JP2013163777A - Ledリフレクター用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたledリフレクター、表面実装型led発光装置、およびled照明器具 - Google Patents

Ledリフレクター用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたledリフレクター、表面実装型led発光装置、およびled照明器具 Download PDF

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Abstract

【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱劣化性に優れ、熱による反射率低下を抑制することができるLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたLEDリフレクター、表面実装型LED発光装置、およびLED照明器具を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、および白色顔料を含有するLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂として、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂を含有することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、LEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたLEDリフレクター、表面実装型LED発光装置、およびLED照明器具に関する。
LED(発光ダイオード)は、小型軽量化、省エネルギーなどの点において優れた特性を有しており、照明やテレビと携帯電話のバックライトなどに数多く使用されている。
今後、LED市場は伸びると予測され、それに伴ってLEDリフレクターの需要も拡大すると考えられる。
そして需要の拡大に伴ってLEDの高輝度化が進み、LEDリフレクターには従来以上に可視光から近紫外光における反射率の向上や耐熱劣化性が求められる。
従来、LEDリフレクターの成形材料には、安価で無着色かつ白色のPPA(ポリフタルアミド樹脂)がよく用いられている。
LEDリフレクターの成形材料として、白色顔料などを配合したエポキシ樹脂組成物も提案されている(特許文献1)。このエポキシ樹脂組成物の成形材料は、熱硬化性や熱成形性に優れている。
特開2010−189553号公報
しかしながら、PPAは耐熱劣化性に劣るために、長期間使用すると黄変してしまい、それに伴って反射率が低下してしまうという問題点があった。また、機械的強度の低下なども起こりやすい。
そして上記のエポキシ樹脂組成物の成形材料も、長期間使用することで、熱環境下での長時間放置によって黄変しやすいという問題点があった。
本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、熱劣化による変色が小さく耐熱劣化性に優れ、熱による反射率低下を抑制することができるLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたLEDリフレクター、表面実装型LED発光装置、およびLED照明器具を提供することを課題としている。
上記の課題を解決するために、本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、および白色顔料を含有するLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂として、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂を含有することを特徴とする。
本発明のLEDリフレクターは、上記のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物を成形したものであることを特徴とする。
本発明の表面実装型LED発光装置は、上記のLEDリフレクターを備えることを特徴とする。
本発明のLED照明器具は、上記の表面実装型LED発光装置を備えることを特徴とする。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたLEDリフレクター、表面実装型LED発光装置、およびLED照明器具によれば、LEDリフレクターの熱劣化による変色が小さく耐熱劣化性に優れ、熱による反射率低下を抑制することができる。
本発明のLEDリフレクターを用いたLED素子搭載用基板と表面実装型LED発光装置の例を概略的に示す断面図である。
以下に、本発明について詳細に説明する。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂として、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂が配合される。
アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂を配合することで、耐熱性および透明性を高め、熱による黄変とそれによる反射率の低下を抑制することができる。
アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂は、平均分子量が3000〜15000のものが好ましい。平均分子量がこの範囲内であると、取扱性およびLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物の流動性に優れている。なお、ここで平均分子量は、ポリスチレンを標準物質として、ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)により測定した数平均分子量である。
アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に限定されないが、例えば、200〜1000g/eqの範囲内のものを用いることができる。
アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂として、具体的には、例えば、次の式(I)で表されるアダマンタン誘導体を用いることができる。
Figure 2013163777
式中、Wは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン置換炭化水素基、環式炭化水素基、ハロゲン置換環式炭化水素基、水酸基、カルボキシル基、および2つのWが一緒になって形成された=Oから選ばれる基を示す。mは0〜14の整数、nは0〜14の整数を示し、m+n=14である。
