UA13211U - A method for producing monosilane - Google Patents
A method for producing monosilane Download PDFInfo
- Publication number
- UA13211U UA13211U UAU200509480U UAU200509480U UA13211U UA 13211 U UA13211 U UA 13211U UA U200509480 U UAU200509480 U UA U200509480U UA U200509480 U UAU200509480 U UA U200509480U UA 13211 U UA13211 U UA 13211U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- monosilane
- reactor
- countercurrent
- evaporator
- catalyst
- Prior art date
Links
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 28
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 claims abstract description 19
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract description 11
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 14
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 abstract 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Опис винаходу
Корисна модель відноситься до хімічних технологій, а саме до одержання моносилану, який використовують 2 у виробництві "сонячного" кремнію.
Найбільш близьким за технічною суттю і технічним результатом, який досягається, до способу, що заявляється, є спосіб одержання моносилану |див. п. Німеччини Мо19860146, МПК 6 СсО18 33/04, 3018 33/107, заявл. 24.12.98р., опубл. 29.06.2000рі), який включає каталітичне диспропорціювання трихлорсилану з утворенням моносилану, тетрахлориду кремнію і хлорсиланів у протитечійному реакторі з каталізатором, 70 ступінчасту конденсацію продуктів реакції диспропорціювання для відділення газоподібного моносилану з поверненням сконденсованої фази в реакційну зону реактора через шар каталізатора у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника, виведення рідкого продукту з випарника для використання після додаткового очищення у виробництві діоксиду кремнію та очищення моносилану на ректифікаційній колоні. т У відомому способі трихлорсилан подають у реакційну зону каталітичного протитечійного реактора. У реакційній зоні в результаті диспропорціювання трихлорсилану утворюється парогазова суміш, яка містить моносилан, проміжні хлорсилани і тетрахлорид кремнію, який конденсується і стікає у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника. Парогазова суміш продуктів реакції диспропорціювання надходить у проміжний конденсатор, розміщений у протитечійному реакторі, на конденсацію в інтервалі температур від (-25)2С до 502С, переважно (-5)2С - 402С, для відділення газоподібної силанвмісної фази.
Сконденсована фаза повертається в шар каталізатора протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника. У випарнику в результаті нагрівання хлорсиланів переходять у пароподібний стан і надходять у протитечійний реактор на каталітичне диспропорціювання, а рідкий продукт, що представляє собою в основному тетрахлорид кремнію, виводиться з випарника і після додаткового очищення направляється на виробництво діоксиду кремнію. -
Несконденсовані продукти реакції диспропорціювання трихлорсилану виводять з верхньої частини протитечійного реактора і конденсують в основному конденсаторі при температурі нижче (-40)С, переважно нижче (-60)2С, і тиску від 1 до 5б0атм, переважно від 1 до 1бйатм. Частину отриманого конденсату повертають у «- зо Верхню частину протитечійного реактора в зону, що передує основній конденсації. Решту конденсату і несконденсовану газоподібну фазу після попереднього стиску насосом направляють на очищення в - ректифікаційну колону. У результаті ректифікаційного очищення одержують сконденсований моносилан зі сч ступенем чистоти 9895, а відділені хлорсилани рециркулюють у протитечійний реактор у зону каталітичного диспропорціювання. і
Недоліком відомого способу одержання моносилану є недостатньо високий ступінь вилучення кремнію в «-- придатну продукцію, а також недостатньо високий ступінь чистоти моносилану і високі енерговитрати на виробництво одиниці готової продукції. Це пояснюється таким чином. Відомі умови реалізації способу одержання моносилану обумовлюють одержання на виході з протитечійного реактора парогазової суміші з недостатньо високим вмістом моносилану. Повернення частини конденсату після основної конденсації у верхню частину « протитечійного реактора дозволяє трохи підвищити вміст моносилану в парогазовій суміші. Однак, постійна 2 с рециркуляція частини конденсату в реактор обумовлює недостатньо високий ступінь вилучення кремнію в готовий продукт і високі енерговитрати на одержання моносилану. На подальше очищення в ректифікаційну з колону надходить моносилан, який містить значні кількості хлорсиланів (не менше 1095), що обумовлює недостатньо високий ступінь чистоти моносилану і високі енерговитрати на виробництво одиниці продукції.
