UA13211U - A method for producing monosilane - Google Patents
A method for producing monosilane Download PDFInfo
- Publication number
- UA13211U UA13211U UAU200509480U UAU200509480U UA13211U UA 13211 U UA13211 U UA 13211U UA U200509480 U UAU200509480 U UA U200509480U UA U200509480 U UAU200509480 U UA U200509480U UA 13211 U UA13211 U UA 13211U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- monosilane
- reactor
- countercurrent
- evaporator
- catalyst
- Prior art date
Links
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 28
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 claims abstract description 19
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract description 11
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 14
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 abstract 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Корисна модель відноситься до хімічних технологій, а саме до одержання моносилану, який використовують 2 у виробництві "сонячного" кремнію.A useful model relates to chemical technologies, namely to the production of monosilane, which is used 2 in the production of "solar" silicon.
Найбільш близьким за технічною суттю і технічним результатом, який досягається, до способу, що заявляється, є спосіб одержання моносилану |див. п. Німеччини Мо19860146, МПК 6 СсО18 33/04, 3018 33/107, заявл. 24.12.98р., опубл. 29.06.2000рі), який включає каталітичне диспропорціювання трихлорсилану з утворенням моносилану, тетрахлориду кремнію і хлорсиланів у протитечійному реакторі з каталізатором, 70 ступінчасту конденсацію продуктів реакції диспропорціювання для відділення газоподібного моносилану з поверненням сконденсованої фази в реакційну зону реактора через шар каталізатора у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника, виведення рідкого продукту з випарника для використання після додаткового очищення у виробництві діоксиду кремнію та очищення моносилану на ректифікаційній колоні. т У відомому способі трихлорсилан подають у реакційну зону каталітичного протитечійного реактора. У реакційній зоні в результаті диспропорціювання трихлорсилану утворюється парогазова суміш, яка містить моносилан, проміжні хлорсилани і тетрахлорид кремнію, який конденсується і стікає у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника. Парогазова суміш продуктів реакції диспропорціювання надходить у проміжний конденсатор, розміщений у протитечійному реакторі, на конденсацію в інтервалі температур від (-25)2С до 502С, переважно (-5)2С - 402С, для відділення газоподібної силанвмісної фази.The closest in terms of technical essence and the technical result that is achieved to the claimed method is the method of obtaining monosilane | see of Germany Mo19860146, IPC 6 СсО18 33/04, 3018 33/107, application 24.12.98, publ. 29.06.2000), which includes the catalytic disproportionation of trichlorosilane with the formation of monosilane, silicon tetrachloride and chlorosilanes in a countercurrent reactor with a catalyst, 70-stage condensation of the products of the disproportionation reaction for the separation of gaseous monosilane with the return of the condensed phase to the reaction zone of the reactor through the catalyst layer into the evaporator against the flow of vapors chlorosilanes, which rises from the evaporator, withdrawal of the liquid product from the evaporator for use after additional purification in the production of silicon dioxide and purification of monosilane in the rectification column. t In a known method, trichlorosilane is fed into the reaction zone of a catalytic countercurrent reactor. In the reaction zone, as a result of the disproportionation of trichlorosilane, a vapor-gas mixture is formed, which contains monosilane, intermediate chlorosilanes, and silicon tetrachloride, which condenses and flows into the evaporator against the flow of chlorosilane vapors rising from the evaporator. The vapor-gas mixture of the disproportionation reaction products enters the intermediate condenser placed in the countercurrent reactor for condensation in the temperature range from (-25)2C to 502C, preferably (-5)2C to 402C, to separate the gaseous silane-containing phase.
