KR102073791B1 - 가요성 전자 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
가요성 전자 소자 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 가요성 전자 소자는, 가요성 부재 상에 형성된 적어도 하나의 반도체 요소와 상기 반도체 요소의 측부에 형성된 적어도 하나의 충진 영역을 포함할 수 있다. 제조 공정 과정에서 전자 소자 내에 형성될 수 있는 결함 영역을 충진 영역으로 형성할 수 있다.
Description
본 개시는 가요성 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 소자의 활용성이 요구되면서, 특히 환경에 따라 다양한 형태로 접힐 수 있을 수 있는 가요성 특성을 지닌 전자 소자에 대한 연구가 진행중이다. 반도체 소자 중에는 반도체 물질의 광전기적 특성을 이용하는 광전소자(optoelectronic device)가 있다. 광전소자는 전기적 에너지를 광학적 에너지로 변환하는 소자 및 광학적 에너지를 전기적 에너지로 변환하는 소자를 포함한다. 전기적 에너지를 광학적 에너지로 변환하는 소자로는 LED(light emitting diode), LD(laser diode)와 같은 발광소자(luminous device or light emitting device)가 있다. 광학적 에너지를 전기적 에너지로 변환하는 소자로는 태양전지, 포토다이오드(photodiode)와 같은 광발전소자(photovoltaic device)가 있다.
종래의 무기 갈륨 나이트라이드 광 방출 다이오드(inorganic GaN light emitting diode(LED))는 고효율, 고휘도, 장수명의 다양한 특성을 갖고 있다. 그러나 기존의 무기 반도체 소자에서 널리 사용하는 갈륨 질화물 기반의 발광 소자의 제조 시 반도체 물질들은 사파이어 기판, 글래스 기판 또는 실리콘 기판을 이용하여 성장된다. 따라서 다양한 형태의 제품을 생산하는데 한계가 있고, 특히 휘거나 늘어나는 제품의 구현이 어렵다.
본 개시는 대면적의 유연성을 지니며, 누설 전류를 방지할 수 있는 전자 소자를 제공한다.
본 개시는 이와 같은 전자 소자의 제조 방법을 제공한다.
개시된 실시예에서는,
가요성 부재 상에 형성된 제 1전극;
상기 제 1전극 상에 형성된 적어도 하나의 반도체 요소;
상기 반도체 요소의 측부에 형성된 적어도 하나의 충진 영역; 및
상기 반도체 요소 상에 형성된 제 2전극;을 포함하는 가요성 전자 소자를 제공한다.
상기 반도체 요소 및 상기 제 2전극 사이에 형성된 버퍼층;을 포함하며,
상기 충진 영역의 표면 상에 상기 제 2전극이 형성된 것일 수 있다.
상기 반도체 요소는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체를 포함할 수 있다.
상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 반도체 요소는 제 1반도체층, 제 2반도체층 및 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 형성된 활성층;을 포함할 수 있다.
상기 반도체 요소 및 상기 제 2전극 사이에 형성된 마스크층 및 버퍼층;을 포함하며,
상기 제 1반도체층은 상기 마스크층의 개구부를 통하여 상기 버퍼층과 접하며, 상기 마스크층은 상기 제 2반도체층 및 상기 활성층과 상기 버퍼층 사이에 형성된 것일 수 있다.
상기 반도체 요소는 코어-쉘(core-shell) 구조를 지닌 것일 수 있다.
상기 충진 영역은 절연성 폴리머, SOG(spin on glass) 또는 포토레지스트(photoresist)로 형성된 것일 수 있다.
상기 충진 영역은 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 것일 수 있다.
