JP2011505246A - 水素含有ハロゲンシランを不均化するための触媒及び方法 - Google Patents
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 23
- -1 halogen silanes Chemical class 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 29
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 18
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 18
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 18
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 14
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 14
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 14
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 10
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 8
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 8
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 4
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SCHSRPRSHJKBMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)-n-(3-trimethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(CC(C)C)CC(C)C SCHSRPRSHJKBMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- AXAGGZTXBNEEDX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)-n-(3-triethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN(CC(C)C)CC(C)C AXAGGZTXBNEEDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 2
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical group O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- DLAUQJZKDAKQGO-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)butan-1-amine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCC[Si](OCC)(OCC)OCC DLAUQJZKDAKQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YGYLBNUUMURMPO-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)butan-1-amine Chemical group CCCCN(CCCC)CCC[Si](OC)(OC)OC YGYLBNUUMURMPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BBTZRQRXVWJQOS-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-2-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)propan-2-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN(C(C)(C)C)C(C)(C)C BBTZRQRXVWJQOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LLDDDOVMHJTYCS-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-2-methyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)propan-2-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(C(C)(C)C)C(C)(C)C LLDDDOVMHJTYCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 19
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- ZLDHYRXZZNDOKU-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCN(CC)CCC[Si](OC)(OC)OC ZLDHYRXZZNDOKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetate;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].OCCN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 241000264877 Hippospongia communis Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002656 O–Si–O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000005237 alkyleneamino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229940083124 ganglion-blocking antiadrenergic secondary and tertiary amines Drugs 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000006316 iso-butyl amino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000011987 methylation Effects 0.000 description 1
- 238000007069 methylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012229 microporous material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- SJPDQEQIYXFREE-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)cyclohexanamine Chemical compound C1CCCCC1N(CCC[Si](OC)(OC)OC)C1CCCCC1 SJPDQEQIYXFREE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSROBHHOWHPCHF-UHFFFAOYSA-N n-octyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCCCCCCC SSROBHHOWHPCHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B01J31/123—Organometallic polymers, e.g. comprising C-Si bonds in the main chain or in subunits grafted to the main chain
