JP5855137B2 - モノクロロシラン、その製造方法および装置 - Google Patents
モノクロロシラン、その製造方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5855137B2 JP5855137B2 JP2013553853A JP2013553853A JP5855137B2 JP 5855137 B2 JP5855137 B2 JP 5855137B2 JP 2013553853 A JP2013553853 A JP 2013553853A JP 2013553853 A JP2013553853 A JP 2013553853A JP 5855137 B2 JP5855137 B2 JP 5855137B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dichlorosilane
- monosilane
- monochlorosilane
- reaction
- column
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
- B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
- B01J31/0272—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing elements other than those covered by B01J31/0201 - B01J31/0255
- B01J31/0274—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing elements other than those covered by B01J31/0201 - B01J31/0255 containing silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
- B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
- B01J31/0272—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing elements other than those covered by B01J31/0201 - B01J31/0255
- B01J31/0275—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing elements other than those covered by B01J31/0201 - B01J31/0255 also containing elements or functional groups covered by B01J31/0201 - B01J31/0269
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
図1による設備Aは、反応領域1.4および触媒1.3を有する管型反応器1.1を含んでおり、この反応器から粗生成物が塔2に運ばれて熱分離され、好ましくは2つの塔が前後に接続され、複数の塔を有する前記反応器は、ユニットと呼ばれることもある。モノクロロシラン2.2は、熱分離されて集められ、モノシラン2.1およびジクロロシラン2.3は、熱分離されて定義された比で管型反応器1.1に返送される、または後続の管型反応器1.1(2〜n)に出発材料流として供給される。好ましくは、MSは管型反応器に計量供給され、その後DCSは定義された比で添加される。このような設備は、循環で運転することができ、前記反応器への出発材料流は、定義された組成に常に調整される、または設備は、少なくとも2つのユニット、特に3〜10つのユニットを含んでいてよい。図1の管型反応器は、図2の二段式塔システム(Doppelkolonnensystem)とも組み合わせることができ、このようなユニットとして循環で運転することができる。それとは別に、これらのユニットの2〜n個も連続して接続することができる。好ましくは、モノクロロシランは、精留塔2の側方流2.2(図1参照)で循環プロセスから取り除かれる。
一般的な製造例:
触媒:ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン、もしくはその加水分解生成物および/または縮合生成物で変性されたセラミック球体(直径約0.5cm)。その製造は、DE371444A1に記載されており、その開示内容は完全に本願の内容に援用される。製造のためには、アミノシランを、好ましくはシランの分離した加水分解アルコールに相応する含水アルコール、例えばエタノールまたはメタノールの存在下に、球状のSiO2担体材料に固定して、場合により真空で、および高められた温度下に乾燥させる。
a)前記方法を、図1による設備A内で実施する。反応領域1.4を有する反応器1、例えば管型反応器1.1は、少なくとも1つの出発材料供給部(0a、0b)を有していて、反応領域1.4は、触媒1.3を含んでいる。モノシランおよびジクロロシランを、定義されたモル比で供給し、反応器1の反応領域1.4で反応させる。モノシラン、モノクロロシランおよびジクロロシランといった前記反応器に残された物質は、精留装置2、特に精留塔2に供給され、ここで蒸留により分離される。モノクロロシランは、塔2の側方流2.2として取り除かれ、モノシランは、塔頂2.1を介して抽出され、ジクロロシランおよび場合により形成されたトリクロロシランおよび/またはテトラクロロシランは、塔底2.3を介して取り出される。それとは別に、モノクロロシランが反応塔1.2(図には記載されていない)、特に精留塔2(図1を参照)の側方流にある場合が好ましい。塔底生成物は、少なくとも1つの精留塔3内のさらなる精留に供給され、そこでジクロロシランならびにより高度に塩素化されたシランに分離されてよい。さらなる分離のために、少なくとも1つのさらなる塔3’を利用してよい。モノシランおよび/またはジクロロシランまたはこれらを含んでいる混合物は、接続導管4を用いて再び出発材料として反応器1に供給される。反応器1には、この返送されるシランの他に、化学量論的に形成されて取り出されたモノクロロシランに相応する、化学量論的な比のモノシランおよびジクロロシランを供給し、特に連続的に約20:1〜6:1、特に好ましくは19:1〜8:1の比を調整し、それとは別に13:1〜8:1、好ましくは12:1〜8:1の比も調整する。
B.1)塔底を介してジクロロシランを排出する場合、ジクロロシランは、TCSおよびSTCと一緒に後接続された蒸留塔3aに運ばれ、そこで塔頂生成物として得られ、好ましくは再び反応領域(図4)に返送される一方、TCSおよびSTCは、塔底生成物として排出される。TCSおよびSTCは、必要に応じてさらなる塔3b内で単一化合物(Einzelverbindung)に分離されてよい。反応塔1.2の塔頂で得られた、モノシランおよびモノクロロシランを含んでいる混合物は、蒸留塔2aに、好ましくは中間供給流として運ばれる。モノシランは、蒸留塔2aの塔頂で分離され、接続導管4aを介して反応領域1.4に返送される一方、モノクロロシランは、場合により粗生成物として、塔底で抽出される。モノクロロシランのさらなる精製が必要である限り、モノクロロシランは、さらなる蒸留塔2bにおいて、好ましくは中間供給流として運ばれて、純粋なモノクロロシランが塔2bの塔頂生成物として得られる(図4参照)。
ジクロロシランを、圧力30barおよび温度40℃にて、内径20cmで長さ2.8mの管型反応器に1時間あたり10molで計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体の直径約0.5cm、装入量約54kg)。反応器出口では、粗生成物としてモノシラン、モノクロロシランおよびジクロロシラン、およびわずかな含有量の四塩化ケイ素からなる混合物が得られた。
粗生成物の組成(モル%表示):
モノシラン:14.18%
モノクロロシラン: 10.95%
ジクロロシラン: 38.03%
トリクロロシラン: 36.22%
四塩化ケイ素: 0.59%。
