JPS59121110A - シラン化合物の連続的製法 - Google Patents
シラン化合物の連続的製法Info
- Publication number
- JPS59121110A JPS59121110A JP22898382A JP22898382A JPS59121110A JP S59121110 A JPS59121110 A JP S59121110A JP 22898382 A JP22898382 A JP 22898382A JP 22898382 A JP22898382 A JP 22898382A JP S59121110 A JPS59121110 A JP S59121110A
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- JP
- Japan
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- reaction
- column
- catalyst
- disproportionation reaction
- dichlorosilane
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- Pending
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- Silicon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水素化塩化珪素を蒸留塔に供給して！足の触媒
存在下不均斉化反応させると共に蒸留によ９分離しジク
ロルシラン、モノクロルシラン、モノシラン等のシラン
化合物を連続的取得するシラン化合物の連続的製法に関
スる。ジクロルシラン、モノクロルシラン及びモノシラ
ン等は半導体や太陽電池等の素子に使用される高純度シ
リコンの析出原料として益々需要の増加が見込１れてお
り、特にジクロルシランおよびモノシランを大量に効率
よく製造することが要請されている。
存在下不均斉化反応させると共に蒸留によ９分離しジク
ロルシラン、モノクロルシラン、モノシラン等のシラン
化合物を連続的取得するシラン化合物の連続的製法に関
スる。ジクロルシラン、モノクロルシラン及びモノシラ
ン等は半導体や太陽電池等の素子に使用される高純度シ
リコンの析出原料として益々需要の増加が見込１れてお
り、特にジクロルシランおよびモノシランを大量に効率
よく製造することが要請されている。
従来からクロルシラン顛の不均斉化反応は公知であり、
その触媒についてはいろいろ提案されている。例えば第
３級アミン又は第４級アンモニウムを含む網目状陰イオ
ン交換樹脂、αピロリドリントリス（第３級アミン）ホ
スフィンオキサイド、ヘキサメチルトリアミノトリアジ
ン、ピリジン、ハイドロカルボニルアミン、アシリック
ハイドロカルボ゛ニルトリル、ハイドロジエンシアナミ
ド等がある。
その触媒についてはいろいろ提案されている。例えば第
３級アミン又は第４級アンモニウムを含む網目状陰イオ
ン交換樹脂、αピロリドリントリス（第３級アミン）ホ
スフィンオキサイド、ヘキサメチルトリアミノトリアジ
ン、ピリジン、ハイドロカルボニルアミン、アシリック
ハイドロカルボ゛ニルトリル、ハイドロジエンシアナミ
ド等がある。
これらの幻！媒と、例えばトリクロルシランと接触させ
ると、次の（１）、（２）および（３）式の不均斉化反
応式に従って、ジクロルシラン、モノクロルシランおよ
びモノシランが生成する。
ると、次の（１）、（２）および（３）式の不均斉化反
応式に従って、ジクロルシラン、モノクロルシランおよ
びモノシランが生成する。
２ Ｓ ｉ ＨＣｌ ＊ −→Ｓ ｉα４ ＋ＳｉＨ
，Ｑ！！２ （１）２５ｉＨ２（４−）ＳｉＨα＊
＋ＳｉＨ＊Ｃ／！ （２）２ Ｓ＋ＨｓＣ１−→
Ｓ １ｆｈＣｂ ＋ Ｓ ４Ｈ＜ （３）このよ
うに塩素原子の多い水素化塩化珪素から塩素原子の少な
いシラン化合物が得られる。さらに具体的に説明すると
、水素化塩化珪素を不均斉化反応させる方法としては、
師媒を充填じた固定床式の反応器を使用し、反応温度３
０〜２００℃、圧力１〜３Ｑａｔｍの条件下反応させる
。この反応に使用される触べ不 媒は一般にその反応温度および圧力で同法であるので、
円筒状の反応器に触媒を充填した固定床の一方の口より
