JP7006544B2 - Soiウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
該支持基板上の単結晶シリコンからなる活性層と、
前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層との間に設けられた埋め込み絶縁層と、を有するSOIウェーハであって、
前記埋め込み絶縁層は、(i)単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれかからなる絶縁層と、(ii)酸化シリコンからなる密着層と、を備え、
該密着層は、(a)前記埋め込み絶縁層の、前記活性層の側の表面、(b)前記埋め込み絶縁層の、前記支持基板シリコンウェーハの側の表面、及び(c)前記埋め込み絶縁層の内部、のいずれかに設けられることを特徴とするSOIウェーハ。
支持基板シリコンウェーハの表面上に、単結晶SiC又はアモルファスSiCからなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層及び活性層用シリコンウェーハの少なくともいずれか一方の表面上に酸化シリコンからなる密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層を介して、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、
前記活性層用シリコンウェーハを、前記貼り合わせた面とは反対側から減厚して単結晶シリコンからなる活性層とする減厚工程と、を含む、
SOIウェーハの製造方法。
活性層用シリコンウェーハの表面上に、単結晶SiC又はアモルファスSiCからなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
支持基板シリコンウェーハ及び前記絶縁層の少なくともいずれか一方の表面上に酸化シリコンからなる密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層を介して、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、
前記活性層用シリコンウェーハを、前記貼り合わせた面とは反対側から減厚して単結晶シリコンからなる活性層とする減厚工程と、
を含む、SOIウェーハの製造方法。
支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの表面上に第1絶縁層及び第2絶縁層をそれぞれ形成する絶縁層形成工程と、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の少なくともいずれか一方の表面上に酸化シリコンからなる密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層を介して、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、
前記活性層用シリコンウェーハを、前記貼り合わせた面とは反対側から減厚して単結晶シリコンからなる活性層とする減厚工程と、を含み、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層はともに、単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれかからなる、SOIウェーハの製造方法。
本発明に従う実施形態の説明に先立ち、各図面の対応関係について説明する。図1は本発明に従うSOIウェーハ1の模式断面図である。図2A~図2Cは、図1に示したSOIウェーハにおける埋め込み絶縁層の3つの態様を示し、以下ではそれぞれ第1態様、第2態様及び第3態様と称する。
図1を参照する。本発明によるSOIウェーハ1は、支持基板シリコンウェーハ10と、支持基板シリコンウェーハ10上の単結晶シリコンからなる活性層21と、支持基板シリコンウェーハ10及び活性層21との間に設けられた埋め込み絶縁層30と、を有する。そして、埋め込み絶縁層30は、(i)単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれかからなる絶縁層31と、(ii)酸化シリコンからなる密着層35と、を備える。
図3を参照して、第1実施形態によるSOIウェーハ100の製造方法を説明する。本実施形態は、図2Aの第1態様のSOIウェーハを製造する方法である。
絶縁層形成工程(図3のS110、S120参照)では支持基板シリコンウェーハ110の表面上に、単結晶SiC又はアモルファスSiCからなる絶縁層131を形成する。単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれも、一般的な手法により形成することができる。ここで形成する絶縁層131の膜厚は、絶縁性が確保される限りは特に制限されないが、SOIウェーハとしての耐圧性を確保するため1μm以上とすることが好ましく、10μm以上とすることが好ましい。膜厚の上限は特に制限されないが、工業的な生産性を考慮すれば膜厚の上限は50μm程度である。
例えば、支持基板シリコンウェーハ110の表面を炭化処理することにより、単結晶SiCからなる絶縁層131を形成することができる。炭化処理は、例えば、熱処理炉内にプロパンガス、メタンガス、エタンガス等の炭素系ガスと、キャリアガスとしての水素ガスを導入する。そして、炭素雰囲気で、支持基板シリコンウェーハ110の温度を900~1300℃として、1~60分、より好ましくは30分以上の炭化処理を行う。こうすることで、単結晶SiCを支持基板シリコンウェーハ110の表面部に形成することができる。また、支持基板シリコンウェーハ110の温度を900℃未満とすれば、アモルファスSiCを形成することもできる。
また、プラズマCVD法などのCVD法を用いて、支持基板シリコンウェーハ110の表面上にSiCからなる絶縁層131を成膜することもできる。支持基板シリコンウェーハ110の温度を900℃以上1400℃以下にした状態で成膜すれば、単結晶SiCをエピタキシャル成長させることができる。また、支持基板シリコンウェーハ110の温度を250℃以上890℃以下にした状態で成膜すれば、アモルファスSiCを成長させることができる。
次に、密着層形成工程(図3のS130参照)では、絶縁層131及び活性層用シリコンウェーハ120の少なくともいずれか一方の表面上に酸化シリコンからなる密着層135を形成する。
次工程の接合工程において支持基板シリコンウェーハ110と活性層用シリコンウェーハ120とを密着層135を介して接合できる限りは、密着層の形成膜厚は特に制限されない。ただし、次工程での接合をより確実に行うため、本工程において形成する密着層135の膜厚を100nm以上200nm以下とすることが好ましい。また、この目的のため、図3のS130Cに示すように、絶縁層131及び活性層用シリコンウェーハ120の両方の表面上に密着層135を形成する場合は、密着層135の合計膜厚を上記範囲とすることが好ましい。
例えば、プラズマCVD法などのCVD法を用いて、酸化シリコンからなる密着層135を所望の膜厚で形成することができる。
また、公知の熱酸化法を用いても、酸化シリコンからなる密着層135を所望の膜厚で形成することができる。なお、酸化膜の品質を高めるためには、基板温度を900℃よりも高温にすることが好ましい。
なお、密着層135の形成に先立ち、支持基板シリコンウェーハ110、活性層用シリコンウェーハ120及び絶縁層131のそれぞれの表面上に、窒化シリコン(SiN)保護膜(図示せず)を形成してもよい。特に、単結晶SiC又はアモルファスSiCからなる絶縁層131の表面上に、熱酸化法により酸化シリコンからなる密着層135を形成する場合には、密着層135の形成に先立ち、窒化シリコン保護膜を絶縁層131の表面に形成することが好ましい。こうすることで、絶縁層131の表面上に密着層135を確実に形成することができる。窒化シリコン保護膜の膜厚を20nm~100nm程度とすれば、十分に保護膜として機能する。また、窒化シリコン保護膜は、窒化処理及びCVD法等の公知の手法を用いて形成することができる。
密着層形成工程に続く接合工程(図3のS140参照)において、密着層135を介して、支持基板シリコンウェーハ110及び活性層用シリコンウェーハ120を貼り合わせる。
上述した接合工程を経た後、活性層用シリコンウェーハ120の減厚工程(図3のS150参照)を行う。本工程では、活性層用シリコンウェーハ120を、貼り合わせた面とは反対側から減厚することで単結晶シリコンからなる活性層121を得る。減厚するためには、例えば活性層用シリコンウェーハ120を研削及び研磨すればよい。これにより、所望厚さの活性層121を有するSOIウェーハ100を得ることができる。活性層121の厚さは、そこに形成するデバイスに応じて適宜決定することができ、100nm~1mmの範囲で適宜定めればよい。なお、この研削および研磨には、公知の研削法および研磨法を好適に用いることができ、具体的には平面研削法および鏡面研磨法を用いることができる。
図4を参照して、第2実施形態によるSOIウェーハ200の製造方法を説明する。本実施形態は、図2Cの第3態様のSOIウェーハを製造する方法である。なお、簡潔な説明のため、第1実施形態と同一の構成要素及び同一ステップには原則として一及び十の位が同一の参照番号を付して構成の詳細な説明を省略し、以降も同様とする。
第1実施形態では絶縁層231を支持基板シリコンウェーハ210にのみ形成していたところ、第2実施形態では支持基板シリコンウェーハ210及び活性層用シリコンウェーハ220のそれぞれに絶縁層231a,231bを形成する点で異なる。単結晶SiC又はアモルファスSiCからなる第1及び第2絶縁層231a,231bの形成手法は第1実施形態と同様であり、炭化処理法及びCVD法などを適用することができる。また、耐圧性を確保するためには、絶縁層231a,231bの合計の膜厚を第1実施形態で述べた膜厚とすることが好ましい。
密着層形成工程については、第1実施形態と同様にして行うことができる。密着層同士の接合のため、密着層235の合計膜厚を第1実施形態に述べた膜厚とすることが好ましい。また、密着層235の形成に先立ち窒化シリコン保護膜を形成してもよいことも前述のとおりである。
密着層形成工程についても、第1実施形態と同様にして行うことができる。密着性を高めるため、酸化性ガス雰囲気下において800℃以上かつ1時間以上の貼り合わせ強化熱処理を施すことが好ましいことも、同様である。
減厚工程も、第1実施形態と同様にして行うことができる。
以下では、本発明において用いることができる支持基板シリコンウェーハ10、活性層用シリコンウェーハ20(活性層21)に適用可能なシリコンウェーハの具体的態様を説明する。
支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハとして、直径:2インチ(50.8mm)、厚み:500μmのn型CZシリコンウェーハ(ドーパント:リン)を用意した。評価用実験1として、本発明に従うSOIウェーハの熱伝導率を評価するため、絶縁層及び密着層をシリコンウェーハ上に成膜し、埋め込み絶縁層を露出させた状態での熱伝導率を評価した。次に、評価用実験2として、SOIウェーハの耐圧評価を行うために絶縁層の膜厚を比較的薄く成膜したSOIウェーハを作製し、耐圧評価を行った。
-サンプル1-
支持基板シリコンウェーハの表面に、プラズマCVD法により、基板温度を300℃に維持した状態で、CH4ガスを130sccm、CH3SiH3ガスを25sccm流して、アモルファスSiCからなる絶縁層を膜厚5μmで形成した。
サンプル1における密着層の膜厚を50nmから150nmに変えた以外は、サンプル1と同様にして埋め込み絶縁層を形成した。
サンプル1における密着層の膜厚を50nmから200nmに変えた以外は、サンプル1と同様にして埋め込み絶縁層を形成した。
サンプル1における密着層の膜厚を50nmから1000nmに変えた以外は、サンプル1と同様にして埋め込み絶縁層を形成した。
支持基板シリコンウェーハの表面に、CH4雰囲気下で、1050℃にてウェーハ表面をSiC化しつつ、さらにCH4ガスを130sccm、CH3SiH3ガスを25sccm流すことで、単結晶SiCからなる絶縁層を膜厚5μmで形成した。さらに、サンプル1と同様にして、酸化シリコン(SiO2)からなる密着層を膜厚50nmで形成し、埋め込み絶縁層とした。
支持基板シリコンウェーハの表面に、熱酸化法を用いてSiO2からなる絶縁層を膜厚5μmで形成した。
サンプル1~6のそれぞれの表面に対して、熱印加して熱印加前後の抵抗を測定することにより、埋め込み絶縁層の熱伝導率を評価した。結果を表1に示す。なお、表1では絶縁層を形成しないバルクのシリコンウェーハからなる支持基板の熱伝導率を基準として相対化した測定値を示す。サンプル1~サンプル3(アモルファスSiC)、サンプル5(単結晶SiC)の熱伝導率はサンプル6(SiO2)の熱伝導率の約2倍以上ある。また、サンプル4の熱伝導率も、サンプル6の熱伝導率よりは高い。したがって、絶縁層として単結晶SiC又はアモルファスSiCを用いることで、酸化シリコンをBOX層として用いる従来一般的なSOIウェーハ(サンプル3相当)に比べて、放熱性を大幅に向上できることが確認できた。なお、サンプル1~4に見られるように、密着層の膜厚が大きくなるほど熱伝導率が低くなるため、密着性を確保できる範囲で密着層の膜厚を薄くした方がよいと言える。
図3(S130工程がS130Aの場合)に示す製造方法の模式断面図に従い、サンプル7~サンプル10に係るSOIウェーハを作製した。
支持基板シリコンウェーハの表面に、プラズマCVD法により、支持基板の温度を300℃に維持した状態で、CH4ガスを130sccm、CH3SiH3ガスを25sccm流して、アモルファスSiCからなる絶縁層を膜厚100nmで形成した。
サンプル7におけるアモルファスSiCからなる絶縁層の形成に替えて、CH4雰囲気下で980℃にてウェーハ表面をSiC化し、引き続きCH4ガスを130sccm、CH3SiH3ガスを25sccm流して、単結晶SiCからなる絶縁層を膜厚100nmで形成した。その他の条件はサンプル7と同様にして、サンプル8に係るSOIウェーハを得た。なお、平坦化による研磨代は23nm、平坦化後のRaは2.2nm、平坦化前のRaは12nmであった。
サンプル7におけるアモルファスSiCからなる絶縁層の形成に替えて、CH4雰囲気下で980℃にてウェーハ表面をSiC化し、さらに800℃に降温後、CH4ガスを130sccm、CH3SiH3ガスを25sccm流して、多結晶SiCからなる絶縁層を膜厚100nmで形成した。その他の条件はサンプル7と同様にして、サンプル9に係るSOIウェーハを得た。なお、平坦化による研磨代は29nm、平坦化後のRaは2.8nm、平坦化前のRaは20nmであった。
サンプル7におけるアモルファスSiCからなる絶縁層の形成に替えて、SiO2からなる絶縁層を熱酸化法を用いて膜厚130nmで形成した。その他の条件はサンプル7と同様にして、サンプル8に係るSOIウェーハを得た。なお、サンプル7と同様にSiO2を平坦化処理した。サンプル10のSOIウェーハでは、SiO2膜の仕上り膜厚は112nmである。なお、平坦化による研磨代は18nm、平坦化後のRaは1.0nm、平坦化前のRaは4nmであった。
活性層へ電極を形成し、TZDB(タイムゼロ絶縁破壊:Time Zero Dielectric Breakdown)測定を行った。評価にあたり、単位面積当たりの電流が1×10-4A/cm2を超えた場合に、絶縁破壊したと判断し、そのときの絶縁耐圧を求めた。結果を表2に示す。
21,121,221 活性層
30,130,230 埋め込み絶縁層
31,131,231 絶縁層
35,135,235 密着層
10,110,210 支持基板シリコンウェーハ
120,220 活性層用シリコンウェーハ
Claims (7)
- 支持基板シリコンウェーハと、
該支持基板上の単結晶シリコンからなる活性層と、
前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層との間に設けられた埋め込み絶縁層と、
を有するSOIウェーハであって、
前記埋め込み絶縁層は、(i)単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれかからなる絶縁層と、(ii)酸化シリコンからなる密着層と、を備え、
該密着層は、前記埋め込み絶縁層の内部に設けられることを特徴とするSOIウェーハ。 - 前記埋め込み絶縁層における、前記絶縁層の膜厚が1μm以上である、請求項1に記載のSOIウェーハ。
- 前記埋め込み絶縁層における、前記密着層の膜厚が100nm以上200nm以下である、請求項1又は2に記載のSOIウェーハ。
- 請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法であって、
支持基板シリコンウェーハ及び活性層用シリコンウェーハの表面上に第1絶縁層及び第2絶縁層をそれぞれ形成する絶縁層形成工程と、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の少なくともいずれか一方の表面上に酸化シリコンからなる密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層を介して、前記支持基板シリコンウェーハ及び前記活性層用シリコンウェーハを貼り合わせる接合工程と、
前記活性層用シリコンウェーハを、前記貼り合わせた面とは反対側から減厚して単結晶シリコンからなる活性層とする減厚工程と、を含み、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層はともに、単結晶SiC及びアモルファスSiCのいずれかからなる、SOIウェーハの製造方法。 - 前記接合工程に先立ち、前記密着層の平坦化処理を行う工程をさらに含む、請求項4に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記接合工程に先立ち、前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の平坦化処理を行う工程をさらに含む、請求項5に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記接合工程において、酸化性ガス雰囲気下において800℃以上かつ1時間以上の貼り合わせ強化熱処理を施す、請求項4~6のいずれか1項に記載のSOIウェーハの製造方法。
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