- B01J31/124—Silicones or siloxanes or comprising such units
- B01J31/127—Silicones or siloxanes or comprising such units the siloxane units, e.g. silsesquioxane units, being grafted onto other polymers or inorganic supports, e.g. via an organic linker
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- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
- B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
- B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
- B01J31/0235—Nitrogen containing compounds
- B01J31/0254—Nitrogen containing compounds on mineral substrates
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
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- B01J31/0272—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing elements other than those covered by B01J31/0201 - B01J31/0255
- B01J31/0274—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing elements other than those covered by B01J31/0201 - B01J31/0255 containing silicon
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
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- C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
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Abstract
Description
R1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
R2は相互に独立して水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又はYに相応し、かつ
R3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又は−OYに相応し、この際、Yは前記担体材料を表し、HWは酸であり、ここでWは無機又は有機の酸基に相応し、ただしa≧1はシラノールを表し、a≧2はシロキサンを表し、かつw≧0である]
に相応する。本発明による触媒はとりわけ、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピル基、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピル基、及び/又は3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピル基から選択される、シロキサン及び/又はシラノールを有する。環状、分枝状、及び/又は架橋されたシロキサン又はシラノールの存在下では例えば、少なくとも2つの元々の基−OR2、R3及び/又はR4の縮合からシロキサン結合(−O−Si−O−)が形成される。実施例から明らかなように、この触媒によって、不均化反応において著しく早い平衡位置の調整が可能になる。
HnSimX(2m+2-n)
[式中、Xは相互に独立してフッ素、塩素、臭素、及び/又はヨウ素に相応し、かつ1≦n<(2m+2)であり、かつ1≦m≦12、好ましくは1≦m≦6である]
に相応する場合、特に好ましくは前記ケイ素化合物が、HSiCl3、H2SiCl2、及び/又はH3SiClのうち少なくとも1つに相応する場合はそうである。
R1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
R2は水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、又はイソ−プロピル基に相応し、かつ
R3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、及び/又はイソ−プロピル基に相応する]
の少なくとも1つのアルコキシシランを、水及び/又は溶剤の存在下、並びに場合により酸を添加しながら加水分解し、かつ場合により縮合し、そして既に存在していた、又は反応の際に生じるアルコールを除去する方法である。
この際に前記アルコキシシランは有利には、担体材料上で強固に結合される。溶剤としては、加水分解のために水性アルコールが好ましく、これらは例えば、水含分がとりわけ0.5〜30質量%、好ましくは0.5〜10質量%、特に好ましくは1〜5質量%の範囲のメタノール、エタノール、イソ−プロパノールである。存在するアルコキシシリル基に対して、有利には0.5〜50molの水、とりわけ1〜20molの水を使用する、すなわち加水分解の際に添加する。一般的には、式Iの化合物及び/又は工程生成物が溶解性であるすべての溶剤が適している。特に好ましくは、水性エタノール溶液中で加水分解及び/又は縮合する。反応は、0℃〜150℃の温度、常圧又は減圧下、好適には1〜1000mbar、特に好ましくは50〜800mbar、とりわけ100〜500mbarで行うことができ、この際に反応は好ましくは塔底加熱で行う。
R1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
R2は相互に独立して水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、又はYに相応し、かつ
R3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又は−OYに相応し、この際、Yは前記担体材料を表し、HWは酸であり、ここでWは無機又は有機の酸基に相応し、ただしa≧1はシラノールを表し、a≧2はシロキサンを表し、かつw≧0である]
に相応し、この際に、生成する反応混合物の少なくとも一部を後処理する。好ましい触媒は、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピル基、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピル基、及び/又は3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピル基のアミノアルキル基Aのうち少なくとも1つを有するシロキサン及び/又はシラノールであり、この際これらのシロキサン及び/又はシラノールは好ましくは、冒頭で記載した二酸化ケイ素ベースの担体材料の存在下で製造されたものである。反応実施及び反応器に従って、担体材料について有利な形態を選択することができる。
HnSimX(2m+2-n)
[式中、Xは相互に独立してフッ素、塩素、臭素、及び/又はヨウ素に相応し、かつ1≦n<(2m+2)であり、かつ1≦m≦12、好ましくは1≦m≦6である]