トリクロルシラン、ジクロルシラン等の水素化塩化珪素
を供給し、他方の口より反応生成物を排出するようにし
ている。しかし、前記した（１）、（２）かよぴ（３）
式の反応が同時に進行するので反応生成物は四塩化珪素
、トリクロルシラン、ジクロルシラン、モノクロルシラ
ン及びモノシランの混合物からなるので、目的とするシ
ラン化合物を得るには数基の蒸留塔を用いて分離精製し
なければならないので多大のエネルギーが必要である。
，Ｑ！！２ （１）２５ｉＨ２（４−）ＳｉＨα＊
＋ＳｉＨ＊Ｃ／！ （２）２ Ｓ＋ＨｓＣ１−→
Ｓ １ｆｈＣｂ ＋ Ｓ ４Ｈ＜ （３）このよ
うに塩素原子の多い水素化塩化珪素から塩素原子の少な
いシラン化合物が得られる。さらに具体的に説明すると
、水素化塩化珪素を不均斉化反応させる方法としては、
師媒を充填じた固定床式の反応器を使用し、反応温度３
０〜２００℃、圧力１〜３Ｑａｔｍの条件下反応させる
。この反応に使用される触べ不 媒は一般にその反応温度および圧力で同法であるので、
円筒状の反応器に触媒を充填した固定床の一方の口より
トリクロルシラン、ジクロルシラン等の水素化塩化珪素
を供給し、他方の口より反応生成物を排出するようにし
ている。しかし、前記した（１）、（２）かよぴ（３）
式の反応が同時に進行するので反応生成物は四塩化珪素
、トリクロルシラン、ジクロルシラン、モノクロルシラ
ン及びモノシランの混合物からなるので、目的とするシ
ラン化合物を得るには数基の蒸留塔を用いて分離精製し
なければならないので多大のエネルギーが必要である。
又、不均斉化反応の温度および圧力で液体である触媒例
えばピリジンを使用する場合、目的とする反応生成物例
えばジクロルシラン、モノクロルシラン、あるいはモノ
シランの蒸気圧にその気相を調節することにより、目的
とする反′応生成物を蓋気として連続的に取り出すこと
は可能であるが、反応器内に不均斉化反応により副生ず
る四塩化珪素が蓄積され連続運転は出来ない。これを避
けるには触媒および四塩化珪素等を含む反応液を取り出
し、蒸留等の手段により分離精製して触媒を不均斉化反
応器にリサイクルする必要があり、これに多大なエネル
ギーが必要である。
えばピリジンを使用する場合、目的とする反応生成物例
えばジクロルシラン、モノクロルシラン、あるいはモノ
シランの蒸気圧にその気相を調節することにより、目的
とする反′応生成物を蓋気として連続的に取り出すこと
は可能であるが、反応器内に不均斉化反応により副生ず
る四塩化珪素が蓄積され連続運転は出来ない。これを避
けるには触媒および四塩化珪素等を含む反応液を取り出
し、蒸留等の手段により分離精製して触媒を不均斉化反
応器にリサイクルする必要があり、これに多大なエネル
ギーが必要である。
本発明はこれらの欠点を解決したもので、水素化塩化珪
素を蒸留塔に供給し、その塔内において不均斉化反応さ
せその生成物を分離精製する際に、不均斉化反応触媒と
して１−１ｊメチルアミンおよび又はジメチルエチルア
ミンを使用することにより、水素化塩化珪素の不均斉化
反応と蒸留とを同一装置で行うことを可能とした水素化
塩化珪素からジクロルシラン、モノクロルシランおよび
又はモノシラン等のシラン化合物全連続的に製造する方
法を提供しようとするものである。
素を蒸留塔に供給し、その塔内において不均斉化反応さ
せその生成物を分離精製する際に、不均斉化反応触媒と
して１−１ｊメチルアミンおよび又はジメチルエチルア
ミンを使用することにより、水素化塩化珪素の不均斉化
反応と蒸留とを同一装置で行うことを可能とした水素化
塩化珪素からジクロルシラン、モノクロルシランおよび
又はモノシラン等のシラン化合物全連続的に製造する方
法を提供しようとするものである。
すなわち、本発明は水素化塩化珪素を蒸溜塔に供給し触
媒の存在下不均斉化反応させその反応生成物を分離精製
する際に、不均斉化反応触媒としてトリメチルアミン及
び／又はジメチルエチルアミンを用いることを特徴とす
るシラン化合物の連続的製法である。
媒の存在下不均斉化反応させその反応生成物を分離精製
する際に、不均斉化反応触媒としてトリメチルアミン及
び／又はジメチルエチルアミンを用いることを特徴とす
るシラン化合物の連続的製法である。
以下さら（ｌこ本発明について詳しく説明する。
本発明は水素化塩化珪素を蒸留塔に供給し特定の触媒の
存在下不均斉化反応させながらその生成物を分離精製す
るシラン化合物の連続的製造法であって、水素化塩化珪
