JP2011508244A - 一体型光起電力を有するディスプレイ - Google Patents

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Abstract

ディスプレイの前面上および/または裏面上に一体化されたパターン化光起電力(PV)材料(81)を有するディスプレイが開示される。光は、ディスプレイ内の非アクティブ区域(103)を通って、ディスプレイの背後に位置するPV材料(81)に到達することができる。ディスプレイで発生された光も、ディスプレイの背後のPV材料(81)に到達することができる。ディスプレイの前に位置するパターン化PV材料(81)が、周辺光ならびにディスプレイで発生された光の両方を集めることができる。

Description

本発明は、一般にアクティブに画像を表示するためのディスプレイデバイスに関する。
アクティブディスプレイは、完全に、または部分的に、反射性、透過性、もしくは放射性のピクセルで作製され得る。したがって、ディスプレイは、入射する周辺光を完全に、もしくは部分的に反射することによって動作するピクセル、発光性であるピクセル、または光がディスプレイの内部から発生して透過性ピクセルに投射される透過性ピクセルを用いて画像を発生してよい。反射性のディスプレイ技術は、液晶、MEMS(干渉型変調器など)、電気泳動(eインクまたはeペーパーなど)、および反射された周辺光を用いて画像を発生する他のディスプレイ技術を含んでよいが、これらには限定されない。放射性ディスプレイは、液晶ディスプレイ(LCD)もしくは薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(TFT LCD)、または真空蛍光ランプ、発光ダイオードLED、有機発光ダイオード(OLED)などのアクティブなピクセル自体が光を発生もしくは放射するディスプレイ、または表面電界ディスプレイなど、アクティブな透過性ピクセルを照光するためのバックライトを有するディスプレイを含む。
ディスプレイは、干渉型変調器などのMEMSデバイスを含むことができる。本明細書で用いられる用語、干渉型変調器または干渉型光変調器は、光学的干渉の原理を用いて、光を選択的に吸収および/または反射するデバイスを指す。いくつかの配置では、干渉型変調器は1対の導電性プレートを備えてよく、その一方または両方が、全体的または部分的に透明および/または反射性であり得て、適切な電気信号を印加したとき相対的な動作をすることができる。例えば、一方のプレートが、基板上に堆積された静止層を備えてよく、もう一方のプレートが、空隙によって静止層から分離された金属膜を備えてよい。本明細書でより詳細に説明されるように、一方のプレートの、もう一方のプレートに対する位置によって、干渉型変調器上に入射する光の光学的干渉が変化され得る。そのようなデバイスには広範囲の用途があり、既存の製品の改善およびまだ開発されていない新製品の創出にそれらの特徴が利用され得るように、これらのタイプのデバイスの特性を利用および/または変更することができれば、当技術分野において有益であろう。
一実施形態では、ディスプレイデバイスは、前面へ画像を表示し、前面の反対側に裏面を有する。ディスプレイデバイスは、ディスプレイおよび光電池を含む。ディスプレイはアレイ領域を含み、アレイ領域はアクティブなピクセル区域および非アクティブ区域を含む。光電池は、光起電力材料を含む。光起電力材料は、アレイ領域の前面および裏面のうちの1つの上に形成される。光起電力材料は、パターニングされる。
別の実施形態では、ディスプレイデバイスを製造する方法が提供される。ディスプレイデバイスは、前面へ画像を表示するように構成され、前面の反対側に裏面を有する。この方法は、アレイ領域を備えるディスプレイを設けるステップを含む。アレイ領域は、アクティブなピクセル区域および非アクティブ区域を備える。この方法は、アレイ領域の前面および裏面のうちの1つの上に、パターン化光起電力材料を配置するステップも含む。
さらに別の実施形態では、電気に変換するための光を集める方法が提供される。この方法は、ディスプレイのアレイ領域の前面および裏面のうちの1つで、パターン化光起電力材料に光を受け取るステップを含む。この方法は、光を電気に変換するステップも含む。
代替実施形態では、ディスプレイデバイスは、前面へ画像を表示し、前面の反対側に裏面を有する。このディスプレイデバイスは、可変画素化された画像を表示するための手段および光を電気に変換するための手段を含む。変換手段は、表示手段の前面および裏面のうちの1つの上にパターニングされ配置される。
本明細書に開示される例示的実施形態は、添付の概略図に示され、これらは説明の目的だけのものである。以下の図は、必ずしも原寸に比例しない。
干渉型変調器ディスプレイの一実施形態の一部分を示す等角図であり、第1の干渉型変調器の可動反射層が緩和位置にあり、第2の干渉型変調器の可動反射層が作動位置にある。 3×3の干渉型変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。 図1の干渉型変調器の1つの例示的実施形態に関する可動ミラー位置対印加電圧の図である。 干渉型変調器ディスプレイを駆動するのに用いることができる1組の行と列との電圧の図である。 図2の3×3の干渉型変調器ディスプレイに表示データのフレームを書き込むのに使用され得る行と列との信号に関する1つの例示的タイミング図である。 図2の3×3の干渉型変調器ディスプレイに表示データのフレームを書き込むのに使用され得る行と列との信号に関する1つの例示的タイミング図である。 複数の干渉型変調器を備えるビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。 複数の干渉型変調器を備えるビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。 図1のデバイスの断面図である。 干渉型変調器の代替実施形態の断面図である。 干渉型変調器の別の代替実施形態の断面図である。 干渉型変調器のさらに別の代替実施形態の断面図である。 干渉型変調器のさらなる代替実施形態の断面図である。 干渉型変調器のアレイの底面図である。 pn接合を備える光電池の概略図である。 堆積された薄膜光起電力活性材料を備える光電池を概略的に示すブロック図である。 インターフェロメトリー(interferometrically)で機能強化された光起電力スタックを備える光電池を概略的に示すブロック図である。 アクティブなピクセルのアレイおよびピクセル間の非アクティブ区域を有するディスプレイを示す図である。 アクティブなピクセルのアレイおよび非アクティブ区域を有するディスプレイの、非アクティブ区域内の外部光の可能な光源を示す目的の概略断面図である。 パターン化PVブラックマスクがアクティブなピクセルの前に形成された、アクティブなピクセルのアレイおよび非アクティブ区域を有するディスプレイの概略断面図である。 パターン化PVブラックマスクがアクティブなピクセルの背後に形成された、アクティブなピクセルのアレイおよび非アクティブ区域を有するディスプレイの概略断面図である。 アレイの背後にパターン化PVブラックマスクが形成された干渉型アレイの概略等角図である。 一体型前面PVブラックマスクを有する干渉型変調器の一実施形態の概略断面図である。 一体型裏面PVブラックマスクを有する干渉型変調器の別の実施形態の概略断面図である。 PVブラックマスクを作製する方法の一実施形態における最初のステップを示す概略断面図である。 光起電力材料をパターニングしてPVブラックマスクを形成するための実施形態、およびパターン化PVブラックマスクの絶縁されたフィーチャを相互に接続する方法を示す概略断面図である。 光起電力材料をパターニングしてPVブラックマスクを形成するための実施形態、およびパターン化PVブラックマスクの絶縁されたフィーチャを相互に接続する方法を示す概略断面図である。
本明細書で特定の実施形態および実施例が論じられているが、この斬新な内容は、具体的に開示された実施形態を越えて、他の代替実施形態および/または発明の用途ならびにその明白な変更形態および等価物へ広がることが理解される。本明細書で開示される本発明の範囲は、特定の開示された実施形態によって限定されるべきでないことが意図されている。したがって、例えば、本明細書で開示されるあらゆる方法またはプロセスにおいて、方法/プロセスを構成する行動または動作は、任意の適当な順序で実行されてよく、いかなる特定の開示された順序にも限定する必要がない。実施形態の様々な態様および利点が、必要に応じて説明されている。そのような態様または利点は、任意の特定の実施形態において、必ずしもすべてが実現されるものではないことを理解されたい。したがって、例えば、本明細書で教示される1つの利点または利点の群を、本明細書で教示または提案された他の態様または利点を必ずしも実現することなく実現または最適化するやり方で、様々な実施形態が実行され得ることを理解されたい。以下の詳細な説明は、本発明の特定の具体的実施形態を対象とするものである。しかし、本発明は、多数の様々なやり方で具現することができる。本明細書で説明される実施形態は、広範囲のディスプレイデバイスで実施されてよい。
本明細書では図が参照され、すべての図にわたって、同じ部品は同じ数字で示される。本発明の実施形態は、動いている画像(例えばビデオ)でも静止している画像(例えば静止画)でも、テキストでも画像でも、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実施されてよい。より詳細には、本発明の実施形態は、移動電話、ワイヤレスデバイス、携帯情報端末(PDA)、携帯用コンピュータまたは持ち運び可能なコンピュータ、GPSの受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動ディスプレイ(例えば走行距離計ディスプレイなど)、コックピットの制御および/またはディスプレイ、カメラの視界のディスプレイ(例えば自動車のリヤビューカメラのディスプレイ)、電子写真、電子掲示板または電子標識、プロジェクタ、建築物、包装、および美術的構造(例えば宝石類上の画像表示)など、しかしこれらに限定されない様々な電子デバイスにおいて、あるいはその様々な電子デバイスに関連して、実施され得るように企図されている。
光起電力(PV)材料は、放射性、透過性、および反射性または部分反射性(半透過性(transflective))のディスプレイなどのアクティブディスプレイと一体化される。PV材料は、間隙、空間、穴、スペーサ、柱、支柱、レール、あるいは空気、二酸化ケイ素または他の材料などの透明または半透明の材料から形成された他の支持構造物などのディスプレイの非アクティブ区域の光を集めるようにパターニングされる。PV材料は、ディスプレイの前または背後に形成されてよい。PV材料は、ディスプレイの非アクティブ区域のうちの少なくともいくつかに対応するパターンに形成されてよい。
最初に、図1〜図7Fは、干渉型変調器(IMOD)ディスプレイのいくつかの基本原理を示す。図8〜図9は、PV電池およびデバイスのいくつかの基本原理を示す。図10〜図17Bは、ディスプレイが、IMODの非アクティブ区域または他のタイプのディスプレイをマスキングする働きをするパターン化光起電力(PV)材料と一体化された実施形態を示す。
干渉計MEMS表示素子を備える1つの干渉型変調器ディスプレイの実施形態が、図1に示されている。これらのデバイスでは、ピクセルは明状態または暗状態のいずれかにある。ディスプレイ素子は、明状態(「緩和状態」または「開状態」)では、入射する可視光の大部分をユーザへ反射する。ディスプレイ素子は、暗状態(「作動状態」または「閉状態」)のとき、入射する可視光のほとんどをユーザへ反射しない。実施形態次第で、「オン状態」の光反射率特性と「オフ状態」の光反射率特性とが逆転されてよい。MEMSピクセルは、選択された色で主に反射するように構成され得て、白黒表示に加えてカラー表示が可能になる。
図1は、ビジュアルディスプレイの一連のピクセルの中の2つの隣接ピクセルを示す等角図であり、各ピクセルがMEMS干渉型変調器を備える。いくつかの実施形態では、干渉型変調器ディスプレイは、これらの干渉型変調器の行/列のアレイを備える。各干渉型変調器は、互いから制御可能な可変距離に配置された1対の反射層を含み、少なくとも1つの可変寸法を有する共振する光学ギャップを形成する。一実施形態では、反射層のうちの1つが、2つの位置の間で移動されてよい。本明細書で緩和位置と称される第1の位置では、可動反射層は、固定された部分的反射層から比較的大きな距離に配置される。本明細書で作動位置と称される第2の位置では、可動反射層は、部分的反射層のより近くに隣接して配置される。2つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置次第で、建設的または相殺的に干渉し、各ピクセルに全面的な反射状態または非反射状態をもたらす。
図1のピクセルアレイの示された部分は、2つの隣接した干渉型変調器12aおよび12bを含む。左側の干渉型変調器12aでは、可動反射層14aが、部分的反射層を含む光学積層体16aから所定距離の緩和位置に示されている。右側の干渉型変調器12bでは、可動反射層14bが、光学積層体16bに隣接した作動位置に示されている。
光学積層体16aおよび16b(まとめて光学積層体16と称される)は、本明細書で参照されたように、インジウムスズ酸化物(ITO)などの電極層、クロムなどの部分的反射層、および透明誘電体を含むことができるいくつかの融合層を一般に備える。したがって、光学積層体16は、導電性であり、部分的透過性であり、部分的に反射性であって、例えば、透明基板20上に上記の層の1つまたは複数を堆積することにより製作され得る。部分的反射層は、様々な金属、半導体、および誘電体など、部分的に反射性の様々な材料から形成することができる。部分的反射層は、材料の1つまたは複数の層から形成することができ、層のそれぞれは、単一の材料または材料の組合せから形成され得る。
いくつかの実施形態では、光学積層体16の層は平行な細長片にパターニングされ、以下でさらに説明されるように、ディスプレイデバイス内の行電極を形成してよい。支柱18および支柱18の間に堆積された介在する犠牲材料の上部に堆積されて列を形成する一連の平行な細長片の1つまたは複数の堆積された金属層(16a、16bの行電極に直交する)として、可動反射層14a、14b(「ミラー」または「反射器」としても知られている)が形成されてよい。犠牲材料がエッチングで除去されるとき、可動反射層14a、14bは、画定された間隙19によって、光学積層体16a、16bから分離される。アルミニウムなどの高導電性かつ反射性の材料が反射層14に用いられてよく、これらの細長片がディスプレイデバイスの列電極を形成してよい。図1が原寸に比例していない可能性があることに留意されたい。いくつかの実施形態では、支柱18間の間隔は10〜100μm程度でよく、一方、間隙19は1000オングストローム未満程度でよい。部分的反射層も、光吸収器と称されてよい。したがって、いくつかの実施形態では、アクティブな干渉型変調器は、可変の光キャビティまたは間隙によって分離された吸収器および反射器を備えると言える。
図1のピクセル12aによって示されるように、印加電圧がないとき、可動反射層14aと光学積層体16aとの間に間隙19が残り、可動反射層14aは、機械的に緩和状態にある。しかし、選択された行と列とに電位(電圧)差が印加されたとき、対応するピクセルの行電極と列電極の交点に形成されたコンデンサが充電されて、静電力が電極を互いに引き寄せる。電圧が十分に高いと、可動反射層14は、変形して光学積層体16に押しつけられる。図1の右側の作動されたピクセル12bによって示されるように、光学積層体16内の誘電体層(この図には示されていない)が、短絡を防止し、層14と16との間の分離距離を制御することができる。印加電位差の極性にかかわらず、その挙動は同一である。
図2から図5は、ディスプレイ用途で干渉型変調器のアレイを用いる1つの例示的プロセスおよびシステムを示す。
図2は、干渉型変調器を組み込むことができる電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。電子デバイスは、ARM(登録商標)、Pentium(登録商標)、8051、MIPS(登録商標)、Power PC(登録商標)、またはALPHA(登録商標)、あるいはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、またはプログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサなど、任意の汎用シングルチップマイクロプロセッサまたは汎用マルチチップマイクロプロセッサでよいプロセッサ21を含む。当技術分野では普通のことであるが、プロセッサ21は、1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されてよい。プロセッサは、オペレーティングシステムの実行に加えて、ウェブブラウザ、電話のアプリケーション、電子メールプログラム、または任意の他のソフトウェアアプリケーションを含む1つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されてよい。
一実施形態では、プロセッサ21は、アレイドライバ22と通信するようにも構成される。一実施形態では、アレイドライバ22は、ディスプレイアレイまたはパネル30へ信号を供給する行駆動回路24および列駆動回路26を含む。図1に示されたアレイの断面は、図2ではライン1−1で示されている。図2は、明瞭さのために干渉型変調器の3×3のアレイを示すが、ディスプレイアレイ30は、極めて多数の干渉型変調器を含んでよく、また、行と列とで異なる干渉型変調器の数(例えば1行当たり300ピクセル×1列当たり190ピクセル)を有してよいことに留意されたい。
図3は、図1の干渉型変調器の1つの例示的実施形態に関する可動ミラー位置対印加電圧の図である。MEMS干渉型変調器の場合、行/列作動プロトコルは、図3に示されたそれらのデバイスのヒステリシス特性を利用してよい。例えば、干渉型変調器は、可動層を緩和状態から作動状態へ変形させるのに10ボルトの電位差を必要とすることがある。しかし、電圧が10ボルトから低下したとき、可動層は、その電圧が10ボルト未満に低下するのでその状態を維持する。図3の例示的実施形態では、電圧が2ボルト未満に低下するまでは、可動層が完全に緩和することはない。したがって、図3に示された実施例では、約3〜7Vの電圧の範囲が存在してそこに印加電圧のウィンドウが存在し、この範囲内では、デバイスは、緩和状態または作動状態のどちらであっても安定している。これは、本明細書では「ヒステリシスウィンドウ」または「安定ウィンドウ」と称される。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合、行ストローブの間、ストローブされた行の作動するべきピクセルが約10ボルトの電圧差を受け、緩和されるべきピクセルがゼロボルトに近い電圧差を受けるように、行/列の作動プロトコルを設計することができる。ストローブの後、諸ピクセルは、行ストローブによってそれらが置かれた状態がどちらであっても、その状態にとどまるように、約5ボルトの定常状態またはバイアス電圧差を受ける。書き込まれた後に、各ピクセルは、この実施例では3〜7ボルトの「安定ウィンドウ」内の電位差を経験する。この特徴によって、既存の作動状態または緩和状態において同一印加電圧の条件下で、図1に示されたピクセルの設計が安定したものになる。干渉型変調器の各ピクセルは、作動状態でも緩和状態でも、基本的に固定反射層および可動反射層によって形成されたコンデンサであるので、この安定状態は、ヒステリシスウィンドウ内の電圧で、ほぼ電力損失なしで維持することができる。基本的に、印加される電位が固定されていると、ピクセルに電流が流れ込むことがない。
以下でさらに説明されるように、一般的な用途では、第1行の作動されたピクセルの所望の組の通りに列電極の組の両端に1組のデータ信号(それぞれが特定の電圧レベルを有する)を送ることにより、画像のフレームが作成され得る。次いで、このデータ信号の組に対応するピクセルを作動させる第1行の電極に、行パルスが印加される。次いで、このデータ信号の組は、第2列の作動されたピクセルの所望の組に対応するように変化される。次いで、第2行の電極にパルスが印加され、データ信号に従って第2行の適切なピクセルを作動させる。第1行のピクセルは第2行のパルスに影響されず、第1行のパルスの間に設定された状態のままである。これは、フレームを生成するために、逐次的なやり方で、すべての行に関して繰り返されてよい。一般に、1秒当たりいくつかの所望のフレーム数で、絶えずこのプロセスを繰り返すことにより、フレームが、新規の画像データでリフレッシュおよび/または更新される。画像フレームを生成するのに、ピクセルアレイの行および列の電極を駆動するための多種多様なプロトコルが用いられてよい。
図4および図5は、図2の3×3のアレイ上に表示フレームを作成するための1つの可能な作動プロトコルを示す。図4は、図3のヒステリシス曲線を示すピクセルに用いられ得る列と行との電圧レベルの可能な組を示す。図4の実施形態では、ピクセルの作動は、適切な列を−Vbiasに設定し、適切な行を+ΔVに設定することを含み、これらの電圧は、それぞれ−5ボルトおよび+5ボルトに相当してよい。ピクセルの緩和は、適切な列を+Vbiasに設定し、適切な行を同一の+ΔVに設定して、そのピクセルの両端にゼロボルト電位差を生成することより達成される。行電圧がゼロボルトに維持されるそれらの行では、ピクセルは、列が+Vbiasであろうと−Vbiasであろうと、元の状態に関係なく安定している。また、図4に示されるように、前述のものと逆極性の電圧を用いることができ、例えば、ピクセルの作動は、適切な列を+Vbiasに設定し、適切な行を−ΔVに設定することを含むことができる。この実施形態では、ピクセルの解放は、適切な列を−Vbiasに設定し、適切な行を同一の−ΔVに設定して、そのピクセルの両端にゼロボルト電位差を生成することより達成される。