の不均化すべきケイ素化合物を流し、特に好ましくはトリクロロシランをジクロロシラン、モノクロロシラン、及びモノシランに反応させ、これらを引き続き分離する。同様に形成される四塩化ケイ素は、化学平衡から非連続的又は連続的に取り出し、そして別個に生成することができる。この際触媒は、好適には触媒床内にある。ハロゲンシランの分離は、反応器に配置された塔を用いて行うことができ、この塔は例えば反応器と直接接続していてよい。生成する反応混合物の少なくとも一部を蒸留的に分離及び精製するために塔を使用する際、比較的水素化されたケイ素化合物が低沸点成分として塔頂で得られ、そして比較的塩化されたケイ素化合物を難沸点成分として収容容器内に蓄積させることができ、その一方で少なくとも1つの未反応のケイ素化合物が中沸点成分として塔で得られ、かつこの中沸点成分を、配置された反応器に新たに供給することができる。
蒸留塔(1)に通じる導管(5)の移行部が、炉床(4)から濃縮物を流出させるために、触媒床(3)の上端よりも高いところに位置するように、
導管(6)が、側方反応器(2)から液相を排出するために、炉床(4)の下方で蒸留塔(1)に合流するように、かつ
この合流部(6)が触媒床(3)の上端よりも低いところにあるように、並びに
導管(7)が、連結している側方反応器(2)から気相を排出するために、炉床(4)の面より上方で蒸留塔(1)に通じているように、
蒸留塔(1)と接続されており、この際に塔の受け器を加熱することができ(1.6、1.1)、かつこの塔は冷却可能(1.7)である(図1参照)。
実施例1
水含有エタノール(H2O含分約5%)600g、及び3−(N,N−ジエチルアミノ)−プロピルトリメトキシシラン54gを、担体材料(SiO2ビーズ、直径5mm、BET150m2/g、充填密度:0.55g/cm3)300gとともに装入した。この反応混合物を5時間、還流させながら加熱した。冷却後に、残っている液体を吸い取り、そしてビーズを水不含のエタノール600gで洗浄した。1時間後に、液体を再度吸い取った。引き続き、SiO2ビーズを1時間、300〜30mbarの圧力下、110〜120℃の浴温度で予備乾燥させ、そして後続の9.5時間にわたって、<1mbarで乾燥させた。
水含有エタノール(H2O含分約5%)600g、及び3−(N,N−n−ジブチルアミノ)−プロピルトリメトキシシラン54gを、担体材料(SiO2ビーズ、直径5mm、BET150m2/g、充填密度:0.55g/cm3)300gとともに装入した。この反応混合物を5時間、還流させながら加熱した。冷却後に、残っている液体を吸い取り、そしてビーズを水不含のエタノール600gで洗浄した。1時間後に、液体を再度吸い取った。引き続き、SiO2ビーズを1時間、300〜30mbarの圧力下、110〜120℃の浴温度で予備乾燥させ、そして後続の9.5時間にわたって、<1mbarで乾燥させた。
水含有エタノール(H2O含分約5%)600g、及び3−(N,N−ジイソブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン54gを、担体材料(SiO2ビーズ、直径5mm、BET150m2/g、充填密度:0.55g/cm3)300gとともに装入した。この反応混合物を5時間、還流させながら加熱した。冷却後に、残っている液体を吸い取り、そしてビーズを水不含のエタノール600gで洗浄した。1時間後に、液体を再度吸い取った。引き続き、SiO2ビーズを1時間、300〜30mbarの圧力下、110〜120℃の浴温度で予備乾燥させ、そして後続の9.5時間にわたって、<1mbarで乾燥させた。
水含有エタノール(H2O含分約5%)600g、及び3−(N,N−ジシクロヘキシルアミノ)プロピルトリメトキシシラン54gを、担体材料(SiO2ビーズ、直径5mm、BET150m2/g、充填密度:0.55g/cm3)300gとともに装入した。この反応混合物を5時間、還流させながら加熱した。冷却後に、残っている液体を吸い取り、そしてビーズを水不含のエタノール600gで洗浄した。1時間後に、液体を再度吸い取った。引き続き、SiO2ビーズを1時間、300〜30mbarの圧力下、110〜120℃の浴温度で予備乾燥させ、そして後続の9.5時間にわたって、<1mbarで乾燥させた。
水含有エタノール(H2O含分約5%)600g、及び3−(N,N−ジオクチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン54gを、担体材料(SiO2ビーズ、直径5mm、BET150m2/g、充填密度:0.55g/cm3)300gとともに装入した。
未処理の担体材料(SiO2ビーズ、直径5mm、BET150m2/g、充填密度:0.55g/cm3)300gを1時間、300〜30mbarの圧力下、110〜119℃の浴温度で乾燥させ、そして引き続き約9.5時間<1mbarで乾燥させた。
以下の比較例では、アミノアルキルシロキサン及び/又はアミノアルキルシラノールで被覆された、実施例1〜6の二酸化ケイ素ビーズ48gをそれぞれ、低温冷却器、排出コック、及び保護ガスカバーを有する300mlの丸底フラスコ内で保護ガス(窒素)下、装入した。引き続き、トリクロロシラン100mlを添加し、そして室温(20〜25℃)で静置した。保護ガス雰囲気下では、1時間、2時間、及び4時間後に試料採取を行い、これらをGC分析で調査した。表1は、面積パーセントでのジクロロシラン含分を提示する。不均化反応の平衡位置の調整は、実施例2及び3からの触媒(3−N,N−ジ−n−ブチルアミノプロピル及び3−NN−ジ−イソ−ブチルアミノアミノプロピル置換されたシロキサン及び/又はシラノール)により、特に迅速に行うことができる。比較例として役立つのは、実施例6から得られる被覆されていない触媒材料と、従来技術から公知の3−(N,N−ジエチルアミノ)プロピルトリメトキシシランが担体上に固定された実施例1である。
実施例3に従って製造された触媒を、数ヶ月にわたって連続稼働に供し、そしてその活性を試験した。加えて、連続稼働を中断し、触媒床を乾燥させ、そして新たに稼働させた。反応速度の測定は、同一の触媒活性を示した。
Claims (23)
- 水素及びハロゲンを含むケイ素化合物を不均化するための触媒において、
前記触媒が1つの担体材料と、少なくとも1つの線状、環状、分枝状、及び/又は架橋されたアミノアルキル官能性シラン及び/又はシラノールとを含み、この際、少なくとも1つのシロキサン又はシラノールが理想化された形態で一般式II
R1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
R2は相互に独立して水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又はYに相応し、かつ
R3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又は−OYに相応し、この際、Yは前記担体材料を表し、HWは酸であり、ここでWは無機又は有機の酸基に相応し、ただしa≧1はシラノールを表し、a≧2はシロキサンを表し、かつw≧0である]
に相応することを特徴とする、触媒。 - 前記ケイ素化合物がHSiCl3、H2SiCl2、及び/又はH3SiClに相応することを特徴とする、請求項1又は2に記載の触媒。
- 前記シロキサン及び/又はシラノールが、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピル基、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピル基、及び/又は3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピル基から選択される少なくとも1つのアミノアルキル基を有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の触媒。
- 前記担体材料が、SiO2及び/又はゼオライトを含むことを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の触媒。
- Wが、ハロゲン化物、ケイ酸基、硫酸塩、及び/又はカルボン酸塩に相応することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の触媒。
- 請求項1から6までのいずれか1項に記載の触媒の製造方法において、
1つの担体材料、及び一般式I
R1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