Сконденсована фаза повертається в шар каталізатора протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника. У випарнику в результаті нагрівання хлорсиланів переходять у пароподібний стан і надходять у протитечійний реактор на каталітичне диспропорціювання, а рідкий продукт, що представляє собою в основному тетрахлорид кремнію, виводиться з випарника і після додаткового очищення направляється на виробництво діоксиду кремнію. -The condensed phase returns to the catalyst layer against the flow of chlorosilane vapors rising from the evaporator. In the evaporator, as a result of heating, chlorosilanes go into a vapor state and enter the countercurrent reactor for catalytic disproportionation, and the liquid product, which is mainly silicon tetrachloride, is removed from the evaporator and after additional purification is sent to the production of silicon dioxide. -
Несконденсовані продукти реакції диспропорціювання трихлорсилану виводять з верхньої частини протитечійного реактора і конденсують в основному конденсаторі при температурі нижче (-40)С, переважно нижче (-60)2С, і тиску від 1 до 5б0атм, переважно від 1 до 1бйатм. Частину отриманого конденсату повертають у «- зо Верхню частину протитечійного реактора в зону, що передує основній конденсації. Решту конденсату і несконденсовану газоподібну фазу після попереднього стиску насосом направляють на очищення в - ректифікаційну колону. У результаті ректифікаційного очищення одержують сконденсований моносилан зі сч ступенем чистоти 9895, а відділені хлорсилани рециркулюють у протитечійний реактор у зону каталітичного диспропорціювання. іUncondensed products of the trichlorosilane disproportionation reaction are removed from the upper part of the countercurrent reactor and condensed in the main condenser at a temperature below (-40)C, preferably below (-60)2C, and a pressure of 1 to 5 b0 atm, preferably from 1 to 1 b atm. Part of the obtained condensate is returned to the upper part of the countercurrent reactor in the zone preceding the main condensation. The rest of the condensate and the non-condensed gaseous phase after preliminary compression by the pump are directed to the purification column for purification. As a result of the rectification purification, a condensed monosilane with a degree of purity of 9895 is obtained, and the separated chlorosilanes are recirculated into the countercurrent reactor in the catalytic disproportionation zone. and
Недоліком відомого способу одержання моносилану є недостатньо високий ступінь вилучення кремнію в «-- придатну продукцію, а також недостатньо високий ступінь чистоти моносилану і високі енерговитрати на виробництво одиниці готової продукції. Це пояснюється таким чином. Відомі умови реалізації способу одержання моносилану обумовлюють одержання на виході з протитечійного реактора парогазової суміші з недостатньо високим вмістом моносилану. Повернення частини конденсату після основної конденсації у верхню частину « протитечійного реактора дозволяє трохи підвищити вміст моносилану в парогазовій суміші. Однак, постійна 2 с рециркуляція частини конденсату в реактор обумовлює недостатньо високий ступінь вилучення кремнію в готовий продукт і високі енерговитрати на одержання моносилану. На подальше очищення в ректифікаційну з колону надходить моносилан, який містить значні кількості хлорсиланів (не менше 1095), що обумовлює недостатньо високий ступінь чистоти моносилану і високі енерговитрати на виробництво одиниці продукції.The disadvantage of the known method of obtaining monosilane is the insufficiently high degree of extraction of silicon into suitable products, as well as the insufficiently high degree of purity of monosilane and high energy costs for the production of a unit of finished products. It is explained as follows. The known conditions for the implementation of the monosilane production method determine the production of a steam-gas mixture with an insufficiently high monosilane content at the exit from the countercurrent reactor. The return of a part of the condensate after the main condensation to the upper part of the countercurrent reactor allows to slightly increase the content of monosilane in the steam-gas mixture. However, the constant 2-s recirculation of a part of the condensate in the reactor causes an insufficiently high degree of extraction of silicon into the finished product and high energy costs for the production of monosilane. For further purification, monosilane, which contains significant amounts of chlorosilanes (at least 1095), comes from the rectification column, which causes insufficiently high purity of monosilane and high energy costs for the production of a unit of product.
В основу корисної моделі поставлена задача удосконалення способу одержання моносилану, у якому за - рахунок проведення додаткових операцій і нових умов виконання відомих операцій забезпечують оптимізацію температурного режиму процесу диспропорціювання та інтенсифікацію основних технологічних процесів, що і дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію в придатну продукцію при одночасному забезпеченні високоїThe basis of a useful model is the task of improving the method of obtaining monosilane, in which, due to additional operations and new conditions for performing known operations, the optimization of the temperature regime of the disproportionation process and the intensification of the main technological processes are ensured, which allows to increase the degree of extraction of silicon into suitable products while simultaneously providing high
Ге якості одержаного моносилану з мінімальними енергетичними і матеріальними витратами.The quality of the obtained monosilane with minimal energy and material costs.