В основу корисної моделі поставлена задача удосконалення способу одержання моносилану, у якому за - рахунок проведення додаткових операцій і нових умов виконання відомих операцій забезпечують оптимізацію температурного режиму процесу диспропорціювання та інтенсифікацію основних технологічних процесів, що і дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію в придатну продукцію при одночасному забезпеченні високої
Ге якості одержаного моносилану з мінімальними енергетичними і матеріальними витратами.
Поставлена задача вирішується тим, що у відомому способі одержання моносилану, який включає - каталітичне диспропорціювання трихлорсилану з утворенням моносилану, тетрахлориду кремнію і хлорсиланів у ке протитечійному реакторі з каталізатором, ступінчасту конденсацію продуктів реакції диспропорціювання для відділення газоподібного моносилану з поверненням сконденсованої фази в реакційну зону реактора через шар каталізатора у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника, виведення рідкого продукту з випарника для використання після додаткового очищення у виробництві діоксиду кремнію та очищення моносилану на ректифікаційній колоні, новим, відповідно до корисної моделі, є те, що каталізатор у с протитечійному реакторі розміщають у трубчастих елементах, трихлорсилан попередньо нагрівають потоком рідкого продукту, що відбирається з випарника, а рідкий продукт потім направляють у міжтрубний простір протитечійного реактора з виведенням його з верхньої частини реактора. во Причинно-наслідковий зв'язок між сукупністю суттєвих ознак корисної моделі, що заявляється, і технічним результатом, що досягається, полягає в такому.
Проведення додаткових операцій і нові умови виконання відомих операцій, а саме: розміщення каталізатора в протитечійному реакторі в трубчастих елементах; попереднє нагрівання трихлорсилану потоком рідкого продукту, що відбирається з випарника; в5 подача рідкого продукту в міжтрубний простір протитечійного реактора з виведенням його з верхньої частини реактора,
у сукупності з відомими ознаками корисної моделі забезпечують оптимізацію температурного режиму процесу диспропорціювання та інтенсифікацію основних технологічних процесів, що дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію в придатну продукцію при одночасному забезпеченні високої якості одержаного моносилану
З мінімальними енергетичними і матеріальними витратами.
Розміщення каталізатора в протитечійному реакторі в трубчастих елементах дозволяє здійснити нагрівання каталізатора до температур, необхідних і оптимальних для здійснення реакції диспропорціювання, використовуючи для цього тепло рідкого продукту, що відбирається з випарника. З цією метою потік рідкого продукту подають у міжтрубний простір протитечійного реактора. Попередньо рідким продуктом, що 7/о Відбирається з випарника, нагрівають трихлорсилан. Це дозволяє оптимізувати температурний режим процесу диспропорціювання і утилізувати тепло рідкого продукту, що обумовлює підвищення ступеня вилучення кремнію в придатну продукцію і зниження енерговитрат на одержання моносилану. Проведення реакції диспропорціювання при оптимальному температурному режимі обумовлює інтенсифікацію основних технологічних процесів, дозволяє більш ефективно провести подальші ступені конденсації та одержати перед 7/5 енергоємним ректифікаційним очищенням більш чистий продукт. Це, у свою чергу, обумовлює одержання моносилану високої якості з низькими енергетичними і матеріальними витратами.
Для пояснення суті способу, що заявляється, на кресленні наведена технологічна схема його реалізації.
Технологічна схема реалізації способу одержання моносилану містить: протитечійний реактор 1 для диспропорціювання трихлорсилану з каталізатором 2, розміщеним у трубчастих елементах 3, і міжтрубним 2о простором 4, з'єднані з реактором 1 у верхній частині конденсатор 5 для конденсації висококиплячих хлорсиланів і тетрахлориду кремнію та у нижній частині випарник Є для нагрівання хлорсиланів, теплообмінник 7 для нагрівання трихлорсилану, конденсатор 8 для конденсації низькокиплячих хлорсиланів, ректифікаційну колону 9 для очищення моносилану від слідів хлорсиланів.