図5Bは、図2の3×3のアレイに対して印加される一連の行と列との信号を示すタイミング図であり、これによって、図5Aに示されたディスプレイ機構がもたらされることになり、ここで、作動するピクセルは非反射性である。図5Aに示されたフレームを書き込む前に、ピクセルは任意の状態にあり得て、この実施例では、すべての行が最初は0ボルトであり、すべての列が+5ボルトである。これらの印加電圧で、すべてのピクセルは、それらの現在の作動状態または緩和状態で安定している。
図5Aのフレームでは、ピクセル(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)および(3,3)が作動される。これを達成するために、行1の「ライン時間」中、列1および列2が−5ボルトに設定され、列3は+5ボルトに設定される。すべてのピクセルが3〜7ボルトの安定ウィンドウにとどまるので、いかなるピクセルの状態も、これによって変化することはない。次いで、行1は、0ボルトから5ボルトまで上昇してからゼロへ戻るパルスでストローブされる。これによって、ピクセル(1,1)および(1,2)が作動し、ピクセル(1,3)が緩和する。アレイ内のその他のピクセルは影響を受けない。所望の通りに行2を設定するために、列2が−5ボルトに設定され、列1および列3が+5ボルトに設定される。次いで、行2に印加された同一のストローブによって、ピクセル(2,2)が作動し、ピクセル(2,1)および(2,3)が緩和する。同様に、アレイのその他のピクセルは影響を受けない。行3は、列2および列3を−5ボルトに設定し、列1を+5ボルトに設定することにより、同様に設定される。行3のストローブによって、行3のピクセルは、図5Aに示されるように設定される。フレームに書き込んだ後、行電位はゼロであり、列電位は+5ボルトまたは−5ボルトにとどまり得て、そのとき図5Aの機構ではディスプレイは安定している。何十または何百もの行と列とのアレイに対して、同一の手順を用いることができる。行と列との作動を実行するのに用いられる電圧のタイミング、シーケンス、およびレベルは、上記で概説された一般的な原理の範囲内で広範にわたって変化させることができ、上記の実施例は単なる例示であり、いかなる作動電圧の方法も、本明細書で説明されたシステムおよび方法とともに用いることができる。
図6Aおよび図6Bは、ディスプレイデバイス40の実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイデバイス40は、例えば携帯電話または移動式電話であり得る。しかし、ディスプレイデバイス40またはそのわずかな変形形態の同一の諸構成要素が、テレビおよび携帯用メディアプレーヤなど様々なタイプのディスプレイデバイスの実例ともなる。
ディスプレイデバイス40は、容器41、ディスプレイ30、アンテナ43、スピーカ45、入力デバイス48、およびマイクロホン46を含む。容器41は、射出成形および真空成形を含む、様々な製造プロセスのうち任意のものから一般に形成される。さらに、容器41は、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、あるいはそれらの組合せを含むがこれらに限定されない様々な材料のうちの任意のものから作製されてよい。一実施形態では、容器41は、様々な色の、あるいは様々なロゴ、画像、または記号を含む、他の取外し可能な部分と交換することができる取外し可能な部分(図示せず)を含む。
例示的ディスプレイデバイス40のディスプレイ30は、本明細書で説明されるように、双安定ディスプレイを含む様々なディスプレイの任意のものでよい。他の実施形態では、ディスプレイ30は、前述のようなプラズマ、EL、OLED、STN LCD、またはTFT LCDなどのフラットパネルディスプレイ、あるいはCRTまたは他の電子管デバイスなどの非フラットパネルディスプレイを含む。しかし、本実施形態を説明する目的のために、本明細書で説明されたように、ディスプレイ30は干渉型変調器ディスプレイを含む。
例示的ディスプレイデバイス40の一実施形態の諸構成要素が、図6Bに概略的に示されている。示された例示的ディスプレイデバイス40は容器41を含み、容器41の中に、少なくとも部分的に密封された追加の構成要素を含むことができる。例えば、一実施形態では、例示的ディスプレイデバイス40は、トランシーバ47に結合されたアンテナ43を含むネットワークインターフェイス27を含む。トランシーバ47は、プロセッサ21に接続され、プロセッサ21は、調整用ハードウェア52に接続される。調整用ハードウェア52は、信号を調整する(例えば信号をフィルタリングする)ように構成されてよい。調整用ハードウェア52は、スピーカ45およびマイクロホン46に接続される。プロセッサ21は、入力デバイス48およびドライバコントローラ29にも接続される。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28およびアレイドライバ22に結合され、アレイドライバ22は、ディスプレイアレイ30に結合される。電源50は、特定の例示的ディスプレイデバイス40の設計によって必要とされるすべての構成要素に電力を供給する。
ネットワークインターフェイス27は、アンテナ43およびトランシーバ47を含み、その結果、例示的ディスプレイデバイス40は、1つまたは複数のデバイスとネットワークで通信することができる。一実施形態では、ネットワークインターフェイス27は、プロセッサ21の要件を緩和するために、いくつかの処理能力を有してもよい。アンテナ43は、信号を送受信するための任意のアンテナである。一実施形態では、アンテナは、IEEE 802.11の(a)、(b)、または(g)を含むIEEE 802.11規格に従ってRF信号を送受信する。別の実施形態では、アンテナは、BLUETOOTH規格に従ってRF信号を送受信する。携帯電話の場合には、アンテナは、無線携帯電話ネットワーク内で通信するのに用いられるCDMA、GSM、AMPS、W−CDMA、または他の既知の信号を受信するように設計される。トランシーバ47は、アンテナ43から受信した諸信号を前処理し、その結果、それらの信号は、プロセッサ21によって受け取られてさらに操作される。トランシーバ47は、プロセッサ21から受け取った諸信号も処理し、その結果、それらの信号は、例示的ディスプレイデバイス40からアンテナ43を介して送信され得る。
代替実施形態では、トランシーバ47を受信機で置換することができる。さらに別の代替実施形態では、ネットワークインターフェイス27を画像ソースで置換することができ、画像ソースは、プロセッサ21へ送られる画像データを保存または生成することができる。例えば、画像ソースは、画像データを含むデジタルビデオディスク(DVD)またはハードディスクドライブ、あるいは画像データを生成するソフトウェアモジュールであり得る。
プロセッサ21は、一般に例示的ディスプレイデバイス40の全体の動作を制御する。プロセッサ21は、ネットワークインターフェイス27または画像ソースからの圧縮画像データなどのデータを受け取り、このデータを、未加工の画像データ、または未加工の画像データへ容易に加工されるフォーマットに加工する。次いで、プロセッサ21は、ドライバコントローラ29または記憶用のフレームバッファ28へ処理データを送る。未加工データは、一般に、画像内の各位置で画像特性を特定する情報を指す。例えば、そのような画像特性は、色、彩度、およびグレイスケールレベルを含むことができる。
一実施形態では、プロセッサ21は、例示的ディスプレイデバイス40の動作を制御するためのマイクロコントローラ、CPU、または論理演算ユニットを含む。調整用ハードウェア52は、スピーカ45に信号を伝送し、マイクロホン46から信号を受け取るための増幅器およびフィルタを一般に含む。調整用ハードウェア52は、例示的ディスプレイデバイス40内の個別部品でよく、あるいはプロセッサ21または他の構成要素内に組み込まれてもよい。
ドライバコントローラ29は、プロセッサ21によって生成された未加工の画像データを、プロセッサ21から直接受け取り、あるいはフレームバッファ28から受け取って、アレイドライバ22へ高速伝送するために、未加工の画像データを適切に再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ29は、未加工の画像データを、ディスプレイアレイ30にわたる走査に適当な時間順を有するように、ラスタ状のフォーマットを有するデータの流れへ再フォーマットする。次いで、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報をアレイドライバ22へ送る。LCDコントローラなどのドライバコントローラ29は、スタンドアローンの集積回路(IC)としてシステムプロセッサ21に関連づけられることが多いが、そのようなコントローラは多くのやり方で実施されてよい。それらはハードウェアとしてプロセッサ21に組み込まれてよく、ソフトウェアとしてプロセッサ21に組み込まれてよく、あるいは、アレイドライバ22とともにハードウェアに完全に一体化されてよい。
一般に、アレイドライバ22は、ドライバコントローラ29からフォーマットされた情報を受け取って、ビデオデータを、ディスプレイのピクセルのxyマトリクスから来る何百もの(時には何千もの)リードに対して毎秒多数回印加される波形の並行した組へ再フォーマットする。
一実施形態では、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22、およびディスプレイアレイ30は、本明細書で説明されたディスプレイのタイプのあらゆるものに適している。例えば、一実施形態では、ドライバコントローラ29は、従来型の表示コントローラまたは双安定の表示コントローラ(例えば干渉型変調器コントローラ)である。別の実施形態では、アレイドライバ22は、従来型の駆動回路または双安定の表示駆動回路(例えば干渉型変調器ディスプレイ)である。一実施形態では、ドライバコントローラ29は、アレイドライバ22と一体化される。そのような実施形態は、セル式電話、腕時計、および他の小面積ディスプレイなどの高度に集積されたシステムでは一般的である。さらに別の実施形態では、ディスプレイアレイ30は、一般的なディスプレイアレイまたは双安定のディスプレイアレイ(例えば干渉型変調器のアレイを含むディスプレイ)である。
入力デバイス48によって、ユーザが例示的ディスプレイデバイス40の動作を制御することが可能になる。一実施形態では、入力デバイス48は、QWERTYキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、押しボタン、スイッチ、タッチスクリーン、あるいは感圧性または感熱性の膜を含む。一実施形態では、マイクロホン46は、例示的ディスプレイデバイス40用の入力デバイスである。マイクロホン46がデバイスへデータを入力するのに使用されるとき、例示的ディスプレイデバイス40の動作を制御するために、ユーザによって音声命令が供給され得る。
当技術分野で周知のように、電源50は様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。例えば、一実施形態では、電源50は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の実施形態では、電源50は、再生可能エネルギー源、コンデンサ、またはプラスチック太陽電池および太陽電池塗料を含む太陽電池である。別の実施形態では、電源50は、壁付きコンセントから電力を受け取るように構成される。
いくつかの実装形態では、前述のように、制御プログラムの機能は、電子表示システムでいくつかの場所に配置され得るドライバコントローラ内に存在する。場合によっては、制御プログラムの機能は、アレイドライバ22内に存在する。前述の最適化は、任意数のハードウェア構成要素および/またはソフトウェア構成要素で、また様々な構成で実施され得る。
上記で説明された原理に従って動作する干渉型変調器の構造の詳細は、変化に富むものであり得る。例えば、図7A〜図7Eは、可動反射層14およびその支持構造の5つの別々の実施形態を示す。図7Aは図1の実施形態の断面であり、機械的反射層および可動反射層の両方の働きをする細長い金属材料14が、垂直に伸びる支持体18上に堆積される。図7Bでは、各干渉型変調器の可動反射層14は、正方形または長方形であり、支持体18に隅でのみテザー32に接して取り付けられている。図7Cでは、可動反射層14は、正方形または長方形であり、柔軟金属を含み得る変形可能な層34から懸垂される。変形可能な層34は、変形可能な層34の周辺の辺りの基板20に直接的または間接的に接続する。これらの接続は、本明細書では支持体18と称され、支柱、レールまたは壁の形式をとることができる。図7Dに示された実施形態では、支持体18が支柱栓42を含み、その上に変形可能な層34が支えられている。図7A〜図7Cのように、可動反射層14は光キャビティまたは間隙の上に懸垂されたままであるが、変形可能な層34と光学積層体16との間の穴を充填することによって変形可能な層34が支持体を形成するわけではない。むしろ、支持体18は、支柱栓42を形成するのに用いられる平坦化材料から形成される。図7Eに示された実施形態は、図7Dに示された実施形態に基づくものであるが、図7A〜図7Cに示された実施形態のうちの任意のもの、ならびに図には示されていない追加の実施形態を扱うように適合させることもできる。図7Eに示される実施形態では、バス構造44を形成するために金属または他の導電材料の追加の層が用いられている。これによって、干渉型変調器の背部に沿った信号のルーティングが可能になり、基板20上にいくつもの電極を形成する必要性が解消される。
図7A〜Eに示されたような実施形態では、干渉型変調器が直視型デバイスとして機能し、画像は、透明基板20の前面(干渉型変調器が配置される面の反対側)から見られる。これらの実施形態では、反射層14が、基板20の反対側の反射層側の干渉型変調器の部分を、変形可能な層34を含めて光学的に遮蔽する。これによって、遮蔽された区域が、画像品質に悪影響を及ぼすことなく構成されて動作することが可能になる。例えば、そのような遮蔽によって、アドレス指定およびそのアドレス指定に起因する運動などの変調器の電気機械的特性から、変調器の光学的特性を分離する能力をもたらす図7Eのバス構造44が可能になる。この分離可能な変調器構成によって、変調器の電気機械的態様と光学的態様とが、互いに無関係に選択されて機能するように用いられる構造設計および材料が可能になる。さらに、図7C〜図7Eに示された実施形態は、変形可能な層34によって成し遂げられる、反射層14の光学的性質を、その機械的性質から分離することにより得られる追加の利益を有する。これによって、反射層14に用いられる構造設計および材料を光学的性質に関して最適化すること、および変形可能な層34に用いられる構造設計および材料を所望の機械的性質に関して最適化することが可能になる。
図7Fは、干渉型変調器のアレイを背後から見たものである。4つの完全なピクセルが、グリッドに配置されたより大きなアレイで示されている。変形可能層すなわち機械的層34(図7Aのような簡単な実施形態では可動反射器14として働くこともできる)がパターニングされて列電極71を形成することが理解され得る。空隙の下に配置された導電層(図1の光学積層体16を参照されたい)は、パターニングされて、図7Fではレール支持体73によって分離された行電極72を形成し、これによって変形可能層の特定部分の作動が可能になる。間隙74が、列電極71の細長片を分離する。機械的層を剛化するために、特定のピクセル内に、柱すなわち支持構造物75が形成されてよい。さらに、アレイの至る所に、エッチング穴76が機械的層34を通って形成される。変形可能な反射層が作動するとき、列電極71の一部分が行電極72に近づき、アレイの作動された部分がアレイの全体にわたって暗く見えることが可能である。しかし、アレイが第1の色を反射する非作動位置と第2の色を反射する作動位置との間で切換え可能であるもの、別の寸法または材料を利用する場合には作動位置で暗状態にする必要性がないものなど、様々な構成を用いてよいことが理解されよう。レール支持体73および間隙74は、アクティブなピクセル77の間の非アクティブ区域を形成する。アクティブなピクセル77内の支持構造体75などの領域も「非アクティブ区域」と見なされてよく、ぶら下がった独立の反射器14がない場合にはエッチング穴76も同様である。実際、各支持構造体75を近接して取り巻く領域およびレール支持体73に近接して隣接する領域も、これらの区域ではミラー層を完全に崩壊させることができないので「非アクティブ」と見なすことができ、支持構造体を取り巻く周囲の諸領域が作動状態と非作動状態との間で異なる作用をしないように、これらの領域をマスクするのが望ましい。以下でさらに論じられるように、非アクティブ区域からの光の放射、反射、または透過によって、視聴者による画像の印象が劣化する恐れがある。
本明細書に開示された特定の実施形態は、光起電力(PV)電池またはMEMS、LCD、LED、もしくは他のディスプレイ技術を備えるディスプレイと一体化されたデバイスを含む。そのようなディスプレイは、アクティブに画像または情報を表示し、同時に周辺光および/またはディスプレイで発生された光を、電気へ変換するために集めてよい。したがって、アクティブ(プログラマブル)な屋外ディスプレイは、未使用の日光を有利に電気へ変換してよく、あるいは、モバイルデバイス上のディスプレイは、周辺光を集めることにより、予備電源の使用を埋め合わせるのを助長してよい。それに加えて、以下でさらに説明されるように、画像を劣化させる恐れがある望ましくない光または外部光をマスクするのに、ディスプレイに一体化されたPV材料による光の吸収が用いられてよい。したがって、ディスプレイにPV材料を一体化することの製造コストは、ディスプレイの画像領域の非アクティブ領域内にマスクを形成するための別のステップを省略することによって少なくとも部分的に相殺され得る。
いくつかの実施形態では、透過性PV電池はディスプレイの画像領域の上に重なってよい。PVアクティブ材料は、未使用の周辺光またはディスプレイで発生された光を取り込んで電気に変換するように、ディスプレイデバイスのアクティブな画像領域またはアレイ区域内に含まれる。アクティブディスプレイの技術次第で、ディスプレイのアレイ領域の表面積の30%以上までが、実際には、画素化された画像または表示された情報に寄与しない非アクティブの領域または区域で構成され得る。これは、ディスプレイのアクティブな画像領域に入射する周辺光の30%以内またはそれ以上が「浪費され」、したがって、電気への有用な変換のためにPV材料によって取得されてよいことを意味する。これは、ディスプレイの背後にパターン化PV材料を配置することにより達成され得て、ディスプレイ上に入射する周辺光が、光る、あるいはディスプレイの非アクティブ領域を通って下のパターン化PV材料上へ透過することが可能になる。
あるいは、非アクティブ区域の前にパターン化PV材料が形成されてよく、そうでなければ浪費されるはずのディスプレイの非アクティブ区域に当たる光が、次いで、パターン化PV材料によってマスクされうる。これらの光は、ディスプレイデバイスの画像を実際に劣化させる恐れがある。したがって、視聴者への望ましくない放射または反射を防止するために、これらの非アクティブ領域をマスクするのにブラックマスクを形成するのが有利である。所望のコントラストを維持するために、望ましくない光を、吸収するだけでなく有用な電気へ有利に変換するように、ブラックマスクは、好ましくはPVブラックマスクを形成するための光起電力材料を含んでよい。
図8は、光起電力(PV)電池80の例を概略的に示す。一般的な光電池は、光エネルギーを電気エネルギーまたは電流に変換することができる。PV電池80は、小さなカーボンフットプリントを有する、環境に対する影響が小さい再生可能なエネルギー源の一実施例である。PV電池を使用すると、エネルギー発生のコストを低減することができる。PV電池は、多くの異なるサイズおよび形状を有することができ、例えば、郵便切手より小さいものから、数インチにわたるサイズまである。PVモジュールは、電気的接続、取付け金具、電力調整機器、および日差しがないとき使用するために太陽エネルギーを蓄える電池を含むことができる。
一般的なPV電池80は、2つの電極82と83との間に配置されたPV材料81を備える。いくつかの実施形態では、PV電池80は、層のスタックが形成された基板を備える。PV電池80のPV材料81は、シリコンなどの半導体材料を含んでよい。いくつかの実施形態では、活性領域は、図8に示されるように、n形半導体材料81aとp型半導体材料81bとを接触させることによって形成されたpn接合を備えてよい。そのようなpn接合は、ダイオードに似た特性を有することができ、したがってフォトダイオード構造とも称されてよい。
PV材料81は、一般に、電流経路をもたらす2つの電極の間に挟まれる。電極82、83は、アルミニウム、銀、もしくはモリブデンまたは他のいくつかの導電材料から形成することができる。電極82、83も、透明な導電材料から形成されてよくまたは含まれてよい。電極82、83は、接触抵抗を下げ、収集効率を向上するように、pn接合の前面の大部分をまかなうように設計されてよい。電極82、83が不透明材料から形成される実施形態では、電極82、83は、PV材料に照明が当たるのを可能にするように、PV材料の前部の上に開口を残すように構成されてよい。いくつかの実施形態では、裏面電極82または前面電極83は、例えば酸化スズ(SnO)またはインジウムスズ酸化物(ITO)などの透明導電酸化物(TCO)である透明な導電体を含むことができる。TCOは、電気接触および導電性をもたらし、同時に、入ってくる光に対して透明である。図示のように、PV電池80は、前面電極83の上に配置された反射防止(AR)コーティング84も備えるが、(以下で図12および13においてさらに論じられる前面および裏面PVブラックマスク110、115のように)光がPV電池80の背部を通って透過すると予期され得る実施形態では、任意選択で、裏面電極82の上にARコーティングが配置されてよい。ARコーティング84は、PV活性材料81の前面から反射される光量を低減することができる。