Поставлена задача вирішується тим, що у відомому способі одержання моносилану, який включає - каталітичне диспропорціювання трихлорсилану з утворенням моносилану, тетрахлориду кремнію і хлорсиланів у ке протитечійному реакторі з каталізатором, ступінчасту конденсацію продуктів реакції диспропорціювання для відділення газоподібного моносилану з поверненням сконденсованої фази в реакційну зону реактора через шар каталізатора у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника, виведення рідкого продукту з випарника для використання після додаткового очищення у виробництві діоксиду кремнію та очищення моносилану на ректифікаційній колоні, новим, відповідно до корисної моделі, є те, що каталізатор у с протитечійному реакторі розміщають у трубчастих елементах, трихлорсилан попередньо нагрівають потоком рідкого продукту, що відбирається з випарника, а рідкий продукт потім направляють у міжтрубний простір протитечійного реактора з виведенням його з верхньої частини реактора. во Причинно-наслідковий зв'язок між сукупністю суттєвих ознак корисної моделі, що заявляється, і технічним результатом, що досягається, полягає в такому.The problem is solved by the fact that in the known method of obtaining monosilane, which includes - catalytic disproportionation of trichlorosilane with the formation of monosilane, silicon tetrachloride and chlorosilanes in a countercurrent reactor with a catalyst, stepwise condensation of the products of the disproportionation reaction to separate gaseous monosilane with the return of the condensed phase to the reaction zone of the reactor through the catalyst bed into the evaporator countercurrent to the vapor stream of chlorosilanes rising from the evaporator, withdrawing the liquid product from the evaporator for use after additional purification in the production of silicon dioxide and purifying the monosilane in the distillation column, what is new, according to the useful model, is that the catalyst in countercurrent reactor is placed in tubular elements, trichlorosilane is preheated by a flow of liquid product taken from the evaporator, and the liquid product is then directed into the intertube space of the countercurrent reactor with its removal from the upper part reactor The cause-and-effect relationship between the set of essential features of the claimed useful model and the achieved technical result is as follows.
Проведення додаткових операцій і нові умови виконання відомих операцій, а саме: розміщення каталізатора в протитечійному реакторі в трубчастих елементах; попереднє нагрівання трихлорсилану потоком рідкого продукту, що відбирається з випарника; в5 подача рідкого продукту в міжтрубний простір протитечійного реактора з виведенням його з верхньої частини реактора,Carrying out additional operations and new conditions for performing known operations, namely: placing the catalyst in the countercurrent reactor in tubular elements; preliminary heating of trichlorosilane with a flow of liquid product taken from the evaporator; v5 feeding the liquid product into the intertube space of the countercurrent reactor with its removal from the upper part of the reactor,
у сукупності з відомими ознаками корисної моделі забезпечують оптимізацію температурного режиму процесу диспропорціювання та інтенсифікацію основних технологічних процесів, що дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію в придатну продукцію при одночасному забезпеченні високої якості одержаного моносилануin combination with the known features of the useful model, they ensure the optimization of the temperature regime of the disproportionation process and the intensification of the main technological processes, which allows to increase the degree of extraction of silicon into suitable products while simultaneously ensuring the high quality of the obtained monosilane
З мінімальними енергетичними і матеріальними витратами.With minimal energy and material costs.