R2は水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、又はイソ−プロピル基に相応し、かつ
R3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、及び/又はイソ−プロピル基に相応する]
の少なくとも1つのアルコキシシランを、水及び/又は溶剤の存在下、並びに場合により酸を添加しながら加水分解し、かつ場合により縮合し、そして既に存在していた、又は反応の際に生じるアルコールを除去することを特徴とする、製造方法。 - 一般式Iのアルコキシシラン中で、
R1が、イソ−ブチル基、n−ブチル基、又はt−ブチル基に相応し、
R2がメチル基、エチル基、n−プロピル基、又はイソ−プロピル基に相応し、かつ
R4及びR3がメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、及び/又はイソプロポキシ基に相応することを特徴とする、請求項7に記載の方法。 - 前記アルコキシシランが、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピルトリエトキシシラン、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピルトリエトキシシラン、3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、又は3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピルトリエトキシシランに相応することを特徴とする、請求項7又は8に記載の方法。
- アルコキシシリル基に対して0.5〜50molの水が加水分解の際に存在していることを特徴とする、請求項7から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応が、0〜150℃の間で行われることを特徴とする、請求項7から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒が質量定数まで乾燥されることを特徴とする、請求項7から11までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体材料が、SiO2粒子又はSiO2成形体を有することを特徴とする、請求項7から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 請求項7から13までのいずれか1項に記載の方法により得られる、触媒。
- 水素及びハロゲンを含むケイ素化合物の不均化のための、請求項1から14までのいずれか1項に記載の触媒の使用。
- 反応器内に存在する触媒を用いた、水素及びハロゲンを含むケイ素化合物の不均化のための方法において、
1つの担体材料と、少なくとも1つの線状、環状、分枝状の及び/又は架橋されたアミノアルキル官能性シロキサン及び/又はシラノールとから成る触媒を、水素及びハロゲンを含むケイ素化合物と接触させ、
この際、少なくとも1つのシロキサン又はシラノールが、理想化された形態で一般式II
R1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
R2は相互に独立して水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、又はYに相応し、かつ
R3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又は−OYに相応し、この際、Yは前記担体材料を表し、HWは酸であり、ここでWは無機又は有機の酸基に相応し、ただしa≧1はシラノールを表し、a≧2はシロキサンを表し、かつw≧0である]
に相応し、
この際に、生成する反応混合物の少なくとも一部を後処理することを特徴とする、方法。 - 前記ケイ素化合物がトリクロロシランであることを特徴とする、請求項16又は17に記載の方法。
- ジクロロシラン、モノクロロシラン、及び/又はモノシランが得られることを特徴とする、請求項16から18までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応器に少なくとも1つの塔が配置されていることを特徴とする、請求項16から19までのいずれか1項に記載の方法。
- 生成する反応混合物の少なくとも一部を蒸留により後処理し、これによって比較的水素化されたケイ素化合物が易沸騰成分として塔頂で得られ、比較的塩化されたケイ素化合物が難沸騰成分として収容容器に蓄積され、かつ少なくとも1つの未反応のケイ素化合物が中沸点成分として塔で得られ、かつこの中沸点成分が、配置された反応器に新たに供給されることを特徴とする、請求項16から20までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒が、塔のあらゆる分離棚に配置されていることを特徴とする、請求項20又は21に記載の方法。
- 請求項1から14までのいずれか1項に記載の触媒を含む、水素及びハロゲンを含むケイ素化合物を不均化するための装置であって、
当該装置は、塔の受け器(1.1)及び塔頂(1.2)を有する少なくとも1つの蒸留塔(1)、触媒床(3)を有する少なくとも1つの側方反応器(2)、少なくとも1つの出発原料投入(1.3)、生成物取り出し(1.4)、及び少なくとも1つのさらなる生成物取り出し(1.5若しくは1.8)を有し、この際、蒸留塔(1)に少なくとも1つの炉床(4)が備えられており、かつ少なくとも1つの側方反応器(2)が少なくとも3つの配管(5、6、7)を介して、
蒸留塔(1)に通じる導管(5)の移行部が、炉床(4)から濃縮物を流出させるために、触媒床(3)の上端よりも高いところに位置するように、
導管(6)が、側方反応器(2)から液相を排出するために、炉床(4)の下方で蒸留塔(1)に合流するように、かつ
この合流部(6)が触媒床(3)の上端よりも低いところにあるように、並びに
導管(7)が、連結している側方反応器(2)から気相を排出するために、炉床(4)の面より上方で蒸留塔(1)に通じているように、
蒸留塔(1)と接続されており、この際に塔の受け器を加熱することができ、かつこの塔が冷却可能である、装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007059170A DE102007059170A1 (de) | 2007-12-06 | 2007-12-06 | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
PCT/EP2008/063461 WO2009071358A2 (de) | 2007-12-06 | 2008-10-08 | Katalysator und verfahren zur dismutierung von wasserstoff enthaltenden halogensilanen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011505246A true JP2011505246A (ja) | 2011-02-24 |
JP2011505246A5 JP2011505246A5 (ja) | 2011-09-22 |
Family
ID=40210437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536387A Pending JP2011505246A (ja) | 2007-12-06 | 2008-10-08 | 水素含有ハロゲンシランを不均化するための触媒及び方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100296994A1 (ja) |
EP (2) | EP2591856A1 (ja) |
JP (1) | JP2011505246A (ja) |
KR (1) | KR20100092478A (ja) |
CN (1) | CN101450323A (ja) |
BR (1) | BRPI0821154A2 (ja) |
CA (1) | CA2706418A1 (ja) |
DE (1) | DE102007059170A1 (ja) |
