JP2012018960A - 炭化珪素基板、半導体装置およびsoiウエハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素基板Sは、多結晶炭化珪素からなる第1の炭化珪素層1と、第1の炭化珪素層の表面上に形成された多結晶炭化珪素からなる第2の炭化珪素層2とを備え、第2の炭化珪素層2は、第1の炭化珪素層1より小さな高周波損失を有し、第1の炭化珪素層1は、第2の炭化珪素層2より大きな熱伝導率を有し、第2の炭化珪素層2の表面側における周波数20GHzでの高周波損失が2dB/mm以下であり、熱伝導率が200W/mK以上である。
【選択図】 図1
Description
これらの誘電体セラミックスのうち、特に、高い機械的強度と安定した化学的特性を兼ね備えたものとして、炭化珪素が知られているが、従来の機械部品等に用いられていた炭化珪素は、高周波領域における損失が大きいため、高周波用の半導体素子を搭載する基板の材料には適していなかった。
そこで、例えば、特許文献1には、熱処理を加える等により、高周波領域における損失を低減させた多結晶炭化珪素からなる炭化珪素基板が開示されている。
しかしながら、特許文献1に開示された炭化珪素基板は、熱伝導率が高いものではないため、発熱量の大きな半導体素子を搭載すると、十分に放熱を行うことができないおそれがあった。
また、特許文献1に開示された炭化珪素基板は、高い絶縁性を有することがわかっているが、上述したように、熱伝導率が高いものではないため、絶縁性と熱伝導性の双方において優れた特性が要求される場合には、適していなかった。
また、この発明は、優れた絶縁性と放熱性を示す炭化珪素基板を提供することも目的とする。
さらに、この発明は、このような炭化珪素基板を用いた半導体装置並びにSOIウエハを提供することも目的としている。
好ましくは、第2の層の表面側における周波数20GHzでの高周波損失が2dB/mm以下であり、熱伝導率が200W/mK以上である。
また、第2の層は、炭化珪素基板の全厚の20%以下で且つ10μm以上の厚さを有することが好ましい。
この発明に係る第2の炭化珪素基板は、多結晶炭化珪素からなる第1の層と、第1の層の表面上に形成された多結晶炭化珪素からなる第2の層とを備え、第2の層は、第1の層より大きな比抵抗を有し、第1の層は、第2の層より大きな熱伝導率を有するものである。
好ましくは、第2の層の表面側における比抵抗が104Ωcm以上であり、熱伝導率が200W/mK以上である。
これら第1の炭化珪素基板および第2の炭化珪素基板において、第1の層は、窒素を含有する雰囲気中でCVD法により形成され、第2の層は、窒素を含有しない雰囲気中でCVD法により形成されることができる。
また、この発明に係るSOIウエハは、上述した炭化珪素基板と、炭化珪素基板の第2の層の表面上に形成された絶縁層と、絶縁層の表面上に形成されたシリコン層とを備えたものである。
実施の形態1
図1に、実施の形態1に係る炭化珪素基板Sを示す。炭化珪素基板Sは、厚さD1の第1の炭化珪素層1と、第1の炭化珪素層1の表面上に形成された厚さD2の第2の炭化珪素層2からなる2層構造を有している。これら第1の炭化珪素層1および第2の炭化珪素層2は、いずれも多結晶炭化珪素からなり、第2の炭化珪素層2は、第1の炭化珪素層1より小さな高周波損失を有し、第1の炭化珪素層1は、厚さ方向に第2の炭化珪素層2より大きな熱伝導率を有している。
また、周波数20GHzにおける高周波損失は、第1の炭化珪素層1が約50dB/mmもの大きな値を有するのに対して、第2の炭化珪素層2は1.4〜1.5dB/mm程度の極めて小さな値を有している。
さらに、第2の炭化珪素層2は、104Ωcm以上の比抵抗を有している。
これら第1の炭化珪素層1と第2の炭化珪素層2からなる2層構造を形成することにより、炭化珪素基板Sは、第2の炭化珪素層2の表面側における周波数20GHzでの高周波損失として2dB/mm以下の値を有し、厚さ方向に200W/mK以上の熱伝導率を有している。また、炭化珪素基板Sは、第2の炭化珪素層2の表面側における比抵抗として104Ωcm以上の値を有している。
まず、黒鉛基材をCVD装置内に保持させ、CVD装置内の圧力を例えば1.3kPaとして、CVD装置内にキャリアガスである水素ガスと共に炭化珪素の原料ガスとなるSiCl4、C3H8等を体積比で5〜20%供給し、さらに、これら原料ガスに対する体積比0.5〜2.5%の窒素ガスを供給し、例えば1000〜1600℃の温度に加熱することにより、黒鉛基材の上面、下面および側面に炭化珪素を所定の厚さだけ成長させる。この炭化珪素が、第1の炭化珪素層1を形成することとなる。
その後、黒鉛基材を酸素雰囲気で温度900〜1400℃で加熱することにより、黒鉛基材を燃焼させて除去する。これにより、2枚の炭化珪素基板Sが得られる。
また、上述した方法では、窒素ガスを供給して第1の炭化珪素層1を形成した後に、窒素ガスを供給しないで第1の炭化珪素層1の表面上に第2の炭化珪素層2を形成したが、これとは逆に、まず、窒素ガスを供給しない条件で第2の炭化珪素層2を形成し、その後、窒素ガスを供給して第2の炭化珪素層2の表面上に第1の炭化珪素層1を形成することもできる。