PV材料81が照射される場合、光子が、活性領域内の電子にエネルギーを伝達する。光子によって伝達されたエネルギーが半導体材料のバンドギャップより大きいと、電子は、伝導帯に入るのに十分なエネルギーを有することができる。pn接合の形成とともに内部電界が生成される。内部電界は、エネルギーを与えられた電子に対してこれらの電子を移動させるように作用し、それによって、外部回路85内に電流の流れをもたらす。結果として生じる電流の流れは、様々な電気デバイスに電力を供給するのに用いることができる。例えば、結果として生じる電流の流れは、図8に示されるように電池86またはコンデンサを充電することにより、後の利用のために蓄えられてよく、これが、ディスプレイに電力を供給することができる。
PV材料は、結晶シリコン(c−シリコン)、アモルファスシリコン(a−シリコン)、ゲルマニウム(Ge)、Ge合金、テルル化カドミウム(CdTe)、銅インジウムジセレニド(CIS)、銅インジウムガリウムジセレニド(CIGS)、光吸収性の染料およびポリマー、光吸収性ナノ粒子を散布したポリマー、または多接合光起電力材料とフィルムとの縦続接続など、様々な光吸収性の光起電力材料の任意のものを含むことができる。PV活性材料81は、ガリウム砒素(GaAs)、窒化インジウム(InN)、窒化ガリウム(GaN)、ホウ素砒化物(BAs)のような材料を含むIII族〜V族の半導体材料を含む他の適切な材料を含んでよい。インジウム窒化ガリウムのような半導体合金も用いられてよい。他の光起電力材料およびデバイスも可能である。これらの材料を形成する方法は、当業者に既知である。例示的実施例として、CIGSのような合金は、銅、ガリウム、およびインジウムが同時堆積または同時スパッタリングされ、次いでセレン化物蒸気でアニールされてCIGS構造体を形成する真空ベースのプロセスによって形成することができる。真空ベースでない代替形態プロセスも、当業者に知られている。堆積された薄膜PV活性材料は、例えばアモルファスシリコン薄膜を備えることができ、最近好評を得ている。薄膜としてのアモルファスシリコンは、数ある技法の中でも、物理的気相成長法(PVD)、化学的気相成長法(CVD)、電気化学的気相成長法またはプラズマ促進化学気相成長法(PECVD)により、広い面積にわたって堆積することができる。当業者に知られているように、アモルファスシリコン層を備えるPV活性材料は、n型ドープおよび/またはp型ドープされたシリコンを有する1つまたは複数の接合を含んでよく、p−i−n結合をさらに備えてもよい。他の材料も用いられてよい。光子が吸収されて電気的担体(正孔および電子)にエネルギーが伝達される(1つまたは複数の)光吸収材料は、本明細書ではPV活性層またはPV電池の材料と称され、この用語は、複数のアクティブな副層を包含するように意図されている。PV材料用の材料は、所望の性能およびPV電池の用途次第で選択することができる。
図9Aは、一般的な薄膜PV電池90Bを概略的に示すブロック図である。一般的な薄膜PV電池90Bは、光が通過することができるガラス基板91を含む。ガラス基板91上に、第1の電極層83、PV材料81(アモルファスシリコンを含むものとして示されている)および第2の電極層82が配置される。第1の電極層83は、ITOなどの透明な導電材料を含むことができまたはそれによって形成される。図示のように、第1の電極層83と第2の電極層82とは、その間に薄膜PV材料81を挟む。示されたPV材料81はアモルファスシリコン層を含むが、他のPV薄膜材料も知られている。当技術分野で知られているように、PV材料として機能するアモルファスシリコンは、1つまたは複数のダイオード接合を含んでよい。さらに、1つまたは複数のアモルファスシリコンPV層は、p型ドープ層81bとn型ドープ層81aとの間に真性シリコン層81cが挟まれたp−i−n接合を備えてよい。p−i−n接合は、pn接合より高い効率を有することができる。いくつかの他の実施形態では、PV電池は複数の接合を備えることができる。
層81、82、83は、物理的気相成長法、化学的気相成長法、電気化学的気相成長法などの堆積法を用いて堆積されてよい。薄膜PV電池は、薄膜シリコン、CIS、CdTeまたはCIGSなどのアモルファスまたは多結晶の材料を含んでよい。薄膜PV電池のいくつかの利点には、とりわけデバイスのフットプリントが小さいことおよび製造プロセスのスケーラビリティがある。
図9Bは、インターフェロメトリーで機能強化されたPVスタックまたはPV電池90Bの一実施例を示す。インターフェロメトリーで機能強化されたPV電池90Bは、PV活性材料またはPV層81を含む。PV材料81は、基板91の上に形成された薄膜光起電力材料を含んでよい。PV材料81の下に配置された光共振キャビティ93および反射器94は、PV材料81内の電界の強度をインターフェロメトリーで高めるように構成され、インターフェロメトリーで機能強化された高効率のPV電池90Bをもたらす。PV材料81を覆う電極92は、PV材料81からの電子および/または正孔の伝導を助長するいくらかの領域では金属であり、不透明となる程度の厚さであってよい。そうでなければ、PV材料81も、透明な導電酸化物(TCO)層、またはTCO層および不透明な電極の両方を備える電極92で覆われてよい。同様に、光共振キャビティ93は、光共振キャビティ93の一部分ならびにPV材料81から正孔および/または電子を導くための導電層の両方として働くTCO層を備えてよい。PV材料81は、アモルファスシリコン、CIGSまたは他の薄い半導体膜の光起電力材料などの薄膜光起電力材料を備えてよい。反射器94および光共振キャビティ93の光学的性質(寸法および材料特性)は、層になったPVデバイス90Bの境界面からの反射が可干渉に合計されて、光エネルギーが電気エネルギーに変換されるPV電池90BのPV材料81内に適当な波長の分布および位相の向上した電界を生成するように選択される。そのようなインターフェロメトリーで機能強化された光起電力デバイスによって、干渉型光電池の活性領域における光エネルギーの吸収が増加し、それによってデバイスの効率が向上する。この実施形態に対する変形形態では、異なる波長の光を別々に調整し、かつPV材料(複数可)における吸収を最大化するのに、複数の光共振キャビティを使用することができる。埋められた光共振キャビティおよび/または層は、透明な導電材料もしくは誘電体材料、空隙、またはそれらの組合せを備えてよい。
ディスプレイにPV電池を一体化することにより特定の利点が得られることから、以下の実施形態は、光電池をディスプレイデバイスに組み込む、あるいは一体化する光電池を説明する。光電池は、ディスプレイ上に入射する光、ディスプレイから反射される光、またはディスプレイによって発生される光を取り込んで電気に変換するように配置されてよい。さらに、以下でさらに説明されるように、多くのディスプレイが、ピクセル間の区域内の、視聴者の方へ放射または反射される光に影響されやすい。この望ましくない光は、ディスプレイの画像品質および/またはコントラストを低下させて、ディスプレイによって発生される画像を劣化させる恐れがある。結果として、ディスプレイは、この望ましくない光または外部光が視聴者に到達するのをマスクするために、ブラックマスクを含むことができる。この外部光をPV材料が吸収することができるので、放射性、反射性、または透過性のディスプレイ用に、ブラックマスクとしてPV材料が用いられてよい。PVブラックマスクは、望ましくない光を吸収するだけでなく、吸収光を電気へ有利に変換し、したがって2つの機能に役立ち、追加のブラックマスクを形成する必要性を省く。
図10は、デバイスの前面すなわち画像面に画像を表示するディスプレイデバイス100の一般化された概略図を示す。示されるように、ディスプレイデバイス100は、アクティブなピクセル101を備えるアレイ領域を備える。アクティブなピクセル101は、アクティブなピクセル区域と称されてもよい。ディスプレイデバイス100は、非アクティブ区域も含む。図示のように、非アクティブ区域のグリッドライン102、103は、隣接したアクティブなピクセル101の間に、すなわち隣接したアクティブなピクセル101を分離して配置される。ディスプレイデバイス100が干渉型変調器ディスプレイである実施形態では、非アクティブ区域は、図7Fに関して上記で論じられたように、電極間の間隙、ピクセルアレイの縁端部の周囲領域間の間隙、レール間の間隙、支持構造体間の間隙、またはエッチング穴間の間隙を備えてよい。他のディスプレイ技術を含む他の実施形態では、非アクティブ区域は、放射外部光または反射外部光の影響を受けやすいディスプレイ内に他の区域を備えてよい。
図10には、視聴者の方へ、放射、反射、または透過される外部光を表す光線104および105も示されている。そのような光104、105は、白色光である場合が多いが、視聴者の方へ向かう外部光は任意の色であり得る。そのような外部光は、明るいように意図されたピクセル区域に関して(オン状態またはオフ状態のいずれでも)白っぽくする、あるいはコントラストを低下させることにより、ディスプレイデバイス100上に表示される画像を劣化させる恐れがある。いくつかの実施形態では、アクティブなピクセル101からの光106だけが視聴者に到達し、わずかな外部光104、105しか視聴者の方へ向かないように、ディスプレイデバイス100は、外部光104、105をマスクするためのブラックマスク材料を含んでよい。
図11は、図10のものに類似の、一般的なアクティブ(プログラマブル)ディスプレイデバイスの断面を概略的に示す。図11に示されるように、ディスプレイから視聴者の方へ放射、反射、または透過される光は、アクティブなピクセル101から画像の一部分を形成するように放射、反射、または透過される光106を含んでよい。視聴者の方へ放射、反射、または透過される光は、非アクティブ区域103から放射、反射、または透過される光105a〜105dも含むことがある。非アクティブ区域からの光105a〜105dにより、視聴者に向けて表示される画像が、白っぽくなる、あるいはコントラストが低下する恐れがある。したがって、外部光105a〜105dを阻止または吸収するように、これらの区域をマスクするのが望ましい。
光105a〜105dは、多くの光源から生じる可能性がある。例えば、非アクティブ区域103は、反射性または半反射性でよい。したがって、非アクティブ区域103上に入射する周辺光107aの反射から、光線105aが生じる可能性がある。非アクティブ区域103が、透明または半透明である場合、光105aは、ピクセル101の背後に配置された反射面または背板108から反射され得る。場合によっては、入射する周辺光107bは、ピクセル101を通過して背板108から反射し、次いで、光線105bによって示されるように非アクティブ区域103を通過してよい。放射性ディスプレイでは、外部光105cは、LEDディスプレイなどのピクセル101によって放射されてよい。他のディスプレイでは、光は、光線105dによって示されるように、バックライトから非アクティブ区域103を透過してよい。これらの実施形態のすべてにおいて、外部光105a〜105dにより、コントラストが低下する、あるいは画像が白っぽくなる恐れがある。光吸収材料で作製されたブラックマスクは、この光を吸収するのに有用であり得て、ピクセル光106だけが視聴者を達するのを可能にする。有利には、この外部光が、吸収されるだけでなく、ディスプレイデバイス100に給電するのを助長するために、または他の用途のために、蓄積用の電気を発生するのに有利に用いられるように、ブラックマスクはPV材料で作製されてよい。
図12は、PV一体型ディスプレイデバイス120内の非アクティブ区域103の前でパターニングされた前面PVブラックマスク110を示す。示されるように、前面PVブラックマスク110は、吸収されなければディスプレイデバイス120に表示される画像を劣化させることになる外部光を吸収するために、非アクティブ区域103をマスクするのを助長する。例えば、入射する周辺光107aが反射する前に、前面PVブラックマスク110がこの光を吸収することができる。前面PVブラックマスク110は、背板108またはピクセル101の背後に配置された他の反射面からの反射光105bの吸収を助長することもできる。光線107aおよび105bに関して示されるように、PVブラックマスク110は、光起電力材料の前面および裏面の両方から光を受け取るように構成することができる。前面PVブラックマスク110は、ピクセル101から放射され(例えばLEDディスプレイのように放射性ピクセルの場合)、あるいはピクセルを透過して(例えばLCDディスプレイのように光105dがバックライトによって発生される場合)、非アクティブ区域103をそれる、あるいは非アクティブ区域103から散乱する光105c、105dをさらに吸収してよい。したがって、図12から見られるように、アクティブなピクセル101によって放射された光106だけが視聴者に到達し、結果として画像が向上する。
図13は、図12のものに類似のPV一体型ディスプレイデバイス130を示す。しかし、図13では、非アクティブ区域103の背後に裏面PVブラックマスク115がパターニングされる。示されるように、入射する周辺光107aが反射する前に、裏面PVブラックマスク115がこの光を吸収することができる。裏面PVブラックマスク115は、背板108またはピクセル101の背後に配置された他の反射面からの反射光105bの吸収を助長することもできる。したがって、光線107aおよび105bに関して示されたように、裏面PVブラックマスク115は、光起電力材料の前面および裏面の両方から光を受け取るように構成することができる。ピクセル101によって発生されるが、非アクティブ区域103へそれる、あるいは散乱する光105dを、裏面PVブラックマスク115がさらに吸収してよい。したがって、図13から見られるように、アクティブなピクセル101によって放射された光106だけが視聴者に到達し、結果として画像が向上する。いくつかの実施形態では、PV一体型ディスプレイデバイスは、前面PVブラックマスク110、裏面PVブラックマスク115の両方を備えてよい。
図12に示される前面PVブラックマスク110および図13に示される裏面PVブラックマスク115は、上記で論じられたように、光起電力材料を含む光電池を備えてよい。光電池は、インターフェロメトリーで機能強化された光電池を含んでよい。適切な光起電力材料は、好ましくは、前述のように薄膜光起電力材料を含んでよいが(図8〜図9Bを参照されたい)、半導体基板またはエピタキシアル成長させた半導体材料も用いられてよい。さらに、上記で説明されたように、PV電池内の光起電力材料(PVブラックマスク110、115など)は、電極に接してよい。光起電力材料は、電極の間に「挟まれ」てよい。光起電力材料に接触する電極は、例えば視聴者の反対側片面上の不透明電極、PV材料へ光が入るのを可能にするためのウィンドウをパターニングされた片面上または両面上の不透明電極、ならびに/あるいは、そのような不透明電極に加えて、もしくはそのような不透明電極の代わりに、透明な導電材料または透明導電酸化物などのフィルムを備えてよい。
図12および図13に示されるように、PVブラックマスク110、115は、アクティブなピクセル101を露出するようにパターニングされる。例えば、いくつかの実施形態では、ディスプレイは反射性ディスプレイであり、PVブラックマスク110はピクセルの前に(画像面上に)形成される。そのような実施形態では、PVブラックマスク110は、入射する周辺光または前面光(画像を発生するように視聴者へ選択的に反射される)に対してピクセル101を露出するようにパターニングされる。他の実施形態では、ディスプレイは透過性であり、PVブラックマスク115はピクセルの背後に形成される。そのような実施形態では、PVブラックマスク115は、ピクセルの背後からの光(例えばバックライト)に対してピクセル101を露出するようにパターニングされる。外部光を阻止または吸収することによって画像を適切に改善するために、PVブラックマスク110、115は、好ましくはPVブラックマスク110、115に入射する光の10%未満を反射または透過するように構成される。より好ましくは、PVブラックマスク110、115は、PVブラックマスク110、115に入射する可視光の5%未満を反射または透過するように構成される。PVブラックマスク110、115を備えるPV電池の反射または透過は、PV電池内の光起電力材料の厚さならびに用いた材料のような要因次第であり得る。PVブラックマスクは、反射をさらに低減するために反射防止コーティングも含んでよい。
図12および図13では、PVブラックマスク110、115は、アレイまたは画像領域の非アクティブ区域103をマスクするようにパターニングされる。したがって、PVブラックマスクは、非アクティブ区域の望ましくない光学的作用(例えば反射)を視聴者からマスクするように、非アクティブ区域103のパターンに対応するようにパターニングされる。
図14は、2×2のPV一体型干渉型変調器のアレイ140の実施形態の斜視図を示す。図7Fに関して上記で論じられたように、干渉型変調器のアレイ140は、機械的層34の列とレール支持体73との間の間隙74などの非アクティブ区域を含んでよい。非アクティブ区域は、エッチング穴76またはアクティブなピクセル101内に形成された柱75も含んでよい。図14の実施形態では、アレイ140の背後にパターン化裏面PVブラックマスク115が形成される。アレイ140内の非アクティブ区域または画像領域は、周辺光107bがパターン化裏面PVブラックマスク115に到達するのを可能にすることができる透明な非アクティブ構造体を備えてよい。示されるように、パターン化裏面PVブラックマスク115は、光が通過することができる非アクティブ構造体のパターンに対応するようにパターニングされる。例えば、PVブラックマスク115は、間隙74およびレール73の下に細長片で形成され、アレイ140の下すなわち背後に交差状のパターンを形成する。大きなアレイの場合、パターンは、アクティブなピクセル領域101の間の空間に対応するグリッドの形状を有する。示されるように、裏面PVブラックマスク115は、背板145上に形成されてよい。さらに、裏面PVブラックマスク115は、「アイランド」すなわちPV材料の接続されていない部分(PVブラックマスクアイランド146)を含むことができる。
有利には、アレイ140の背後に形成された交差状のパターンは、裏面PVブラックマスク115の前面電極と裏面電極とを外部回路で電気的に接続するのを可能にするために、ディスプレイ140の周辺へ広がってよい。PVブラックマスクアイランド146のようなアイランドを含むPVブラックマスク110、115の実施形態については、外部回路を用いた電気的接続は、PVブラックマスクアイランド146のPV材料81と電気接触するブランケットTCO層を介してなされてよい(図17A、図17Bおよび付随する説明を参照されたい)。他の実施形態では、外部回路を用いた電気的接続は、バイア、パターン化金属トレース、またはパターン化TCOフィルムを用いてなされてよい。パターン化金属トレースを有する実施形態では、金属トレースは、PVブラックマスクアイランド146内のPV材料81に入射する光量を低減しないように小さく保たれることになり、あるいは、トレースは、背板145の裏面へバイアを経由してルーティングすることができる。
ピクセル101のまわりもしくはピクセル101の間を通る光、間隙74を通る光、または(光線107aのように)支持構造物18もしくは73を通る光の例は、画像領域またはピクセルアレイ内の非アクティブ区域を通過する光の利用を示す。材料は、そのような非アクティブ区域を通る透過率を最大化するように選択することができる。例示的透明材料は、二酸化ケイ素(SiO)、二酸化チタン(TiO)、フッ化マグネシウム(MgF)、クロム(III)酸化膜(Cr)、窒化シリコン(Si)などの誘電体を含んでよい。しかし、任意の透明材料または部分的透明材料が、非アクティブ区域内の構造体に用いられてよい。
図14に示されるように、PV活性材料81は、電極として機能することができる導電材料143、144の2つの層の間に挟まれてよい。前面電極144は、ITOまたは他のTCOなどの透明導電体を含むことができ、あるいはこれらの透明導電体で作製することができる。PV活性材料81は、透明な導電材料の層の1つだけと電気的に接触するように構成されてよく、また、裏面PVブラックマスク115の裏面電極143は不透明であり得ることが理解されよう。
透明導電層は、任意の透明導電材料を含んでよい。多くの透明導電材料は透明導電酸化物(TCO)である。TCO層は、光を阻止することなくPV材料への電極コンタクトを改善するために、光起電力材料、特に薄膜光起電力材料とともに使用されることが多い。機能的に、TCOは、PV電池電極の一部分を電気的に形成してよく、これらの電極は、一般にTCO材料と電気的に接触する不透明金属の電極または導電電極を備える。ディスプレイの用途では、不透明電極は、PV材料がかなりの光を取り込むことができる大きなウィンドウを形成するようにパターニングされてよい。あるいは、電極は、画像表示領域の外側の透明導電材料とすべて接触してよく、また、アレイまたは画像領域内の電極にはTCOのみが用いられる。当業者に既知のように、通常のTCOは、インジウムスズ酸化物(ITO)である。ITOを形成する方法または堆積する方法は、当技術分野で周知であり、電子ビーム堆積、物理的気相成長またはスパッタ堆積の技法を含む。他のTCO材料および製造プロセスも用いられてよい。示された裏面PVブラックマスク115の前面電極144として必要なのは透明導電体のみであるが、前面PVマスク110(図12を参照されたい)については、PV材料81の両面上の電極用に透明導電体を用いるのが有用であり得ることが理解されよう。
図15Aおよび図15Bは、図7A〜図7Eで示された実施形態に全般的に類似したMEMSデバイスの2つの実施形態を示す。しかし、図15Aおよび図15Bの実施形態は、アクティブなピクセル101の前に(画像上または視聴者側に)、前面PVブラックマスク110を備える。視聴者の位置によって示されるように、図15Aおよび図15Bは図10〜図14に対して反転している。
図15Aでは、前面PVブラックマスク110上に透明材料の緩衝層65が形成され、干渉型変調器を形成するための平坦な表面をもたらす。支持体18は、前面PVブラックマスク110と位置合わせされ、前面PVブラックマスク110の断面積とほぼ同じサイズである。他の実施形態では、PVブラックマスク110の断面積は、支持体18の面積と必ずしも等しくなく、この非アクティブ区域を十分にマスクして干渉型変調器のあらゆる表面から反射する入射周辺光107aを吸収するように、サイズおよびパターンにおいて、支持体18の断面積およびパターンの両方に対応する。前面のPVブラックマスク110は、支持体を、表面積で、例えば10%未満または5%未満だけ上回ることができる。
