TWI428642B - 配備黑矩陣之濾光片及液晶顯示器 - Google Patents

配備黑矩陣之濾光片及液晶顯示器 Download PDF

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Description

配備黑矩陣之濾光片及液晶顯示器
本發明關於一種配備黑矩陣之濾光片，其係適合選擇性地遮蔽從光線導入側入射之光線，並將該未被遮蔽光線傳送至光線輸出側，且亦關於一種使用配備黑矩陣濾光片之液晶顯示器。更尤其是，本發明關於防止由於其中照射內部反射光線所引起之薄膜電晶體(TFT)失效之改良技術。
當前極度普及的用於彩色液晶顯示器之彩色濾光片係配置成致使在透明基板上形成彩色像素層R，G及B(分別等於紅色，綠色及藍色)，並在相鄰彩色像素R，G及B之間之各個間隙上形成黑矩陣致使增強顯示對比。尤其是，在採用TFT之主動式矩陣驅動型之液晶顯示器裝置中，採用黑矩陣來防止由於使光線照射至TFT上時致漏電所造成之畫質降級。近年來，黑矩陣已有需求大或等於4.0之高光學密度(O.D.)，以增強顯示影像之顯示對比。另一方面，藉由增加黑矩陣之厚度，而降低彩色濾光片之表面平滑性。因此，有必要使黑矩陣形成像薄膜。
迄今，已採用金屬薄膜來製造具有高度遮光率(light shieldability)之顯示器裝置之黑矩陣。以下列方法(見”彩色TFT液晶顯示器”，218－220頁，係在1997年4月10日由Kyoritsu Shuppan公司出版)製造該黑矩陣。亦即，將光阻劑塗佈在由如鉻金屬所製造之金屬薄膜上，其係藉由執行蒸鍍法或濺鍍法所形成。隨後，使用具有顯示器裝置用遮光膜圖案之光罩使該光阻劑曝光並顯像。然後，將曝光之金屬薄膜加以蝕刻。最後，剝除並去除留在金屬薄膜上之光阻劑而形成該黑矩陣。
本方法使用金屬薄膜。因此，即使在薄膜厚度不大之情況，取得高度之遮光效果。然而，本方法需要執行蒸鍍法或濺鍍法之真空薄膜形成步驟，且亦需要蝕刻步驟。因此，本方法有黑矩陣成本為高之問題。此外，由於使用金屬膜，故該膜之反射比(reflectance)極高。因此，本方法有另一個問題為在強烈外界光線下該顯示器之對比低。另一方面，已經提議一種使用低反射比之鉻膜(其包含，例如，分別由金屬鉻及氧化鉻所製成之兩層膜)的方法。然而，因在蝕刻步驟中釋出含金屬離子之廢液體，本方法有一個主要問題為環境負擔大。尤其是，最常用之鉻有害且具有非常大之環境負擔。最近，依照EU如ELV及RoHS之指令所透露，已經有遞增公開關切環境負擔之減輕。要替代鉻之金屬材料已被提議。
同時，取得黑矩陣之其中一項環境負擔小之技術係使用黑碳之技術(見，例如，JP－A－62－9301(此間所用之名稱”JP－A”意為”未審查公開日本專利申請案”))。如第7圖中所示，依據本技術，將含黑碳之感光樹脂混合物塗佈在基板1上。使該塗佈層乾化。然後，將該乾化層曝光及顯像而得到黑矩陣BM。然而，黑碳之單位塗佈量之光學密度低。因此，要得到高遮光率及高光學密度時需增加薄膜厚度t 。
在使用黑碳之情況中，當確定，例如為4.0之光學密度等於金屬膜之光學密度時，該膜厚度應為1.2μm至1.5μm。因此，在形成黑矩陣BM後形成RGB像素之情況中，有時，例如，如第7圖中所示，相鄰彩色像素R及G之邊界部位擴展成為突起部3，3。在彩色濾光片5中，其平面性及平滑性受損，外界光線圍繞黑矩陣通過該突起部3且由於光線照射在上面，故造成從薄膜電晶體(TFT)漏光。結果，採用黑碳之技術有畫質降級之問題，且來自背光光源之該光線係從該突起部3之側部位入射，因此使顯示品質降級。
鑒於以上問題，使用金屬微粒取代黑碳之方法已知為取得黑矩陣之方法，該黑矩陣環境負擔小且光學密度高並形成薄膜(見，例如，JP－A－2004－240039)。與形成金屬薄膜之方法比較，依據本方法可得到環境負擔小且光學密度高並形成薄膜之黑矩陣。
與使用黑碳形成黑矩陣之情況比較，在使用金屬微粒形成配備黑矩陣濾光片之情況中，可減低黑矩陣之膜厚。而且，與使用金屬薄膜形成黑矩陣之情況比較，在使用金屬微粒形成黑矩陣濾光片之情況中，可減低環境負擔。
然而，即使在使用金屬微粒形成黑矩陣之情況中，該薄膜之反射比為高。因此，尤其是，在液晶面板係配置在配備黑矩陣之濾光片與背光光源之間的平面顯示器裝置之情況下，當自背光光源由液晶面板所傳送之光線係自濾光片之光線引入側入射時，該入射光線有時為黑矩陣之光線引入側表面所反射而由此朝向該液晶面板。預期當該內部反射發生時，設置在液晶面板中之TFT由於光線照射造成功能失效。在使用背光光源來增加亮度之情況時，該問題變得突顯。
本發明係就以上情況加以完成的。本發明之目的在提供一種可防止已經從光線引入側所入射之光線不為黑矩陣所反射，且不致從該光線引入側再被輸出的配備黑矩陣之濾光片。本發明之另一目的在提供一種使用配備黑矩陣之濾光片的液晶顯示器。因此，防止有內部反射光線照射之TFT發生功能失效。結果，可增強液晶面板之顯示品質。
依據本發明之配備黑矩陣之濾光片包含黑矩陣，其適於選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側。本黑矩陣包含遮光層及形成在該遮光層之光線引入側的第一反射抑制層。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該黑矩陣時，該入射光線之反射為形成在該遮光層之光線引入側的第一反射抑制層所抑制。而且，可防止從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。
依據本發明之液晶顯示器係配置成致使配備黑矩陣之濾光片係橫跨該液晶面板，配置在背光光源之對面。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該配備黑矩陣之濾光片之黑矩陣時，該入射光線之反射為形成在該遮光層之光線引入側之第一反射抑制層所抑制。而且，照射在設置於該液晶面板之TFT上面之反射光量則減低。結果，可防止使背光光線穿透遮光層照射在TFT上面成為內部反射光線而造成之TFT功能失效。而且，可增強液晶面板之顯示品質。