素の不均斉化反応とシラン化合物の分離精製を同一の装
置で１１つこと全特徴とするものである。
存在下不均斉化反応させながらその生成物を分離精製す
るシラン化合物の連続的製造法であって、水素化塩化珪
素の不均斉化反応とシラン化合物の分離精製を同一の装
置で１１つこと全特徴とするものである。
本発明において水素化ｊＡ化珪素とは次の式で示される
化合物であるが、具体的にはモノクロルシラン（ＳｉＨ
，α）、ジクロルシラン（ＳｉＨ２α２）、ｌ・ジクロ
ルシラン（Ｓ＋瞭、）等があけられる。
化合物であるが、具体的にはモノクロルシラン（ＳｉＨ
，α）、ジクロルシラン（ＳｉＨ２α２）、ｌ・ジクロ
ルシラン（Ｓ＋瞭、）等があけられる。
次にその処理手段について説明する。これらの原料であ
る水素化塩化珪素例えばジクロルシラン又はトリクロル
シランを蒸留塔に導き、高温高圧で不均斉化反応を完結
させると（４）又は（５）式に従ってモノシランと四塩
化珪素になる。
る水素化塩化珪素例えばジクロルシラン又はトリクロル
シランを蒸留塔に導き、高温高圧で不均斉化反応を完結
させると（４）又は（５）式に従ってモノシランと四塩
化珪素になる。
２ Ｓ １Ｈ２（１４−−→Ｓ ｉＨ４＋ Ｓ ｉα４
（４）４ＳｉＨα３−ンＳｉＨ，＋Ｓｉα４（５）この
場合触媒としてトリメチルアミンおよび又はジメチルエ
チルアミンを使用しかつこれらの触媒を蒸留塔内に保っ
たまま、蒸留塔の塔頂からモノシラン、塔底がら四塩化
珪素を連続的に取り出すことが出来る。
（４）４ＳｉＨα３−ンＳｉＨ，＋Ｓｉα４（５）この
場合触媒としてトリメチルアミンおよび又はジメチルエ
チルアミンを使用しかつこれらの触媒を蒸留塔内に保っ
たまま、蒸留塔の塔頂からモノシラン、塔底がら四塩化
珪素を連続的に取り出すことが出来る。
又反応を完結させない条件例えば圧力を低くして温度を
下げ、塔内滞留時間を小さくとると例えばトリクロルシ
ランを原料とした場合（６）式に従ってジクロルシラン
と四塩化珪素になる。
下げ、塔内滞留時間を小さくとると例えばトリクロルシ
ランを原料とした場合（６）式に従ってジクロルシラン
と四塩化珪素になる。
２５ｉＨＣｔ１−→５ｊＨ２Ｑ！２ ＋ Ｓｉα４
（６）そこで触媒としてジメチルエチルアミンを使用
し、この触媒を反応蒸留塔内に保った１−！蒸留塔の塔
頂からジクロルシラン、塔底から四塩化珪素を連続的に
得ることが出来る。
（６）そこで触媒としてジメチルエチルアミンを使用
し、この触媒を反応蒸留塔内に保った１−！蒸留塔の塔
頂からジクロルシラン、塔底から四塩化珪素を連続的に
得ることが出来る。
以上の如く目的とするシラン化合物に対して適正な触媒
ヲトリメチルアミンおよび又はツメチルエチルアミンか
ら選択し、圧力、温度、触媒量及び塔内滞留時間を選択
することにより塩素原子の多い水素化塩化珪素から塩素
原子の少ないシラ／化合物を連続的に製造することが出
来る。
ヲトリメチルアミンおよび又はツメチルエチルアミンか
ら選択し、圧力、温度、触媒量及び塔内滞留時間を選択
することにより塩素原子の多い水素化塩化珪素から塩素
原子の少ないシラ／化合物を連続的に製造することが出
来る。
次にこのように不均斉化反応と分離精製が同一蒸留塔で
可能な堤内について説明する。
可能な堤内について説明する。
本発明に用いる不均斉化触媒のトリメチルアミンは沸点
が３℃であり、ジクロルシラン、トリクロルシランおよ
び四塩化珪素はその沸点がそれぞれ８．３℃、３１，８
℃および５７．３℃である。又、モノクロルシラン訃よ
びモノシラン沸点はそれぞれ一３０℃および一１１２℃
である。従って触媒として蒸留塔内にトリメチルアミン
を存在させて不均斉化反応させながら蒸留し、かつトリ
メチルアミンを反応蒸留塔から排出させることなく、塔
頂からモノクロルシランおよび又はモノシランを回収し
、塔底よりジクロルシラン、トリクロルシランおよび又
は四塩化珪素を連続的に回収することができる。又本発
明に用いる他の不均斉化触媒のジメチルエチルアミンの
沸点は３５．８℃であシ四塩化珪素の沸点５７．３℃よ
り低い。又トリクロルシラン、ジクロルシラン、モノク
ロルシランおよびモノシランの沸点はそれぞれ３１．８
℃、８．３℃、−３０℃および一１１２℃である。従っ
て触媒としてジメチルエチルアミンを存在させて不均斉
化反応させながら蒸留し、かつジメチルエチルアミンを