図15Aに示されるように、前面PVブラックマスク110は、基板20上の緩衝層65に組み込まれる。光変調素子すなわちIMOD(光学積層体16、可動層14、および可動層14から光学積層体16を分離するキャビティ19を備える)は、緩衝層65の上にある。また、緩衝層65の一部分が前面PVブラックマスク110の上にあるので、前面PVブラックマスク110はまた、支持体18から電気的に絶縁され、光変調素子への電気路すなわち接続をもたらさない。
あるいは、図15Bに示されるように、前面PVブラックマスク110は、基板20の、干渉型変調器の反対側に形成されてよい。この実施形態では、PVブラックマスクは、類似の緩衝層65に組み込まれてよく、あるいは、そうでなければ基板20の反対側でカプセルに入れられてよい。図15Bの実施形態を製造するために、最初に基板20の片側の面上にディスプレイが形成されてよい。次いで、以下でさらに論じられるように、基板の反対側の面上にPVブラックマスク110が形成されてよい。あるいは、最初に片側の面上にPVブラックマスク110が形成されてよく、次いで反対側の面上にディスプレイが形成されてよい。
本明細書に開示された様々な実施形態は、様々なやり方で製造されてよい。例えば、画像領域内にアクティブなピクセルのアレイを備えるディスプレイは、パターン化PVブラックマスクおよびディスプレイのうちの1つを他方の上に積層することによってPVブラックマスク110、115に一体化されてよい。あるいは、ディスプレイの背後に配置されたPVブラックマスクについては、PVブラックマスクは、用途次第で、金属または透明であり得る背板上に形成されてパターニングされてよい。次いで、背板が、ディスプレイに位置合わせして取り付けられてよく、ディスプレイデバイスの裏面を形成する。PVブラックマスクがディスプレイの前に配置される他の実施形態では、ガラスまたはプラスチックなどの透明なカバー板上にPVブラックマスクが形成されてよい。カバー板は、次いでディスプレイ上に取り付けられるか積層されてよく、あるいは、ディスプレイは、次いでカバー板の一方の面上または反対側の面上に形成または堆積されてよい。PVブラックマスク110、115によって形成されたパターンが、非アクティブ区域によって形成されたパターンと同一である必要性はないが、PVブラックマスクが、非アクティブ区域で利用可能な大部分の望ましくない光をマスクして吸収することができるように、パターン化PVブラックマスクは、好ましくは非アクティブ区域のパターンを覆い、かつ非アクティブ区域のパターンに位置合わせされる。
図16、図17Aおよび図17Bは、前述の前面PVブラックマスク110および裏面PVブラックマスク115と似たPVブラックマスクの製造の一実施形態におけるステップを示す。図16に示されるように、プロセスは、適当な基板161上に、電極層82の上への薄膜PV材料層81のブランケット堆積から始めてよい。基板161は、図15Aおよび図15Bの基板20の片側またはその反対側に相当してよい。PVブラックマスク115がアクティブなピクセルの背後に形成される実施形態では、ディスプレイの裏面を覆ってPVブラックマスク115が形成されるように、基板161がディスプレイ自体を含んでよい。あるいは、図14の実施形態と同様に、基板161は、後にディスプレイに取り付けられてディスプレイの背後に配置されることになる背板を含んでよい。他の実施形態では、基板161は犠牲基板を備えてよい。次いで、ディスプレイデバイスの前面または裏面に、犠牲基板が積層され、除去されて、パターン化PVブラックマスクが後に残る。好ましくは、積層は、PVブラックマスク110、115のパターンとピクセルアレイ内の非アクティブ区域のパターンとを位置合わせするように行われる。
当業者に理解されるように、ピクセル間のグリッドパターンなど、アレイにわたって連続したブラックマスクパターンは、電池に電荷を蓄積するための回路、またはディスプレイ自体もしくは関連する電子部品(携帯電話のようなもの)などの電気デバイスへ電力を直接供給するための回路へ容易にルーティングすることができる。絶縁された支柱をマスクするためのアイランドなどの絶縁されたPV材料は、特別な経路設定を必要とすることがある。図17Aおよび図17Bは、PV材料によって発生された電流の経路設定の1つの方法を示す。あるいは、そのようなアイランドについては、バイア経由で背板145の裏面へトレースをルーティングすることができるのを当業者なら理解するであろう。
図17Aは、図16のブランケットPV材料層81をパターニングし、誘導体の緩衝層171および第2の電極83をさらに堆積した後のデバイスを示す。誘導体の緩衝層171は、PV材料81の絶縁されたアイランド間の領域内の2つの電極82、83の電気的絶縁を助長することができる。電極82、83は、透明導電層、または不透明金属の電極を備えてよく、あるいはその両方を備えてよい。電極82、83が反射性または不透明な金属の電極を備える場合、電極82、83の金属部分のパターニングに対して、反射を最小化し、PV材料81へのウィンドウを最大化するように注意するのが好ましい。
図17Bは、上の図17Aと同様に、図16のブランケットPV材料層81のパターニング後のデバイスを示す。しかし、図17Bの実施形態では、電極82、83は、(図17Bのような)バッファによらず、PV材料81の薄くなった部分によって電気接触を防止している。したがって、図17Aは、いくつかの区域(例えばアクティブなピクセル区域)からPV材料81をすべて除去するようにPV材料81をパターニングするが、図17Bの実施形態は、いくつかの区域でPV材料81が著しく薄くなるようにPV材料81をパターニングする一方で、PVブラックマスク110、115の区域として働くように意図された区域では、比較的厚いPV材料81を残す。
一般に、PVブラックマスク110、115は、前述のように薄膜光起電力材料を備えてよい。薄膜PV電池のいくつかの利点には、デバイスのフットプリントが小さいことおよび製造プロセスのスケーラビリティがある。図17Bの実施形態などのいくつかの実施形態では、薄膜PV電池は、部分的透過性に設計されてよい。そのような実施形態では、アクティブなピクセル区域173内のPV材料81の透過率は、PVブラックマスク110、115が望まれる非アクティブ区域外では、表示画像が優れたままであるように十分に高い。
さらに、干渉型変調器ピクセルの一部分は、部分的透過性に構成または設計されてよく、したがって、アクティブなピクセルは、かなりの周辺光が通過してPV電池115およびそのPV活性材料81に到達するのを可能にすることができるように設計されてよい。一般に、反射器14は、例えば、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、タングステン(W)、鉄(Fe)、金(Au)、銀(Ag)、およびクロム(Cr)またはMoCrなどの前述の合金などの金属層を備えてよい。反射器14は、一般に不透明になり得るほど十分に厚い(例えば300nm以上)。しかし、他の実施形態では、反射器14は「半透過性の」IMODディスプレイ用の部分的反射器である。特定の実施形態の反射器14の透過率は、反射器14の厚さ次第である。一般に、部分的反射器である金属反射器14は、20Åと300Åとの間にあり、好ましくは225Å未満である。PV一体型ディスプレイ100の様々な実施形態の反射器14において薄い半反射性の層を用いることにより、干渉型変調器は、ディスプレイピクセルのアクティブなアレイの選択部分を約5%から約50%が通過して光起電力材料に到達するのを可能にするように構成されてよい。そのような機構では、パターン化PVブラックマスクは、そのような半透過領域の下にあり得て、半透過領域を通過する光を取り込む。
前述の詳細な説明は、本発明のいくつかの実施形態を開示しているが、この開示が単なる例示であって、本発明を限定するものではないことを理解されたい。開示された特定の構成および作用は、前述のものと異なるものであり得て、本明細書で説明された方法は、半導体デバイスの製造と別の状況で用いられ得ることを理解されたい。当業者なら、一実施形態に関して説明された特定の特徴が、他の実施形態にも適用可能であり得ることを理解するであろう。例えば、干渉型スタックの様々な特徴が、光電池、光起電力のデバイスまたはアレイの前面に関して論じられており、そのような特徴は、光電池、光起電力のデバイスまたはアレイの裏面の上に形成された干渉型スタックに容易に適用可能である。例えば、様々な反射器の特徴が、PVデバイスの前面の上に形成された干渉型変調器の様々な実施形態に関して論じられてきた。そのような反射器の特徴は、部分的反射器の使用を含んでPVデバイスの裏面の上に形成された干渉型変調器にも適用可能であり、あるいは、干渉型変調器のいくつかの実施形態については、裏面電極を反射器として使用するのと同時に反射器を省略するのに適用可能である。
14 可動反射器
16 光学積層体
18 支持体
19 キャビティ
20 基板
34 機械的層
65 緩衝層
71 列電極
72 行電極
73 レール支持体
74 間隙
75 支持構造物
76 エッチング穴
77 アクティブなピクセル
81 PV材料
82,83 電極
100 ディスプレイデバイス
101 アクティブなピクセル
102,103 グリッドライン
104,105,105a,105b,105c,105d,106 光
107a,107b 周辺光
108 背板
110 前面PVブラックマスク
115 裏面PVブラックマスク
120 ディスプレイデバイス
130 PV一体型ディスプレイデバイス
140 PV一体型干渉型変調器のアレイ
143 裏面電極
144 前面電極
145 背板
146 PVブラックマスクアイランド
161 基板
171 誘導体の緩衝層

Claims (36)

  1. 前面へ画像を表示し、前記前面の反対側に裏面を有するディスプレイデバイスであって、
    アクティブなピクセル区域および非アクティブ区域を備えるアレイ領域を備えるディスプレイと、
    前記アレイ領域の前記前面および前記裏面のうちの1つの上にパターニングして形成された光起電力材料を備える光電池とを備えるディスプレイデバイス。
  2. 前記光起電力材料が、前記アクティブなピクセル区域を露出するようにパターニングされ、前記非アクティブ区域のうちの少なくともいくつかと位置合わせされた請求項1に記載のデバイス。
  3. 前記非アクティブ区域が、隣接したアクティブなピクセル区域を分離する区域を含む請求項2に記載のデバイス。
  4. 前記光起電力材料が、堆積された薄膜光起電力材料を備える請求項1に記載のデバイス。
  5. 前記光起電力材料が、前記アレイ領域の前記非アクティブ区域の反射を低減するブラックマスクとしてさらに機能する請求項1に記載のデバイス。
  6. 前記光起電力材料が、前記光起電力材料上に入射する可視光の10%未満を反射または透過するように構成された請求項5に記載のデバイス。
  7. 前記光起電力材料が、前記光起電力材料の前記表面および前記裏面の両方から光を受け取ることができる請求項6に記載のデバイス。
  8. 前記光起電力材料と電気的に接触する透明導電膜をさらに備える請求項7に記載のデバイス。
  9. 前記光起電力材料が、前記アレイ領域の前記裏面の上に形成された請求項1に記載のデバイス。
  10. 前記ディスプレイが反射性ディスプレイ技術により構成される請求項9に記載のデバイス。
  11. 前記アクティブなピクセル領域が、微小電気機械システム(MEMS)デバイスを備える請求項10に記載のデバイス。
  12. 前記MEMSデバイスが干渉型変調器を備える請求項11に記載のデバイス。
  13. 前記非アクティブ区域が、周辺光が前記光起電力材料に到達するのを可能にすることができる透明な非アクティブ構造体を備え、前記光起電力材料が、前記非アクティブ構造体のパターンに対応するようにパターニングされた請求項10に記載のデバイス。
  14. 前記透明な非アクティブ構造体が、ピクセル区域の間に空間を備える請求項13に記載のデバイス。
  15. 前記光起電力材料が、前記アレイ領域の前面の上に形成された請求項1に記載のデバイス。
  16. 前記光起電力材料が、前記アレイ領域の非アクティブ区域をマスクするようにパターニングされた請求項15に記載のデバイス。
  17. 前記ディスプレイが主として反射性である請求項16に記載のデバイス。
  18. 前記アクティブなピクセル領域が、微小電気機械システム(MEMS)デバイスを備える請求項17に記載のデバイス。
  19. 前記MEMSデバイスが干渉型変調器を備える請求項18に記載のデバイス。
  20. 前記光起電力材料と電気的に接触する透明導電膜をさらに備える請求項16に記載のデバイス。
  21. 前記光起電力材料が、前記光電池の前記前面および前記裏面から前記透明導電膜を介して前記光起電力材料上に入射する光を受け取ることができる請求項20に記載のデバイス。
  22. 前記ディスプレイがバックライトを備える請求項20に記載のデバイス。
  23. 前記アクティブなピクセルが液晶ディスプレイピクセルを備える請求項22に記載のデバイス。
  24. 前記アクティブなピクセルが放射性素子を備える請求項20に記載のデバイス。
  25. 前記放射性素子が、発光ダイオード、有機発光ダイオード、電界放出ディスプレイ、および液晶ディスプレイから成る群から選択される請求項24に記載のデバイス。
  26. 前面へ画像を表示するように構成され、前記前面の反対側に裏面を有するディスプレイデバイスを製造する方法であって、
    アクティブなピクセル区域および非アクティブ区域を備えるアレイ領域を備えるディスプレイを設けるステップと、
    前記アレイ領域の前記前面および前記裏面のうちの1つの上に、パターン化光起電力材料を配置するステップとを含む方法。
  27. 前記光起電力材料を、前記非アクティブ区域のパターンに対応するようにパターニングするステップをさらに含む請求項26に記載の方法。
  28. 前記パターン化された光起電力材料を、前記非アクティブ区域のパターンに位置合わせするステップをさらに含む請求項27に記載の方法。
  29. ディスプレイのアレイ領域の前面および裏面のうちの1つで、パターン化光起電力材料に光を受け取るステップと、
    前記光を電気に変換するステップとを含む、電気へ変換するための光を集める方法。
  30. 後に使用するために前記電気を蓄えるステップをさらに含む請求項29に記載の方法。
  31. 前記ディスプレイに電力を供給するのに前記電気を用いるステップをさらに含む請求項29に記載の方法。
  32. 前記ディスプレイに関連した電気デバイスに電力を供給するのに前記電気を用いるステップをさらに含む請求項31に記載の方法。
  33. 前面へ画像を表示し、前記前面の反対側に裏面を有するディスプレイデバイスであって、
    可変性の、画素化された画像を表示するための手段と、
    前記表示するための手段の前面および裏面のうちの1つの上にパターニングして配置された、光を電気に変換するための手段とを備えるディスプレイデバイス。
  34. 前記表示するための手段が干渉型変調器を備える請求項33に記載のデバイス。
  35. 前記変換するための手段が光起電力材料を備える請求項33に記載のデバイス。
  36. 前記光起電力材料が、入射する可視光の5%未満を反射するように構成される請求項35に記載のデバイス。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016167612A (ja) * 2009-07-31 2016-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7907319B2 (en) * 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7807488B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display element having filter material diffused in a substrate of the display element
US7349141B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and post structures for interferometric modulation
US7561323B2 (en) * 2004-09-27 2009-07-14 Idc, Llc Optical films for directing light towards active areas of displays
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
KR101460351B1 (ko) 2006-10-06 2014-11-10 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 광학적 손실 구조체를 포함하는 표시장치
WO2008045207A2 (en) 2006-10-06 2008-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide
US7595926B2 (en) * 2007-07-05 2009-09-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated IMODS and solar cells on a substrate
JP5302322B2 (ja) * 2007-10-19 2013-10-02 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体型光起電力を有するディスプレイ
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US20090126792A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Qualcomm Incorporated Thin film solar concentrator/collector
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
JP2011507306A (ja) * 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉裏側マスクを有する光起電力装置
EP2248188A2 (en) * 2008-02-12 2010-11-10 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Dual layer thin film holographic solar concentrator/collector
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7898723B2 (en) * 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
CN102017166A (zh) * 2008-04-11 2011-04-13 高通Mems科技公司 用于改善pv美学和效率的方法
US7791783B2 (en) * 2008-06-25 2010-09-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
EP2340567A2 (en) * 2008-09-18 2011-07-06 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Increasing the angular range of light collection in solar collectors/concentrators
CN201285767Y (zh) * 2008-10-13 2009-08-05 杨锦怀 一种光电模块
TWI382551B (zh) * 2008-11-06 2013-01-11 Ind Tech Res Inst 太陽能集光模組
US20100243057A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, photoelectric converter and method for manufacturing photoelectric converter
US8294858B2 (en) 2009-03-31 2012-10-23 Intel Corporation Integrated photovoltaic cell for display device
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
US8545327B2 (en) * 2009-06-08 2013-10-01 Cfph, Llc Amusement device including means for processing electronic data in play of a game in which an outcome is dependant upon card values
US8287386B2 (en) * 2009-06-08 2012-10-16 Cfph, Llc Electrical transmission among interconnected gaming systems
US8784189B2 (en) 2009-06-08 2014-07-22 Cfph, Llc Interprocess communication regarding movement of game devices
US8771078B2 (en) * 2009-06-08 2014-07-08 Cfph, Llc Amusement device including means for processing electronic data in play of a game of chance