(1)依據本發明之第一觀點，配備黑矩陣之濾光片包含黑矩陣，其適於選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側，其中該黑矩陣包含：遮光層；以及形成在該遮光層之光線引入側之第一反射抑制層。
依據此配備黑矩陣之濾光片，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該黑矩陣時，本入射光線之反射為形成在該遮光層之光線引入側之第一反射抑制層所抑制。亦即，可抑制發生從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。結果，在液晶面板係設置於配備黑矩陣之濾光片與背光光源之間的情況中，可抑制液晶面板從背光光源所傳送之光線為該配備濾光片之黑矩陣所反射，以及抑制照射在液晶面板之TFT上面。
(2)依據第(1)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該黑矩陣包含設置在該遮光層之光線輸出側的第二反射抑制層。
依據本配備黑矩陣之濾光片，即使在遮光層為金屬膜之情況，可藉由在該遮光層之光線輸出側形成第二反射抑制層，由該第二反射抑制層來減低金屬膜之高反射比。因此，即使在外界光線下，亦能得到高顯示對比。
(3)依據第(1)或(2)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該反射抑制層包含吸光材料。
依據本配備黑矩陣之濾光片，形成在該黑矩陣之光線引入側之反射抑制層為吸光材料所製成。因此，當從光線引入側將例如來自背光光源之光線照射在該黑矩陣上面時，已照射光線即為該吸光材料所吸收且在通過該吸光材料期間即衰減。觸及遮光層未被完美地吸收之光線即被反射。本反射光線於再通過該吸光材料期間部分地被吸收並被衰減。結果，抑制從光線引入側照射在該黑矩陣上面之光線的反射。
(4)依據第(3)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該吸光材料為黑碳與含黑碳之混合物中之一種。
依據本配備黑矩陣之濾光片，採用黑碳或含黑碳之混合物做為吸光材料。因此，搓揉並塗佈直徑為5nm至500nm之細碳粒。結果，可以低成本輕易形成高密度高精確度(或高解析度)之吸光膜。
(5)依據第(1)至(4)項中任一項之配備黑矩陣之濾光片，其中該遮光層包括金屬微粒。
依據本配備黑矩陣之濾光片與其中之黑矩陣包含黑碳之濾光片比較，其薄膜厚度大並能得到高遮光率。
(6)依據第(5)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該遮光層係將金屬微粒分散於黏合劑中而形成，使其能遮蔽光線。
依據本配備黑矩陣之濾光片，可藉由應用印製技術之簡單塗層而形成遮光層。
(7)依據第(6)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該黏合劑包括有機聚合物黏合劑。
依據本配備黑矩陣之濾光片，藉由將金屬微粒分散於黏合劑中，致能遮蔽光線來形成遮光層。採用有機聚合物黏合劑作為黏合劑。該有機聚合物黏合劑之一實例為具有保護性膠狀特性之明膠。
(8)依據第(5)至(7)項中任一項之配備黑矩陣之濾光片，其中該金屬微粒包含銀與含銀化合物中之一種。
依據本配備黑矩陣之濾光片，該金屬微粒係由銀或含銀之化合物所製成。因此，得到優越之可延性(malleability)及展延性(ductility)。結果，可以低成本輕易地印製形成高密度高精確度(或高解析度)之遮光層。
(9)依據本發明之第二觀點，液晶顯示器包含：依據第(1)項之配備黑矩陣之濾光片；配置在該配備黑矩陣之濾光片之光線引入側的背光光源；以及配置在該配備黑矩陣之濾光片與該背光光源之間的液晶面板。
依據本液晶顯示器，當已經從光線引入側入射之光線撞擊該配備黑矩陣之濾光片的黑矩陣時，該入射光線之反射被形成在該遮光層之光線引入側之第一反射抑制層所抑制。因此，照射在設置於該液晶面板上面之TFT之反射光量則減低。
(10)依據本發明之第三觀點，配備黑矩陣之濾光片包含黑矩陣，其適於選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側，其中該黑矩陣包括：遮光層；以及形成在該遮光層之光線引入側之後向反射層(retro－reflection layer)。
依據本配備黑矩陣之濾光片，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該黑矩陣時，藉由形成在該遮光層之光線引入側之後向反射層，使該入射光線在其相同之入射方向中返回。亦即，已經自該光線引入側入射之光線未作為在該入射方向以外之方向行進之內部反射光線(或散失(stray)光線)。結果，在液晶面板係配置於配備黑矩陣之濾光片與背光光源之間的情況中，可防止液晶面板從背光光源所傳送之光線為該配備黑矩陣之濾光片的黑矩陣所反射，以及防止照射在液晶面板之TFT上面。
(11)依據第(10)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該黑矩陣包含設置在遮光層之光線輸出側之反射抑制層。
依據本配備黑矩陣之濾光片，即使在遮光層為金屬膜之情況，可藉由在該遮光層之光線輸出側形成反射抑制層，由該反射抑制層來減低金屬膜之高反射比。因此，即使在外界光線下，亦能得到高顯示對比。
(12)依據第(11)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該反射抑制層包含吸光材料。
依據本配備黑矩陣之濾光片，該反射抑制層係由吸光材料所製成。因此，當外界光線照射在該黑矩陣上面時，已照射光線即被該吸光材料部份地吸收且在通過該吸光材料期間即衰減。觸及遮光層未被吸收之光線即被反射。本反射光線部分被吸收並於再通過該吸光材料期間被衰減。結果，抑制從光線輸出側照射在該黑矩陣上面之外界光線的反射。
(13)依據第(12)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該吸光材料為黑碳與含黑碳之混合物中之一種。
依據本配備黑矩陣之濾光片，採用黑碳或含黑碳之混合物做為吸光材料。因此，搓揉並塗佈直徑為5nm至500nm之細碳粒。結果，可以低成本輕易地形成高密度高精確度(或高解析度)之吸光膜。