RU (1) | RU2492924C9 (ja) |
UA (1) | UA104851C2 (ja) |
WO (1) | WO2009071358A2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004037675A1 (de) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid |
DE102005041137A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102006003464A1 (de) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
DE102007007874A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007014107A1 (de) | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
DE102007048937A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen |
DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102007050573A1 (de) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
DE102008002537A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102008054537A1 (de) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration |
DE102009027728A1 (de) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Katalysator-Präkursoren |
DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
DE102010043648A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur selektiven Spaltung höherer Silane |
DE102010043649A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Spaltung höherer Silane |
DE102011002436A1 (de) * | 2011-01-04 | 2012-07-05 | Evonik Degussa Gmbh | Hydrierung von Organochlorsilanen und Siliciumtetrachlorid |
DE102011004058A1 (de) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
CN103241743B (zh) * | 2013-05-22 | 2015-07-22 | 黄国强 | 三氯氢硅直接歧化制备硅烷的反应精馏方法及设备 |
CN103449449B (zh) * | 2013-08-30 | 2015-09-09 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 制备三氯氢硅的方法及其设备 |
CN111659329B (zh) * | 2019-03-07 | 2022-05-24 | 江西福特化工新材料有限公司 | 缩合反应装置 |
CN113651844B (zh) * | 2021-08-20 | 2023-09-12 | 唐山偶联硅业有限公司 | 连续法制备二甲基氢氯硅烷的工艺 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5218678B1 (ja) * | 1970-12-17 | 1977-05-23 | ||
JPS60244340A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-04 | コーリア・アドヴアンスト・インステイテユート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | クロロシランの不均等化反応触媒の製造方法 |
JPS63258886A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-26 | ワツカー‐ケミー・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | ジクロルメチルシランの不均化生成物の製造方法 |
JPH01257118A (ja) * | 1987-04-04 | 1989-10-13 | Huels Troisdorf Ag | ジクロルシランを製造する方法および装置 |
DE4323406A1 (de) * | 1993-07-13 | 1995-01-19 | Nuenchritz Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen aus Methylchlordisilanen |
JPH07330781A (ja) * | 1994-06-01 | 1995-12-19 | Wacker Chemie Gmbh | アルキル−又はアリールジクロルシランの製法、触媒及び触媒の製法 |
JP2008513325A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | シランを製造する装置および方法 |
JP2008521958A (ja) * | 2004-11-25 | 2008-06-26 | トータル・ペトロケミカルズ・リサーチ・フエリユイ | 担体表面上に官能性分子を分散させる方法と、この方法によって製造された担体 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US403202A (en) * | 1889-05-14 | Xjohn s stewart macarthur | ||
US358259A (en) * | 1887-02-22 | Halp to aaeon a- haepee | ||
US2009A (en) * | 1841-03-18 | Improvement in machines for boring war-rockets | ||
US2008A (en) * | 1841-03-18 | Gas-lamp eok conducting gas pkom ah elevated buhner to one below it | ||
BE784818A (fr) * | 1971-06-14 | 1972-12-13 | Westinghouse Electric Corp | Etalonnage du profil de deplacement de la position d'un entrainement par moteur |
US3968199A (en) * | 1974-02-25 | 1976-07-06 | Union Carbide Corporation | Process for making silane |
US4676967A (en) * | 1978-08-23 | 1987-06-30 | Union Carbide Corporation | High purity silane and silicon production |
US4613491A (en) * | 1984-05-17 | 1986-09-23 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Redistribution catalyst and methods for its preparation and use to convert chlorosilicon hydrides to silane |