또한, 개시된 실시예에서는,
성장용 기판 상에 반도체 요소를 형성하는 단계;
상기 성장용 기판과 상기 반도체 요소를 분리하여 상기 반도체 요소를 가요성 부재에 전사하는 단계; 및
상기 반도체 요소의 결함 영역을 충진 영역으로 형성하기 위하여 표면처리하는 단계;를 포함하는 가요성 전자 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
상기 반도체 요소를 형성하는 단계는,
성장용 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 상기 반도체 요소를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 반도체 요소를 가요성 부재에 전사하는 단계는,
상기 반도체 요소 상에 제 1전극을 형성하는 단계;
상기 제 1전극 상에 가요성 부재를 부착시키는 단계; 및
상기 금속층 및 상기 버퍼층을 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 표면처리하는 단계는,
상기 금속층과 분리된 상기 버퍼층의 표면의 결함 영역에 절연성 물질을 도포하여 상기 결함 영역에 상기 충진 영역을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다양한 형태적 변형이 가능한 가요성 전자 소자를 제공할 수 있다. 그리고, 전자 소자 제조 시 발생할 수 있는 결함을 차단하여 누설 전류를 방지할 수 있다. 저비용으로 대면적의 가요성 전자 소자를 제공할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 공정 중 표면 처리 공정을 나타낸 주사 전자 현미경(scanning electron microscope: SEM) 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 공정 중 표면 처리 공정을 나타낸 주사 전자 현미경(scanning electron microscope: SEM) 사진이다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자 및 그 제조 방법에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 참고로 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자는 가요성 부재(100), 가요성 부재(100) 상에 형성된 적어도 하나의 반도체 요소(110)를 포함할 수 있다. 반도체 요소(110)가 복수개로 형성된 경우 각각의 반도체 요소(110)들은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 반도체 요소(110)는 제 1전극(102) 및 제 2전극(106) 사이에서 형성될 수 있다. 제 1전극(102)은 가요성 부재(100)와 반도체 요소(110) 사이에 형성될 수 있다. 제 1전극(102)은 가요성 부재(100) 상에 직접 형성될 수 있으며, 제 1전극(102) 및 가요성 부재(100) 사이에는 매립층(101)이 더 형성될 수 있다. 매립층(101)은 제 1전극(102)과 가요성 부재(100)의 접착력을 향상시키기 위하여 형성될 수 있다. 제 1전극(102) 상의 반도체 요소(110)의 양측부에는 절연층(103)이 형성될 수 있다. 반도체 요소(110)가 복수개로 형성된 경우에는 각각의 반도체 요소(110)들 사이에 절연층(103)이 형성될 수 있다. 그리고, 반도체 요소(110)의 측부에는 충진 영역(112, 120)이 형성될 수 있다. 충진 영역(112, 120)은 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 공정 중에 발생할 수 있는 결함 영역일 수 있으며, 그 결함 영역에 충진 물질을 이용하여 충진 영역(112, 120)을 형성한 것이다. 반도체 요소(110)와 충진 영역(112, 120) 상에는 제 2전극(106)이 형성될 수 있다. 반도체 요소(110)와 제 2전극(106) 사이에는 버프층(105)이 형성될 수 있다. 그리고, 버퍼층(105)과 반도체 요소(110) 사이의 일부 영역에는 마스크층(104)이 형성될 수 있으며, 마스크층(104)은 절연층(103)과 버퍼층(105) 사이에도 형성될 수 있다.
가요성 부재(100)는 탄성 중합체(elastomer)를 포함하여 형성된 것일 수 있으며, 탄성 중합체(elastomer)는 탄성 폴리머(elastic polymer)일 수 있다. 가요성 부재(100)는 PET(polyethylene terephtalate), PDMS(polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리에스테르(polyester) 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물일 수 있다. 가요성 부재(100)는 투광성을 지닌 것일 수 있다.
매립층(101)은 폴리머로 형성된 것일 수 있다. 매립층(101)은 PET(polyethylene terephtalate), PDMS(polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리에스테르(polyester), 자외선 에폭시 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물일 수 있다. 매립층(101)은 가요성 부재(100)와 같이 가요성을 지닌 것일 수 있으며, 가요성 부재(100)와 제 1전극(102) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다.