(14)依據第(10)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該遮光層包含金屬微粒。
依據本配備黑矩陣之濾光片與其中之黑矩陣包含黑碳之濾光片比較，其薄膜厚度大並能得到高遮光率。
(15)依據第(14)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該遮光層係將金屬微粒分散於黏合劑中而形成，以使其能遮蔽光線。
依據本配備黑矩陣之濾光片，可藉由應用印製技術之簡單塗層而形成遮光層。
(16)依據第(15)項之配備黑矩陣之濾光片，其中該黏合劑包括有機聚合物黏合劑。
依據本配備黑矩陣之濾光片，藉由分散黏合劑中之金屬微粒，致能遮蔽光線來形成遮光層。採用有機聚合物黏合劑作為黏合劑。該有機聚合物黏合劑之一實例為具有保護性膠狀特性之明膠。
(17)依據第(14)至(16)項中任一項之配備黑矩陣之濾光片，其中該金屬微粒包括銀與含銀化合物中之一種。
依據本配備黑矩陣之濾光片，該金屬微粒係由銀或含銀之化合物所製成。因此，得到優越之可延性及展延性。結果，可以低成本輕易地印製形成高密度高精確度(或高解析度)之遮光層。
(18)依據第(10)至(17)項中任一項之配備黑矩陣之濾光片，其中該後向反射層包含：形成在遮光層表面上之黏合劑層，該表面係設置在光線引入側，並具有吸光材料；以及配置在該黏合劑層上之大量的小玻璃珠，且其具有光線折射作用。
依據本配備黑矩陣之濾光片，將吸光材料附加至上面配置有玻璃珠之黏合劑層。當已經從光線引入側入射之光線撞擊該配備黑矩陣之濾光片之黑矩陣時，已入射在各個玻璃珠上之入射光線即再次於入射方向中返回。另一方面，已入射在黏合劑層上之光線部分被吸光材料吸收並於通過該吸光材料期間被衰減。結果，抑制從光線引入側照射在該黑矩陣上面之光線的反射。
(19)依據本發明之第四觀點，液晶顯示器包含：依據第(10)至(18)項中任一項之配備黑矩陣之濾光片；配置在配備黑矩陣之濾光片之光線引入側的背光光源；以及配置在配備黑矩陣之濾光片與背光光源之間之液晶面板。
依據本配備黑矩陣之濾光片，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該配備黑矩陣之濾光片的黑矩陣時，該入射光線在其相同之入射方向中為形成在該遮光層之光線引入側之後向反射層所返回。因此，防止入射光線作為內部反射光線並防止使其照射在設置於液晶面板上之TFT上面。
依據本發明之配備黑矩陣之濾光片包含黑矩陣，其適於選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線，並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側。本黑矩陣包含遮光層及形成在該遮光層之光線引入側的第一反射抑制層。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該黑矩陣時，該入射光線之反射為形成在該遮光層之光線引入側的第一反射抑制層所抑制。而且，可防止從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。
依據本發明之配備黑矩陣之濾光片包含黑矩陣，其適於選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側。本黑矩陣包含遮光層及形成在該遮光層之光線引入側的後向反射層。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該黑矩陣時，該入射光線在其入射之相同方向為形成在該遮光層之光線引入側的後向反射層所反射。而且，可防止從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該黑矩陣時，該入射光線在其入射之相同方向為形成在該遮光層之光線引入側的後向反射層所反射。而且，可防止從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。結果，可防止已經從光線引入側所入射光線作為內部反射光線(或散失光線)。
依據本發明之液晶顯示器係配置成致使配備黑矩陣之濾光片係橫跨該液晶面板，配置在背光光源之對面。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該配備黑矩陣之濾光片之黑矩陣時，該入射光線之反射為形成在該遮光層之光線引入側之第一反射抑制層所抑制。而且，照射在設置於該液晶面板上面之TFT之反射光量則減低。結果，可防止使背光光線穿透遮光層照射在TFT上面成為內部反射光線而造成之TFT功能失效。而且，可增強液晶面板之顯示品質。
依據本發明之液晶顯示器係配置成致使配備黑矩陣之濾光片係橫跨該液晶面板，配置在背光光源之對面。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊該配備黑矩陣之濾光片之黑矩陣時，該入射光線在入射方向中為形成在該遮光層之光線引入側之後向反射層所返回。因此，該入射光線非但不作為內部反射光線(或散失光線)，亦不照射在設置於液晶面板上之TFT上面。結果，可防止使背光光線穿透遮光層照射在TFT上面成為內部反射光線而造成之TFT功能失效。而且，可增強液晶面板之顯示品質。
 (第一具體實施例)
此後，參考隨附圖示詳細說明依據本發明之第一具體實施例之配備黑矩陣之濾光片及液晶顯示器。
第1圖係依據本發明之配備黑矩陣之濾光片主要部位的放大說明圖。第2圖為說明如第1圖中所示，具有配備黑矩陣之濾光片之液晶顯示器實例的方塊圖。第3圖為如第2圖中所示液晶面板主要部位之放大平面圖。第4圖為取自如第3圖中所示直線AA箭頭方向之橫切面圖。第5圖為說明TFT連接狀態之示意圖。
如第2圖中之範例，液晶顯示器100係配置成致使水平奇掃描電路13a、水平偶掃描電路13b、與垂直掃描電路15連接至液晶面板11。RGB極性切換電路17及控制信號產生電路19係連接至各個水平奇掃描電路13a及水平偶掃描電路13b。該控制信號產生電路19係連接至垂直掃描電路15。而且，水平同步信號及垂直同步信號係輸入至控制信號產生電路19。R，G及B信號係從視訊電路21輸入至RGB極性切換電路17。