Розміщення каталізатора в протитечійному реакторі в трубчастих елементах дозволяє здійснити нагрівання каталізатора до температур, необхідних і оптимальних для здійснення реакції диспропорціювання, використовуючи для цього тепло рідкого продукту, що відбирається з випарника. З цією метою потік рідкого продукту подають у міжтрубний простір протитечійного реактора. Попередньо рідким продуктом, що 7/о Відбирається з випарника, нагрівають трихлорсилан. Це дозволяє оптимізувати температурний режим процесу диспропорціювання і утилізувати тепло рідкого продукту, що обумовлює підвищення ступеня вилучення кремнію в придатну продукцію і зниження енерговитрат на одержання моносилану. Проведення реакції диспропорціювання при оптимальному температурному режимі обумовлює інтенсифікацію основних технологічних процесів, дозволяє більш ефективно провести подальші ступені конденсації та одержати перед 7/5 енергоємним ректифікаційним очищенням більш чистий продукт. Це, у свою чергу, обумовлює одержання моносилану високої якості з низькими енергетичними і матеріальними витратами.Placing the catalyst in the countercurrent reactor in the tubular elements allows the catalyst to be heated to the temperatures necessary and optimal for the disproportionation reaction, using the heat of the liquid product taken from the evaporator for this purpose. For this purpose, the flow of the liquid product is fed into the intertube space of the countercurrent reactor. Trichlorosilane is heated with a previously liquid product that is 7/o taken from the evaporator. This makes it possible to optimize the temperature regime of the disproportionation process and utilize the heat of the liquid product, which causes an increase in the degree of extraction of silicon into suitable products and a decrease in energy costs for the production of monosilane. Carrying out the disproportionation reaction at the optimal temperature regime leads to the intensification of the main technological processes, allows to carry out further stages of condensation more efficiently and to obtain a cleaner product before the 7/5 energy-intensive rectification purification. This, in turn, conditions the production of high-quality monosilane with low energy and material costs.
Для пояснення суті способу, що заявляється, на кресленні наведена технологічна схема його реалізації.To explain the essence of the claimed method, the drawing shows the technological scheme of its implementation.
Технологічна схема реалізації способу одержання моносилану містить: протитечійний реактор 1 для диспропорціювання трихлорсилану з каталізатором 2, розміщеним у трубчастих елементах 3, і міжтрубним 2о простором 4, з'єднані з реактором 1 у верхній частині конденсатор 5 для конденсації висококиплячих хлорсиланів і тетрахлориду кремнію та у нижній частині випарник Є для нагрівання хлорсиланів, теплообмінник 7 для нагрівання трихлорсилану, конденсатор 8 для конденсації низькокиплячих хлорсиланів, ректифікаційну колону 9 для очищення моносилану від слідів хлорсиланів.The technological scheme of the implementation of the method of obtaining monosilane contains: a countercurrent reactor 1 for the disproportionation of trichlorosilane with a catalyst 2 placed in tubular elements 3 and an inter-tube space 4, connected to the reactor 1 in the upper part, a condenser 5 for the condensation of high-boiling chlorosilanes and silicon tetrachloride and in in the lower part, there is an evaporator E for heating chlorosilanes, a heat exchanger 7 for heating trichlorosilane, a condenser 8 for condensation of low-boiling chlorosilanes, a rectification column 9 for cleaning monosilane from traces of chlorosilanes.
Заявлений спосіб одержання моносилану здійснюють таким чином.The claimed method of obtaining monosilane is carried out as follows.
Трихлорсилан подають у теплообмінник 7, де відбувається його нагрівання рідким продуктом, який подають з випарника 6, до температури 602С. З теплообмінника 7 нагрітий трихлорсилан подають у протитечійний реактор) т у шар каталізатора 2, розміщений у трубчастих елементах 3, на диспропорціювання, а рідкий продукт подають у протитечійний реактор 1 у міжтрубний простір 4 для нагрівання каталізатора 2. При каталітичному диспропорціюванні трихлорсилану утворюється парогазова суміш, яка містить моносилан, проміжні хлорсилани і -/- пе зо тетрахлорид кремнію, що конденсується і стікає у випарник б протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника 6. Парогазова суміш надходить у конденсатор 5, у якому підтримують температуру - (-15)2С, де конденсуються тетрахлорид кремнію і висококиплячі хлорсилани. Отриманий конденсат пропускають су через каталізатор 2 у випарник 6 протитечією парам парогазової суміші. У випарнику 6 конденсат нагрівають до температури 902. Хлорсилани при цьому переходять у пароподібний стан і повертаються на