반도체 요소(110)는 적어도 하나 이상의 반도체 물질층을 포함할 수 있다. 예를 들어 반도체 요소(110)가 반도체 발광 구조체인 경우, 반도체 요소(110)는 제 1반도체층(11), 제 2반도체층(13) 및 제 1반도체층(11)과 제 2반도체층(13) 사이에 형성된 활성층(12)을 포함할 수 있다. 제 1반도체층(11)은 제 1도전형 반도체층일 수 있으며, 제 2반도체층(13)은 제 2도전형 반도체층일 수 있다. 제 1도전형 반도체층은 p형 또는 n형 반도체층일 수 있으며, 제 1도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우 제 2반도체층은 n형 반도체층일 수 있다. 반도체 요소(110)는 무기 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 예를 들어 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 포함할 수 있다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 GaN 계열의 화합물 반도체 일 수 있으며, 예를 들어 GaN, InGaN, AlGaN 및 AlInGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제 1반도체층(11)은 n형 GaN을 포함할 수 있으며, 제 2반도체층(13)은 p형 GaN을 포함할 수 있다. 그리고, 제 1반도체층(11)은 p형 GaN을 포함할 수 있으며, 제 2반도체층(13)은 n형 GaN을 포함할 수 있다. 활성층(12)은 양자 우물층과 양자 장벽층이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 활성층(12)은 단일양자우물(single quantum well)(SQW) 구조 또는 다중양자우물(multi-quantum well)(MQW) 구조를 지닌 것일 수 있다. 예를 들어 활성층(12)은 InGaN 및 GaN이 교대로 반복적으로 적층된 구조일 수 있다. 반도체 요소(110)는 초격자 구조(superlattice structure)를 지닌 것일 수 있다. 반도체 요소(110)는 다층 반도체층들을 포함하는 수직 구조일 수 있다.
반도체 요소(110)는 다양한 형태로 형성된 것일 수 있으며, 예를 들어 피라미드(pyramid) 형태나 로드(rod) 형태 등 제한되지 않는다. 도 1a에서는 반도체 요소(110)가 피라미드 형태로 형성된 예를 나타낸 것이다. 그리고, 도 1b에서는 반도체 요소(210)가 로드 형태로 형성된 예를 나타낸다. 도 1b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자는 가요성 부재(200), 가요성 부재(200) 상에 형성된 적어도 하나의 반도체 요소(210)를 포함할 수 있다. 반도체 요소(210)는 제 1전극(202) 및 제 2전극(206) 사이에서 형성될 수 있다. 반도체 요소(210)가 반도체 발광 구조체인 경우, 반도체 요소(210)는 제 1반도체층(21), 제 2반도체층(23) 및 제 1반도체층(21)과 제 2반도체층(23) 사이에 형성된 활성층(22)을 포함할 수 있다. 이와같은 반도체 요소(210)는 로드 형상 또는 원기둥 형상을 지닐 수 있다. 도 1b에 나타낸 매립층(201), 절연층(203), 충진 영역(212), 마스크층(203) 및 버프층(205)에 관한 설명은 도 1a의 동일 명칭을 지닌 부재에 관한 설명이 적용될 수 있다.
반도체 요소(110)는 코어-쉘(core-shell) 구조로 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 도 1a의 제 2반도체층(13)의 일부를 제외한 주변부를 활성층(12)이 둘러싸며, 활성층(12)의 일부를 제외한 주변부를 제 1반도체층(11)이 둘러싼 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 제 2반도체층(13)은 코어부가 될 수 있으며, 제 1반도체층(11)은 쉘부가 될 수 있다.
그리고, 반도체 요소(110)는 제 1전극(102)과 제 2전극(106)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제 1전극(102) 및 제 2전극(106)에 전원을 인가하여 반도체 요소(110)를 구동시킬 수 있다. 제 1전극(102)은 하부 전극일 수 있으며, 제 2전극(106)은 상부 전극 또는 배면 전극일 수 있다.