モノシランおよびジクロロシランを、モル比92モル%対8モル%で、圧力30barおよび温度40℃にて、内径20cmで長さ2.8mの管型反応器に1時間あたり10molで計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体の直径約0.5cm、装入量約54kg)。反応器出口で、粗生成物としてモノシラン、モノクロロシランおよびジクロロシランが、わずかな含有量のトリクロロシランと一緒に得られた。
粗生成物の組成(モル%表示):
モノシラン: 85.99%
モノクロロシラン: 8.40%
ジクロロシラン: 5.25%
トリクロロシラン: 0.37%。
モノシラン: 85.62%
モノクロロシラン: 8.33%
ジクロロシラン: 5.32%
トリクロロシラン: 0.73%。
モノシラン: 85.19%
モノクロロシラン: 8.35%
ジクロロシラン: 5.46%
トリクロロシラン: 1.00%。
ジクロロシランおよびモノシランを、モル比1:1で、圧力20barにて1時間あたり100gもしくは1時間あたり1.5モルの割合で(モノシラン24.1gおよびジクロロシラン75.9gに相応)、温度18.5℃にて、反応塔(内径10cm、長さ1.5m、理論段数32段、容積1.6リットル)の中間供給流(反応領域)に計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体の直径約0.5cm、装入量:5.5kg)。塔底にて、温度158.6℃(20bar)で連続的に1時間当たり33.4gを抽出した。塔底生成物の組成(GC%)
モノシラン 0.00
モノクロロシラン 0.00
ジクロロシラン 0.10
トリクロロシラン 89.70
四塩化ケイ素 10.20。
モノシラン 31.40
モノクロロシラン 46.27
ジクロロシラン 22.23
トリクロロシラン 0.10
四塩化ケイ素 0.00。
ジクロロシランおよびモノシランを、モル比1:1で、圧力20barにて、1時間あたり100gもしくは1時間あたり1.5モルの割合で(モノシラン24.1gおよびジクロロシラン75.9gに相応)、温度18.5℃にて反応塔(内径10cm、長さ1.5m、理論段数32段、容積1.6リットル)の中間供給流(反応領域)に計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体 内径約0.5cm、装入量:5.5kg)。塔底では、温度140.1℃(20bar)で連続的に1時間あたり61.9gが抽出された(図4)。前記塔底生成物の組成(GC%)
モノシラン 0.00
モノクロロシラン 0.00
ジクロロシラン 30.22
トリクロロシラン 68.90
四塩化ケイ素 0.78。
モノシラン 69.54
モノクロロシラン 30.36
ジクロロシラン 0.10
トリクロロシラン 0.00
四塩化ケイ素 0.00。
シラン:MS=モノシラン;DSC=ジクロロシラン;MCS=モノクロロシラン;TCS=トリクロロシラン;STC=テトラクロロシラン
Claims (15)
- モノシランとジクロロシランとを出発材料として触媒の存在下に反応させて、モノクロロシランを形成させることを特徴とする、モノクロロシランの製造方法。
- モノシランとジクロロシランとを触媒の存在下に均化させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- モノクロロシランを、連続的な方法でモノシランとジクロロシランとから形成させることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- モノシランおよびジクロロシランが、別個に、混合されて、または向流で反応領域に供給されることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記反応が、反応器(1)の反応領域(1.4)で実施されることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 粗生成物の少なくとも一部が、少なくとも1つの後接続された熱分離法工程で、モノクロロシランならびにモノシランおよびジクロロシランといった個々のシランに分離されることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- モノシランとジクロロシランとの反応で、トリクロロシランおよび/またはテトラクロロシランの形成が抑えられることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記反応後に存在するモノシランおよび/またはジクロロシランが、それぞれ独立して、または混合されて出発材料として反応領域(1.4)に再び供給されることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒が、担持されていることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体材料が、酸化ケイ素を含んでいる成形品であることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- モノシランとジクロロシランとからのモノクロロシランへの反応が、温度範囲−50℃から200℃で実施され、および圧力範囲0.0001bar〜200bar(絶対圧力)で実施されることを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
- モノシランおよびジクロロシランを、13:1〜8:1のモル比で出発材料として前記方法に供給することを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 含窒素化合物の、出発材料としてモノシランおよびジクロロシランを使用することにより、少なくとも1つのハロゲンシランの製造方法における均化のための触媒としての使用。
- 請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法により、モノシランとジクロロシランとからモノクロロシランを連続的に製造するための設備であって、触媒(1.3)を含んでいる反応器(1)の反応領域(1.4)への少なくとも1つの出発材料供給部(0a、0b)を含んでいて、前記反応器が、反応塔(1.2)または管型反応器(1.1)を含んでおり;および前記反応器(1)に、モノシランとジクロロシランとの反応から得られる粗生成物を熱分離するための少なくとも1つの塔(2、3;2a、2b;3a;3b)が組み込まれている前記設備。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011004058A DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
DE102011004058.7 | 2011-02-14 | ||
PCT/EP2012/050754 WO2012110275A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-01-19 | Monochlorsilan, verfahren und vorrichtung zu dessen herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014508705A JP2014508705A (ja) | 2014-04-10 |
JP5855137B2 true JP5855137B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=45509508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553853A Expired - Fee Related JP5855137B2 (ja) | 2011-02-14 | 2012-01-19 | モノクロロシラン、その製造方法および装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9221689B2 (ja) |
EP (1) | EP2675753B1 (ja) |
JP (1) | JP5855137B2 (ja) |
KR (1) | KR101869121B1 (ja) |
CN (1) | CN103354802B (ja) |
CA (1) | CA2826230A1 (ja) |
DE (1) | DE102011004058A1 (ja) |
