JP2014508705A - モノクロロシラン、その製造方法および装置 - Google Patents
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- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 138
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 167
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 151
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 57
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 59
- 239000012043 crude product Substances 0.000 claims description 39
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 39
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 35
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 23
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 11
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 17
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 12
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 8
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXAGGZTXBNEEDX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)-n-(3-triethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN(CC(C)C)CC(C)C AXAGGZTXBNEEDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 description 3
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007210 heterogeneous catalysis Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilinane Chemical compound C[Si]1(C)C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C1 ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCHSRPRSHJKBMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)-n-(3-trimethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(CC(C)C)CC(C)C SCHSRPRSHJKBMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical class N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFRUJSEPGHZFJ-UHFFFAOYSA-N N-trimethylsilylimidazole Chemical compound C[Si](C)(C)N1C=CN=C1 YKFRUJSEPGHZFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005237 alkyleneamino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005902 aminomethylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- COFKFSSWMQHKMD-UHFFFAOYSA-N n,n-didecyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC COFKFSSWMQHKMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYQYCASVINMDFD-UHFFFAOYSA-N n,n-ditert-butyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N(C(C)(C)C)C(C)(C)C CYQYCASVINMDFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCOASYLMDUQBHW-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)butan-1-amine Chemical compound CCCCNCCC[Si](OC)(OC)OC XCOASYLMDUQBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLAUQJZKDAKQGO-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)butan-1-amine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCC[Si](OCC)(OCC)OCC DLAUQJZKDAKQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUSBTWKISDVMJI-UHFFFAOYSA-N n-octyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC LUSBTWKISDVMJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSROBHHOWHPCHF-UHFFFAOYSA-N n-octyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCCCCCCC SSROBHHOWHPCHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBTZRQRXVWJQOS-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-2-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)propan-2-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN(C(C)(C)C)C(C)(C)C BBTZRQRXVWJQOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLDDDOVMHJTYCS-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-2-methyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)propan-2-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN(C(C)(C)C)C(C)(C)C LLDDDOVMHJTYCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000066 reactive distillation Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N tridodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
Description
図1による設備Aは、反応領域1.4および触媒1.3を有する管型反応器1.1を含んでおり、この反応器から粗生成物が塔2に運ばれて熱分離され、好ましくは2つの塔が前後に接続され、複数の塔を有する前記反応器は、ユニットと呼ばれることもある。モノクロロシラン2.2は、熱分離されて集められ、モノシラン2.1およびジクロロシラン2.3は、熱分離されて定義された比で管型反応器1.1に返送される、または後続の管型反応器1.1(2〜n)に出発材料流として供給される。好ましくは、MSは管型反応器に計量供給され、その後DCSは定義された比で添加される。このような設備は、循環で運転することができ、前記反応器への出発材料流は、定義された組成に常に調整される、または設備は、少なくとも2つのユニット、特に3〜10つのユニットを含んでいてよい。図1の管型反応器は、図2の二段式塔システム(Doppelkolonnensystem)とも組み合わせることができ、このようなユニットとして循環で運転することができる。それとは別に、これらのユニットの2〜n個も連続して接続することができる。好ましくは、モノクロロシランは、精留塔2の側方流2.2(図1参照)で循環プロセスから取り除かれる。
一般的な製造例:
触媒:ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン、もしくはその加水分解生成物および/または縮合生成物で変性されたセラミック球体(直径約0.5cm)。その製造は、DE371444A1に記載されており、その開示内容は完全に本願の内容に援用される。製造のためには、アミノシランを、好ましくはシランの分離した加水分解アルコールに相応する含水アルコール、例えばエタノールまたはメタノールの存在下に、球状のSiO2担体材料に固定して、場合により真空で、および高められた温度下に乾燥させる。
a)前記方法を、図1による設備A内で実施する。反応領域1.4を有する反応器1、例えば管型反応器1.1は、少なくとも1つの出発材料供給部(0a、0b)を有していて、反応領域1.4は、触媒1.3を含んでいる。モノシランおよびジクロロシランを、定義されたモル比で供給し、反応器1の反応領域1.4で反応させる。モノシラン、モノクロロシランおよびジクロロシランといった前記反応器に残された物質は、精留装置2、特に精留塔2に供給され、ここで蒸留により分離される。モノクロロシランは、塔2の側方流2.2として取り除かれ、モノシランは、塔頂2.1を介して抽出され、ジクロロシランおよび場合により形成されたトリクロロシランおよび/またはテトラクロロシランは、塔底2.3を介して取り出される。それとは別に、モノクロロシランが反応塔1.2(図には記載されていない)、特に精留塔2(図1を参照)の側方流にある場合が好ましい。塔底生成物は、少なくとも1つの精留塔3内のさらなる精留に供給され、そこでジクロロシランならびにより高度に塩素化されたシランに分離されてよい。さらなる分離のために、少なくとも1つのさらなる塔3’を利用してよい。モノシランおよび/またはジクロロシランまたはこれらを含んでいる混合物は、接続導管4を用いて再び出発材料として反応器1に供給される。反応器1には、この返送されるシランの他に、化学量論的に形成されて取り出されたモノクロロシランに相応する、化学量論的な比のモノシランおよびジクロロシランを供給し、特に連続的に約20:1〜6:1、特に好ましくは19:1〜8:1の比を調整し、それとは別に13:1〜8:1、好ましくは12:1〜8:1の比も調整する。
B.1)塔底を介してジクロロシランを排出する場合、ジクロロシランは、TCSおよびSTCと一緒に後接続された蒸留塔3aに運ばれ、そこで塔頂生成物として得られ、好ましくは再び反応領域(図4)に返送される一方、TCSおよびSTCは、塔底生成物として排出される。TCSおよびSTCは、必要に応じてさらなる塔3b内で単一化合物(Einzelverbindung)に分離されてよい。反応塔1.2の塔頂で得られた、モノシランおよびモノクロロシランを含んでいる混合物は、蒸留塔2aに、好ましくは中間供給流として運ばれる。モノシランは、蒸留塔2aの塔頂で分離され、接続導管4aを介して反応領域1.4に返送される一方、モノクロロシランは、場合により粗生成物として、塔底で抽出される。モノクロロシランのさらなる精製が必要である限り、モノクロロシランは、さらなる蒸留塔2bにおいて、好ましくは中間供給流として運ばれて、純粋なモノクロロシランが塔2bの塔頂生成物として得られる(図4参照)。
ジクロロシランを、圧力30barおよび温度40℃にて、内径20cmで長さ2.8mの管型反応器に1時間あたり10molで計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体の直径約0.5cm、装入量約54kg)。反応器出口では、粗生成物としてモノシラン、モノクロロシランおよびジクロロシラン、およびわずかな含有量の四塩化ケイ素からなる混合物が得られた。
粗生成物の組成(モル%表示):
モノシラン:14.18%
モノクロロシラン: 10.95%