제 1전극(102) 및 제 2전극(106)은 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 금속, 전도성 금속 산화물 또는 전도성 금속 질화물로 형성된 것일 수 있다. 제 1전극(102)과 제 2전극(106) 중 적어도 어느 하나는 투명 전도성 물질로 형성된 것일 수 있다. 그리고, 제 1전극(102)과 제 2전극(106) 중 적어도 어느 하나는 반사 전극일 수 있다. 제 1전극(102) 및 제 2전극(106)은 Ag, Au, Al, Pd, Pt, Ti, Ni 또는 이들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 합금일 수 있으며, Ti/Ag, Ti/Au 또는 Ni/Au와 같이 다층 구조로 형성된 것일 수 있다. 그리고, 제 1전극(102) 및 제 2전극(106)은 그래핀(graphene)이나, ITO(indium tin oxide)와 같은 물질로 형성된 것일 수 있다.
절연층(103)은 전기 절연 물질로 형성된 것일 수 있으며, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 절연성 폴리머로 형성된 것일 수 있다. 절연층(103)은 가요성 특성을 지닌 것일 수 있다.
마스크층(104)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성된 것일 수 있으며, 버퍼층(105)과 제 2반도체층(13) 사이에 홀(hole) 형상의 개구부를 포함할 수 있다.
버퍼층(105)은 제조 공정 시 반도체 요소(110)를 성장시키기 위한 시드층(seed layer)의 역할을 할 수 있는 것으로, 버퍼층(105)은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 포함하여 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(105)은 GaN, AlN, InGaN, AlGaN 또는 AlInGaN 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 것일 수 있다. 버퍼층(105)은 LT(low temperature)-GaN 또는 이를 기반으로 하는 물질을 포함하거나, LT(low temperature)-AlN 또는 이를 기반으로 하는 물질을 포함할 수 있다. LT-GaN 및 LT-AlN은, 예를 들어 450∼650℃ 정도의 비교적 낮은 온도에서 형성된 물질일 수 있다.
충진 영역(112, 120)은 절연성 폴리머, SOG(spin on glass)나 포토레지스트(photoresist) 등 절연성 물질로 형성될 수 있다. 절연성 폴리머로는 PI(polyimde), SU8 등이 있다. 충진 영역(112, 120)은 제 1전극(102) 및 제 2전극(106) 사이에 형성될 수 있으며, 제 1전극(102)과 접촉하거나 비접촉된 상태로 형성될 수 있다. 전자 소자 구동을 위하여 제 1전극(102) 및 제 2전극(106)을 통하여 전원을 인가할 수 있다. 충진 영역(112, 120)은 전자 소자의 제조 시 형성될 수 있는 결함 영역에 대해 절연성 폴리머 등을 도포하여 형성 영역이다. 만일 결함 영역에 절연성 폴리머 등으로 충진하지 않은 경우에 제 1전극(102) 및 제 2전극(106)을 통하여 전원이 인가되는 경우, 결함 영역의 존재에 의하여 누설 전류가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 전자 소자는 소자 제조 시 결함 영역을 충진 영역(112, 120)으로 형성함으로써 전자 소자의 누설 전류를 크게 감소시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2를 참조하면, 가요성 전자 소자를 형성하기 위해서는 먼저 반도체 요소를 형성한다. 반도체 요소는 형성하고자 하는 전자 소자의 종류에 따라 선택적으로 형성할 수 있다. 반도체 요소로 예를 들어 발광 구조체를 들 수 있으며, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 제 1반도체층(11)과 제 2반도체층(13) 사이에 형성된 활성층(12)을 포함할 수 있다. 반도체 요소를 형성한 후에는 반도체 요소를 가요성 부재 상에 전사(transfer)할 수 있다. 반도체 요소는 실리콘이나 글래스 기판 등의 성장용 기판 상에 형성할 수 있으며, 반도체 요소를 가요성 부재 상에 전사하기 전에 반도체 요소를 성장용 기판과 분리하는 공정을 포함할 수 있다. 반도체 요소를 성장용 기판과 분리를 하는 과정에서 결함 영역이 형성될 수 있기 때문에 표면 처리를 통하여 결함 영역을 절연성 폴리머 등을 이용하여 충진 영역으로 형성할 수 있다. 그리고, 표면 처리된 영역에 전극을 형성함으로써 전자 소자를 형성할 수 있다.