Заявлений спосіб одержання моносилану здійснюють таким чином.
Трихлорсилан подають у теплообмінник 7, де відбувається його нагрівання рідким продуктом, який подають з випарника 6, до температури 602С. З теплообмінника 7 нагрітий трихлорсилан подають у протитечійний реактор) т у шар каталізатора 2, розміщений у трубчастих елементах 3, на диспропорціювання, а рідкий продукт подають у протитечійний реактор 1 у міжтрубний простір 4 для нагрівання каталізатора 2. При каталітичному диспропорціюванні трихлорсилану утворюється парогазова суміш, яка містить моносилан, проміжні хлорсилани і -/- пе зо тетрахлорид кремнію, що конденсується і стікає у випарник б протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника 6. Парогазова суміш надходить у конденсатор 5, у якому підтримують температуру - (-15)2С, де конденсуються тетрахлорид кремнію і висококиплячі хлорсилани. Отриманий конденсат пропускають су через каталізатор 2 у випарник 6 протитечією парам парогазової суміші. У випарнику 6 конденсат нагрівають до температури 902. Хлорсилани при цьому переходять у пароподібний стан і повертаються на каталітичне о диспропорціювання в протитечійний реактор 1, а рідкий продукт із випарника б з температурою 909С, що че представляє собою в основному тетрахлорид кремнію, направляється в теплообмінник 7 для нагрівання трихлорсилану, а потім у міжтрубний простір 4 протитечійного реактора 1 для нагрівання каталізатора 2 і виводиться з верхньої частини протитечійного реактора 1. Одержаний тетрахлорид кремнію після додаткового « очищення направляють на виробництво діоксиду кремнію. Газоподібну силанвмісну фазу, що містить після відділення висококиплячих хлорсиланів у конденсаторі 5 більше 6095 моносилану, направляють у конденсатор 8 - с для конденсації низькокиплячих хлорсиланів при температурі до (-100)20. Конденсат хлорсиланів, що при цьому ч утворюється, повертають у протитечійний реактор 1 на диспропорціювання. Моносилан зі слідами хлорсиланів ни (не більше 195) після відділення низькокиплячих хлорсиланів у конденсаторі 8 направляють у ректифікаційну колону 9, де моносилан очищають від слідів хлорсиланів з одержанням сконденсованого моносилану зі ступенем чистоти 99,595, який направляють на одержання "сонячного" кремнію. - Проведення технологічного процесу способом, що заявляється, дозволяє інтенсифікувати основні о технологічні процеси за рахунок оптимізації температурного режиму процесу диспропорціювання та інтенсифікації основних технологічних процесів, що дозволяє збільшити ступінь вилучення кремнію в придатну іме) продукцію при одночасному забезпеченні високої якості одержаного моносилану з мінімальними енергетичними і -д 70 матеріальними витратами.
Спосіб, що заявляється, був випробуваний у дослідно-промислових умовах. Як вихідну сировину -З використовували технічний 98,895 трихлорсилан. Як каталізатор використовували аніонообмінну смолу марки
АНЗ21.
Корисна модель, що заявляється, забезпечує підвищення ступеня вилучення кремнію до 98,2-98,695 від 2о стехіометрично можливого, що на 1095 вище в порівнянні з прототипом. Ступінь чистоти моносилану при с реалізації способу, що заявляється, склав 99,595, що на 1,595 вище в порівнянні з прототипом. Питомі витрати на виробництво одиниці готової продукції склали 15-17 доларів за кілограм, що в 2,0-2,2 рази нижче, ніж за прототипом.
Заявлений спосіб одержання моносилану здійснюється на загальновідомому устаткуванні з використанням 60 відомих матеріалів і засобів, що підтверджує промислову придатність об'єкта.