依據該水平同步信號及垂直同步信號，控制信號產生電路19產生對應於液晶面板11之光線on/off特性之RGB信號電壓，且亦產生具有正負極性之RGB信號加以執行液晶面板11之AC驅動。這藉由僅對液晶面板11施加只有單向作用之電場，防止液晶特性降質。RGB極性切換電路17以對應於像素數之時序切換RGB信號，並將其輸入水平奇掃描電路13a及水平偶掃描電路13b。另一方面，如本圖中所見，從連續之頂部掃描線施加控制信號電壓至垂直掃描電路15。因此，連接至各掃描線之所有TFT 23(見第3圖)皆導通，其中，施加控制信號電壓至各該掃描線。透過第5圖中所示之信號線、TFT 23之源極S、及其汲極電極D，將一信號從水平奇掃描電路13a或水平偶掃描電路13b施加至像素電極25。所施加之信號電壓係儲存在作為電容用之像素電極25中，並連續驅動第4圖中所示之液晶11a，直到執行接著之掃描。
如第4圖中所示，液晶顯示器100具有設置在液晶面板11之一表面(第4圖中所示之底部表面)上之背光光源30，並具有設置在其另一表面(第4圖中所示之頂部表面)上之配備黑矩陣之濾光片27。亦即，該背光光源30係配置在配備黑矩陣之濾光片27之光線引入側。該液晶面板11係配置在配備黑矩陣之濾光片27與背光光源30之間。
適當配置之光源，例如，利用透過稜鏡從冷陰極射線管或LED所輸出之光線作為平光之光源可被利用作為背光光源。
配備黑矩陣之濾光片27係配置成致使彩色像素層R，G及B(分別等於紅，綠及藍)形成在透明基板29上(亦即，第4圖中所示之底部表面上)，而且黑矩陣31係形成在各對相鄰彩色像素R，G及B之間的間隙中來增強顯示對比。配備黑矩陣之濾光片27具有黑矩陣，致選擇性地遮蔽已自光線引入側所入射之光線，並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側。
順便，如第1圖中所示，黑矩陣31包含遮光層33及形成在本遮光層33之光線引入側之第一反射抑制層35。遮光層33係使用供產製黑矩陣之彩色組成物所形成，(下文中有時簡稱為”彩色組成物”)。該彩色組成物由金屬微粒構成或包含金屬微粒。該彩色組成物可進一步含作為黏合劑用之聚合物及溶劑。在遮光層33由金屬微粒組成之情況，該遮光層33與包含黑碳之黑矩陣比較，其薄膜厚度大並具高遮光率。此外，在藉由將金屬微粒分散於黏合劑中之，致能遮蔽光線而形成遮光層33之情況，藉由利用印製技術執行黏合劑之簡單塗佈可形成遮光層33。此外，在藉由分散黏合劑中之金屬微粒，致能遮蔽光線而形成遮光層33之情況，可使用有機聚合物黏合劑作為黏合劑。例如，可使用具有保護性膠狀特性之明膠作為有機聚合物黏合劑。
例如，使用銀微粒，含銀、金微粒及銅微粒之化合物所製成之微粒作為金屬微粒。雖然可使用市售之金屬微粒，但可執行化學還原法(chemical reduction method)或金屬離子之非電解電鍍法或執行金屬蒸鍍法加以製備金屬微粒。在金屬微粒為銀(或膠狀銀)之情況，可使用下列習知方法，其包含以化學方式將溶液中之銀離子還原成銀之方法，例如，如美國專利案第2,688,601號專利說明書中所述，使用對苯二酚(hydroquinone)以化學方式將明膠水溶液中之可溶性銀鹽加以還原之方法，如德國專利案第1,096,193號專利說明書中之說明，使用聯氨(hydrazine)將微溶性銀鹽加以還原之方法，以及，如美國專利案第2,921,914號專利說明書中所述，使用單寧酸(tannin acid)將銀離子還原成銀之方法。而且，該習知方法包含，如JP－A－5－134358中之說明，藉由執行非電解電鍍法形成銀微粒之方法，以及氣相蒸鍍法，其使用溶劑將如氦氣之惰性氣體中之塊狀金屬加以蒸鍍且之後執行冷阱(cold－trapping)之氣相蒸鍍法。尤其是，在金屬微粒為銀或含銀化合物所製成之情況中，得到優越之可延性及展延性。結果，可以低成本輕易地印製形成高密度高精確度(或高解析度)之遮光層。
而且，在使用彩色組成物形成遮光層33之情況中，較佳的是遮光層33每μm厚度之光學密度(O.D.)大於或等於1。在產製配備黑矩陣之濾光片之加熱步驟中考慮到防止金屬微粒之融合，較佳的是，調整彩色組成物中金屬微粒之內容物，致含在遮光層33中要形成之金屬微粒內容物為10質量%~90質量%，更較佳的是，約為10質量%~80質量%。順帶一提，即使當遮光層33中所含之金屬微粒內容物值相同時，其所含之光學密度隨金屬微粒之平均粒子直徑而變。
從遮光層33光學密度之觀點，較佳的是，彩色組成物中所使用金屬微粒之平均粒子直徑範圍自60 nm至250 nm，更較佳的是，自70 nm至200 nm。依據使用穿透電子顯微鏡(TEM)觀測之結果，金屬微粒之平均粒子直徑為50個微粒之直徑平均值。
彩色組成物可具感光性。為對彩色組成物賦予感光性，將感光樹脂組成物附加至彩色組成物。可使用JP－A－10－160926第0016－0022及0029段中所敘述之組成物做為感光性樹脂組成物。在使用金屬微粒為水狀溶膠之情況，類似於銀膠狀，需要水系組成物為感光性樹脂組成物。該等感光樹脂組成物係說明在JP－A－8－271727第0015－0023段中。此外，市售感光樹脂組成物係，例如為Toyo Gosei公司所製造之”SPP－M20”(商標名)。身為薄膜並具高光學密度之遮光層33可從此等彩色組成物(包含感光組成物)加以製造。
而且，使用感光彩色組成物來製造感光轉印材料。然後，可使用本感光轉印材料來製造遮光層33。該感光轉印材料適於使用至少一種感光彩色組成物為支撐媒體，並適於具備感光遮光層。因此，提供感光遮光層做為遮光層。較佳的是，感光遮光層之膜厚約0.25μm。較佳的是，該支撐媒體係由化學及熱穩定之撓性材料製成。更明確地說，優先選取由鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)，聚對苯二甲酸乙二酯，聚萘酸乙二酯，聚烯丙酯(polyalylate)，聚碳酸酯，聚乙烯，及聚丙烯所製成之薄片或由該等材料所製成之積層產品為支撐媒體材料。此外，在設有鹼可溶性熱塑性層之情況中，較佳的是，本層膜與支撐媒體間之剝離性(peelability)為佳。該支撐媒體之適當厚度範圍自5μm至30μm，尤其較佳的是20μm至150μm。
