JP2011523227A - 2重ハードマスク層を使用したcmosイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (19)
- CMOSイメージセンサの製造方法であって、
画素領域および論理領域が規定された基板上にゲート導電層を形成するステップと、
前記画素領域の前記ハードマスクパターンの厚さが、前記論理領域の前記ハードマスクパターンの厚さより厚いような様式で、前記ゲート導電層上にハードマスクパターンを形成するステップと、
前記ハードマスクパターンをエッチングバリアとして使用して、前記ゲート導電層をエッチングすることにより、前記画素領域および前記論理領域にゲートパターンを形成するステップと、
前記論理領域に残っている前記ハードマスクパターンを除去するステップと、
前記論理領域にシリサイドを形成するステップと、
を含む、方法。 - 前記ハードマスクパターンを形成する前記ステップが、
前記ゲート導電層の表面全体に第1のハードマスク層を形成するステップと、
前記論理領域の前記第1のハードマスク層を選択的に除去するステップと、
前記画素領域に残っている第1のハードマスク層を含む得られた構造の表面全体に第2のハードマスク層を形成するステップと、
同時に、フォトレジストパターンをエッチングバリアとして使用して、前記第1および第2のハードマスク層をエッチングするステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2のハードマスク層の厚さが前記第1のハードマスク層の厚さより薄い、請求項2に記載の方法。
- 前記第1および第2のハードマスク層が酸化物層を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記酸化物層がLPTEOS(低圧CVDテトラエチルオルトシリケート)を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1のハードマスク層が、エッチングバリアとして、前記画素領域を覆い、前記論理領域を露出させる、フォトレジストパターンを使用して、前記第1のハードマスク層をエッチングすることにより前記論理領域で選択的に除去される、請求項2に記載の方法。
- 前記エッチングバリアとして前記フォトレジストパターンを使用して行われる前記エッチング処理において、ウェットエッチング処理が含まれる、請求項6に記載の方法。
- 前記第1および第2ハードマスク層がプラズマドライエッチング処理により同時にエッチングされる、請求項2に記載の方法。
- 前記論理領域に残っている前記ハードマスクパターンがウェットエッチング処理により除去される、請求項1に記載の方法。
- CMOSイメージセンサの製造方法であって、
画素領域および論理領域が規定された基板上にゲート導電層を形成するステップと、
前記画素領域の前記ハードマスク層の厚さが、前記論理領域の前記ハードマスク層の厚さより厚いような様式で、前記ゲート導電層上にハードマスク層を形成するステップと、
前記ハードマスク層上に有機反射防止層を形成するステップと、
前記有機反射防止層上に第1のフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記第1のフォトレジストパターンをエッチングバリアとして使用して、前記有機反射防止層および前記ハードマスク層をエッチングするステップと、
前記ハードマスク層をエッチングバリアとして使用して前記ゲート導電層をエッチングすることにより、前記画素領域および前記論理領域にゲートパターンを形成するステップと、
前記論理領域に残っている前記ハードマスク層を除去するステップと、
前記論理領域にシリサイドを形成するステップと、
を含む、方法。 - 前記ハードマスク層を形成する前記ステップが、
前記ゲート導電層の表面全体に第1のハードマスク層を形成するステップと、
前記論理領域の前記第1のハードマスク層を選択的に除去するステップと、
前記画素領域に残っている第1のハードマスク層を含む得られた構造の表面全体に第2のハードマスク層を形成するステップと、
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記第2のハードマスク層の厚さが前記第1のハードマスク層の厚さより薄い、請求項11に記載の方法。
- 前記第1および第2のハードマスク層がLPTEOS(低圧CVDテトラエチルオルトシリケート)を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1のハードマスク層が、エッチングバリアとして前記画素領域を覆い、前記論理領域を露出させる、第2のフォトレジストパターンを使用して、前記第1のハードマスク層をエッチングすることにより前記論理領域で選択的に除去される、請求項11に記載の方法。
- 前記エッチングバリアとして前記第2のフォトレジストパターンを使用して行われる、前記エッチング処理にウェットエッチング処理が含まれる、請求項14に記載の方法。
- 前記有機反射防止層および前記ハードマスク層がプラズマドライエッチング処理によりエッチングされる、請求項10に記載の方法。
- 前記有機反射防止層が酸素ベースのガスを使用してエッチングされる、請求項16に記載の方法。
- 前記ハードマスク層がフッ素ベースのガスを使用してエッチングされる、請求項16に記載の方法。
- 前記論理領域に残っている前記ハードマスク層がウェットエッチング処理により除去される、請求項10に記載の方法。
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