JP2011525299A5

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Info

Publication number: JP2011525299A5
Application number: JP2011508543A
Authority: JP
Filing date: 2009-04-22
Publication date: 2012-06-07
Anticipated expiration: 2029-04-22

Claims

チャンバ外圧と異なってよいチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の第１の導電性表面と、
前記処理チャンバ内の第２の導電性表面と、
ガス入口組立体であって、
プロセスガスを導くための、入口ポート中の第１の流路と、
前記プロセスガスを励起するための、遠隔プラズマシステムと、
処理ガスを導くための、入口ポート中の第２の流路と、
を含み、
前記第２の流路は処理ガスが、プロセスガスを励起するための前記遠隔プラズマシステムをバイパスして、処理チャンバに入るようにする、ガス入口組立体と、
前記第１の導電性表面と前記第２の導電性表面の間に配置されて、第１のプラズマ領域および第２のプラズマ領域とを画定するシャワーヘッドであって、
前記第１の導電性表面との間に前記第１のプラズマ領域が配置されており、
前記第２の導電性表面との間に前記第２のプラズマ領域が配置されており、
導電性材料を含み、電気スイッチにより電気的接続が行われない限り前記第１の導電性表面から電気絶縁されており、
電気スイッチにより電気的接続が行われない限り前記第２の導電性表面から電気絶縁され、
間に容積を有する上部マニフォルドと下部マニフォルドを含み、ガスが上部マニフォルドと下部マニフォルドの間に送出され、下部マニフォルドを通って基板処理領域へ流れる、シャワーヘッドと
を備える、基板処理システム。
前記シャワーヘッドが前記第１の導電性表面と類似の電位にあることにより、前記第１のプラズマ領域内にほとんどプラズマがない、請求項１に記載の基板処理システム。
前記シャワーヘッドが前記第２の導電性表面と類似の電位にあることにより、前記第２のプラズマ領域内にほとんどプラズマがない、請求項１に記載の基板処理システム。
前記電気スイッチが前記処理チャンバの外側にある、請求項１に記載の基板処理システム。
前記第２の導電性表面が電気的アースに保持されており、前記電気スイッチが少なくとも２つの取り得る位置を有し、
前記電気スイッチの第１の位置が、無線周波電源を前記第１の導電性表面に接続し、電気的アースを前記シャワーヘッドに接続して、前記第１のプラズマ領域内で第１のプラズマを形成し、
前記電気スイッチの第２の位置が、前記無線周波電源を前記シャワーヘッドに接続し、電気的アースを前記第２の導電性表面に接続して、前記第２のプラズマ領域内で第２のプラズマを形成する、
請求項１に記載の基板処理システム。
前記処理チャンバに結合されて、前記処理チャンバから材料を除去するポンプシステムを備える、請求項１に記載の基板処理システム。
前記処理チャンバの外部にあり、前記第１のプラズマ領域に流体結合された遠隔プラズマシステムを備えており、前記遠隔プラズマシステムが、励起状態にある反応物を含むガスを前記第１のプラズマ領域に供給する、請求項１に記載の基板処理システム。
前記上部マニフォルドが、上部マニフォルドと下部マニフォルドの間の容積に送出されるガスが、上部マニフォルドを通って上に流れるのを防ぐようになっている、請求項１に記載の基板処理システム。
別々のプラズマ領域に仕切られた処理チャンバであって、
前記処理チャンバを、それぞれが別々のプラズマを収容するように働くことが可能な第１のプラズマ領域と第２のプラズマ領域に分割する仕切りと、
ガスが前記第１のプラズマ領域から前記第２のプラズマ領域に通過できるようにするための前記仕切りの複数の孔と、
前記第２のプラズマ領域の一部分を占有する基板ペデスタルと
を備える、処理チャンバ。
前記第１のプラズマ領域および前記第２のプラズマ領域内のプラズマが容量結合型である、請求項９に記載の処理チャンバ。
プロセスガスを前記第１のプラズマ領域に供給するためのガス入口を備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
前記ガス入口が、励起状態にあるプロセスガスを前記第１のプラズマ領域に供給するように動作可能な遠隔プラズマシステムに結合されている、請求項１１に記載の処理チャンバ。
前記ガス入口が、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ_２、ＮＨ_３、ＮＨ_４ＯＨ、Ｎ_ｘＨ_ｙ、シラン、ジシラン、ＴＳＡ、ＤＳＡ、Ｈ_２、Ｎ_２、Ｈ_２Ｏ_２、および水蒸気からなる群から選択される少なくとも１種のガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに供給するように動作可能な流体供給システムに流体結合されている、請求項１１に記載の処理チャンバ。
前記第２のプラズマ領域内で前記基板ペデスタルの上方に配置されたノズルであって、プロセスガスを前記第２のプラズマ領域に送出するように動作可能な１つまたは複数のノズルを備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
前記１つまたは複数のノズルが、炭素およびシリコン含有前駆体を処理チャンバに供給するように動作可能な流体供給システムに流体結合されている、請求項１４に記載の処理チャンバ。