US8419535B2 (en) * 2009-06-08 2013-04-16 Cfph, Llc Mobile playing card devices
US8613671B2 (en) * 2009-06-08 2013-12-24 Cfph, Llc Data transfer and control among multiple computer devices in a gaming environment
US8545328B2 (en) * 2009-06-08 2013-10-01 Cfph, Llc Portable electronic charge device for card devices
DK2261996T3 (da) * 2009-06-10 2011-08-29 Suinno Solar Oy Solcelle med høj ydelse
TWI395034B (zh) * 2009-06-16 2013-05-01 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板、顯示面板、液晶顯示裝置及其製作方法
KR102386147B1 (ko) 2009-07-31 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
DE202009017277U1 (de) * 2009-12-19 2010-05-12 Hannemann, Achim Bildschirmeinheit mit integrierter Energieerzeugung
US20110277808A1 (en) * 2010-03-22 2011-11-17 Scannanotek Oy Mems solar cell device and array
US8194197B2 (en) 2010-04-13 2012-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Integrated display and photovoltaic element
KR20130118729A (ko) 2010-04-27 2013-10-30 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 플라스몬 컬러 필터 및 태양광 기능을 가지는 디스플레이 장치
US8120838B2 (en) * 2010-05-19 2012-02-21 Au Optronics Corporation Electrophoretic display device
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
KR101128546B1 (ko) * 2010-09-06 2012-03-27 삼성전기주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조 방법, 그리고 상기 태양전지 모듈을 구비하는 모바일 장치
TWI418912B (zh) * 2010-09-13 2013-12-11 Wintek China Technology Ltd 顯示裝置
TWI455081B (zh) * 2010-12-20 2014-10-01 Wistron Corp 電子閱讀裝置及其操作方法
US9111326B1 (en) 2010-12-21 2015-08-18 Rawles Llc Designation of zones of interest within an augmented reality environment
US9134593B1 (en) 2010-12-23 2015-09-15 Amazon Technologies, Inc. Generation and modulation of non-visible structured light for augmented reality projection system
US8845107B1 (en) 2010-12-23 2014-09-30 Rawles Llc Characterization of a scene with structured light
US8845110B1 (en) 2010-12-23 2014-09-30 Rawles Llc Powered augmented reality projection accessory display device
US8905551B1 (en) 2010-12-23 2014-12-09 Rawles Llc Unpowered augmented reality projection accessory display device
US9721386B1 (en) 2010-12-27 2017-08-01 Amazon Technologies, Inc. Integrated augmented reality environment
US9607315B1 (en) 2010-12-30 2017-03-28 Amazon Technologies, Inc. Complementing operation of display devices in an augmented reality environment
US9508194B1 (en) 2010-12-30 2016-11-29 Amazon Technologies, Inc. Utilizing content output devices in an augmented reality environment
FR2971064B1 (fr) * 2011-01-31 2015-12-18 Wysips Ecran d'affichage a barriere de parallaxe avec cellules photovoltaiques integrees et procede pour sa fabrication
KR101754726B1 (ko) 2011-01-31 2017-07-27 와이십스 광전지가 통합되고 휘도가 개선된 디스플레이 디바이스
US8988440B2 (en) * 2011-03-15 2015-03-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Inactive dummy pixels
US20120249519A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dummy pixels made inactive
KR20140031899A (ko) 2011-04-20 2014-03-13 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 최소의 각 의존성을 갖는 표시 장치들 및 이미징을 위한 스펙트럼 필터링
JP6157804B2 (ja) * 2011-04-29 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
US20130063493A1 (en) * 2011-09-14 2013-03-14 Htc Corporation Devices and Methods Involving Display Interaction Using Photovoltaic Arrays
US9118782B1 (en) 2011-09-19 2015-08-25 Amazon Technologies, Inc. Optical interference mitigation
US20130100334A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Broadcom Corporation Method and System for an Adaptive Auto-Focus Algorithm
US8174772B1 (en) 2011-10-26 2012-05-08 Google Inc. Display device with integrated photovoltaic layer
US20130113810A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sidewall spacers along conductive lines
US20130135184A1 (en) * 2011-11-29 2013-05-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulated arrays of electromechanical systems devices
US9678329B2 (en) * 2011-12-22 2017-06-13 Qualcomm Inc. Angled facets for display devices
KR101827496B1 (ko) 2012-02-09 2018-02-09 한국전자통신연구원 듀얼 모드 동작 픽셀 및 이를 포함하는 듀얼 모드 동작 디스플레이
TWI483032B (zh) * 2012-07-09 2015-05-01 Acer Inc 顯示裝置
CN103578388B (zh) * 2012-07-25 2017-03-08 宏碁股份有限公司 显示装置及其高效充电方法
JP2015537234A (ja) * 2012-10-01 2015-12-24 ユビキタス エナジー, インコーポレイテッドUbiquitous Energy, Inc. 表示装置又は表示装置を備える装置のための波長選択光起電
US20140152632A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Apple Inc. Solar Cell Ambient Light Sensors For Electronic Devices
CN103137024B (zh) 2013-02-04 2015-09-09 小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种移动终端
US9312517B2 (en) 2013-03-15 2016-04-12 Apple Inc. Electronic device displays with border masking layers
US9547107B2 (en) 2013-03-15 2017-01-17 The Regents Of The University Of Michigan Dye and pigment-free structural colors and angle-insensitive spectrum filters
US10348239B2 (en) 2013-05-02 2019-07-09 3M Innovative Properties Company Multi-layered solar cell device
TW201505199A (zh) * 2013-05-08 2015-02-01 Cima Nanotech Israel Ltd 製造具有背側鈍化層之光伏打電池的方法
WO2014197539A1 (en) * 2013-06-06 2014-12-11 3M Innovative Properties Company Antireflective oled construction
FR3010831B1 (fr) 2013-07-29 2019-06-28 Sunpartner Technologies Dispositif d'affichage retroeclaire avec cellules photovoltaiques integrees
KR102073791B1 (ko) * 2013-09-03 2020-02-05 삼성전자주식회사 가요성 전자 소자 및 그 제조 방법
KR102130331B1 (ko) * 2013-09-24 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20150209654A1 (en) 2013-11-12 2015-07-30 Deq Systems Corp. Reconfigurable playing cards and game display devices
CN103760707A (zh) * 2014-01-09 2014-04-30 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
FR3017974B1 (fr) * 2014-02-24 2017-07-21 Sunpartner Technologies Dispositif d'interconnexion et de gestion d'elements photovoltaiques
FR3020473B1 (fr) 2014-04-25 2018-01-12 Sunpartner Technologies Dispositif d'affichage a cellules photovoltaiques integrees avec luminosite et reflectivite ameliorees
US20160098115A1 (en) * 2014-10-03 2016-04-07 Pixtronix, Inc. Display with integrated photovoltaic cell
US9887664B2 (en) * 2015-03-04 2018-02-06 David Lawrence Hammers Solar panel module with increased volume of solar production
CN108323226A (zh) * 2015-08-18 2018-07-24 萨菲尔太阳技术公司 全合一集成多功能三重电源模块“itm”
EP3338271B1 (en) * 2015-08-19 2023-06-07 E Ink Corporation Displays intended for use in architectural applications
GB2545490A (en) * 2015-12-18 2017-06-21 Dst Innovations Ltd Display device and apparatus
KR102461536B1 (ko) * 2016-06-14 2022-11-01 삼성전자 주식회사 편광 특성을 갖는 태양 전지 및 이를 구비한 전자 장치
US10305421B1 (en) * 2016-06-28 2019-05-28 U.S. Department Of Energy Adaptive light management in solar cells
US10505078B2 (en) * 2016-07-08 2019-12-10 Effulgent Inc. Methods and apparatus for illuminating gemstones
CN107068787A (zh) * 2016-12-28 2017-08-18 中国电子科技集团公司第十八研究所 太阳电池集成式GaAs结二极管的结构设计及制造方法
US11569212B2 (en) 2017-11-09 2023-01-31 International Frontier Technology Laboratory, Inc. Semiconductor device power management system
CN108196362B (zh) * 2018-01-03 2020-06-12 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、像素驱动方法、阵列基板、显示装置
EP3521912B1 (en) 2018-01-31 2021-10-27 IMEC vzw An optical device for forming a distribution of a three-dimensional light field
CN115798365A (zh) * 2018-04-08 2023-03-14 北京小米移动软件有限公司 显示面板、光电检测方法、装置及计算机可读存储介质
WO2019200425A1 (en) * 2018-04-16 2019-10-24 Edith Cowan University A display, a photovoltaic panel incorporating the display and method of making same
US20200161486A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-21 Kyocera Document Solutions Inc. Method and apparatus for channeling light for stacked solar cell
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units
US11456397B2 (en) 2019-03-12 2022-09-27 E Ink Corporation Energy harvesting electro-optic displays
CN110518079B (zh) * 2019-09-29 2024-05-07 信利半导体有限公司 一种光电转换率高的薄膜光伏电池及其制备工艺
KR102439301B1 (ko) * 2021-01-08 2022-08-31 군산대학교산학협력단 태양광 패널에 적용된 가시광 통신 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11295725A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池付反射型ディスプレイ
JP2005266007A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Fuji Xerox Co Ltd 画像表示媒体および画像表示装置
JP2006099101A (ja) * 2004-09-27 2006-04-13 Idc Llc バックプレート上に電子回路を提供するための方法及び装置

Family Cites Families (431)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US2590906A (en) 1946-11-22 1952-04-01 Farrand Optical Co Inc Reflection interference filter
US2700919A (en) * 1951-04-26 1955-02-01 Boone Philip Decorative materials and devices having polarizing and birefringent layers
US2677714A (en) * 1951-09-21 1954-05-04 Alois Vogt Dr Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode
US3247392A (en) * 1961-05-17 1966-04-19 Optical Coating Laboratory Inc Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3679313A (en) 1970-10-23 1972-07-25 Bell Telephone Labor Inc Dispersive element for optical pulse compression
JPS4946974A (ja) 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US3886310A (en) 1973-08-22 1975-05-27 Westinghouse Electric Corp Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4116718A (en) 1978-03-09 1978-09-26 Atlantic Richfield Company Photovoltaic array including light diffuser
US4357486A (en) * 1978-03-16 1982-11-02 Atlantic Richfield Company Luminescent solar collector
US4200472A (en) * 1978-06-05 1980-04-29 The Regents Of The University Of California Solar power system and high efficiency photovoltaic cells used therein
US4282862A (en) 1979-11-09 1981-08-11 Soleau Bertrand S Thin-line collectors
JPS5688111A (en) * 1979-12-19 1981-07-17 Citizen Watch Co Ltd Liquid crystal display device with solar battery
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3109653A1 (de) * 1980-03-31 1982-01-28 Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena "resonanzabsorber"
US4421381A (en) 1980-04-04 1983-12-20 Yokogawa Hokushin Electric Corp. Mechanical vibrating element
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