使用如為旋塗機輪塗機(whiler)，輥塗機，淋幕塗佈機，刀式塗佈機，線棒式塗佈機，或擠壓機之塗佈機加以塗佈彩色感光組成物溶液至支撐媒體並使其乾化可製造感光轉印材料。在設有鹼可溶性熱塑膠層之情況中，可類似地製造感光轉印材料。因感光轉印材料設有自彩色組成物所製造之感光遮光層，故可製造身為薄膜並具高光學密度之遮光層33。
因此，黑矩陣31具有使用彩色組成物或感光轉印材料所製造之遮光層33。較佳的是，遮光層33之膜厚約0.25μm。黑矩陣31之遮光層33係藉由分散金屬微粒而形成。因此，即使當遮光層33為薄膜時，該遮光層33亦具充分之光學密度。
使用感光彩色組成物製造遮光層33之方法係執行如下。亦即，首先，將含金屬微粒之感光彩色組成物塗佈在光學透明基板上面所形成之層(使用塗佈感光彩色組成物之方法，其類似於當製造感光轉印材料時所用之方法)藉由一般方法透過黑矩陣用之光罩加以曝光。隨後，在曝光層上執行顯影。另外，在彩色組成物為不感光之情況時，由可顯影之感光樹脂組成物所形成之層係形成在將含金屬微粒之彩色組成物塗佈在光透明基板上所形成之層上。然後，藉由一般方法透過黑矩陣用之光罩將由感光樹脂組成物所形成之層加以曝光。隨後，形成遮光層33。
使用感光轉印材料製造遮光層33之方法係執行如下。首先，將感光轉印材料安置並堆積在光學透明基板上，致使感光轉印材料之感光遮光層隨之接觸。接著，使支撐媒體從感光轉印材料及光透明基板之層積體剝離。隨後，透過黑矩陣用之光罩使由感光轉印材料所形成之層曝光。然後，在曝光層上執行顯影。因此，形成遮光層33。本方法可以低成本完成製造遮光層33，而不需執行複雜步驟。
形成在遮光層33之光線引入側之第一反射抑制層35包含吸光材料。該吸光材料可為黑碳或含黑碳之混合物。第一反射抑制層35可藉由使塗佈層曝光及顯影而形成，該塗佈層係塗佈含黑碳之感光樹脂組成物並使塗佈之組成物乾化而得到。第一反射抑制層35之厚度可設在約0.25mm，其幾乎等於，例如，遮光層33之厚度。
在黑矩陣31中，形成在光線引入側之第一反射抑制層35係由吸光材料製成。因此，當從光線引入側將來自例如背光光源之光線照射在黑矩陣31上面時，所照射光線即由吸光材料所吸收並在通過吸光材料期間被衰減。觸及遮光層33未被吸收之光線即被反射。本反射光線部分被吸收並於再通過吸光材料期間被衰減。結果，從光線引入側照射在黑矩陣31上面之大半光線被抑制反射。
而且，採用黑碳或含黑碳之混合物為吸光材料。因此，搓揉並塗佈直徑為5nm至500nm之細碳粒。結果，可以低成本輕易形成高密度高精確度(或高解析度)之吸光膜(第一反射抑制層35)。
第6圖為說明所黑矩陣之修改的橫切面圖。
如第6圖所示，黑矩陣31在遮光層33之光線輸出側可具有第二反射抑制層37。在這情況中，第二反射抑制層37之厚度可設在例如約0.25μm，其幾乎等於，例如，遮光層33之厚度。因此，在依據本黑矩陣31A之修改的情況中，遮光層33膜厚ta、第一反射抑制層35膜厚tb、及第二反射抑制層37膜厚tc之總膜厚約0.75μm。如與以只使用黑碳所形成之黑矩陣確保類似光學密度(O.D.)之情況中的約1.25μm厚度比較，可實質降低黑矩陣之厚度。而且，即使在遮光層33為金屬膜之情況，藉由在遮光層33之光線輸出側形成第二反射抑制層37，該第二反射抑制層37可降低金屬膜之高反射比。因此，即使在外界光線下亦可得到高顯示對比。
具有黑矩陣31之配備黑矩陣之濾光片27係配置成使得當已經從光線輸出側入射之光線撞擊黑矩陣31時，該入射光線之反射為形成在遮光層33之光線引入側的第一反射抑制層35所抑制。亦即，可抑制從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。結果，在液晶面板11係設置於配備黑矩陣之濾光片27與背光光源之間的情況中，可抑制液晶面板11從背光光源所傳送之光線為配備黑矩陣濾光片27之黑矩陣31所反射，以及抑制照射在液晶面板11之TFT23上面。因此，在具有配備黑矩陣之濾光片27之液晶顯示器100中，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊黑矩陣31時，該入射光線之反射為第一反射抑制層35所抑制。因此，照射在設置於液晶面板11之TFT23上面之反射光量則減低。
因此，依據以上實施例之配備黑矩陣之濾光片27包含黑矩陣31，其適於選擇性遮蔽自光線引入側所入射之光線，並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側。本黑矩陣31包含遮光層33及形成在遮光層33之光線引入側的第一反射抑制層35。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊黑矩陣31時，該入射光線之反射為形成在遮光層33之光線引入側的第一反射抑制層35所抑制。而且，可防止從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。
而且，使用配備黑矩陣之濾光片27之液晶顯示器100係配置成致使配備黑矩陣之濾光片27係橫跨液晶面板11，配置在背光光源之對面。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊配備黑矩陣之濾光片27之黑矩陣31時，該入射光線之反射為形成在遮光層33之光線引入側之第一反射抑制層35所抑制。而且，照射在設置於液晶面板11之TFT 23上面之反射光量則減低。結果，可防止使背光光線穿透遮光層33照射在TFT 23上面成為內部反射光線而造成之TFT 23功能失效。而且，可增強液晶面板11之顯示品質。
(第二具體實施例)
此後，參考隨附圖示詳細說明依據本發明之第一具體實施例之配備黑矩陣之濾光片及液晶顯示器。參考第二具體實施例，其中類似於參考第一具體實施例所先前說明之該等部件係以相同參照號碼表示。
第8圖說明依據第二具體實施例之配備黑矩陣之濾光片主要部位的放大解釋圖。第9圖為說明TFT連接狀態之示意圖。
順帶一提，如第8圖中所示，黑矩陣31’包含遮光層33及形成在本遮光層33之光線引入側之後向反射層35’。
