TWI536558B - 碳化矽基板、半導體裝置及ｓｏｉ晶圓 - Google Patents

碳化矽基板、半導體裝置及ｓｏｉ晶圓 Download PDF

Info

Publication number
TWI536558B
TWI536558B TW100123088A TW100123088A TWI536558B TW I536558 B TWI536558 B TW I536558B TW 100123088 A TW100123088 A TW 100123088A TW 100123088 A TW100123088 A TW 100123088A TW I536558 B TWI536558 B TW I536558B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
tantalum carbide
carbide substrate
tantalum
thickness
Prior art date
Application number
TW100123088A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201212225A (en
Inventor
川本聰
中村將基
Original Assignee
三井造船股份有限公司
亞都麻布股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三井造船股份有限公司, 亞都麻布股份有限公司 filed Critical 三井造船股份有限公司
Publication of TW201212225A publication Critical patent/TW201212225A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI536558B publication Critical patent/TWI536558B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

碳化矽基板、半導體裝置及SOI晶圓
本發明係關於碳化矽基板、半導體裝置及SOI晶圓，特別是關於搭載在高頻區域動作之半導體元件用之碳化矽基板及使用其之半導體裝置與SOI晶圓。
以往以來，行動電話及各種通訊機器等之電子裝置，係使用在高頻區域動作之半導體元件，作為構裝此種半導體元件用之基板材料，有各種之介電質陶瓷被提出。
此等之介電質陶瓷中，特別是作為兼具高機械強度與穩定的化學特性者，以碳化矽為所知悉，以往的機械零件等所被使用的碳化矽，其高頻區域中之損失大，並不適合為搭載高頻用的半導體元件之材料。
因此，例如於專利文獻1，揭示有由藉由加上熱處理等，使高頻區域中之損失降低的多結晶碳化矽所形成之碳化矽基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]　日本專利特開2009-260117號公報
如使用此種碳化矽基板，藉由於碳化矽基板的表面上搭載半導體元件，或於碳化矽基板之上介由絕緣膜形成矽層後，介由使用此矽層來形成元件，可以製作高頻損失少之半導體裝置。
但是，專利文獻1所揭示之碳化矽基板，並非高熱傳導率者，如搭載發熱量大的半導體元件，有無法充分地進行散熱之虞。
另外，專利文獻1所揭示的碳化矽基板，雖然具有高絕緣性，但如上述般，並非高熱傳導率者，在絕緣性及熱傳導性之雙方被要求優異特性的情形，並不適合。
本發明係為了解決此種以往之問題點所完成者，目的在於提供高頻損失少，且顯示優異散熱性之碳化矽基板。
另外，本發明之目的在於提供：顯示優異的絕緣性與散熱性之碳化矽基板。
進而，本發明之目的在於提供：使用此種碳化矽基板之半導體裝置及SOI晶圓。
關於本發明之第1碳化矽基板，係具備：由多結晶碳化矽所形成之第1層、及由形成於第1層的表面上之多結晶碳化矽所形成之第2層，第2層係具有比第1層小之高頻損失，且第1層係具有比第2層大的熱傳導率。
第2層表面側中之頻率20GHz之高頻損失，以2dB/mm以下、熱傳導率為200W/mK以上為佳。
另外，第2層，以具有碳化矽基板之全厚的20%以下、且10μm以上之厚度為佳。
關於本發明之第2碳化矽基板，具備：由多結晶碳化矽所形成之第1層、及由形成於第1層的表面上之多結晶碳化矽所形成之第2層，第2層係具有比第1層大之比電阻，第1層具有比第2層大之熱傳導率。
