JP6409845B2 - 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 - Google Patents
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(1)光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体搭載用基板の製造方法であって、前記凹部がエポキシ樹脂、無機充填剤及び白色顔料を含む光反射用熱硬化性樹脂をトランスファー成型により形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法であり、
無機充填剤と白色顔料の合計量が、光反射用熱硬化性樹脂全体に対して85重量%〜95重量%の範囲である光半導体素子搭載用基板の製造方法。
前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、
前記光半導体素子を覆うように形成される封止樹脂と、
を備える光半導体装置。
(実施例1)
下記組成の材料を混練温度20〜30℃、混練時間10分の条件でロール混練し、光反射用樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂:トリグリシジルイソシアヌレート 100重量部(エポキシ当量100)
硬化剤:ヘキサヒドロ無水フタル酸 140重量部
硬化促進剤:テトラ−n−ブチルホスホニウム−
o,o−ジエチルホスホロジチオエート 0.4重量部
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 1118重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 660重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 627重量部
カップリング剤:エポキシシラン 3重量部
酸化防止剤:9,10−ジヒドロ−9−オキサ−
10−ホスファフェナントレン−10−オキシド 1重量部
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 373重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 1881重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 660重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 1088重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 610重量部
白色顔料:酸化マグネシウム(中心粒径0.2μm) 544重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 419重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 235重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 247重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
無機充填剤:溶融シリカ(中心粒径20μm) 623重量部
アルミナA(中心粒径40μm) 3147重量部
白色顔料:アルミナB(中心粒径1μm) 1105重量部
とした以外は実施例1と同様にして光反射用樹脂組成物を作製した。
各実施例及び各比較例の光反射用樹脂組成物を、金型温度180℃、キュア時間90秒の条件でトランスファー成形を行った後、150℃の温度で2時間ポストキュアを行うことによって厚み0.5mmのテストピースを作製した。ついで、各テストピースの、波長350〜800nmにおける光反射率を積分球型分光光度計V−570型(日本分光株式会社製)を用いて測定した。また、150℃、72時間熱処理後の各テストピースの光反射特性も合わせて評価した。評価基準は下記のとおりである。結果を表1に示す。
<光反射率の評価基準>
○:光反射率80%以上
△:光反射率70%以上、80%未満
×:光反射率70%未満
λ=α×Cp×ρ (式1)
λ:熱伝導率
α:熱拡散率
Cp:熱容量(比熱)
ρ:密度
各実施例及び各比較例の光反射用樹脂組成物について、室温(25℃)でタブレット成型できるものを○、タブレット成型できないものを×として評価した。なお、タブレットの成型は、MTV−I−37((株)丸七鉄工所製、商品名)を用い、0.7MPa、2秒の条件で行った。
101・・・・・封止樹脂
102・・・・・ボンディングワイヤ
103・・・・・リフレクター
104・・・・・Ni/Agめっき
105・・・・・金属配線
106・・・・・蛍光体
107・・・・・はんだバンプ
110・・・・・光半導体素子搭載用基板
200・・・・・光半導体素子搭載領域(凹部)
300・・・・・樹脂注入口
301・・・・・金型
Claims (12)
- エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤及び白色顔料を含み、前記硬化剤は酸無水物系硬化剤を含み、
前記エポキシ樹脂は、トリグリシジルイソシアヌレートを含み、
前記無機充填剤及び前記白色顔料の合計量が、光反射用熱硬化性樹脂組成物全体に対して85重量%以上95重量%以下であり、
前記無機充填剤はシリカ(ただし、酸化チタニウムで被覆したシリカを除く。)を含む、LEDのリフレクタ用の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 - 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成される光半導体素子搭載用基板の、少なくとも前記凹部の内周側面を形成するための光反射用熱硬化性樹脂組成物である、請求項1に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 前記酸無水物系硬化剤の分子量が140〜200である、請求項1又は2に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 前記酸無水物系硬化剤が、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸からなる群から選ばれる少なくとも1つを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との配合比が、前記エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、該エポキシ基と反応可能な前記硬化剤中の活性基が0.5〜1.5当量となる比である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 前記無機充填剤の中心粒径が1〜100μmである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 前記白色顔料の中心粒径が0.1〜5μmである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 25℃において加圧成形可能である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 25℃、0.5〜2MPa、及び1〜5秒の条件で加圧成形可能である、請求項8に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる、熱硬化性樹脂タブレット。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる、熱硬化性樹脂タブレットの製造方法であって、25℃、0.5〜2MPa、及び1〜5秒の条件で前記光反射用熱硬化性樹脂組成物を加圧成形する工程を備える、熱硬化性樹脂タブレットの製造方法。
- 光半導体素子搭載領域となる凹部を1つ以上備え、少なくとも前記凹部の内周側面が、請求項1〜9のいずれか1項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体素子搭載用基板。
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