상술한 제조 방법을 도 3a 내지 도 3h를 참고하여 상세히 설명하고자 한다. 도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 기판(300) 상에 금속층(301)을 형성한다. 기판(300)은 글래스 기판, 실리콘 기판, 또는 사파이어 기판일 수 있다. 금속층(301)은 예를 들어 Ti로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 금속층(301) 상에 버퍼층(302)을 형성한다. 버퍼층(302)은 그 상부에 형성되는 반도체 요소를 성장시킬 수 있는 시드층 역할을 할 수 있다. 버퍼층(302)은 그 상부에 형성되는 반도체 요소의 반도체층보다 상대적으로 낮은 온도에서 형성시킬 수 있다. 버퍼층(302) 상에 마스크층(303)을 형성한다. 마스크층(303)을 형성항 뒤, 반도체 요소가 형성되는 영역에 홀 형상의 개구부(h)를 형성한다. 개구부(h)의 직경을 조절함으로써, 그 상부에 형성되는 반도체 요소의 크기를 적절히 조절할 수 있다. 마스크층(303)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 마스크층(303)의 개구부(h)에 의해 노출된 버퍼층(302) 상에 반도체 요소(310)을 형성한다. 반도체 요소(310)는 버퍼층(302)의 개구부(h) 상에서만 선택적으로 성장할 수 있다. 반도체 요소(310)는 예를 들어 유기 금속 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 또는 분자빔 에피텍시(Molecular Beam Epitaxy) 공정을 이용하여 에피탁시 성장될 수 있다. 제 2반도체층(31)이 버퍼층(302) 상에 피라미드 형태로 형성될 수 있으며, 제 2반도체층(31) 상에 활성층(32) 및 제 1반도체층(33)이 순차적으로 성장될 수 있다. 제 2반도체층(31)은 버퍼층(302) 표면 및 마스크층(303) 표면 상에 형성될 수 있다. 활성층(32) 및 제 1반도체층(33)은 버퍼층(302)과 접촉하지 않으며, 제 2반도체층(31) 상에 순차적으로 형성될 수 있다. 제 2반도체층(31)은 제 1반도체층(33)에 비해 상대적으로 높은 온도에서 형성될 수 있다. 활성층(32)은 화합물 반도체를 포함하는 다층 구조로 형성할 수 있으며, 예를 들어 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조로 형성할 수 있다. 이러한 반도체 요소(310)는 약 600℃ 내지 1100℃정도의 온도 범위에서 형성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
이러한 공정 과정에서 금속층(301) 및 버퍼층(302) 사이의 계면에서는 보이드(void)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속층(301)이 Ti로 형성되며, 버퍼층(302)이 GaN계 물질로 형성되는 경우, 반도체 요소(310) 등의 형성 공정에서 약 1000℃의 온도에서 고온 공정을 진행하면, 버퍼층(302)의 GaN으로부터 질소(N)가 금속층(301)으로 확산되어 TiN을 형성할 수 있다. 이에 따라 금속층(301) 및 버퍼층(302) 사이에 나노 보이드가 형성될 수 있다.