如第9圖中所示，形成在遮光層33之光線引入側之後向反射層35’包含形成在遮光層33之光線引入側表面上之黏合劑層41，而且包含配置在黏合劑層41上，並具有光線折射作用之大量微小玻璃珠43。較佳的是，如稍後之說明，將如黑碳之吸光材料附加至黏合劑層41。在製造後向反射層35’之方法中使用整顆球各加以電鍍，例如，鋁之玻璃珠43。使用具有優良產能之電漿離子電鍍法為電鍍各整顆玻璃珠43之方法(見，例如JP－A－2000－336473)。
形成後向反射層35’之方法係執行如下。首先，藉由網版印製法(screen－printing)將係為接著劑層之黏合劑層41形成在遮光層33之光線引入側。可使用大量聚合物材料作為黏合劑層41中所用之黏合劑。更明確地說，使用熱固性材料及熱塑性材料作為黏合劑。適當之聚合物材料例如為胺甲酸酯、環氧樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂及酸烯烴共聚合物(例如，乙烯甲基丙烯酸(ethylene metharylic acids)及聚氯乙烯－聚醋酸乙烯酯共聚物。黏合劑之其他典型實例為聚丁基乙烯酯(polyvinyl butyl)、聚酯樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂及其混合物。
隨後，整顆球體各加以電鍍如鋁45之金屬的玻璃珠43係分散安置在所塗佈之黏合劑層41上。此外，透過網版印製法，藉由塗佈附加玻璃珠43之塗料可分散安置玻璃珠43。然而，依據本發明分散安置玻璃珠43之方法並不限於此。可將玻璃珠43直接分散安置在其上。結果，各顆玻璃珠43有半顆內崁在黏合劑層41中。雖然會需要將分散安置之玻璃珠43壓入黏合劑層41內之步驟，但由於玻璃珠43與黏合劑層41之間特定凹孔之異，可藉同時沉澱將玻璃珠43壓入。隨後，在黏合劑層41乾化及硬化後，藉由鹼性溶液，將已塗佈暴露半球的各顆玻璃珠43之金屬膜(由鋁45製造)溶解或剝離。之後，洗滌玻璃珠43並使其乾化。隨後，形成保護層47致使各顆玻璃珠43玻璃部位之金屬膜被崁入在內。因此，形成內部崁入玻璃珠43之後向反射層35’。
此外，較佳的是，將吸光材料添加至當中有安置玻璃珠43之黏合劑層41。可使用黑碳作為吸光材料。當已經從光線引入側入射之光線撞擊藉由將吸光材料附加至黏合劑層41所得到之後向反射層35’時，已入射在各個玻璃珠43上之入射光線即於入射方向中返回。另一方面，已入射在黏合劑層41上之入射光線部分被吸光材料吸收並於通過該吸光材料期間被衰減。結果，抑制從光線引入側照射在後向反射層35’上面之光線的反射。
第10圖為說明第二具體實施例中黑矩陣之修改的橫切面圖。
如第10圖中所示，黑矩陣31在遮光層33之光線輸出側可具有反射抑制層37。在本情況中，反射抑制層37之厚度可設在例如約0.25μm。反射抑制層37含吸光材料。該吸光材料可為黑碳或含黑碳之混合物。藉由塗佈含黑碳之感光樹脂混合物並使其乾化，並使已乾化之塗佈層曝光及顯像可形成後向反射層35’。而且，採用黑碳或含黑碳之混合物做為反射抑制層37中所含之吸光材料。因此，搓揉並塗佈直徑為5nm至500nm之細碳粒。結果，可以低成本輕易形成高密度高精確度(或高解析度)之吸光膜(後向反射層35’)。
在黑矩陣31’中，當已經從光線引入側入射之光線撞擊黑矩陣31’時，藉由形成在遮光層33之光線引入側之後向反射層35’，使該入射光線在其相同之入射方向中返回。亦即，已經自該光線引入側入射之光線未作為在該入射方向以外之方向行進之有害內部反射光線(或散失(stray)光線)。結果，在液晶面板11係配置於配備黑矩陣之濾光片27與背光光源之間的情況中，可防止液晶面板11從背光光源所傳送之光線為配備黑矩陣之濾光片27之黑矩陣31’所反射，以及防止照射在液晶面板11之TFT 23上面。
而且，反射抑制層37係形成在黑矩陣31’之光線輸出側。因此，當外界光線係從光線輸出側照射至黑矩陣31時，已照射光線即為該吸光材料所部份吸收且在通過該吸光材料期間即衰減。此外，觸及遮光層未被吸收之光線即被反射。本反射光線部分被吸收並於再通過該吸光材料期間被衰減。結果，即使在遮光層33為金屬膜之情況，可藉由在遮光層33之光線輸出側形成反射抑制層，由反射抑制層37來減低金屬膜之高反射比。因此，即使在外界光線下，亦能得到高顯示對比。
依據本發明以上具體實施例之配備黑矩陣之濾光片27包含黑矩陣31’，其適於選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線並將未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側。本黑矩陣31，包含遮光層33及形成在遮光層33之光線引入側的後向反射層35’。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊黑矩陣31’時，該入射光線在其入射之相同方向為形成在遮光層33之光線引入側的後向反射層35’所反射。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊黑矩陣31’時，該入射光線在其入射之相同方向為形成在該遮光層之光線引入側的後向反射層35’所反射。而且，可防止從光線引入側再輸出已自該光線引入側所入射光線的內部反射。結果，可防止已經從光線引入側所入射光線作為內部反射光線(或散失光線)。
而且，使用配備黑矩陣之濾光片27之液晶顯示器100’係配置成致使配備黑矩陣之濾光片27係橫跨液晶面板11，配置在背光光源之對面。因此，當已經從光線輸出側入射之光線撞擊配備黑矩陣之濾光片27之黑矩陣31’時，該入射光線在其入射方向中為形成在遮光層33之光線引入側之後向反射層35’所返回。因此，該入射光線既不作為內部反射光線，亦不照射在設置於液晶面板11之TFT 23上面。結果，可防止使背光光線穿透遮光層33照射在TFT 23上面成為內部反射光線而造成之TFT 23功能失效。而且，可增強液晶面板11之顯示品質。
本申請案基於2005年12月21日所申請之日本專利申請案(JP 2005－368325)，2005年12月22日所申請之日本專利申請案(JP 2005－370313)請求國外優先權，此處將其內容據以納入參考。