DE3828549A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-08 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen |
EP0396650B2 (de) | 1988-09-02 | 1995-04-12 | GebràDer Sulzer Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur durchführung katalysierter reaktionen |
DE3925357C1 (ja) * | 1989-07-31 | 1991-04-25 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
EP0702017B1 (de) * | 1994-09-14 | 2001-11-14 | Degussa AG | Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen |
DE19516386A1 (de) * | 1995-05-04 | 1996-11-07 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen |
DE19520737C2 (de) * | 1995-06-07 | 2003-04-24 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen |
DE19649023A1 (de) * | 1996-11-27 | 1998-05-28 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen |
DE19746862A1 (de) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Huels Chemische Werke Ag | Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten |
DE19847786A1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-04-20 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters |
DE19849196A1 (de) * | 1998-10-26 | 2000-04-27 | Degussa | Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen |
ATE284406T1 (de) * | 1998-11-06 | 2004-12-15 | Degussa | Verfahren zur herstellung von chloridarmen oder chloridfreien alkoxysilanen |
DE19918114C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE19918115C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE19963433A1 (de) * | 1999-12-28 | 2001-07-12 | Degussa | Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen |
DE10017168A1 (de) | 2000-04-07 | 2001-10-11 | Bayer Ag | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan |
US6576588B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-06-10 | Catalytic Distillation Technologies | Process for selective hydrogenation of alkynes and catalyst therefor |
DE10057522B4 (de) * | 2000-11-21 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE10057519A1 (de) * | 2000-11-21 | 2002-05-23 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE10057521B4 (de) | 2000-11-21 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE10061680A1 (de) | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Silan |
DE10116007A1 (de) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Degussa | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen |
DE10330022A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-20 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen |
DE102004008442A1 (de) * | 2004-02-19 | 2005-09-15 | Degussa Ag | Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips |
DE102004025766A1 (de) * | 2004-05-26 | 2005-12-22 | Degussa Ag | Herstellung von Organosilanestern |
DE102004037675A1 (de) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid |
RU2279403C1 (ru) * | 2004-12-27 | 2006-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) | Способ получения моносилана высокой чистоты |
DE102005041137A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
UA13211U (en) * | 2005-10-10 | 2006-03-15 | Yurii Oleksandrovych Kasatkin | A method for producing monosilane |
DE102006003464A1 (de) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
DE102007023759A1 (de) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur kontinuierlichen industriellen Herstellung von Fluoralkylchlorsilan |
DE102007007874A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007014107A1 (de) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
DE102007048937A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen |
DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102007050573A1 (de) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