TW (1) | TWI495614B (ja) |
WO (1) | WO2012110275A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
DE102011078749A1 (de) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trisilylamin aus Monochlorsilan und Ammoniak |
DE102011088814A1 (de) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Trisilylamin aus Monochlorsilan und Ammoniak unter Verwendung von inertem Lösungsmittel |
DE102013214830A1 (de) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | Evonik Industries Ag | Verfahren, Vorrichtung und deren Verwendung zur Herstellung von Acryloxy- und Methacryloxypropyltrialkoxysilanen |
DE112015000485T5 (de) | 2014-01-24 | 2017-02-23 | Hanwha Chemical Corporation | Reinigungsverfahren und Reinigungsvorrichtung für Abgas |
US9695052B2 (en) * | 2014-07-01 | 2017-07-04 | Rec Silicon Inc | Recovery of hydrohalosilanes from reaction residues |
JP6249487B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2017-12-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | モノハロシランの製造方法 |
DE102019202613A1 (de) * | 2019-02-27 | 2020-08-27 | Evonik Operations Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Monochlorsilan oder Dichlorsilan |
CN111072033B (zh) * | 2020-01-19 | 2023-05-12 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 氯硅烷残液的预处理系统和方法 |
CN112624123B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-09-20 | 内蒙古兴洋科技股份有限公司 | 同时生产电子级硅烷、一氯硅烷、二氯硅烷的系统及方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE371444C (de) | 1918-08-20 | 1923-03-15 | Lewis & Tylor Ltd | Riemenverbinder mit Klemmplatten fuer die beiden Endteile eines als Schleife zusammengelegten Riemens, insbesondere fuer Fallstempel |
GB761205A (en) | 1953-11-13 | 1956-11-14 | Gen Electric | Improvements relating to the disproportionation of halogenosilanes |
US3968199A (en) | 1974-02-25 | 1976-07-06 | Union Carbide Corporation | Process for making silane |
US4676967A (en) | 1978-08-23 | 1987-06-30 | Union Carbide Corporation | High purity silane and silicon production |
DE3711444A1 (de) | 1987-04-04 | 1988-10-13 | Huels Troisdorf | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan |
JPH0829929B2 (ja) | 1987-06-01 | 1996-03-27 | 三井東圧化学株式会社 | ハロゲン化水素化シランの製造方法 |
DE3925357C1 (ja) | 1989-07-31 | 1991-04-25 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De | |
DE10017168A1 (de) | 2000-04-07 | 2001-10-11 | Bayer Ag | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan |
DE10057521B4 (de) | 2000-11-21 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE10061680A1 (de) | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Silan |
DE102004010055A1 (de) | 2004-03-02 | 2005-09-22 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
DE102004037675A1 (de) | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Degussa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid |
DE102004045245B4 (de) | 2004-09-17 | 2007-11-15 | Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE102005041137A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Degussa Ag | Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid |
DE102005046105B3 (de) * | 2005-09-27 | 2007-04-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Monosilan |
DE102007007874A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
DE102007014107A1 (de) | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
DE102007050199A1 (de) | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102007050573A1 (de) | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Evonik Degussa Gmbh | Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien |
DE102007059170A1 (de) | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Evonik Degussa Gmbh | Katalysator und Verfahren zur Dismutierung von Wasserstoff enthaltenden Halogensilanen |