炭化水素基としては、例えば、炭素数1〜10のアルキル基およびアルコキシ基などが挙げられる。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などが挙げられる。
ハロゲン置換炭化水素基としては、例えば、上記炭化水素基の水素原子が1個以上ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。具体的には、例えば、トリフルオロメチル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。
環式炭化水素基としては、例えば、炭素数5〜10のシクロアルキル基などが挙げられる。具体的には、例えば、シクロペンチル基、メチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基などが挙げられる。
ハロゲン置換環式炭化水素基としては、例えば、上記環式炭化水素基の水素原子が1個以上ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。具体的には、例えば、フルオロシクロペンチル基、フルオロシクロヘキシル基、トリフルオロメチルシクロペンチル基、トリフルオロメチルシクロヘキシル基などが挙げられる。
上記式(I)において、Xは、次の式(II)で表される基を示す。
Figure 2013163777
式中、R1は炭素数1〜4のアルキル基を示す。炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、各種プロピル基、各種ブチル基などが挙げられる。複数のR1は同一であっても異なっていてもよい。kは0〜10の整数を示す。
上記式(I)において、Yは、−CO2−、−O−、−N(R3)−(R3は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示す。)、および−N(Z)−から選ばれる基を示す。
上記式(I)において、pは分布を持っているが0〜100の整数である。
上記式(I)において、p+1個のモノマー単位は、X、Y、W、m、R1、kがそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
上記式(I)で表されるアダマンタン誘導体は、加水分解性塩素分が500質量ppm以下であることが好ましい。
式(I)で表されるアダマンタン誘導体は、例えば、特開2007−070407号公報に記載の方法などによって合成することができる。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂として、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂と共に、他のエポキシ樹脂を配合することができる。
このような他のエポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、およびアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、およびイソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
このような他のエポキシ樹脂を使用する場合、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂の割合がエポキシ樹脂全量に対して10〜100質量%となるように配合することが好ましい。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、硬化剤が配合される。硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に限定されないが、無色または淡黄色であることが好ましい。このような硬化剤として、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤、フェノール系硬化剤などが挙げられる。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられる。
イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、例えば、1,3,5−トリス(1−カルボキシメチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート、1,3−ビス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレートなどが挙げられる。
フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノールなどのフェノール類および/またはα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレンなどのナフトール類と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒドなどのアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合または共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂;フェノール類および/またはナフトール類とジメトキシパラキシレンまたはビス(メトキシメチル)ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂;ビフェニレン型フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂などのアラルキル型フェノール樹脂;フェノール類および/またはナフトール類とジシクロペンタジエンとの共重合によって合成されるジシクロベンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂などのジシクロペンタジエン型フェノール樹脂;トリフェニルメタン型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂;パラキシリレンおよび/またはメタキシリレン変性フェノール樹脂;メラミン変性フェノール樹脂;シクロペンタジエン変性フェノール樹脂;ならびにこれらのうち2種以上を共重合して得られるフェノール樹脂などが挙げられる。
これらの硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレートが好ましい。
硬化剤は、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などの芳香環を有する酸無水物よりも、芳香環の不飽和結合のすべてを水素化した無水物が好ましい。