ジクロロシラン: 38.03%
トリクロロシラン: 36.22%
四塩化ケイ素: 0.59%。
モノシランおよびジクロロシランを、モル比92モル%対8モル%で、圧力30barおよび温度40℃にて、内径20cmで長さ2.8mの管型反応器に1時間あたり10molで計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体の直径約0.5cm、装入量約54kg)。反応器出口で、粗生成物としてモノシラン、モノクロロシランおよびジクロロシランが、わずかな含有量のトリクロロシランと一緒に得られた。
粗生成物の組成(モル%表示):
モノシラン: 85.99%
モノクロロシラン: 8.40%
ジクロロシラン: 5.25%
トリクロロシラン: 0.37%。
モノシラン: 85.62%
モノクロロシラン: 8.33%
ジクロロシラン: 5.32%
トリクロロシラン: 0.73%。
モノシラン: 85.19%
モノクロロシラン: 8.35%
ジクロロシラン: 5.46%
トリクロロシラン: 1.00%。
ジクロロシランおよびモノシランを、モル比1:1で、圧力20barにて1時間あたり100gもしくは1時間あたり1.5モルの割合で(モノシラン24.1gおよびジクロロシラン75.9gに相応)、温度18.5℃にて、反応塔(内径10cm、長さ1.5m、理論段数32段、容積1.6リットル)の中間供給流(反応領域)に計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体の直径約0.5cm、装入量:5.5kg)。塔底にて、温度158.6℃(20bar)で連続的に1時間当たり33.4gを抽出した。塔底生成物の組成(GC%)
モノシラン 0.00
モノクロロシラン 0.00
ジクロロシラン 0.10
トリクロロシラン 89.70
四塩化ケイ素 10.20。
モノシラン 31.40
モノクロロシラン 46.27
ジクロロシラン 22.23
トリクロロシラン 0.10
四塩化ケイ素 0.00。
ジクロロシランおよびモノシランを、モル比1:1で、圧力20barにて、1時間あたり100gもしくは1時間あたり1.5モルの割合で(モノシラン24.1gおよびジクロロシラン75.9gに相応)、温度18.5℃にて反応塔(内径10cm、長さ1.5m、理論段数32段、容積1.6リットル)の中間供給流(反応領域)に計量供給した。触媒として、ジイソブチルアミノプロピルトリエトキシシラン変性されたセラミック球体を使用した(触媒球体 内径約0.5cm、装入量:5.5kg)。塔底では、温度140.1℃(20bar)で連続的に1時間あたり61.9gが抽出された(図4)。前記塔底生成物の組成(GC%)
モノシラン 0.00
モノクロロシラン 0.00
ジクロロシラン 30.22
トリクロロシラン 68.90
四塩化ケイ素 0.78。
モノシラン 69.54
モノクロロシラン 30.36
ジクロロシラン 0.10
トリクロロシラン 0.00
四塩化ケイ素 0.00。
シラン:MS=モノシラン;DSC=ジクロロシラン;MCS=モノクロロシラン;TCS=トリクロロシラン;STC=テトラクロロシラン
Claims (19)
- モノシランとジクロロシランとを出発材料として触媒の存在下に反応させて、モノクロロシランを形成させることを特徴とする、モノクロロシランの製造方法。
- モノシランとジクロロシランとを触媒の存在下に均化させること、特にモノシランとジクロロシランとを均化させてモノクロロシランにすることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記均化を、モノシランのジクロロシランに対する定義されたモル比で行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- モノクロロシランを、連続的な方法でモノシランとジクロロシランとから形成させることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- モノシランおよびジクロロシランが、別個に、混合されて、または向流で反応領域に供給されることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記反応、特に前記均化が、反応器(1)、例えば反応塔(1.2)、撹拌槽、管型反応器(1.1)またはループ型反応器の反応領域(1.4)で、好ましくは複数の反応領域を有する反応塔(1.2)で実施されることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記粗生成物の少なくとも一部が、少なくとも1つの後接続された熱分離法工程で、モノクロロシランならびにモノシラン、ジクロロシラン、および場合によりトリクロロシランおよび/またはテトラクロロシランといった個々のシランに分離されることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 実質的に、モノシランとジクロロシランとの反応で、トリクロロシランおよび/またはテトラクロロシランの形成が抑えられ、特にモノシランとジクロロシランとの反応が、定義されたモル比で行われることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記反応後および場合により前記熱分離法工程後に存在するモノシランおよび/またはジクロロシランが、それぞれ独立して、または混合されて出発材料として反応領域(1.4)に再び供給されることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒が、担持されている、特に担体材料に化学的に結合されていることを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記触媒が、好ましくは担体材料に化学的に結合して存在しているアミノアルコキシシラン、その加水分解生成物および/またはその縮合生成物を含んでいることを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体材料が、酸化ケイ素を含んでいる成形品であることを特徴とする、請求項10から12までのいずれか1項に記載の方法。
- モノシランとジクロロシランとからのモノクロロシランへの反応が、温度範囲−50℃から200℃で実施され、および/または圧力範囲0.0001bar〜200bar(絶対圧力)で実施されることを特徴とする、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。
- モノシランおよびジクロロシランを、13:1〜8:1のモル比で出発材料として前記方法に供給することを特徴とする、請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法。