선택적으로, 금속층(301)과 버퍼층(302) 사이의 결합력을 약화시키기 위하여, 반도체 요소(310)를 형성한 뒤, 반도체 요소(310) 상에 소정의 부착 테이프에 부착층을 부착시켜 반도체 요소(310)의 상부에 접촉시킬 수 있다. 부착 테이프는 예를 들어 폴리 이미드(polyimide)일 수 있으며, 부착층은 예를 들어 실리콘 수지(silicone)일 수 있다. 부착 테이프 및 부착층을 반도체 요소(310)상에 정렬시킨 뒤, 부착층의 점성이 나타나는 온도(Tg)까지 히팅한다. 온도가 Tg 이상이 되면서, 반도체 요소(310) 상부는 부착층으로 완전히 덮이게 된다. 이 때 히팅을 중지하고 소정 시간이 지난 뒤, 부착 테이프 및 부착층을 반도체 요소(310)로부터 분리시킨다. 이에 따라 금속층(301) 및 버퍼층(302) 사이의 보이드의 크기는 증가할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 반도체 요소(310)들 사이의 마스크층(3030) 상에 절연층(304)을 형성한다. 절연층(304)는 반도체 요소(310)의 제 1반도체층(33)의 일부 표면을 덮도록 형성하여, 절연층(304)의 상면이 제 1반도체층(33)의 상부 정점보다 낮도록 형성할 수 있다. 그리고, 제 1전극(305)을 절연층(304) 상면 및 제 1반도체층(33)의 노출면 상에 형성한다.
도 3d를 참조하면, 제 1전극(305)을 가요성 부재(307)에 부착시키는 전사 공정을 실시한다. 제 1전극(305)에 부착되는 가요성 부재(307)의 일면에는 매립층(306)이 형성될 수 있다. 따라서, 제 1전극(305) 및 가요성 부재(307)는 매립층(306)을 사이에 두고 부착될 수 있으며, 금속층(301) 및 버퍼층(302)보다 강하게 결합될 수 있다. 그리고, 도 3d의 화살표 방향으로 금속층(301) 및 버퍼층(302)을 분리시킨다. 상술한 바와 같이, 금속층(301) 및 버퍼층(302) 사이에는 보이드가 형성되어 결합력이 충분히 약해진 상태이므로 용이하게 분리시킬 수 있다.
도 3e를 참조하면, 금속층(301)을 버퍼층(302)과 분리하는 과정에서, 버퍼층(302)이 금속층(301)과 완전히 분리되지 않을 수 있다. 이에 따라, 버퍼층(302)의 일부 영역과 반도체 요소(310)들 중 일부가 재대로 분리되지 않아서 결함이 발생할 수 있다. 결함 영역 A1은 반도체 요소(310) 중 하나가 재대로 분리되지 않아 발생한 영역이며, 결함 영역 A2는 버퍼층(302)의 일부 영역과 그 하부의 마스크층(303) 및 절연층(304) 영역에 까지 결함이 생긴 영역이다. 이러한 결함 영역을 방치한 채로 전극 공정을 위하여 전도성 물질층을 형성하는 경우, 소자 구동을 위한 전원을 인가하는 경우, 제 1전극(305)과의 쇼트가 발생할 수 있으며, 누설 전류가 발생할 수 있다. 결함 영역을 제거하기 위하여 도 2에 나타낸 바와 같이 표면 처리 공정을 실시할 수 있다.
도 3f를 참조하면, 버퍼층(302) 상에 절연성 폴리머, SOG(spin on glass) 또는 포토레지스트(photoresist)를 도포한다. 이에 따라, 도 3e의 결함 영역 A1 및 A2에 충진층(312, 320)이 형성된다. 충진 영역(312, 320)은 절연성 물질을 예를 들어 스핀 코팅(spin coating)함으로써 형성할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 충진 영역(312, 320)을 형성하기 위하여 도포한 절연성 물질층 중 버퍼층(302) 상에 형성된 것을 제거하는 공정을 실시한다. 예를 들어 애슁(ashing) 공정을 사용할 수 있으며, O2 플라즈마를 이용할 수 있다. 이에 따라 버퍼층(302) 상에 형성된 절연성 물질은 제거되면서 버퍼층(302) 표면이 노출된다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 전자 소자의 제조 공정 중 표면 처리 공정을 나타낸 주사 전자 현미경(scanning electron microscope: SEM) 사진이다. 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 결함 영역 A1이 형성된 부분에 대하여 절연성 폴리머를 스핀 코팅에 의하여 도포하고 애슁 공정을 실시하여 충진 영역(312)을 형성하였다.