第2層之表面側中之比電阻，為104Ω cm以上、且熱傳導率為200W/mK以上為佳。
於此等第1碳化矽基板及第2碳化矽基板中，第1層係於含有氮氣之環境中藉由CVD法所形成，第2層係於不含有氮氣之環境中藉由CVD法所形成。
關於本發明之半導體裝置，係具備：上述之碳化矽基板、及被接合於碳化矽基板之第2層的表面上之半導體元件。
另外，關於本發明之SOI晶圓，係具備：上述之碳化矽基板、及形成於碳化矽基板的第2層之表面上的絕緣層、及形成於絕緣層之表面上的矽層。
如依據本發明，具備個別由多結晶碳化矽所形成之第1層及第2層，第2層係具有比第1層小的高頻損失，第1層係具有比第2層大的熱傳導率，可以獲得高頻損失少、且顯示優異的散熱性之碳化矽基板。
以下，依據所附圖面來說明本發明之實施型態。
實施型態1
第1圖係表示關於實施型態1之碳化矽基板S。碳化矽基板S係具有由：厚度D1之第1碳化矽層1、及形成於第1碳化矽層1的表面上之厚度D2的第2碳化矽層2所形成的2層構造。此等第1碳化矽層1及第2碳化矽層2，都是由多結晶碳化矽所形成，第2碳化矽層2係具有比第1碳化矽層1小的高頻損失，第1碳化矽層1係具有於厚度方向比第2碳化矽層2大的熱傳導率。
例如，相對於第1碳化矽層1之熱傳導率為260W/mK，第2碳化矽層2之熱傳導率為約100W/mK。
另外，頻率20GHz中之高頻損失，相對於第1碳化矽層1為具有約50dB/mm大之值，第2碳化矽層2具有1.4～1.5dB/mm程度之極小的值。
進而，第2碳化矽層2具有104Ω cm以上的比電阻。
藉由形成由此等第1碳化矽層1與第2碳化矽層2所形成的2層構造，碳化矽基板S在第2碳化矽層2的表面側中之高頻20GHz之高頻損失，具有2dB/mm以下之值，具有於厚度方向為200W/mK以上的熱傳導率。另外，碳化矽基板S，作為第2碳化矽層2的表面側中之比電阻，為具有104Ω cm以上的值。
此種碳化矽基板S，可以如下述般製作。
首先，將石墨基材保持於CVD裝置內，將CVD裝置內的壓力設定為例如1.3kPa，和載體氣體之氫氣一同地，以體積比5～20%對CVD裝置內供給成為碳化矽之原料氣體的SiCl4、C3H8等，進而，供給對於此等原料氣體之體積比0.5～2.5%之氮氣，例如，藉由加熱至1000～1600℃之溫度，使於石墨基材的上面、下面及側面只成長特定厚度之碳化矽。此碳化矽係形成第1碳化矽層1。
接著，將CVD裝置內一旦予以排氣後，不對CVD裝置內供給氮氣之外，和上述之第1碳化矽層1的形成方法相同地，使於第1碳化矽層1的表面上成長碳化矽，形成第2碳化矽層2。
例如使用鑽石磨料將如此形成的第2碳化矽層2的表面予以機械研磨後，藉由研磨去除形成於石墨基材的側面上之碳化矽，於石墨基材的上面及下面個別殘留第1碳化矽層1與第2碳化矽層2之2層構造，石墨基材的側面成為露出的狀態。
之後，在氧氣環境中，藉由將石墨基材加熱至溫度900～1400℃，將石墨基材燃燒去除。藉此，獲得2片之碳化矽基板S。
另外，作為碳化矽之原料氣體，可以使用：SiH4/CH4、SiH4/C2H4、SiH4/C3H8、SiCl4/CCl4、SiCl4/CH4、CH3SiCl3、(CH3)2SiCl2。
另外，於上述之方法中，供給氮氣形成第1碳化矽層1之後，不供給氮氣，於第1碳化矽層1的表面上形成第2碳化矽層2，但也可以和此相反，首先，以不供給氮氣之條件，形成第2碳化矽層2，之後，供給氮氣，於第2碳化矽層2的表面上形成第1碳化矽層1。
此等第1碳化矽層1之形成與第2碳化矽層2之形成，可以變更關於氮氣供給之條件而連續地進行，或以個別獨立的另外工程來進行。
此處，將由第1碳化矽層1與第2碳化矽層2之2層構造所形成之碳化矽基板S的全厚Dt設為500μm之另一面，製作使第2碳化矽層2的厚度D2有種種改變之複數個碳化矽基板S，將對於個別之碳化矽基板S，測量第2碳化矽層2之表面側中之頻率20GHz之高頻損失的結果表示於第2圖。
第2碳化矽層2之厚度D2，在比10μm程度小的情形，可知此厚度D2愈接近0，第2碳化矽層2的表面側中之高頻損失的值，愈急遽增加。此被認為係起因於第2碳化矽層2很薄，高頻的影響，不單是表面層之第2碳化矽層2，也及於位於第2碳化矽層2的下側之第1碳化矽層1。