1．．．基板
3．．．突起部
5．．．彩色濾光片
11．．．液晶面板
11a‧‧‧液晶
13a‧‧‧水平奇掃描電路
13b‧‧‧水平偶掃描電路
15‧‧‧垂直掃描電路
17‧‧‧RGB極性切換電路
19‧‧‧控制信號產生電路
23‧‧‧薄膜電晶體
25‧‧‧像素電極
27‧‧‧配備黑矩陣之濾光片
29‧‧‧透明基板
30‧‧‧背光光源
31‧‧‧黑矩陣
31’‧‧‧黑矩陣
31A‧‧‧黑矩陣
33‧‧‧遮光層
35‧‧‧第一反射抑制層
35’‧‧‧後向反射層
37‧‧‧第二反射抑制層
41‧‧‧黏合劑層
43‧‧‧玻璃珠
47‧‧‧保護層
100‧‧‧液晶顯示器
100’‧‧‧液晶顯示器
B‧‧‧像素層
BM‧‧‧黑矩陣
D‧‧‧汲極電極
G‧‧‧像素層
R‧‧‧像素層
S‧‧‧源極
參考下列圖示將更佳地瞭解此處所揭示之發明，其中：第1圖說明依據第一實施例之配備黑矩陣之濾光片主要部位的總放大切面圖；第2圖為說明如第1圖中所示，具有配備黑矩陣之濾光片之液晶顯示器實例的方塊圖；第3圖為說明如第2圖中所示液晶面板主要部位之放大頂部平面圖；第4圖為取自如第3圖中所示直線AA箭頭方向之橫切面圖；第5圖為說明TFT連接狀態之示意圖；第6圖為說明第一具體實施例中黑矩陣之變形的橫切面圖；第7圖為說明一配備黑矩陣之濾光片之放大橫切面圖，其中之習知黑矩陣係使用第一具體實施例中之黑碳而形成；第8圖說明依據第二具體實施例之配備黑矩陣之濾光片主要部位的總放大切面圖；第9圖為說明如第8圖中所示後向反射層之放大橫切面圖；以及第10圖為說明第二具體實施例中所修飾黑矩陣之橫切面圖。
27．．．配備黑矩陣之濾光片
29．．．透明基板
31．．．黑矩陣
33．．．遮光層
35．．．第一反射抑制層

Claims (10)

  1. 一種配備黑矩陣之濾光片，其包括黑矩陣，係適合選擇性地遮蔽自光線引入側所入射之光線，並將該未被遮蔽之光線傳送至光線輸出側，其中該黑矩陣包括：遮光層；以及後向反射層(retro-reflection layer)，其係形成在該遮光層之光線引入側，並在與入射方向相同的方向上反射入射光。
  2. 如申請專利範圍第1項之配備黑矩陣之濾光片，其中黑矩陣包括設置在該遮光層之光線輸出側的反射抑制層。
  3. 如申請專利範圍第2項之配備黑矩陣之濾光片，其中反射抑制層包括吸光材料。
  4. 如申請專利範圍第3項之配備黑矩陣之濾光片，其中吸光材料為黑碳與含黑碳之混合物中之一種。
  5. 如申請專利範圍第1項之配備黑矩陣之濾光片，其中遮光層包括金屬微粒。
  6. 申請專利範圍第5項之配備黑矩陣之濾光片，其中遮光層係將金屬微粒分散於黏合劑中而成，以使其能遮蔽光線。
  7. 如申請專利範圍第6項之配備黑矩陣之濾光片，其中黏合劑包括有機聚合物黏合劑。
  8. 如申請專利範圍第5項之配備黑矩陣之濾光片，其中金屬微粒包括銀與含銀化合物中之一種。
  9. 如申請專利範圍第1項之配備黑矩陣之濾光片，其中後向反射層包括：黏合劑層，其係形成在該遮光層表面上，該表面係設在光線引入側，並具有吸光材料；以及大量微小玻璃珠，其係配置在黏合劑層上，並具有光線折射作用。
  10. 一種液晶顯示器，包括：如申請專利範圍第1項之配備黑矩陣之濾光片；背光光源，其係配置在該配備黑矩陣之濾光片的光線引入側；以及液晶面板，其係配置在該配備黑矩陣之濾光片與該背光光源之間。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
EP2183623A1 (en) 2007-07-31 2010-05-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators
CN101828145B (zh) 2007-10-19 2012-03-21 高通Mems科技公司 具有集成光伏元件的显示器
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7969638B2 (en) * 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
WO2010138761A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
CN103246098B (zh) * 2013-04-26 2015-06-10 北京京东方光电科技有限公司 一种显示装置及其充电方法
CN104656306B (zh) * 2015-03-23 2018-04-10 京东方科技集团股份有限公司 设置有黑矩阵的基板及其制造方法、显示装置
CN105093653B (zh) * 2015-08-26 2018-05-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种彩膜基板及曲面显示装置
TWI622908B (zh) * 2016-03-18 2018-05-01 財團法人工業技術研究院 觸控顯示面板
TWI602171B (zh) 2016-03-18 2017-10-11 財團法人工業技術研究院 顯示裝置
CN107674442A (zh) * 2017-09-25 2018-02-09 京东方科技集团股份有限公司 黑矩阵材料及其制备方法、显示装置
JP2022510940A (ja) * 2018-11-30 2022-01-28 コーニング インコーポレイテッド 強化された量子ドットオンカラーフィルタｌｃｄ
CN109407195A (zh) * 2018-12-18 2019-03-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 滤光片、显示面板及滤光片制备方法
WO2022085824A1 (ko) * 2020-10-22 2022-04-28 엘지전자 주식회사 커버 글래스, 커버 글래스 제조방법 및 이동 단말기
KR102457346B1 (ko) * 2022-07-07 2022-10-21 주식회사 미디어밸리 전력효율 및 화질이 개선된 led전광판