反応蒸留塔から溜出させることなく、塔頂からトリクロ
ルシラン、ジクロルシラン、モノクロルシランおよび又
は七ノシランヲ回収し、塔底より四塩化珪素を回収１一
つつ連続運転が可能である。
が３℃であり、ジクロルシラン、トリクロルシランおよ
び四塩化珪素はその沸点がそれぞれ８．３℃、３１，８
℃および５７．３℃である。又、モノクロルシラン訃よ
びモノシラン沸点はそれぞれ一３０℃および一１１２℃
である。従って触媒として蒸留塔内にトリメチルアミン
を存在させて不均斉化反応させながら蒸留し、かつトリ
メチルアミンを反応蒸留塔から排出させることなく、塔
頂からモノクロルシランおよび又はモノシランを回収し
、塔底よりジクロルシラン、トリクロルシランおよび又
は四塩化珪素を連続的に回収することができる。又本発
明に用いる他の不均斉化触媒のジメチルエチルアミンの
沸点は３５．８℃であシ四塩化珪素の沸点５７．３℃よ
り低い。又トリクロルシラン、ジクロルシラン、モノク
ロルシランおよびモノシランの沸点はそれぞれ３１．８
℃、８．３℃、−３０℃および一１１２℃である。従っ
て触媒としてジメチルエチルアミンを存在させて不均斉
化反応させながら蒸留し、かつジメチルエチルアミンを
反応蒸留塔から溜出させることなく、塔頂からトリクロ
ルシラン、ジクロルシラン、モノクロルシランおよび又
は七ノシランヲ回収し、塔底より四塩化珪素を回収１一
つつ連続運転が可能である。
本発明の不均斉化反応と蒸留シτ使用される蒸留塔とし
てはラシとリング等を光切した充填塔するいはシーブト
レイ又はバブルキャップトレイ等のトレイを用いた段塔
でも蒸留操作が可能ならどのような形式の蒸留塔であっ
てもさしつかえない。
てはラシとリング等を光切した充填塔するいはシーブト
レイ又はバブルキャップトレイ等のトレイを用いた段塔
でも蒸留操作が可能ならどのような形式の蒸留塔であっ
てもさしつかえない。
本発明においで、蒸留塔は不均斉化反応と蒸留操作の機
能を兼ねているから蒸留塔の高さ方向（゛こ温度分布が
生じるが平均して温度−８０〜２００℃で操作される。
能を兼ねているから蒸留塔の高さ方向（゛こ温度分布が
生じるが平均して温度−８０〜２００℃で操作される。
−８０℃未満の低温では反応速度が遅く、又２ＵＯ’Ｃ
ｆこえる高虐では塔内圧力が高くなり好ましくない。又
圧力は温度に関・隆するが常圧〜１００Ｋｌｋｎｌ Ｇ
で掃作される。モノシランを製造する場合には高圧とし
て塔内温度を上げる方が有利である。触媒として使用さ
れるトリメチルアミンやジメチルエチルアミンは蒸留塔
の中央部に滞留し、蒸留操作によって塔頂および塔底か
ら実質的に溜出せず、蒸留塔の高さ方向に濃度分布が存
在するが、通常塔内の平均濃度が０．１〜５０重量％で
実施される。０．１重量襲未満では反応速度が遅く、５
０重量％こえると融媒農産が高い／ζめに触媒の分離効
率が低下し、王に塔底部から触媒が溜出する次点がある
。又反応全完結させてモノシランを製造する場合には触
媒としてトリメチルアミンとジメチルエチルアミンを併
用するのが好ましい。沸点の異なると力、らのＰｆＪ４
媒が反応蒸留塔の高さ方向に広く分布し反応部域が広が
るものと考えられる。
ｆこえる高虐では塔内圧力が高くなり好ましくない。又
圧力は温度に関・隆するが常圧〜１００Ｋｌｋｎｌ Ｇ
で掃作される。モノシランを製造する場合には高圧とし
て塔内温度を上げる方が有利である。触媒として使用さ
れるトリメチルアミンやジメチルエチルアミンは蒸留塔
の中央部に滞留し、蒸留操作によって塔頂および塔底か
ら実質的に溜出せず、蒸留塔の高さ方向に濃度分布が存
在するが、通常塔内の平均濃度が０．１〜５０重量％で
実施される。０．１重量襲未満では反応速度が遅く、５
０重量％こえると融媒農産が高い／ζめに触媒の分離効
率が低下し、王に塔底部から触媒が溜出する次点がある
。又反応全完結させてモノシランを製造する場合には触
媒としてトリメチルアミンとジメチルエチルアミンを併
用するのが好ましい。沸点の異なると力、らのＰｆＪ４
媒が反応蒸留塔の高さ方向に広く分布し反応部域が広が
るものと考えられる。
開本発明で副生ずる四塩化Ｍ素はアエロジル等の原料と
して使用する〃・あるいは冶金グｌ）−ド金ハシリコン
、水素又は塩化水素ガスと反応させてトリクロルシラン
とし、本発明の原料である・水素化塩化珪素としてリサ
イクル使用してもよく、副生ずる四塩化珪素の利用方法