도 3h를 참조하면, 버퍼층(302) 및 충진 영역(312, 320) 상에 제 2전극(314)을 형성한다. 제 2전극(314)은 금속, 전도성 금속 산화물 또는 전도성 금속 질화물로 형성할 수 있다. 제 2전극(314)은 투명 전도성 물질로 형성되거나, 반사도가 높은 전도성 물질로 형성할 수 있다.
충진 영역(312, 320)의 표면 상에 제 2전극(314)을 형성함으로써, 전자 소자 구동을 위하여 제 1전극(305) 및 제 2전극(314)을 통하여 전원을 인가하는 경우, 누설 전류의 발생을 방지할 수 있으며, 전자 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 도 1a 및 도 1b에 나타낸 소자 구조를 다양하게 변형될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 예를 들어 반도체 요소는 발광 구조체 뿐만 아니라 다양한 형태의 반도체 소자에도 적용될 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
100, 200: 가요성 부재, 101, 201: 매립층
102, 202: 제 1전극, 103, 203: 절연층
104, 204: 마스크층, 105, 205: 버퍼층
106, 206: 제 2전극, 112, 120, 202: 충진층
110, 210: 반도체 요소, 11, 21: 제 1반도체층
12, 22: 활성층, 13, 23: 제 2반도체층
102, 202: 제 1전극, 103, 203: 절연층
104, 204: 마스크층, 105, 205: 버퍼층
106, 206: 제 2전극, 112, 120, 202: 충진층
110, 210: 반도체 요소, 11, 21: 제 1반도체층
12, 22: 활성층, 13, 23: 제 2반도체층
Claims (14)
- 가요성 부재 상에 형성된 제 1전극;
상기 제 1전극 상에 형성된 적어도 하나의 반도체 요소;
상기 반도체 요소의 측부에 형성된 적어도 하나의 충진 영역;
상기 반도체 요소 상에 형성된 제 2전극;
상기 반도체 요소 및 상기 제 2전극 사이에 형성된 마스크층; 및
상기 마스크층과 상기 제 2전극 사이에 형성된 버퍼층을 포함하되,
상기 마스크층은 상기 버퍼층을 노출하는 개구부를 포함하며,
상기 반도체 요소는 상기 마스크층의 상기 개구부를 통하여 상기 버퍼층과 접하고,
상기 적어도 하나의 충진 영역은 상기 버퍼층 및 상기 마스크층을 관통하는 가요성 전자 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 반도체 요소 및 상기 제 2전극 사이에 형성된 버퍼층;을 포함하며,
상기 충진 영역의 표면 상에 상기 제 2전극이 형성된 가요성 전자 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 반도체 요소는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체를 포함하는 가요성 전자 소자. - 제 3항에 있어서,
상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가요성 전자 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 반도체 요소는 제 1반도체층, 제 2반도체층 및 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 형성된 활성층;을 포함하는 가요성 전자 소자. - 제 5항에 있어서,
상기 제 1반도체층은 상기 마스크층의 상기 개구부를 통하여 상기 버퍼층과 접하며, 상기 마스크층은 상기 제 2반도체층 및 상기 활성층과 상기 버퍼층 사이에 형성된 가요성 전자 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 반도체 요소는 코어-쉘(core-shell) 구조를 지닌 가요성 전자 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 충진 영역은 절연성 폴리머, SOG(spin on glass) 또는 포토레지스트(photoresist)로 형성된 가요성 전자 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 충진 영역은 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 가요성 전자 소자. - 성장용 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 개구부를 갖는 마스크층을 형성하는 단계;
상기 개구부에 의해 노출된 버퍼층 상에 반도체 요소를 형성하는 단계;
상기 반도체 요소 상에 가요성 부재를 형성하는 단계;
상기 금속층 및 상기 버퍼층을 분리하여 상기 반도체 요소를 가요성 부재에 전사하는 단계; 및
상기 반도체 요소의 결함 영역을 충진 영역으로 형성하기 위하여 표면처리하는 상기 금속층과 분리된 상기 버퍼층의 표면의 결함 영역에 절연성 물질을 도포하여 상기 결함 영역에 충진 영역을 형성하는 단계;를 포함하되,
상기 충진 영역은 상기 버퍼층 및 상기 마스크층을 관통하는 가요성 전자 소자의 제조 방법. - 삭제
- 제 10항에 있어서,
상기 반도체 요소 상에 가요성 부재를 형성하는 단계는:
상기 반도체 요소 상에 제 1전극을 형성하는 단계; 및
상기 금속층 및 상기 버퍼층을 분리하는 단계;를 포함하는 가요성 전자 소자의 제조 방법. - 삭제
- 제 10항에 있어서,
상기 충진 영역은 절연성 폴리머, SOG(spin on glass) 또는 포토레지스트(photoresist)로 형성된 가요성 전자 소자의 제조 방법.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031841A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sony Corp | 半導体発光素子、画像表示装置、照明装置及び半導体発光素子の製造方法 |