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS629301A (ja) 1985-07-05 1987-01-17 Kyodo Printing Co Ltd カラ−フイルタの製造方法
US5666177A (en) * 1996-02-26 1997-09-09 Industrial Technology Research Institute Black matrix for liquid crystal display
DE69737490T2 (de) * 1996-03-08 2007-08-09 Canon K.K. Anzeigegerät und dessen Herstellungsverfahren
JP3305189B2 (ja) * 1996-03-08 2002-07-22 キヤノン株式会社 カラー表示装置及び該カラー表示装置の製造方法
JPH1073717A (ja) * 1996-06-28 1998-03-17 Hitachi Chem Co Ltd 積層型ブラックマトリックスおよびブラックマトリックスの形成方法
JP4066467B2 (ja) 1997-01-08 2008-03-26 凸版印刷株式会社 ブラックマトリックス及びそれを用いたカラーフィルタ
JPH10288703A (ja) 1997-02-13 1998-10-27 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ
JP2000019490A (ja) 1998-06-29 2000-01-21 Dainippon Printing Co Ltd 反射型高分子分散型液晶表示装置
JP3147863B2 (ja) 1998-07-13 2001-03-19 日本電気株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP2000275429A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Fuji Xerox Co Ltd フィルターの製造方法
US6501527B1 (en) * 1999-07-29 2002-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal elemental device, production process thereof and spacer-bearing substrate
JP3997038B2 (ja) 1999-09-09 2007-10-24 キヤノン株式会社 スペーサー付カラーフィルタと液晶素子の製造方法
US6639638B1 (en) * 1999-08-27 2003-10-28 International Business Machines Corporation LCD cover optical structure and method
JP4053260B2 (ja) 2000-10-18 2008-02-27 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子
JP4220796B2 (ja) 2003-02-04 2009-02-04 富士フイルム株式会社 ブラックマトリックス作製用組成物及び感光性転写材料、ブラックマトリックス及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びにブラックマトリックス基板
KR20040089286A (ko) * 2003-04-11 2004-10-21 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP4401101B2 (ja) 2003-04-18 2010-01-20 富士フイルム株式会社 ブラックマトリックス作製用着色組成物及び感光性転写材料、ブラックマトリックス及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びにブラックマトリックス基板
JP4229805B2 (ja) * 2003-10-27 2009-02-25 シャープ株式会社 反射型表示装置
JP4808383B2 (ja) 2004-03-17 2011-11-02 富士フイルム株式会社 着色組成物及び感光性転写材料、表示装置用遮光層及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びに表示装置用遮光層付き基板
JP2005292329A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Fuji Photo Film Co Ltd 表示装置用の遮光膜及びその形成方法、画像形成用基板、カラーフィルター並びに転写材料
JP2005283673A (ja) 2004-03-26 2005-10-13 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2005283668A (ja) 2004-03-26 2005-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd 銀受容層形成組成物、ラミネート転写材料、表示装置用遮光層及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びに表示装置用遮光層付き基板
US7616368B2 (en) * 2005-02-23 2009-11-10 Pixtronix, Inc. Light concentrating reflective display methods and apparatus
JP4788203B2 (ja) 2005-06-06 2011-10-05 大日本印刷株式会社 カラーフィルタおよびその製造方法

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