DE102008004397A1 (de) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
US20090197014A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-06 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Apparatus and method for coating diamond on work pieces via hot filament chemical vapor deposition |
DE102009053804B3 (de) * | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
-
2007
- 2007-12-06 DE DE102007059170A patent/DE102007059170A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-10-08 US US12/744,204 patent/US20100296994A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-08 UA UAA201008397A patent/UA104851C2/uk unknown
- 2008-10-08 WO PCT/EP2008/063461 patent/WO2009071358A2/de active Application Filing
- 2008-10-08 RU RU2010127424/04A patent/RU2492924C9/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-10-08 JP JP2010536387A patent/JP2011505246A/ja active Pending
- 2008-10-08 EP EP13154517.0A patent/EP2591856A1/de not_active Withdrawn
- 2008-10-08 BR BRPI0821154-0A patent/BRPI0821154A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2008-10-08 KR KR1020107012312A patent/KR20100092478A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-08 EP EP08856913A patent/EP2222401A2/de not_active Withdrawn
- 2008-10-08 CA CA2706418A patent/CA2706418A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-05 CN CNA2008101798085A patent/CN101450323A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5218678B1 (ja) * | 1970-12-17 | 1977-05-23 | ||
JPS60244340A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-04 | コーリア・アドヴアンスト・インステイテユート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | クロロシランの不均等化反応触媒の製造方法 |
JPH01257118A (ja) * | 1987-04-04 | 1989-10-13 | Huels Troisdorf Ag | ジクロルシランを製造する方法および装置 |
JPS63258886A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-26 | ワツカー‐ケミー・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | ジクロルメチルシランの不均化生成物の製造方法 |
DE4323406A1 (de) * | 1993-07-13 | 1995-01-19 | Nuenchritz Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen aus Methylchlordisilanen |
JPH07330781A (ja) * | 1994-06-01 | 1995-12-19 | Wacker Chemie Gmbh | アルキル−又はアリールジクロルシランの製法、触媒及び触媒の製法 |
JP2008513325A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | シランを製造する装置および方法 |
JP2008521958A (ja) * | 2004-11-25 | 2008-06-26 | トータル・ペトロケミカルズ・リサーチ・フエリユイ | 担体表面上に官能性分子を分散させる方法と、この方法によって製造された担体 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6014027165; Silane Coupling Agents: [online], 2006, Gelest Inc. * |
JPN6014027168; ALLUM, K. G. et al: 'Supported transition metal complexes. II. Silica as the support' J. Organomet. Chem. Vol.87, No.2, 19750318, p.203-216 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BRPI0821154A2 (pt) | 2015-06-16 |
RU2492924C9 (ru) | 2014-03-27 |
US20100296994A1 (en) | 2010-11-25 |
UA104851C2 (uk) | 2014-03-25 |
CN101450323A (zh) | 2009-06-10 |
EP2591856A1 (de) | 2013-05-15 |
CA2706418A1 (en) | 2009-06-11 |
WO2009071358A2 (de) | 2009-06-11 |
WO2009071358A3 (de) | 2009-08-13 |
EP2222401A2 (de) | 2010-09-01 |
DE102007059170A1 (de) | 2009-06-10 |
RU2010127424A (ru) | 2012-01-20 |
RU2492924C2 (ru) | 2013-09-20 |
KR20100092478A (ko) | 2010-08-20 |
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JPH0339964B2 (ja) | ||
JPH0339963B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110802 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130306 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130312 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130515 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140630 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140807 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140814 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150309 |