US4400577A (en) * 1981-07-16 1983-08-23 Spear Reginald G Thin solar cells
US4463336A (en) 1981-12-28 1984-07-31 United Technologies Corporation Ultra-thin microelectronic pressure sensors
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4633031A (en) 1982-09-24 1986-12-30 Todorof William J Multi-layer thin film, flexible silicon alloy photovoltaic cell
US4497974A (en) * 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4688068A (en) 1983-07-08 1987-08-18 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Quantum well multijunction photovoltaic cell
US4498953A (en) * 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
JPS60147718A (ja) * 1984-01-12 1985-08-03 Seikosha Co Ltd 太陽電池付きカラ−表示素子
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4655554A (en) 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
JPS62119502A (ja) 1985-11-18 1987-05-30 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション スペクトル・フイルタ
GB2186708B (en) 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
US4705361A (en) * 1985-11-27 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5835255A (en) 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB8621438D0 (en) 1986-09-05 1986-10-15 Secr Defence Electro-optic device
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
US4822993A (en) * 1987-02-17 1989-04-18 Optron Systems, Inc. Low-cost, substantially cross-talk free high spatial resolution 2-D bistable light modulator
ATE71718T1 (de) * 1987-06-04 1992-02-15 Walter Lukosz Optisches modulations- und mess-verfahren.
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
US4925259A (en) 1988-10-20 1990-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multilayer optical dielectric coating
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US4973131A (en) 1989-02-03 1990-11-27 Mcdonnell Douglas Corporation Modulator mirror
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5110370A (en) 1990-09-20 1992-05-05 United Solar Systems Corporation Photovoltaic device with decreased gridline shading and method for its manufacture
JPH04190323A (ja) * 1990-11-26 1992-07-08 Hitachi Ltd 太陽電池セル付液晶ディスプレイ
JPH04238321A (ja) * 1991-01-23 1992-08-26 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示器
US5287215A (en) 1991-07-17 1994-02-15 Optron Systems, Inc. Membrane light modulation systems
US5170283A (en) 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5240818A (en) 1991-07-31 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US5356488A (en) * 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
US6381022B1 (en) 1992-01-22 2002-04-30 Northeastern University Light modulating device
JPH07508856A (ja) 1992-04-08 1995-09-28 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス
US5261970A (en) 1992-04-08 1993-11-16 Sverdrup Technology, Inc. Optoelectronic and photovoltaic devices with low-reflectance surfaces
TW245772B (ja) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
US5818095A (en) 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
FI96450C (fi) 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5498863A (en) 1993-04-30 1996-03-12 At&T Corp. Wavelength-sensitive detectors based on absorbers in standing waves
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
DE69434943T2 (de) * 1993-11-05 2007-12-06 Citizen Holdings Co., Ltd., Nishitokyo Solarzellenanordnung und herstellungsverfahren
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
IL108506A (en) * 1994-02-01 1997-06-10 Yeda Res & Dev Solar energy plant
FI94804C (fi) 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US8081369B2 (en) 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US5920418A (en) 1994-06-21 1999-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator
US5485304A (en) 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
US5647036A (en) 1994-09-09 1997-07-08 Deacon Research Projection display with electrically-controlled waveguide routing
US5544268A (en) 1994-09-09 1996-08-06 Deacon Research Display panel with electrically-controlled waveguide-routing
JPH0894992A (ja) * 1994-09-22 1996-04-12 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
FR2726960B1 (fr) 1994-11-10 1996-12-13 Thomson Csf Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
GB9425334D0 (en) 1994-12-15 1995-02-15 Philips Electronics Uk Ltd Liquid crystal display device and apparatus including such
US5550373A (en) 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
US7898722B2 (en) 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US5886688A (en) * 1995-06-02 1999-03-23 National Semiconductor Corporation Integrated solar panel and liquid crystal display for portable computer or the like
US5661592A (en) 1995-06-07 1997-08-26 Silicon Light Machines Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US6046840A (en) 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6849471B2 (en) * 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
KR100213026B1 (ko) 1995-07-27 1999-08-02 윤종용 디엠디 및 그 제조공정
JP2728041B2 (ja) * 1995-08-30 1998-03-18 日本電気株式会社 液晶パネル
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
JPH09127551A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US7907319B2 (en) * 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US5999306A (en) 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
JP3799092B2 (ja) 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
JP3641872B2 (ja) * 1996-04-08 2005-04-27 株式会社日立製作所 記憶装置システム
AU3077697A (en) * 1996-05-24 1997-12-09 Digital D.J. Incorporated Liquid crystal display device with integrated solar power source and antenna
US5726805A (en) 1996-06-25 1998-03-10 Sandia Corporation Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making
US5907426A (en) * 1996-06-28 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Stabilizing device for optical modulator
US5720827A (en) 1996-07-19 1998-02-24 University Of Florida Design for the fabrication of high efficiency solar cells
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5838484A (en) 1996-08-19 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic
GB9619781D0 (en) 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
US5771116A (en) 1996-10-21 1998-06-23 Texas Instruments Incorporated Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control
FR2756105B1 (fr) 1996-11-19 1999-03-26 Commissariat Energie Atomique Detecteur multispectral a cavite resonante
US6094285A (en) * 1996-12-04 2000-07-25 Trw Inc. All optical RF signal channelizer
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6123431A (en) 1997-03-19 2000-09-26 Sanyo Electric Co., Ltd Backlight apparatus and light guide plate
US6384952B1 (en) 1997-03-27 2002-05-07 Mems Optical Inc. Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method
EP0879991A3 (en) 1997-05-13 1999-04-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating system
JPH10325948A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Matsushita Electron Corp 反射型画像表示装置
US5870221A (en) * 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6008449A (en) 1997-08-19 1999-12-28 Cole; Eric D. Reflective concentrating solar cell assembly
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US6021007A (en) 1997-10-18 2000-02-01 Murtha; R. Michael Side-collecting lightguide
DE69830153T2 (de) 1998-01-20 2005-10-13 Seiko Epson Corp. Optische schaltvorrichtung und bildanzeigevorrichtung
US5914804A (en) 1998-01-28 1999-06-22 Lucent Technologies Inc Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
US6262697B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
CN1142597C (zh) 1998-03-25 2004-03-17 Tdk株式会社 太阳能电池组件
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
JP4019496B2 (ja) * 1998-04-15 2007-12-12 凸版印刷株式会社 太陽電池付反射型カラーディスプレイ及び太陽電池付反射型カラーディスプレイを持つicカード
JP4520545B2 (ja) * 1998-04-17 2010-08-04 セイコーインスツル株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US6097145A (en) 1998-04-27 2000-08-01 Copytele, Inc. Aerogel-based phase transition flat panel display
US6046659A (en) 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6700054B2 (en) 1998-07-27 2004-03-02 Sunbear Technologies, Llc Solar collector for solar energy systems
US6242989B1 (en) 1998-09-12 2001-06-05 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a multi-port variable capacitor
JP3259692B2 (ja) 1998-09-18 2002-02-25 株式会社日立製作所 集光型太陽光発電モジュール及びその製造方法並びに集光型太陽光発電システム
US6323834B1 (en) 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
JP3919954B2 (ja) 1998-10-16 2007-05-30 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
JP2000147262A (ja) 1998-11-11 2000-05-26 Nobuyuki Higuchi 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム
JP3506978B2 (ja) * 1998-11-27 2004-03-15 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
US6188519B1 (en) 1999-01-05 2001-02-13 Kenneth Carlisle Johnson Bigrating light valve
US6242932B1 (en) 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
JP3657143B2 (ja) 1999-04-27 2005-06-08 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法
US6323987B1 (en) 1999-05-14 2001-11-27 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Controlled multi-wavelength etalon
EP1228537A1 (en) 1999-06-14 2002-08-07 AUGUSTO, Carlos Jorge Ramiro Proenca Stacked wavelength-selective opto-electronic device
US6335235B1 (en) * 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6518944B1 (en) * 1999-10-25 2003-02-11 Kent Displays, Inc. Combined cholesteric liquid crystal display and solar cell assembly device
US6960305B2 (en) 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6519073B1 (en) * 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
DK1849621T3 (da) 2000-01-21 2014-05-26 Jds Uniphase Corp Optisk variable sikkerhedsanordninger
US7161569B2 (en) * 2000-01-21 2007-01-09 Citizen Watch Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
JP2001221913A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計
GB2359636B (en) 2000-02-22 2002-05-01 Marconi Comm Ltd Wavelength selective optical filter
JP2003524215A (ja) 2000-02-24 2003-08-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光導波路を具える表示装置
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6747775B2 (en) 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
US6698295B1 (en) * 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
US6400738B1 (en) 2000-04-14 2002-06-04 Agilent Technologies, Inc. Tunable Fabry-Perot filters and lasers
JP2001345458A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Kyocera Corp 太陽電池
FR2811139B1 (fr) 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
US6940631B2 (en) 2000-07-03 2005-09-06 Sony Corporation Optical multilayer structure, optical switching device, and image display
JP2002062490A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6714565B1 (en) 2000-11-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator
US6556338B2 (en) 2000-11-03 2003-04-29 Intpax, Inc. MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
JP2002174780A (ja) 2000-12-08 2002-06-21 Stanley Electric Co Ltd 反射型カラー表示器
US6614576B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
JP4849746B2 (ja) * 2000-12-21 2012-01-11 セイコーインスツル株式会社 携帯情報機器
US20020149834A1 (en) 2000-12-22 2002-10-17 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
DE10064616C2 (de) 2000-12-22 2003-02-06 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
US6912078B2 (en) 2001-03-16 2005-06-28 Corning Incorporated Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
JP3888075B2 (ja) 2001-03-23 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置
US6661561B2 (en) 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6630786B2 (en) 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
WO2002095800A2 (en) 2001-05-22 2002-11-28 Reflectivity, Inc. A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
JP4526223B2 (ja) * 2001-06-29 2010-08-18 シャープ株式会社 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP3740444B2 (ja) 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6661562B2 (en) * 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
JP2003086233A (ja) 2001-09-07 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 平板型電池およびその製法
US7015457B2 (en) 2002-03-18 2006-03-21 Honeywell International Inc. Spectrally tunable detector
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
JP2003124491A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Sharp Corp 薄膜太陽電池モジュール
WO2003042721A2 (en) 2001-11-09 2003-05-22 Coventor, Incorporated Trilayered beam mems device and related methods
TWI234157B (en) 2001-12-07 2005-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Information recording medium and method for producing the same
JP2003177336A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US20070107776A1 (en) 2002-01-25 2007-05-17 Konarka Technologies, Inc., A Delaware Corporation Photovoltaic powered multimedia greeting cards and smart cards
US6608268B1 (en) 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US7369735B2 (en) 2002-02-15 2008-05-06 Biosynergetics, Inc. Apparatus for the collection and transmission of electromagnetic radiation
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
AU2003211809A1 (en) 2002-03-01 2003-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and display unit using the light emitting device and reading device
US7145143B2 (en) 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
US6768555B2 (en) 2002-03-21 2004-07-27 Industrial Technology Research Institute Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination
US6965468B2 (en) * 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
KR20030081662A (ko) 2002-04-12 2003-10-22 삼성에스디아이 주식회사 이중층 반사방지막이 형성된 태양전지
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
DE10221301B4 (de) * 2002-05-14 2004-07-29 Junghans Uhren Gmbh Vorrichtung mit Solarzellenanordnung und Flüssigkristallanzeige
US6689949B2 (en) * 2002-05-17 2004-02-10 United Innovations, Inc. Concentrating photovoltaic cavity converters for extreme solar-to-electric conversion efficiencies
JP2003340795A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Sony Corp 静電駆動型mems素子とその製造方法、光学mems素子、光変調素子、glvデバイス及びレーザディスプレイ
JP4123415B2 (ja) * 2002-05-20 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2003347563A (ja) 2002-05-27 2003-12-05 Canon Inc 積層型光起電力素子
JP3801099B2 (ja) * 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6741377B2 (en) * 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
US6738194B1 (en) 2002-07-22 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Resonance tunable optical filter
US6822798B2 (en) 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US6970155B2 (en) 2002-08-14 2005-11-29 Light Modulation, Inc. Optical resonant gel display
AU2003260825A1 (en) 2002-09-19 2004-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Switchable optical element
JP4057871B2 (ja) 2002-09-19 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100512960B1 (ko) 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 mems 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 mems 무선 마이크로폰
US7085121B2 (en) 2002-10-21 2006-08-01 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
FR2846318B1 (fr) 2002-10-24 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression
US7370185B2 (en) * 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6958846B2 (en) 2002-11-26 2005-10-25 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
GB2396436B (en) 2002-12-19 2006-06-28 Thales Plc An optical filter
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
JP2004212638A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
TW559686B (en) 2002-12-27 2003-11-01 Prime View Int Co Ltd Optical interference type panel and the manufacturing method thereof
JP2004212680A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子アレイ及びその製造方法
TW594155B (en) 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
US6906436B2 (en) 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
JP2004219843A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法
TW557395B (en) * 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
US7436573B2 (en) 2003-02-12 2008-10-14 Texas Instruments Incorporated Electrical connections in microelectromechanical devices
TW200417806A (en) 2003-03-05 2004-09-16 Prime View Int Corp Ltd A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate
JP4190323B2 (ja) * 2003-03-24 2008-12-03 旭化成ホームズ株式会社 土間の気密構造及び土間の気密構造形成方法
US6913942B2 (en) 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW567355B (en) 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI226504B (en) 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
US7218438B2 (en) 2003-04-30 2007-05-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical electronic device with partial reflector layer
US7447891B2 (en) * 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
US6940630B2 (en) 2003-05-01 2005-09-06 University Of Florida Research Foundation, Inc. Vertical displacement device
JP4075678B2 (ja) 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TWI223855B (en) * 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
JP2007027150A (ja) 2003-06-23 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 集光型光発電システム
JP2005018185A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Hitachi Ltd 記憶装置システム
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
DE10329917B4 (de) 2003-07-02 2005-12-22 Schott Ag Beschichtetes Abdeckglas für Photovoltaik-Module
US6862127B1 (en) * 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
JP3786106B2 (ja) * 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
JP3979982B2 (ja) 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US7027204B2 (en) 2003-09-26 2006-04-11 Silicon Light Machines Corporation High-density spatial light modulator
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US6861277B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
JP2005121906A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射型光変調アレイ素子及び露光装置
US7782523B2 (en) 2003-11-01 2010-08-24 Fusao Ishii Analog micromirror devices with continuous intermediate states
TW200524236A (en) 2003-12-01 2005-07-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device incorporating an interference filter
US7430355B2 (en) * 2003-12-08 2008-09-30 University Of Cincinnati Light emissive signage devices based on lightwave coupling
ATE552521T1 (de) 2003-12-19 2012-04-15 Barco Nv Breitbandige reflektive anzeigevorrichtung
WO2005089098A2 (en) 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
TWI235345B (en) 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005235403A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・el表示装置
TWI256941B (en) 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
JP4581453B2 (ja) 2004-03-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Mems素子、光学mems素子、回折型光学mems素子、並びにレーザディスプレイ
JP4627627B2 (ja) * 2004-03-31 2011-02-09 富士通株式会社 マイクロミラー素子および光スイッチ
US7245285B2 (en) 2004-04-28 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pixel device
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7787170B2 (en) 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
US7872790B2 (en) 2004-07-09 2011-01-18 University Of Cincinnati Display capable electrowetting light valve
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) * 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
KR101354520B1 (ko) 2004-07-29 2014-01-21 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7372348B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
CN101006490A (zh) * 2004-08-27 2007-07-25 Idc公司 电流模式显示器驱动电路实现特征
WO2006034377A2 (en) 2004-09-22 2006-03-30 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Light powered microactuator, microfluidic dispenser and retinal prosthesis
US7944599B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US20060176487A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7911428B2 (en) 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7710632B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7750886B2 (en) * 2004-09-27 2010-07-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for lighting displays