каталітичне о диспропорціювання в протитечійний реактор 1, а рідкий продукт із випарника б з температурою 909С, що че представляє собою в основному тетрахлорид кремнію, направляється в теплообмінник 7 для нагрівання трихлорсилану, а потім у міжтрубний простір 4 протитечійного реактора 1 для нагрівання каталізатора 2 і виводиться з верхньої частини протитечійного реактора 1. Одержаний тетрахлорид кремнію після додаткового « очищення направляють на виробництво діоксиду кремнію. Газоподібну силанвмісну фазу, що містить після відділення висококиплячих хлорсиланів у конденсаторі 5 більше 6095 моносилану, направляють у конденсатор 8 - с для конденсації низькокиплячих хлорсиланів при температурі до (-100)20. Конденсат хлорсиланів, що при цьому ч утворюється, повертають у протитечійний реактор 1 на диспропорціювання. Моносилан зі слідами хлорсиланів ни (не більше 195) після відділення низькокиплячих хлорсиланів у конденсаторі 8 направляють у ректифікаційну колону 9, де моносилан очищають від слідів хлорсиланів з одержанням сконденсованого моносилану зі ступенем чистоти 99,595, який направляють на одержання "сонячного" кремнію. - Проведення технологічного процесу способом, що заявляється, дозволяє інтенсифікувати основні о технологічні процеси за рахунок оптимізації температурного режиму процесу диспропорціювання та інтенсифікації основних технологічних процесів, що дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію в придатну іме) продукцію при одночасному забезпеченні високої якості одержаного моносилану з мінімальними енергетичними і -д 70 матеріальними витратами.Trichlorosilane is fed into the heat exchanger 7, where it is heated by the liquid product fed from the evaporator 6 to a temperature of 602C. From the heat exchanger 7, the heated trichlorosilane is fed into the countercurrent reactor) to the catalyst layer 2, placed in the tubular elements 3, for disproportionation, and the liquid product is fed into the countercurrent reactor 1 into the intertube space 4 to heat the catalyst 2. During the catalytic disproportionation of trichlorosilane, a vapor-gas mixture is formed, which contains monosilane, intermediate chlorosilanes and -/- silicon tetrachloride, which condenses and flows into the evaporator b against the flow of chlorosilane vapors rising from the evaporator 6. The vapor-gas mixture enters the condenser 5, in which the temperature is maintained at - (-15)2С , where silicon tetrachloride and high-boiling chlorosilanes condense. The resulting condensate is passed through the catalyst 2 into the evaporator 6 against the vapors of the steam-gas mixture. In the evaporator 6, the condensate is heated to a temperature of 902. At the same time, the chlorosilanes go into a vapor state and return to the countercurrent reactor 1 for catalytic disproportionation, and the liquid product from the evaporator b with a temperature of 909C, which is mainly silicon tetrachloride, is sent to the heat exchanger 7 for heating trichlorosilane, and then into the intertube space 4 of the countercurrent reactor 1 to heat the catalyst 2 and is removed from the upper part of the countercurrent reactor 1. The silicon tetrachloride obtained after additional purification is sent to the production of silicon dioxide. The gaseous silane-containing phase containing more than 6095 monosilane after separation of high-boiling chlorosilanes in condenser 5 is sent to condenser 8 - s for condensation of low-boiling chlorosilanes at a temperature of up to (-100)20. The condensate of chlorosilanes, which is formed in this case, is returned to countercurrent reactor 1 for disproportionation. Monosilane with traces of chlorosilanes (no more than 195), after the separation of low-boiling chlorosilanes in the condenser 8, is sent to the rectification column 9, where the monosilane is purified from traces of chlorosilanes to obtain a condensed monosilane with a degree of purity of 99.595, which is sent to obtain "solar" silicon. - Carrying out the technological process in the manner claimed allows for the intensification of the main technological processes due to the optimization of the temperature regime of the disproportionation process and the intensification of the main technological processes, which allows to increase the degree of extraction of silicon into suitable products while simultaneously ensuring the high quality of the obtained monosilane with minimal energy and -d 70 material expenses.
Спосіб, що заявляється, був випробуваний у дослідно-промислових умовах. Як вихідну сировину -З використовували технічний 98,895 трихлорсилан. Як каталізатор використовували аніонообмінну смолу маркиThe claimed method was tested in experimental and industrial conditions. Technical grade 98.895 trichlorosilane was used as raw material -Z. Anion exchange resin of the brand was used as a catalyst
АНЗ21.ANZ21.