- 純粋なモノクロロシランであって、該モノクロロシランから析出により得られたシリコン層またはシリコン棒が、20Ω・cm超、好ましくは200Ω・cm超、特に好ましくは2000Ω・cm超の比抵抗を有していることを特徴とする、前記モノクロロシラン。
- モノクロロシランの、シリコンの析出のための、高純度シリコンを製造するための、および/または高純度シリコン層を製造するためのエピタキシーガスとしての、特にチップ製造での、および/または有機官能性シランを製造するための使用。
- 含窒素化合物の、出発材料としてモノシランおよびジクロロシランを使用することにより、少なくとも1つのハロゲンシランの製造方法における均化のための触媒としての使用。
- 請求項1から15までのいずれか1項に記載の方法により、モノシランとジクロロシランとからモノクロロシランを連続的に製造するための設備であって、触媒(1.3)を含んでいる反応器(1)の反応領域(1.4)への少なくとも1つの出発材料供給部(0a、0b)を含んでいて、前記反応器が、場合により1つの塔(1.2);例えば反応塔(1.2)または管型反応器(1.1)を含んでおり;および前記反応器(1)に、モノシランとジクロロシランとの反応から得られる粗生成物を熱分離するための少なくとも1つの塔(2、3;2a、2b;3a;3b)が組み込まれている前記設備。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011004058.7 | 2011-02-14 | ||
DE102011004058A DE102011004058A1 (de) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung |
PCT/EP2012/050754 WO2012110275A1 (de) | 2011-02-14 | 2012-01-19 | Monochlorsilan, verfahren und vorrichtung zu dessen herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014508705A true JP2014508705A (ja) | 2014-04-10 |
JP5855137B2 JP5855137B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=45509508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553853A Expired - Fee Related JP5855137B2 (ja) | 2011-02-14 | 2012-01-19 | モノクロロシラン、その製造方法および装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9221689B2 (ja) |
EP (1) | EP2675753B1 (ja) |
JP (1) | JP5855137B2 (ja) |
KR (1) | KR101869121B1 (ja) |
CN (1) | CN103354802B (ja) |
CA (1) | CA2826230A1 (ja) |
DE (1) | DE102011004058A1 (ja) |
TW (1) | TWI495614B (ja) |
WO (1) | WO2012110275A1 (ja) |
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-
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- 2011-02-14 DE DE102011004058A patent/DE102011004058A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-01-19 US US13/985,477 patent/US9221689B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-19 CN CN201280008841.6A patent/CN103354802B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-19 EP EP12700688.0A patent/EP2675753B1/de not_active Not-in-force
- 2012-01-19 KR KR1020137021323A patent/KR101869121B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-19 WO PCT/EP2012/050754 patent/WO2012110275A1/de active Application Filing
- 2012-01-19 JP JP2013553853A patent/JP5855137B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-19 CA CA2826230A patent/CA2826230A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-09 TW TW101104208A patent/TWI495614B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5855137B2 (ja) | 2016-02-09 |
CN103354802B (zh) | 2016-01-13 |
US20130323151A1 (en) | 2013-12-05 |
KR101869121B1 (ko) | 2018-06-19 |
EP2675753A1 (de) | 2013-12-25 |
WO2012110275A1 (de) | 2012-08-23 |
US9221689B2 (en) | 2015-12-29 |
CN103354802A (zh) | 2013-10-16 |
EP2675753B1 (de) | 2017-05-10 |
CA2826230A1 (en) | 2012-08-23 |
TWI495614B (zh) | 2015-08-11 |
KR20140005229A (ko) | 2014-01-14 |
TW201247536A (en) | 2012-12-01 |
DE102011004058A1 (de) | 2012-08-16 |
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