について本発明はなんら制限を受けるものではない。
して使用する〃・あるいは冶金グｌ）−ド金ハシリコン
、水素又は塩化水素ガスと反応させてトリクロルシラン
とし、本発明の原料である・水素化塩化珪素としてリサ
イクル使用してもよく、副生ずる四塩化珪素の利用方法
について本発明はなんら制限を受けるものではない。
以上説明したように本発明は水素化塩化珪素全蒸留塔に
供給し不均斉化反応させその生成物を分離精製する際に
不均斉化反応触媒としてトリメチルアミン及び／又はジ
メチルエチルアミンを用いることを特徴とするものであ
って本発明によれば水素化塩化珪素の不均斉化反応と蒸
留とが同一装置で行われ従来不均斉化反応と蒸留とを２
工程で行われていたものを一工程で行うことが可能とな
シ、しかも蒸留塔の基数を減少させることができるとい
うすぐれた技術である。
供給し不均斉化反応させその生成物を分離精製する際に
不均斉化反応触媒としてトリメチルアミン及び／又はジ
メチルエチルアミンを用いることを特徴とするものであ
って本発明によれば水素化塩化珪素の不均斉化反応と蒸
留とが同一装置で行われ従来不均斉化反応と蒸留とを２
工程で行われていたものを一工程で行うことが可能とな
シ、しかも蒸留塔の基数を減少させることができるとい
うすぐれた技術である。
以下実施例をあげてさらに具体的に説明する。
実施例１
内径５０ｖａ、高す２．０００ｙｍのステンレス製円筒
に１／４インチラシヒリングｉ １．５００簡充填した
精留塔にトリクロルシランをＩＶ４触媒としてトリメチ
ルアミンを７ｇジメチルエチルアミンを９ｇ添加した。
に１／４インチラシヒリングｉ １．５００簡充填した
精留塔にトリクロルシランをＩＶ４触媒としてトリメチ
ルアミンを７ｇジメチルエチルアミンを９ｇ添加した。
又塔底部のすがイラーを１８０１２、塔頂の凝縮器を一
５０℃に冷却し、全壊流で２時間バッチ運転したのち、
系内圧を１５ Ｋｇ／ｄＧに調整しながら原料トリクロ
ルシランｆ ２５０ ｇ／ｈｒの流量で縦積留塔中央部
より供給し、環流比２で２００時間の連続運転を行った
。その結果塔頂よシ実質的に１００％のモノシランが平
均１４．８ｇＡ、ｒの速度で、塔底がらは実質的ＶＣ１
００％の四塩化珪素が２３５．２ Ｖｈｒの速度で得ら
れた。
５０℃に冷却し、全壊流で２時間バッチ運転したのち、
系内圧を１５ Ｋｇ／ｄＧに調整しながら原料トリクロ
ルシランｆ ２５０ ｇ／ｈｒの流量で縦積留塔中央部
より供給し、環流比２で２００時間の連続運転を行った
。その結果塔頂よシ実質的に１００％のモノシランが平
均１４．８ｇＡ、ｒの速度で、塔底がらは実質的ＶＣ１
００％の四塩化珪素が２３５．２ Ｖｈｒの速度で得ら
れた。
実施例２
実施例１と同一精留塔を使用し、トリクロルシラン’！
ｋｌＫ９、ジメチルエチルアミンを９ｇ添加し、塔底部
のりディラー’１１８０Ｃ１塔頂の凝縮器を一５０℃に
冷却し全壊流で２時間運転ののち系内圧’ｔ １５ Ｋ
ｇ／ＷＧに調整しながら、原料のトリクロルシラン全５
０Ｏｆ！ｉ’ｈ ｒの流量で精留塔中央部より供給し、
環流比２で２００時間連続運転金行った。塔頂よりモノ
７ラン５９モルチ、ジクロルシラン４１％の混合凝縮液
が平均７０ ｊｊ／ＩＩｒの速度で、塔底からは実質的
に１００％の四＠ｆヒ珪素が４８０．９／ｈｒの速度で
得られた。
ｋｌＫ９、ジメチルエチルアミンを９ｇ添加し、塔底部
のりディラー’１１８０Ｃ１塔頂の凝縮器を一５０℃に
冷却し全壊流で２時間運転ののち系内圧’ｔ １５ Ｋ
ｇ／ＷＧに調整しながら、原料のトリクロルシラン全５
０Ｏｆ！ｉ’ｈ ｒの流量で精留塔中央部より供給し、
環流比２で２００時間連続運転金行った。塔頂よりモノ
７ラン５９モルチ、ジクロルシラン４１％の混合凝縮液
が平均７０ ｊｊ／ＩＩｒの速度で、塔底からは実質的
に１００％の四＠ｆヒ珪素が４８０．９／ｈｒの速度で
得られた。
実施例３
実施例１と同−精留塔中央部し、ジクロルシランをＩＫ
り、ジメチルエチル゛アミンヲ９ｙ添加し、塔底部のり
ボイラー全１８０℃、塔填の凝縮器を一５０℃に冷却し
、全壊流で２時間運転ののち系内圧全１５ ’ｇ／ｎｌ
Ｇで原料ジクロルシランｆ ４００ ｇ／ｈｒの流量で
精留塔の中央部より供給し、環流比２で２００時間連続
運転を行った。塔頂より実質的に１００％のモノシラン
が平均６４ ｇ／ｈｒの速度で塔底がらは実質的に１０
０外の四塩化珪素が３３６＆ｙｈｒの速度で得られた。