Корисна модель, що заявляється, забезпечує підвищення ступеня вилучення кремнію до 98,2-98,695 від 2о стехіометрично можливого, що на 1095 вище в порівнянні з прототипом. Ступінь чистоти моносилану при с реалізації способу, що заявляється, склав 99,595, що на 1,595 вище в порівнянні з прототипом. Питомі витрати на виробництво одиниці готової продукції склали 15-17 доларів за кілограм, що в 2,0-2,2 рази нижче, ніж за прототипом.The claimed useful model provides an increase in the degree of silicon extraction to 98.2-98.695 from 2o stoichiometrically possible, which is 1095 higher compared to the prototype. The degree of purity of the monosilane when implementing the proposed method was 99.595, which is 1.595 higher than the prototype. Specific costs for the production of a unit of finished products amounted to 15-17 dollars per kilogram, which is 2.0-2.2 times lower than according to the prototype.
Заявлений спосіб одержання моносилану здійснюється на загальновідомому устаткуванні з використанням 60 відомих матеріалів і засобів, що підтверджує промислову придатність об'єкта.The declared method of obtaining monosilane is carried out on well-known equipment using 60 known materials and means, which confirms the industrial suitability of the object.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200509480U UA13211U (en) | 2005-10-10 | 2005-10-10 | A method for producing monosilane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200509480U UA13211U (en) | 2005-10-10 | 2005-10-10 | A method for producing monosilane |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA13211U true UA13211U (en) | 2006-03-15 |
Family
ID=37456540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU200509480U UA13211U (en) | 2005-10-10 | 2005-10-10 | A method for producing monosilane |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA13211U (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2492924C2 (en) * | 2007-12-06 | 2013-09-20 | Эвоник Дегусса Гмбх | Catalyst and method of dismutation of hydrogen-containing halosilanes |
| CN108910894A (en) * | 2018-08-31 | 2018-11-30 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | Trichlorosilane rectification system and rectificating method |
-
2005
- 2005-10-10 UA UAU200509480U patent/UA13211U/en unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2492924C2 (en) * | 2007-12-06 | 2013-09-20 | Эвоник Дегусса Гмбх | Catalyst and method of dismutation of hydrogen-containing halosilanes |
| RU2492924C9 (en) * | 2007-12-06 | 2014-03-27 | Эвоник Дегусса Гмбх | Catalyst and method of dismutation of hydrogen-containing halosilanes |
| CN108910894A (en) * | 2018-08-31 | 2018-11-30 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | Trichlorosilane rectification system and rectificating method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2503616C2 (en) | Method and system for obtaining pure silicon | |
| KR101778068B1 (en) | System and methods of producing trichlorosilane | |
| JP4767417B2 (en) | Methods and equipment for producing silane | |
| RU2008116147A (en) | MONOSILANE PRODUCTION METHOD | |
| JP2003519066A (en) | Manufacturing method of high purity sulfuric acid | |
| JP5344113B2 (en) | Hydrogen separation and recovery method and hydrogen separation and recovery equipment | |
| JP5344114B2 (en) | Hydrogen purification recovery method and hydrogen purification recovery equipment | |
| RU2313485C2 (en) | Monosilane preparation process | |
| UA13211U (en) | A method for producing monosilane | |
| RU2457178C1 (en) | Method of producing high-purity monosilane and silicon tetrachloride | |
| CN109607548A (en) | A kind of method and device using polysilicon waste production silicon tetrachloride | |
| JP5826854B2 (en) | Method and system for purifying silane | |
| RU2475451C1 (en) | Method of producing polycrystalline silicon | |
| WO2014100705A1 (en) | Conserved off gas recovery systems and processes | |
| RU2394762C2 (en) | Method of producing trichlorosilane | |
| UA78152C2 (en) | Process for preparation of monosilane | |
| WO2008059887A1 (en) | Hydrogen separation/collection method and hydrogen separation/collection facility | |
| UA13212U (en) | Installation for monosilane synthesis | |
| JP6486049B2 (en) | Method for producing pentachlorodisilane and pentachlorodisilane produced by the method | |
| US8551298B2 (en) | Processes for purifying silane | |
| RU52598U1 (en) | INSTALLATION FOR MONOSILANE SYNTHESIS | |
| UA78919C2 (en) | Plant for monosilane synthesis | |
| JP6391389B2 (en) | Method for producing octachlorotrisilane and octachlorotrisilane produced by the method | |
| JPS6163519A (en) | Production of monosilane | |
| RU2274602C1 (en) | Trichlorosilane production process |