硬化剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、当該エポキシ基との反応可能な硬化剤中の活性基が0.4〜1.2当量となるように配合することが好ましく、0.5〜1.0当量となることがより好ましい。ここで、硬化剤中の活性基とは、エポキシ基との反応可能な基であり、具体的には、酸無水物基または水酸基である。上記活性基の当量をこの範囲内にすると、硬化速度、得られる硬化物のガラス転移温度、硬化後の強度などが良好である。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、硬化促進剤が配合される。硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるような触媒機能を有するものであれば、特に限定されることなく用いることができる。
硬化促進剤としては、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、トリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノールなどの3級アミン類;2−エチル−4メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートなどのリン化合物;4級アンモニウム塩;有機金属塩類およびこれらの誘導体などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂100質量部に対して0.01〜8質量部が好ましく、0.1〜3質量部がより好ましい。硬化促進剤の配合量をこの範囲内にすると、十分な硬化促進効果が得られ、得られる成形体の変色も抑制できる。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、無機充填剤が配合される。なお、無機充填剤として、上記白色顔料と同様のものを用いてもよい。無機充填剤として、例えば、シリカ、ガラスビーズ、酸化アンチモン、酸化チタン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレーなどのクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。
無機充填剤の平均粒径は、白色顔料とのパッキング性を向上させる観点から、1〜100μmが好ましく、1〜40μmがより好ましい。
無機充填剤の配合量は、エポキシ樹脂および硬化剤の合計量100質量部に対して1〜1000質量部が好ましく、1〜800質量部がより好ましい。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、白色顔料が配合される。白色顔料は、公知のものを用いることができ、特に限定されない。白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化カルシウム、アルミナ、酸化イットリウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
白色顔料の中心粒径は、0.1〜50μmが好ましい。中心粒径がこの範囲内であると、分散性の低下を抑制でき、また硬化物の光反射特性が向上する。
白色顔料の配合量は、特に限定されないが、LEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物全量に対して10〜85体積%が好ましく、20〜75体積%がより好ましい。白色顔料の配合量がこの範囲内であると、硬化物の光反射特性が向上し、成形性も確保できる。
また、白色顔料と無機充填剤との合計配合量が、LEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物全量に対して10〜85体積%であると、LEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物の成形性をより一層向上させることができる。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内において、さらに他の成分を配合することができる。このような成分としては、例えば、カップリング剤、離型剤、酸化防止剤などが挙げられる。
カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤およびチタネート系カップリング剤などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系、およびこれらの複合系が挙げられる。
離型剤としては、例えば、アルキルポリエーテル系ワックス、カルナバワックス、高級脂肪酸およびその金属塩、パラフィンなどを用いることができる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノールなどを用いることができる。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物は、上記した各種成分を均一に分散混合することで得ることができる。分散混合の手段や条件などは特に限定されないが、例えば、各成分を押出機、ニーダー、ロール、ミキシングロール、エクストルーダーなどによって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法を挙げることができる。
本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物は、室温付近(15〜30℃)において、加圧成形しタブレットを作製可能であり、熱硬化後の、波長350〜800nmにおける光反射率が80%以上であることが好ましい。
上記の加圧成形は、例えば、室温において、5〜50MPa、1〜5秒間程度の条件で行うことができる。
上記の光反射率が80%未満では、光半導体装置の輝度向上に充分寄与できない傾向があり、より好ましい光反射率は90%以上である。
また、耐熱劣化性を良好にする観点から、硬化後の成形物が、150℃の環境下に1000時間晒す耐熱性試験の後でも、波長350〜800nmにおいて75%以上の光反射率を保持することが好ましい。
さらに、上記の耐熱性試験後の測定時に、波長460nmにおける光反射率が80%以上となることがより好ましく、85%以上となることが特に好ましい。
本発明のLEDリフレクターは、底面および壁面から構成される凹部を有し、凹部の底面がLED素子搭載部であり、凹部の壁面の少なくとも一部が本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物の硬化物からなるものである。
図1(a)は、本発明のLEDリフレクターを用いたLED素子搭載用基板の一例を概略的に示す断面図である。このLED素子搭載用基板は、Ni/Agめっき4が形成された金属配線5と、LEDリフレクター3とを備え、Ni/Agめっき4が形成された金属配線5とLEDリフレクター3とから形成された凹部20を有している。