相對於此，第2碳化矽層2的厚度D2如在10μm以上時，第2碳化矽層2的表面側中之高頻損失，顯示2dB/mm以下之小的值，此厚度D2即使大到接近500μm，第2碳化矽層2的表面側中之高頻損失，也穩定在1.4～1.5dB/mm。
依據本發明者等之發現，在頻率20GHz中，如是顯示2.0dB/mm以下之高頻損失的基板，在構裝於高頻區域動作的半導體元件，實用上沒有問題。因此，第2碳化矽層2的厚度D2，以10μm以上為佳。
另外，於第3圖表示例如將第1碳化矽層1之熱傳導率設為264W/mK、第2碳化矽層2之熱傳導率設為約105W/mK，碳化矽基板S之全厚Dt設為1650μm之情形時之第2碳化矽層2的厚度D2與厚度方向中之碳化矽基板S全體的熱傳導率之關係。
第2碳化矽層2之厚度D2愈小時，碳化矽基板S全體之熱傳導率愈增加。
本發明者等發現，只要基板的熱傳導率在200W/mK以上，即使構裝在高頻區域動作的半導體元件，也可以發揮足夠的散熱作用。
因此，由第3圖之曲線，來求得對應熱傳導率200W/mK之第2碳化矽層2的厚度D2時，約為350μm，第2碳化矽層2之厚度D2如在約350μm以下，碳化矽基板S的熱傳導率具有200W/mK以上的值。但是此厚度D2=約350μm，係對於碳化矽基板S之全厚Dt=1650μm所求得之值，如碳化矽基板S的全厚Dt改變，對應熱傳導率200W/mK之第2碳化矽層2的厚度D2也改變。第1碳化矽層1與第2碳化矽層2之熱傳導率如個別決定，則碳化矽基板S之熱傳導率，係藉由第2碳化矽層2的厚度D2對碳化矽基板S之全厚Dt的比率來決定。厚度D2=350μm對於全厚Dt=1650μm之比率，約20%。
因此，為了讓碳化矽基板S具有200W/mK以上的熱傳導率，第2碳化矽層2的厚度D2，以在碳化矽基板S的全厚Dt的20%以下為佳。
即如考慮高頻損失及散熱性之雙方，將第2碳化矽層2的厚度D2設定在碳化矽基板S的全厚Dt的20%以下且為10 μm以上為合適。
實施型態2
第4圖係表示關於實施型態2之半導體裝置的構造。此半導體裝置係半導體元件3被接合於實施型態1所示之碳化矽基板S的第2碳化矽層2的表面上者。半導體元件3係藉由銅銲等被接合於第2碳化矽層2的表面上。另外，也可以於第2碳化矽層2的表面上形成特定的導電圖案，利用銲錫於導電圖案之上接合半導體元件3。
如依據如此構成之半導體裝置，則碳化矽基板S在半導體元件3的構裝面之第2碳化矽層2的表面側中，具有在頻率20GHz為2dB/mm以下之小的高頻損失，及200W/mK以上的熱傳導率，即使是半導體元件3為在高頻區域動作的元件，也可以進行可靠性高、穩定的動作。
另外，碳化矽基板S在第2碳化矽層2的表面側中，具有104Ω cm以上的高比電阻，即使使用半導體元件3構成被要求優異的絕緣性之電路，也可以確保穩定的動作。
實施型態3
第5圖係表示關於實施型態3之SOI(Silicon on Insulator：絕緣層覆矽)晶圓的構造。SOI晶圓，係於實施型態1所示之碳化矽基板S的第2碳化矽層2的表面上形成有SiO2等之絕緣層4之同時，且於絕緣層4的表面上形成有矽層5者。利用矽層5形成電路元件。
於此SOI晶圓中，碳化矽基板S在第2碳化矽層2的表面側，也具有於頻率20GHz為2dB/mm以下之小的高頻損失，及200W/mK以上的熱傳導率，利用矽層5來形成在高頻區域動作的元件，也得以實現可靠性高、能進行穩定動作的裝置。
另外，碳化矽基板S在第2碳化矽層2的表面側中，具有104Ω cm以上的高比電阻，即使利用矽層5來構成被要求優異絕緣性的電路，也可以高可靠性、穩定的動作。
此外，於實施型態1所示之碳化矽基板S形成高頻傳送線路，來製作處理微波、毫米波等訊號用之高頻用配線基板。藉由碳化矽基板S之存在，可以獲得使高頻訊號的傳送損失變小之高頻用配線基板。
1．．．第1碳化矽層
2．．．第2碳化矽層
3．．．半導體元件
4．．．絕緣層
5．．．矽層
S．．．碳化矽基板
第1圖係表示關於本發明之實施型態1之碳化矽基板的剖面圖。
第2圖係表示第2碳化矽層之厚度與碳化矽基板全體的高頻損失之關係曲線圖。
第3圖係表示第2碳化矽層的厚度與碳化矽基板全體的熱傳導率之關係曲線圖。
第4圖係表示關於實施型態2之半導體裝置的剖面圖。
第5圖係表示關於實施型態3之SOI晶圓的剖面圖。
1．．．第1碳化矽層
2．．．第2碳化矽層
D1．．．第1碳化矽層之厚度
D2．．．第2碳化矽層之厚度
Dt．．．碳化矽基板S的全厚
S．．．碳化矽基板

