JP5226863B2 - 2重ハードマスク層を使用したcmosイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Claims (18)
- イメージセンサの製造方法であって、
イメージセンサ基板の画素領域と論理領域の両方の上に、ゲート導電層を形成するステップと、
前記画素領域の前記ハードマスクパターンが、前記論理領域の前記ハードマスクパターンより厚くなるように、前記ゲート導電層上にハードマスクパターンを形成するステップと、
前記画素領域および前記論理領域に、ゲートパターンを形成するために、前記ハードマスクパターンをエッチングバリアとして使用して、前記ゲート導電層をエッチングするステップと、
前記論理領域に残っている前記ハードマスクパターンを除去するステップと、
前記論理領域にシリサイドを形成するステップと
を含む、方法。 - 前記ハードマスクパターンを形成するステップが、
前記ゲート導電層上に第1のハードマスク層を形成するステップと、
前記論理領域上の前記第1のハードマスク層を選択的に除去するステップと、
前記画素領域の前記第1のハードマスク層と前記論理領域の前記ゲート導電層の両方の上に、第2のハードマスク層を形成するステップと、
前記第2のハードマスク層上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングバリアとして使用して、前記第1のハードマスク層および前記第2のハードマスク層をエッチングするステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2のハードマスク層を形成するステップは、前記第1のハードマスク層より薄い前記第2のハードマスク層を形成するステップを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のハードマスク層を形成するステップは、TEOS(テトラエチルオルトシリケート)の低圧化学気相成長による前記第1のハードマスク層を形成するステップを含み、
前記第2のハードマスク層を形成するステップは、TEOS(テトラエチルオルトシリケート)の低圧化学気相成長による前記第2のハードマスク層を形成するステップを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記論理領域上の前記第1のハードマスク層の前記選択的に除去ステップは、
前記画素領域を覆い、前記論理領域を露出させる前記第1のハードマスク層上に別のフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記別のフォトレジストパターンをエッチングバリアとして使用して、前記第1のハードマスク層をエッチングするステップと
を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記第1のハードマスク層を前記エッチングするステップは、ウェットエッチング処理を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記第1のハードマスク層および前記第2のハードマスク層を前記エッチングするステップは、プラズマドライエッチング処理を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記ハードマスクパターンの前記除去するステップは、ウェットエッチング処理を含む、請求項1に記載の方法。
- イメージセンサの製造方法であって、
イメージセンサ基板の画素領域と論理領域の両方の上に、ゲート導電層を形成するステップと、
前記画素領域の前記ハードマスク層が、前記論理領域の前記ハードマスク層より厚くなるように、前記ゲート導電層上にハードマスク層を形成するステップと、
前記ハードマスク層上に有機反射防止層を形成するステップと、
前記有機反射防止層上に第1のフォトレジストパターンを形成するステップと、
ハードマスクパターンを形成するために前記第1のフォトレジストパターンをエッチングバリアとして使用して、前記有機反射防止層および前記ハードマスク層をエッチングするステップと、
前記画素領域と前記論理領域の両方にゲートパターンを形成するために、前記ハードマスクパターンをエッチングバリアとして使用して、前記ゲート導電層をエッチングするステップと、
前記論理領域に残っている前記ハードマスクパターンを除去するステップと、
前記論理領域にシリサイドを形成するステップと、
を含む、方法。 - ハードマスク層を前記形成するステップが、
前記ゲート導電層上に第1のハードマスク層を形成するステップと、
前記論理領域上の前記第1のハードマスク層を選択的に除去するステップと、
前記画素領域の前記第1のハードマスク層と前記論理領域の前記ゲート導電層の両方の上に、第2のハードマスク層を形成するステップと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第2のハードマスク層を前記形成するステップは、前記第1のハードマスク層より薄い前記第2のハードマスク層を形成するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1のハードマスク層を形成するステップは、TEOS(テトラエチルオルトシリケート)の低圧化学気相成長による前記第1のハードマスク層を形成するステップを含み、
前記第2のハードマスク層を形成するステップは、TEOS(テトラエチルオルトシリケート)の低圧化学気相成長による前記第2のハードマスク層を形成するステップを含む、
請求項10に記載の方法。 - 前記論理領域上の前記第1のハードマスク層を前記選択的に除去するステップは、
前記画素領域を覆い、前記論理領域を露出させる前記第1のハードマスク層上に第2のフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記第2のフォトレジストパターンをエッチングバリアとして使用して、前記第1のハードマスク層をエッチングするステップと
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記第1のハードマスク層を前記エッチングするステップは、ウェットエッチング処理を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記有機反射防止層および前記ハードマスク層を前記エッチングするステップは、プラズマドライエッチング処理を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記有機反射防止層および前記ハードマスク層を前記エッチングするステップは、酸素ベースのガスを使用した前記有機反射防止層のエッチングするステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記有機反射防止層および前記ハードマスク層を前記エッチングするステップは、フッ素ベースのガスを使用した前記ハードマスク層のエッチングを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記ハードマスクパターンを前記除去するステップは、ウェットエッチング処理を含む、請求項9に記載の方法。
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