り、ジメチルエチル゛アミンヲ９ｙ添加し、塔底部のり
ボイラー全１８０℃、塔填の凝縮器を一５０℃に冷却し
、全壊流で２時間運転ののち系内圧全１５ ’ｇ／ｎｌ
Ｇで原料ジクロルシランｆ ４００ ｇ／ｈｒの流量で
精留塔の中央部より供給し、環流比２で２００時間連続
運転を行った。塔頂より実質的に１００％のモノシラン
が平均６４ ｇ／ｈｒの速度で塔底がらは実質的に１０
０外の四塩化珪素が３３６＆ｙｈｒの速度で得られた。
特許出願人 電気化学工業利Ｓ入会社
Claims (1)
- 水素化塩化珪素を蒸溜塔に供給し触媒の存在下不均斉化
反応させその反応生成物を分離精製する際に、不均斉化
反応触媒としてトリメチルアミン及び／又はツメチルエ
チルアミンを用いることを特徴とするシラン化合物の連
続的製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22898382A JPS59121110A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | シラン化合物の連続的製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22898382A JPS59121110A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | シラン化合物の連続的製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121110A true JPS59121110A (ja) | 1984-07-13 |
Family
ID=16884925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22898382A Pending JPS59121110A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | シラン化合物の連続的製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121110A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056988A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | モノシランの製造方法 |
| DE102008016386A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Katalytische Hydrierung |
| JP2009509901A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | モノシランの製造方法 |
| CN103553056A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-02-05 | 河南科技大学 | 离子液体中四氯化硅和三氯氢硅的温控转相分离方法 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22898382A patent/JPS59121110A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056988A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | モノシランの製造方法 |
| JP2009509901A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | モノシランの製造方法 |
| DE102008016386A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Katalytische Hydrierung |
| CN103553056A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-02-05 | 河南科技大学 | 离子液体中四氯化硅和三氯氢硅的温控转相分离方法 |
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