Claims (8)

  1. 一種碳化矽基板，其特徵為具備：由多結晶碳化矽所形成之第1層、及由形成於前述第1層的表面上之多結晶碳化矽所形成之第2層，前述第2層具有比前述第1層小之高頻損失並且具有前述碳化矽基板之全厚的20%以下、且10μm以上之厚度，前述第1層具有比前述第2層大的熱傳導率。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之碳化矽基板，其中，前述第2層之表面側在頻率20GHz的高頻損失為2dB/mm以下，熱傳導率為200W/mK以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之碳化矽基板，其中，前述第1層係於含有氮氣之環境中藉由CVD法所形成，前述第2層係於不含有氮氣之環境中藉由CVD法所形成。
  4. 一種碳化矽基板，其特徵為具備：由多結晶碳化矽所形成之第1層、及由形成於前述第1層的表面上之多結晶碳化矽所形成之第2層，前述第2層具有比前述第1層大之比電阻並且具有前述碳化矽基板之全厚的20%以下、且10μm以上之厚度，前述第1層具有比前述第2層大之熱傳導率。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之碳化矽基板，其中，前述第2層之表面側之比電阻為104Ωcm以上，且熱傳 導率為200W/mK以上。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所記載之碳化矽基板，其中，前述第1層係於含有氮氣之環境中藉由CVD法所形成，前述第2層係於不含有氮氣之環境中藉由CVD法所形成。
  7. 一種半導體裝置，其特徵為具備：如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之碳化矽基板、及被接合於前述碳化矽基板之前述第2層的表面上之半導體元件。
  8. 一種SOI晶圓，其特徵為具備：如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之碳化矽基板、及形成於前述碳化矽基板之前述第2層的表面上之絕緣層、及形成於前述絕緣層之表面上的矽層。
TW100123088A 2010-07-06 2011-06-30 碳化矽基板、半導體裝置及ｓｏｉ晶圓 TWI536558B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010153730A JP4956649B2 (ja) 2010-07-06 2010-07-06 炭化珪素基板、半導体装置およびｓｏｉウエハ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201212225A TW201212225A (en) 2012-03-16
TWI536558B true TWI536558B (zh) 2016-06-01

Family

ID=45441216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100123088A TWI536558B (zh) 2010-07-06 2011-06-30 碳化矽基板、半導體裝置及ｓｏｉ晶圓