すなわち、凹部20の底面はNi/Agめっき4が形成された金属配線5から構成され、凹部20の壁面はLEDリフレクター3から構成される。LEDリフレクター3は、本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物の硬化物による成形体である。
LED素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、本発明の熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形により製造することができる。
より具体的には、以下の手順に従ってLED素子搭載用基板を製造することが可能である。まず、金属箔から打ち抜きやエッチングなどの公知の方法により金属配線5を形成し、電気めっきによりNi/Agめっき4を施して、リードフレームを形成する。次に、リードフレームを所定形状の金型に配置し、金型の樹脂注入口から本発明のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物(タブレット成形体の溶融物)を注入し、所定の条件でトランスファー成形する。
その後、金型をはずし、アフターキュアをして熱硬化させる。このようにして作製されるLED素子搭載用基板には、LEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物の硬化物からなるLEDリフレクター3に周囲を囲まれたLED素子搭載領域(凹部)20が形成される。
なお、上記のトランスファー成形の条件としては、例えば、金型温度170〜190℃、成形圧力5〜15MPaで60〜120秒間、アフターキュア温度120℃〜180℃で1〜3時間に設定することができる。
図1(b)および図1(c)は、本発明の表面実装型LED発光装置の一例を概略的に示す断面図である。
図1(b)および図1(c)に示すように、本発明の表面実装型LED発光装置9は、上記のLED素子搭載用基板と、LED素子搭載用基板の凹部20内に設けられたLED素子8と、凹部20を充填してLED素子8を封止する封止樹脂部1とを備えている。
封止樹脂部1は、凹部20を充填してLED素子8を封止する蛍光体6を含む透明封止樹脂から構成されている。LED素子8と金属配線5とは、Ni/Agメッキ4を介してボンディングワイヤ2またははんだバンプ7により電気的に接続されている。
図1(d)は、本発明の表面実装型LED発光装置の別の例を概略的に示す断面図である。
この例では、LEDリフレクター13が形成されたリード14上の所定位置にダイボンド材16を介してLED素子10が配置され、LED素子10とリード14とがボンディングワイヤ11によって電気的に接続されている。そして蛍光体15を含む透明封止樹脂12によってLED素子10が封止されている。また、リード14はメタル基板17を囲むように形成されている。
以上に説明したような本発明の表面実装型LED発光装置は、これを装着してLED電球などのLED照明器具に用いることができる。
以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、表1に示す配合量は質量部を表す。
表1に示す配合成分として、以下のものを用いた。
(アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂)
式(I)で表わされる、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂(出光興産(株)製)
(他のエポキシ樹脂)
・脂環式エポキシ樹脂
・トリスグリシジルイソシアヌレート(エポキシ当量100、日産化学工業(株)製「TEPIC−S」)
(硬化剤)
ヘキサヒドロ無水フタル酸(和光純薬工業(株)製)
(硬化促進剤)
テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート(日本化学工業(株)製「PX−4ET」)
(カップリング剤)
トリメトキシエポキシシラン(東レダウコーニング社製「A−187」)
(無機充填剤)
溶融シリカ(溶融球状シリカ、電気化学工業(株)製「FB−301」)
(白色顔料)
酸化チタン(ルチル型酸化チタン、タイオキサイドジャパン(株)製「Tioxide R-TC30」
(離型剤)
アルキルポリエーテル系ワックス(東洋ペトロライト社製「ユニトックス420」)
(酸化防止剤)
ヒンダードフェノール
表1に示す各配合成分を、表1に示す割合で配合し、配合物をミキサーによって十分に混合してからミキシングロールによって所定条件で溶融混練し、冷却してから粉砕して、実施例1〜3および比較例1〜3のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物を成形金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、キュア時間90秒の条件でトランスファー成形した後、150℃で2時間ポストキュアして、円盤状の試験片を作製した。
試験片の初期反射率、150℃での反射率経時変化(168h経過後、1000h経過後)を反射率測定器(株式会社日立ハイテクノロジーズ製分光光度計)で測定した。
評価結果を表1に示す。
Figure 2013163777
表1より、エポキシ樹脂として、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂を配合した実施例1〜3では、これを配合しなかった比較例1〜3に比べて、LEDリフレクターの熱劣化による変色が小さく、熱による反射率低下を抑制することができた。
3,13 LEDリフレクター
9 表面実装型LED発光装置

Claims (4)

  1. エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、および白色顔料を含有するLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂として、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂を含有することを特徴とするLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物。
  2. 請求項1に記載のLEDリフレクター用エポキシ樹脂組成物を成形したものであることを特徴とするLEDリフレクター。
  3. 請求項2に記載のLEDリフレクターを備えることを特徴とする表面実装型LED発光装置。
  4. 請求項3に記載の表面実装型LED発光装置を備えることを特徴とするLED照明器具。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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