これら第1の炭化珪素層1の形成と第2の炭化珪素層2の形成は、窒素ガス供給に関する条件を変更して連続的に行ってもよく、あるいは、それぞれ独立した別工程で行うこともできる。
第2の炭化珪素層2の厚さD2が、10μm程度より小さい場合には、この厚さD2が0に近づくほど、第2の炭化珪素層2の表面側における高周波損失の値は急激に増加することがわかる。これは、第2の炭化珪素層2が薄いために、高周波の影響が、表面層である第2の炭化珪素層2だけでなく、第2の炭化珪素層2の下側に位置する第1の炭化珪素層1にまで及ぶことに起因すると思われる。
本発明者等の知見によれば、周波数20GHzにおいて2.0dB/mm以下の高周波損失を示す基板であれば、高周波領域で作動する半導体素子を実装するのに実用上問題がない。したがって、第2の炭化珪素層2の厚さD2は、10μm以上であることが好ましい。
第2の炭化珪素層2の厚さD2が小さくなるほど、炭化珪素基板S全体の熱伝導率は増加する。
本発明者等は、基板の熱伝導率が200W/mK以上であれば、高周波領域で作動する半導体素子を実装しても、十分な放熱作用を発揮し得ると知見している。
すなわち、高周波損失および放熱性の双方を考慮すると、第2の炭化珪素層2の厚さD2を、炭化珪素基板Sの全厚Dtの20%以下で且つ10μm以上に設定することが好適である。
図4に、実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す。この半導体装置は、実施の形態1に示した炭化珪素基板Sの第2の炭化珪素層2の表面上に半導体素子3が接合されたものである。半導体素子3は、ろう付け等により第2の炭化珪素層2の表面上に接合される。また、第2の炭化珪素層2の表面上に所定の導電パターンを形成し、導電パターンの上にハンダを用いて半導体素子3を接合することもできる。
このような構成の半導体装置によれば、炭化珪素基板Sが、半導体素子3の実装面である第2の炭化珪素層2の表面側において周波数20GHzで2dB/mm以下の小さな高周波損失と、200W/mK以上の熱伝導率を有するので、半導体素子3が高周波領域で作動する素子であっても、信頼性の高い、安定した動作を行うことが可能となる。
また、炭化珪素基板Sが、第2の炭化珪素層2の表面側において104Ωcm以上の高い比抵抗を有しているので、半導体素子3を用いて優れた絶縁性が要求される回路を構成しても、安定した動作が確保される。
図5に、実施の形態3に係るSOI(Silicon on Insulator)ウエハの構成を示す。SOIウエハは、実施の形態1に示した炭化珪素基板Sの第2の炭化珪素層2の表面上にSiO2等の絶縁層4が形成されると共に、絶縁層4の表面上にシリコン層5が形成されたものである。シリコン層5を利用して回路素子が形成される。
このSOIウエハにおいても、炭化珪素基板Sが、第2の炭化珪素層2の表面側において周波数20GHzで2dB/mm以下の小さな高周波損失と、200W/mK以上の熱伝導率を有するので、シリコン層5を利用して高周波領域で作動する素子が形成されても、信頼性の高い、安定した動作を行う装置が実現される。
また、炭化珪素基板Sが、第2の炭化珪素層2の表面側において104Ωcm以上の高い比抵抗を有するので、シリコン層5を利用して優れた絶縁性が要求される回路を構成しても、信頼性の高い、安定した動作が可能となる。
Claims (8)
- 多結晶炭化珪素からなる第1の層と、
前記第1の層の表面上に形成された多結晶炭化珪素からなる第2の層と
を備え、
前記第2の層は、前記第1の層より小さな高周波損失を有し、前記第1の層は、前記第2の層より大きな熱伝導率を有することを特徴とする炭化珪素基板。 - 前記第2の層の表面側における周波数20GHzでの高周波損失が2dB/mm以下であり、熱伝導率が200W/mK以上である請求項1に記載の炭化珪素基板。
- 前記第2の層は、前記炭化珪素基板の全厚の20%以下で且つ10μm以上の厚さを有する請求項1または2に記載の炭化珪素基板。
- 多結晶炭化珪素からなる第1の層と、
前記第1の層の表面上に形成された多結晶炭化珪素からなる第2の層と
を備え、
前記第2の層は、前記第1の層より大きな比抵抗を有し、前記第1の層は、前記第2の層より大きな熱伝導率を有することを特徴とする炭化珪素基板。 - 前記第2の層の表面側における比抵抗が104Ωcm以上であり、熱伝導率が200W/mK以上である請求項4に記載の炭化珪素基板。
- 前記第1の層は、窒素を含有する雰囲気中でCVD法により形成され、前記第2の層は、窒素を含有しない雰囲気中でCVD法により形成された請求項1〜5のいずれか一項に記載の炭化珪素基板。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記第2の層の表面上に接合された半導体素子と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記第2の層の表面上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の表面上に形成されたシリコン層と
を備えたことを特徴とするSOIウエハ。
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