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8507922B2 (zh)
EP (1) EP2592650B1 (zh)
JP (1) JP4956649B2 (zh)
KR (1) KR101261898B1 (zh)
CN (1) CN103003937A (zh)
TW (1) TWI536558B (zh)
WO (1) WO2012005237A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2953640B1 (fr) * 2009-12-04 2012-02-10 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Procede de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant, a pertes electriques diminuees et structure correspondante
JP2016092122A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 三井造船株式会社 炭化珪素基板
KR20170019676A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
JP6533451B2 (ja) * 2015-11-09 2019-06-19 住友電気工業株式会社 無線電力受電装置
KR102051668B1 (ko) * 2016-12-20 2019-12-04 주식회사 티씨케이 SiC 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법
JP2018157165A (ja) 2017-03-21 2018-10-04 株式会社東芝 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
US10600635B2 (en) 2017-04-20 2020-03-24 Elyakim Kassel Method and apparatus for a semiconductor-on-higher thermal conductive multi-layer composite wafer
JP7322371B2 (ja) * 2018-09-27 2023-08-08 住友金属鉱山株式会社 炭化珪素多結晶基板の製造方法
US11942534B2 (en) 2022-03-08 2024-03-26 Globalfoundries U.S. Inc. Bipolar transistor with thermal conductor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2781082B1 (fr) * 1998-07-10 2002-09-20 Commissariat Energie Atomique Structure semiconductrice en couche mince comportant une couche de repartition de chaleur
US20020089016A1 (en) 1998-07-10 2002-07-11 Jean-Pierre Joly Thin layer semi-conductor structure comprising a heat distribution layer
EP1358681A4 (en) * 2001-01-03 2008-04-30 Univ Mississippi SILICON CARBIDE AND RELATED TRANSISTORS WITH LARGE BAND GAP FOR HALF INSULATING EPITAXIA FOR FAST HIGH PERFORMANCE APPLICATIONS
JP3881562B2 (ja) * 2002-02-22 2007-02-14 三井造船株式会社 ＳｉＣモニタウェハ製造方法
US20050070048A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Tolchinsky Peter G. Devices and methods employing high thermal conductivity heat dissipation substrates
US7361930B2 (en) * 2005-03-21 2008-04-22 Agilent Technologies, Inc. Method for forming a multiple layer passivation film and a device incorporating the same
JP5260127B2 (ja) * 2008-04-18 2013-08-14 国立大学法人東北大学 炭化珪素の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4956649B2 (ja) 2012-06-20
EP2592650A4 (en) 2015-04-01
CN103003937A (zh) 2013-03-27
KR101261898B1 (ko) 2013-05-07
TW201212225A (en) 2012-03-16
US20130112997A1 (en) 2013-05-09
WO2012005237A1 (ja) 2012-01-12
US8507922B2 (en) 2013-08-13
KR20130018338A (ko) 2013-02-20
EP2592650B1 (en) 2016-09-07
EP2592650A1 (en) 2013-05-15
JP2012018960A (ja) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI536558B (zh) 碳化矽基板、半導體裝置及ｓｏｉ晶圓
CN107004572A (zh) 用于射频应用的结构
KR20160044489A (ko) 열적 비아들 내 다이아몬드의 선택적 증착
CN103180266A (zh) 静电卡盘
TW200614377A (en) A support for hybrid epitaxy, and a method of fabricating it
JP2019527925A5 (zh)
JP5260127B2 (ja) 炭化珪素の製造方法
KR100887133B1 (ko) 저온 동시 소성 세라믹 기판
JP2016092122A (ja) 炭化珪素基板
JP2005033164A (ja) 半導体素子の銅配線形成方法
TWI301297B (zh)
US20070269646A1 (en) Bond termination of pores in a porous diamond dielectric material
WO2023162448A1 (ja) 高周波デバイス用基板、及びその製造方法
JP5632900B2 (ja) 炭化珪素基板、半導体装置及び配線基板
JP2005524986A (ja) ダイヤモンド材料よりなる電気抵抗コンポーネント
JP2006294671A (ja) 低誘電率炭化珪素膜の製造方法
JP2009224722A (ja) 化合物半導体基板
JP7006544B2 (ja) Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法
JPH07112104B2 (ja) 超電導配線ダイヤモンド回路基板の製造方法
JP3688919B2 (ja) セラミック多層配線基板
JPS62159444A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11176829A (ja) 半導体用酸化膜とその形成方法
JP2015138826A (ja) 炭化珪素基板
TW202337285A (zh) 陶瓷基板複合結構
Chen et al. High-electrical-resistivity CVD diamond films with tri-layer UNCD-MCD-UNCD structures for 3DIC applications