EP1640958A2 (en) * 2004-09-27 2006-03-29 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US8102407B2 (en) * 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7893919B2 (en) * 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
JP4155361B2 (ja) 2004-09-27 2008-09-24 株式会社デュエラ シート状集光器及びこれを用いた太陽電池シート
EP1640317A2 (en) 2004-09-27 2006-03-29 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7612932B2 (en) 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7898521B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
JP4384005B2 (ja) 2004-10-15 2009-12-16 株式会社東芝 表示装置
WO2006046193A1 (en) 2004-10-27 2006-05-04 Koninklijke Philips Electronics N. V. Electronic device
US20080068697A1 (en) * 2004-10-29 2008-03-20 Haluzak Charles C Micro-Displays and Their Manufacture
US20060132927A1 (en) 2004-11-30 2006-06-22 Yoon Frank C Electrowetting chromatophore
JP4634129B2 (ja) 2004-12-10 2011-02-16 三菱重工業株式会社 光散乱膜,及びそれを用いる光デバイス
US20060130889A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Motorola, Inc. Solar panel with optical films
US7504770B2 (en) 2005-02-09 2009-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Enhancement of light extraction with cavity and surface modification
US7521666B2 (en) 2005-02-17 2009-04-21 Capella Microsystems Inc. Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus
US8310442B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US7675665B2 (en) 2005-02-23 2010-03-09 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for actuating displays
US7405852B2 (en) 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
JP2006270021A (ja) 2005-02-28 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 積層型光電変換素子
US7346977B2 (en) * 2005-03-03 2008-03-25 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for making a magnetoresistive read head having a pinned layer width greater than the free layer stripe height
JP4743846B2 (ja) 2005-05-10 2011-08-10 シチズン電子株式会社 光通信装置及びそれを用いた情報機器
US7884989B2 (en) 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
US7184195B2 (en) * 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
WO2006137337A1 (ja) * 2005-06-23 2006-12-28 Tpo Hong Kong Holding Limited 光電変換機能を有する液晶表示装置
DE102005046156B3 (de) 2005-09-27 2007-05-31 Siemens Ag Vorrichtung mit Funktionselement und Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung
US8574823B2 (en) * 2005-10-05 2013-11-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-level layer
GB0521251D0 (en) 2005-10-19 2005-11-30 Qinetiq Ltd Optical modulation
US7760197B2 (en) 2005-10-31 2010-07-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabry-perot interferometric MEMS electromagnetic wave modulator with zero-electric field
JP2006065360A (ja) 2005-11-16 2006-03-09 Omron Corp 導光器及び表示装置
US20070113887A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Lih-Hong Laih Material system of photovoltaic cell with micro-cavity
US20070125415A1 (en) 2005-12-05 2007-06-07 Massachusetts Institute Of Technology Light capture with patterned solar cell bus wires
JP2007167998A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Corp 梁構造を有する装置、および半導体装置
TWI428642B (zh) 2005-12-21 2014-03-01 Fujifilm Corp 配備黑矩陣之濾光片及液晶顯示器
US7417746B2 (en) 2005-12-29 2008-08-26 Xerox Corporation Fabry-perot tunable filter systems and methods
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US7603001B2 (en) 2006-02-17 2009-10-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing back-lighting in an interferometric modulator display device
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
JP2007266095A (ja) 2006-03-27 2007-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換セル、光電変換モジュール、光電変換パネルおよび光電変換システム
WO2007110928A1 (ja) * 2006-03-28 2007-10-04 Fujitsu Limited 可動素子
US7477440B1 (en) * 2006-04-06 2009-01-13 Miradia Inc. Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same
US20070235072A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-11 Peter Bermel Solar cell efficiencies through periodicity
US7643203B2 (en) * 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US8004743B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
JP2007334132A (ja) 2006-06-16 2007-12-27 Kanagawa Acad Of Sci & Technol アクチュエータ及びそれを用いた記憶装置
US7385744B2 (en) 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7835061B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7593189B2 (en) * 2006-06-30 2009-09-22 Seagate Technology Llc Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
WO2008013159A1 (fr) 2006-07-25 2008-01-31 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Alliage de métal noble pour bougie d'allumage et son procédé de fabrication et de traitement
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
TWI331231B (en) * 2006-08-04 2010-10-01 Au Optronics Corp Color filter and frbricating method thereof
DE102006039071B4 (de) 2006-08-09 2012-04-19 Universität Kassel Optisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung
JP4765837B2 (ja) * 2006-08-23 2011-09-07 ソニー株式会社 バックライト装置及び液晶表示装置
US7629197B2 (en) 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
CN101542192A (zh) 2006-11-22 2009-09-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明系统和显示设备
US20080121270A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 General Electric Company Photovoltaic roof tile system
US7535621B2 (en) 2006-12-27 2009-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications
US7403180B1 (en) 2007-01-29 2008-07-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Hybrid color synthesis for multistate reflective modulator displays
US8115987B2 (en) 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7916378B2 (en) 2007-03-08 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing a light absorbing mask in an interferometric modulator display
US7742220B2 (en) 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
TWI335085B (en) * 2007-04-19 2010-12-21 Ind Tech Res Inst Bifacial thin film solar cell and method for fabricating the same
US7715085B2 (en) 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7719752B2 (en) * 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7643199B2 (en) * 2007-06-19 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays
US7782517B2 (en) 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7569488B2 (en) 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7595926B2 (en) 2007-07-05 2009-09-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated IMODS and solar cells on a substrate
KR20100066452A (ko) * 2007-07-31 2010-06-17 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 간섭계 변조기의 색 변이를 증강시키는 장치
US7773286B2 (en) 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) * 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
KR20100084518A (ko) 2007-09-17 2010-07-26 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 반투명/반투과반사형 광 간섭계 변조기 장치
US20090078316A1 (en) 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
JP5302322B2 (ja) * 2007-10-19 2013-10-02 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体型光起電力を有するディスプレイ
WO2009059238A1 (en) 2007-11-02 2009-05-07 Applied Materials, Inc. Plasma treatment between deposition processes
US20090293955A1 (en) 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US20090126792A1 (en) 2007-11-16 2009-05-21 Qualcomm Incorporated Thin film solar concentrator/collector
US7715079B2 (en) 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
JP2011507306A (ja) * 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉裏側マスクを有する光起電力装置
BRPI0821371A2 (pt) 2007-12-21 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies Inc Dispositivos fotovoltaicos e respectivo método de fabrico
EP2248188A2 (en) 2008-02-12 2010-11-10 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Dual layer thin film holographic solar concentrator/collector
US20090229664A1 (en) 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Method of manufacturing nanocrystalline photovoltaic devices
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) * 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
CN102017166A (zh) 2008-04-11 2011-04-13 高通Mems科技公司 用于改善pv美学和效率的方法
TWI381536B (zh) 2008-08-29 2013-01-01 Univ Nat Taiwan 微奈米結構pn二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法
US20100051089A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light collection device with prismatic light turning features
US20100059097A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
EP2340567A2 (en) 2008-09-18 2011-07-06 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Increasing the angular range of light collection in solar collectors/concentrators
WO2010044901A1 (en) 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
US20100096011A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11295725A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池付反射型ディスプレイ
JP2005266007A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Fuji Xerox Co Ltd 画像表示媒体および画像表示装置
JP2006099101A (ja) * 2004-09-27 2006-04-13 Idc Llc バックプレート上に電子回路を提供するための方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016167612A (ja) * 2009-07-31 2016-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US9741779B2 (en) 2009-07-31 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US8797628B2 (en) 2014-08-05
WO2009052326A3 (en) 2009-08-06
KR20100090257A (ko) 2010-08-13
US20090103161A1 (en) 2009-04-23
WO2009052324A3 (en) 2009-08-06
US8130440B2 (en) 2012-03-06
EP2212926A2 (en) 2010-08-04
JP2011504600A (ja) 2011-02-10
US20120194896A1 (en) 2012-08-02
KR20100090262A (ko) 2010-08-13
JP5302322B2 (ja) 2013-10-02
CN101828145B (zh) 2012-03-21
JP5209727B2 (ja) 2013-06-12
US20100284055A1 (en) 2010-11-11
US8169686B2 (en) 2012-05-01
US20090103165A1 (en) 2009-04-23
CN101828146A (zh) 2010-09-08
WO2009052324A2 (en) 2009-04-23
EP2210280A2 (en) 2010-07-28
CN101828146B (zh) 2013-05-01
CN101828145A (zh) 2010-09-08
WO2009052326A2 (en) 2009-04-23

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