DE102008004397A1 (de) | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102008004396A1 (de) | 2008-01-14 | 2009-07-16 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage und Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen |
DE102008002537A1 (de) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
US8206676B2 (en) | 2009-04-15 | 2012-06-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for making a chlorosilane |
DE102009027730A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen |
DE102009027728A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Katalysator-Präkursoren |
DE102009027729A1 (de) | 2009-07-15 | 2011-01-27 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102009053804B3 (de) | 2009-11-18 | 2011-03-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
DE102010002342A1 (de) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren |
DE102010043648A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur selektiven Spaltung höherer Silane |
DE102010043646A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
DE102010043649A1 (de) | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Spaltung höherer Silane |
DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Evonik Degussa Gmbh | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
DE102011110040A1 (de) | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen mittels hoch-siedender Chlorsilane oder chlorsilanhaltiger Gemische |
-
2011
- 2011-02-14 DE DE102011004058A patent/DE102011004058A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-01-19 EP EP12700688.0A patent/EP2675753B1/de not_active Not-in-force
- 2012-01-19 CA CA2826230A patent/CA2826230A1/en not_active Abandoned
- 2012-01-19 KR KR1020137021323A patent/KR101869121B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-19 JP JP2013553853A patent/JP5855137B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-19 CN CN201280008841.6A patent/CN103354802B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-19 WO PCT/EP2012/050754 patent/WO2012110275A1/de active Application Filing
- 2012-01-19 US US13/985,477 patent/US9221689B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-09 TW TW101104208A patent/TWI495614B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2675753A1 (de) | 2013-12-25 |
KR20140005229A (ko) | 2014-01-14 |
US9221689B2 (en) | 2015-12-29 |
CN103354802A (zh) | 2013-10-16 |
TW201247536A (en) | 2012-12-01 |
DE102011004058A1 (de) | 2012-08-16 |
CA2826230A1 (en) | 2012-08-23 |
US20130323151A1 (en) | 2013-12-05 |
JP2014508705A (ja) | 2014-04-10 |
EP2675753B1 (de) | 2017-05-10 |
TWI495614B (zh) | 2015-08-11 |
WO2012110275A1 (de) | 2012-08-23 |
CN103354802B (zh) | 2016-01-13 |
KR101869121B1 (ko) | 2018-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5855137B2 (ja) | モノクロロシラン、その製造方法および装置 | |
US20100296994A1 (en) | Catalyst and method for dismutation of halosilanes containing hydrogen | |
JP4740646B2 (ja) | シリコンの製造方法 | |
US20110150739A1 (en) | Method for removing boron-containing impurities from halogen silanes and apparatus for performing said method | |
JP5419456B2 (ja) | モノシランの連続的製造方法 | |
US9481580B2 (en) | Selective splitting of high order silanes | |
CN112041324B (zh) | 生产卤代硅烷化合物的方法 | |
CN112028926A (zh) | 脱除有机硅单体共沸物中的四氯化硅的分离装置及分离方法 | |
JPS643807B2 (ja) | ||
JP2648615B2 (ja) | モノシランの簡便な製造方法 | |
CN108147378B (zh) | 一种三甲基硅烷基胺的精制方法 | |
US8871168B2 (en) | Process for producing monosilane from dichlorosilane | |
JPS6333422B2 (ja) | ||
JPH0470249B2 (ja) | ||
JPS59121110A (ja) | シラン化合物の連続的製法 | |
JPH0338206B2 (ja) | ||
JPS6060919A (ja) | 低ハロゲン化シランの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150601 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5855137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |