JP2012009902A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 表面に取り付け可能な発光ダイオード光源であって、
   リードフレーム（１０）上にＧａＮもしくはＩｎＧａＮを基礎とするＬＥＤチップ（１）が取り付けられており、前記リードフレーム（１０）は一体の透明なプラスチック成形体（３）で取り囲むように形成されており、
   前記リードフレーム（１０）は互いに別個の２個のリードフレーム接続部分（１１，１２）を有しており、
   前記ＬＥＤチップ（１）は前記２個のリードフレーム接続部分のうち一方のリードフレーム接続部分（１２）上に配置されており、
   前記２個のリードフレーム接続部分のうち他方のリードフレーム接続部分（１１）はボンディングワイヤ（２）によって前記ＬＥＤチップ（１）に接続されており、
   前記透明なプラスチック成形体（３）から、少なくとも２個の側面で、それぞれのリードフレーム接続部分（１１，１２）が突出しており、
   それぞれのリードフレーム接続部分（１１，１２）の前記透明なプラスチック成形体（３）の内部にチップ取り付け領域（１６）から前記発光ダイオード光源の取り付け面（１３）に向かってＳ型の湾曲部（１４，１５）が設けられている
   ことを特徴とする表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
2. 前記透明なプラスチック成形体（３）はプラスチック成形材料から成形される、請求項１記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
3. 前記プラスチック成形材料は、予め反応したエポキシ樹脂を含む、請求項２記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
4. 前記エポキシ樹脂は、エポキシノボラックまたはエポキシクレゾールノボラックである、請求項３記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
5. 前記エポキシ樹脂は、フェノール硬化剤および／または無水物硬化剤と予め反応している、請求項３または４記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
6. 前記プラスチック成形材料には、離型剤または分離剤が混合されている、請求項２から５までのいずれか１項記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
7. 前記離型剤はワックスを基礎とする固体の離型剤または長鎖カルボン酸を有する金属石鹸である、請求項６記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
8. 前記離型剤はステアリン酸塩を含む金属石鹸である、請求項７記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
9. 前記プラスチック成形材料には、少なくとも１つの無機充填剤、例えば、ＴｉＯ _２ もしくはＺｒＯ _２ もしくはα−Ａｌ _２ Ｏ _３ が混合されており、該混合により、前記プラスチック成形材料の屈折率が高められる、請求項１から８までのいずれか１項記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
10. 前記プラスチック成形材料には、前記ＬＥＤチップから放射された光の一部を吸収して該吸収された光よりも長波長の光を放出する少なくとも１つの有機変換物質もしくは無機変換物質が混合されており、これにより、前記発光ダイオード光源は前記ＬＥＤチップの１次光と前記変換物質の２次光との混合色光を放出する、請求項１から９までのいずれか１項記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
11. 前記ＬＥＤチップは、紫外もしくは青のスペクトル領域の発光スペクトルを有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の表面に取り付け可能な発光ダイオード光源。
12. 請求項１から１１までのいずれか１項記載の発光ダイオード光源の製造方法であって、
    ＬＥＤチップ（１）を、チップ取り付け領域（１６）内でリードフレーム（１０）上に取り付け、相互に別個の複数のリードフレーム接続部分（１１，１２）と導電接続し、
    各リードフレーム接続部分（１１，１２）に、前記半導体ＬＥＤ（１）を取り付ける前または後に、Ｓ型の湾曲部（１４，１５）を設け、
    前記半導体ＬＥＤ（１）を、前記リードフレーム（１０）の前記Ｓ型の湾曲部（１４，１５）を含めて透明なプラスチック成形材料（３）で取り囲むように形成する
    ことを特徴とする発光ダイオード光源の製造方法。
13. ＧａＮもしくはＩｎＧａＮを基礎とする半導体ＬＥＤ（１）を基礎とし、紫外もしくは青のスペクトル領域の光を放出する白色光源の製造方法であって、
    前記半導体ＬＥＤ（１）をリードフレーム（１０）上に取り付け、
    透明なプラスチック成形材料（３）を変換物質（４）および場合により他の充填剤と混合して成形材料を形成し、
    前記半導体ＬＥＤ（１）が光の放射側で前記成形材料によって包囲されるように前記リードフレーム（１０）を前記成形材料で取り囲むように形成する
    ことを特徴とする白色光源の製造方法。