Claims (1)
- Формула винаходу 65 Спосіб одержання моносилану, що включає каталітичне диспропорціювання трихлорсилану з утворенням моносилану, тетрахлориду кремнію і хлорсиланів у протитечійному реакторі з каталізатором, ступінчасту конденсацію продуктів реакції диспропорціювання для відділення газоподібного моносилану з поверненням сконденсованої фази в реакційну зону реактора через шар каталізатора у випарник протитечією потоку парів хлорсиланів, який підіймається з випарника, виведення рідкого продукту з випарника для використання після додаткового очищення у виробництві діоксиду кремнію та очищення моносилану на ректифікаційній колоні, який відрізняється тим, що каталізатор у протитечійному реакторі розміщають у трубчастих елементах, трихлорсилан попередньо нагрівають потоком рідкого продукту, що відбирається з випарника, а рідкий продукт потім направляють у міжтрубний простір протитечійного реактора з виведенням його з верхньої частини реактора. що 2 «- «- с (зе) ьо- . и? - (95) іме) - 70 - 60 б5
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU200509480U UA13211U (en) | 2005-10-10 | 2005-10-10 | A method for producing monosilane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU200509480U UA13211U (en) | 2005-10-10 | 2005-10-10 | A method for producing monosilane |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA13211U true UA13211U (en) | 2006-03-15 |
Family
ID=37456540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAU200509480U UA13211U (en) | 2005-10-10 | 2005-10-10 | A method for producing monosilane |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA13211U (uk) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2492924C2 (ru) * | 2007-12-06 | 2013-09-20 | Эвоник Дегусса Гмбх | Катализатор и способ дисмутации содержащих водород галогенсиланов |
CN108910894A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-11-30 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | 三氯氢硅精馏系统及精馏方法 |
-
2005
- 2005-10-10 UA UAU200509480U patent/UA13211U/uk unknown
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2492924C2 (ru) * | 2007-12-06 | 2013-09-20 | Эвоник Дегусса Гмбх | Катализатор и способ дисмутации содержащих водород галогенсиланов |
RU2492924C9 (ru) * | 2007-12-06 | 2014-03-27 | Эвоник Дегусса Гмбх | Катализатор и способ дисмутации содержащих водород галогенсиланов |
CN108910894A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-11-30 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | 三氯氢硅精馏系统及精馏方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2503616C2 (ru) | Способ и система для получения чистого кремния | |
KR101778068B1 (ko) | 3염화실란을 생산하는 시스템 및 방법 | |
JP4767417B2 (ja) | シランを製造する方法と設備 | |
RU2008116147A (ru) | Способ производства моносилана | |
JP2003519066A (ja) | 高純度硫酸の製法 | |
JP5344113B2 (ja) | 水素分離回収方法および水素分離回収設備 | |
JP5344114B2 (ja) | 水素精製回収方法および水素精製回収設備 | |
RU2313485C2 (ru) | Способ получения моносилана | |
UA13211U (en) | A method for producing monosilane | |
RU2457178C1 (ru) | Способ получения высокочистого моносилана и тетрахлорида кремния | |
CN109607548A (zh) | 一种利用多晶硅废弃物生产四氯化硅的方法及装置 | |
JP5826854B2 (ja) | シランを精製する方法及びシステム | |
RU2475451C1 (ru) | Способ получения поликристаллического кремния | |
WO2014100705A1 (en) | Conserved off gas recovery systems and processes | |
RU2394762C2 (ru) | Способ получения трихлорсилана | |
UA78152C2 (en) | Process for preparation of monosilane | |
WO2008059887A1 (fr) | Procédé de séparation/collecte d'hydrogène et dispositif de séparation/collecte d'hydrogène | |
UA13212U (en) | Installation for monosilane synthesis | |
JP6486049B2 (ja) | ペンタクロロジシランの製造方法並びに該方法により製造されるペンタクロロジシラン | |
US8551298B2 (en) | Processes for purifying silane | |
RU52598U1 (ru) | Установка для синтеза моносилана | |
UA78919C2 (en) | Plant for monosilane synthesis | |
JP6391389B2 (ja) | オクタクロロトリシランの製造方法並びに該方法により製造されるオクタクロロトリシラン | |
JPS6163519A (ja) | モノシラン製造法 | |
RU2274602C1 (ru) | Способ получения трихлорсилана |