光素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11340507A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2004006662A (ja) * 2002-03-28 2004-01-08 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP4238666B2 (ja) * 2003-07-17 2009-03-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP4540514B2 (ja) * 2004-03-19 2010-09-08 昭和電工株式会社 化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP2007059418A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP5033558B2 (ja) * 2006-09-28 2012-09-26 三洋電機株式会社 発光装置
JP4660453B2 (ja) * 2006-11-13 2011-03-30 昭和電工株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007393A (ja) * 1999-06-08 2001-01-12 Agilent Technol Inc エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED
JP2001177146A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Mitsubishi Cable Ind Ltd 三角形状の半導体素子及びその製法
JP2003086843A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Sharp Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2006135309A (ja) * 2004-10-07 2006-05-25 Showa Denko Kk 半導体素子の製造方法
JP2007189097A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2007273506A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物半導体発光素子
JP2008053263A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子及びこれを備えた光源装置
JP2008244111A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009071174A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Rohm Co Ltd 半導体発光素子

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106206558A (zh) * 2012-09-14 2016-12-07 晶元光电股份有限公司 具有改进的热耗散和光提取的高压led
US9276171B2 (en) 2013-06-03 2016-03-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting diode
JP2015015456A (ja) * 2013-06-03 2015-01-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
JP2016525288A (ja) * 2013-07-26 2016-08-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 内部高屈折率ピラーを有するledドーム
US9825011B2 (en) 2013-11-15 2017-11-21 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting element array
US10325886B2 (en) 2013-11-15 2019-06-18 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting element array
US9209350B2 (en) 2014-01-10 2015-12-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for fabricating triangular prismatic m-plane nitride semiconductor light-emitting diode
US10396244B2 (en) 2014-01-21 2019-08-27 Soko Kagaku Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting element
US9147807B1 (en) 2014-04-08 2015-09-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting diode
JP2015207752A (ja) * 2014-04-08 2015-11-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
US9385275B2 (en) 2014-04-08 2016-07-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting diode
US9761764B2 (en) 2015-02-05 2017-09-12 Nichia Corporation Light emitting device
US9472735B2 (en) 2015-02-05 2016-10-18 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2019502951A (ja) * 2015-12-23 2019-01-31 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 光変換モジュール
JP2019501541A (ja) * 2016-01-05 2019-01-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 半導体素子
WO2017119711A1 (ko) * 2016-01-05 2017-07-13 엘지이노텍(주) 반도체 소자
US11355672B2 (en) 2016-01-05 2022-06-07 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device
JP7094558B2 (ja) 2016-01-05 2022-07-04 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 半導体素子
US11168865B2 (en) 2016-06-30 2021-11-09 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight
JP2019129256A (ja) * 2018-01-25 2019-08-01 日機装株式会社 半導体発光装置

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