| KR101258583B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2013-05-02 | 삼성전자주식회사 | 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664730B2 (en) * | 2001-07-09 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Electrode structure of el device |
| ES2356606T3 (es) | 2003-08-08 | 2011-04-11 | Kang, Sang-Kyu | Microdiodo emisor de luz de nitruro con alto brillo y procedimiento de fabricación del mismo. |
| KR100755598B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-09-06 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 어레이 |
| CN101828146B (zh) * | 2007-10-19 | 2013-05-01 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏装置的显示器 |
| US7979969B2 (en) * | 2008-11-17 | 2011-07-19 | Solopower, Inc. | Method of detecting and passivating a defect in a solar cell |
| KR20120094112A (ko) * | 2010-02-03 | 2012-08-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 증착 마스크, 증착장치 및 증착 방법 |
| US8273640B2 (en) * | 2010-03-30 | 2012-09-25 | Eastman Kodak Company | Integrated semiconductor nanowire device |
| KR101636915B1 (ko) * | 2010-09-03 | 2016-07-07 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 또는 탄소나노튜브를 이용한 반도체 화합물 구조체 및 그 제조방법과, 반도체 화합물 구조체를 포함하는 반도체 소자 |
| JP5860677B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光素子の作製方法、及び照明装置 |
| CH704452A1 (de) * | 2011-02-04 | 2012-08-15 | Von Roll Solar Ag | Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaikvorrichtung |
| KR20120100296A (ko) * | 2011-03-03 | 2012-09-12 | 삼성전자주식회사 | 수직 성장된 반도체를 포함하는 적층 구조물과 이를 포함하는 ｐｎ 접합 소자 및 이들의 제조 방법 |
| CN102812541B (zh) * | 2011-03-24 | 2016-02-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法 |
| KR101328529B1 (ko) | 2011-05-16 | 2013-11-13 | 한국과학기술원 | 광유전학용 ＧａＮ ＬＥＤ 어레이 소자 제조방법, 이에 따라 제조된 ＧａＮ ＬＥＤ 어레이 소자 |
| KR20130008224A (ko) | 2011-07-12 | 2013-01-22 | 한국과학기술원 | 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 |
| US20120295376A1 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing a led array device, and led array device manufactured thereby |
| WO2013073301A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体 |
| KR101383161B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2014-04-14 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-09-03 KR KR1020130105688A patent/KR102073791B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-03-06 US US14/198,748 patent/US10304995B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031841A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sony Corp | 半導体発光素子、画像表示装置、照明装置及び半導体発光素子の製造方法 |
| KR101258583B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2013-05-02 | 삼성전자주식회사 | 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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