JP6249487B2 - モノハロシランの製造方法 - Google Patents

モノハロシランの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6249487B2
JP6249487B2 JP2014140459A JP2014140459A JP6249487B2 JP 6249487 B2 JP6249487 B2 JP 6249487B2 JP 2014140459 A JP2014140459 A JP 2014140459A JP 2014140459 A JP2014140459 A JP 2014140459A JP 6249487 B2 JP6249487 B2 JP 6249487B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
reaction
monohalosilane
silane
reactor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014140459A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016017010A (ja
Inventor
吉満 石原
吉満 石原
大輔 津島
大輔 津島
朋浩 松本
朋浩 松本
正安 五十嵐
正安 五十嵐
島田 茂
茂 島田
佐藤 一彦
一彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2014140459A priority Critical patent/JP6249487B2/ja
Publication of JP2016017010A publication Critical patent/JP2016017010A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6249487B2 publication Critical patent/JP6249487B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明は、モノハロシランの製造方法に関し、より詳しくはシランガスとハロゲン化銅(II)を反応させてモノハロシランを生成させるモノハロシランの製造方法に関する。
代表的なモノハロシランであるモノクロロシランは、半導体デバイス等を製造するためのプロセスガス等として利用される有用な化合物である。
モノクロロシランの製造方法としては、下記式に示されるようなトリクロロシランの不均化反応が知られているが、近年、シランと塩化水素の反応混合物を用意し、この反応混合物をモレキュラーシーブ、AlClを含むシリカ担体、AlCl(3n+1)(式中、n≧1)を含むイオン性液体等の触媒と接触させる方法等も提案されている(特許文献1参照)。
Figure 0006249487
特開2010−248067号
特許文献1に記載されている方法は、ジクロロシラン等のジハロシランが副生し易く、モノハロシランを効率良く製造するという点において、改善の余地を残すものであった。
本発明は、新規なモノハロシランの製造方法、特にモノハロシランを効率的に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、シランガスにハロゲン化銅(II)を接触させて反応させることにより、高収率・高選択率でモノハロシランを製造できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は以下の通りである。
<1> シランガスとハロゲン化銅(II)を40〜600℃で反応させてモノハロシランを生成させる反応工程を含むモノハロシランの製造方法。
本発明によれば、高収率・高選択率でモノハロシランを製造することができる。
本発明のモノハロシランの製造方法に使用することができる反応器の概念図である((a):回分反応器、(b):連続槽型反応器、(c):連続管型反応器)。 実施例及び比較例に使用した反応装置の概念図である。 実施例1のガスクロマトグラフの分析結果である。 実施例5のガスクロマトグラフの分析結果である。 実施例5のGS−MASSの分析結果である。
本発明のモノハロシランの製造方法の詳細を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。
<モノハロシランの製造方法>
本発明の一態様であるモノハロシランの製造方法は、シランガスとハロゲン化銅(II)を反応させてモノハロシランを生成させる反応工程(以下、「反応工程」と略す場合がある。)を含むことを特徴とする。
Figure 0006249487
本発明者らは、新規なモノハロシランの製造方法を求めて検討を重ねた結果、シランガスにハロゲン化銅(II)を接触させて反応させることにより、ジハロシランの副生を抑え、高収率・高選択率でモノハロシランを製造できることを見出したのである。また、活性が低下したハロゲン化銅は、ハロゲン化によって再生して、再利用することも可能である。加えて特許文献1に記載されている方法のように、塩化水素ガス(HCl)などの腐食性のガスを使用しないため、反応装置に特殊な配管材料等を使用しなくてもよくなり、製造コスト等を抑えることにも繋がるのである。
なお、シラン(テトラヒドロシラン、SiH)は沸点が−112℃であり、塩化銅(II)及び臭化銅(II)は融点が498℃(無水)であるため、反応工程は通常は気固反応となる。
反応工程に使用する反応器、操作手順、反応条件等は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。以下、反応器、操作手順、反応条件等について具体例を挙げて説明するが、これらの内容に限定されるものではない。
反応器は、図1(a)に示されるような回分反応器、図1(b)に示されるような連続槽型反応器、図1(c)に示されるような連続管型反応器の何れのタイプの反応器を使用してもよい。
操作手順は、例えば回分反応器を用いる場合、乾燥させたハロゲン化銅(II)を反応器内に設置し、反応器内の空気を減圧ポンプ等を利用して除去した後、シランガスを含んだガスを投入して密閉し、反応器内を反応温度まで昇温して反応を開始する方法が挙げられる。一方、連続管型反応器又は連続管型反応器を用いる場合、乾燥させたハロゲン化銅(II)を反応器内に設置し、反応器内の空気を減圧ポンプ等を利用して除去した後、シランガスを含んだガスを流通させ、反応器内を反応温度まで昇温して反応を開始する方法が挙げられる。
反応温度は、通常40℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは150℃以上であり、通常600℃以下、好ましくは400℃以下、より好ましくは300℃以下である。上記範囲内であると、モノハロシランを収率良く製造することができる。
反応器には、シランガス及びハロゲン化銅(II)以外の化合物を投入又は流通させてもよい。シランガス及びハロゲン化銅(II)以外の化合物としては、ヘリウムガス、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス、塩素ガス、臭素ガス、塩化水素等のハロゲン含有化合物等が挙げられる。なお、反応器内は、水分が極力含まれないことが好ましい。例えば、使用するハロゲン化銅は無水物を使用したり、反応前にハロゲン化銅や反応器を十分に乾燥させたりすることが好ましい。
反応圧力は、絶対圧力で通常0.1MPa以上、好ましくは0.2MPa以上、より好ましくは0.3MPa以上であり、通常10MPa以下、好ましくは5MPa以下、より好ましくは2MPa以下である。なお、シランガスの分圧は、通常0.001MPa以上、好ましくは0.002MPa以上、より好ましくは0.003MPa以上であり、通常5MPa以下、好ましくは2MPa以下、より好ましくは1MPa以下である。上記範囲内であると、モノハロシランを収率良く製造することができる。
連続管型反応器又は連続管型反応器を用いる場合、流通させるシランガスの流量(絶対圧力:0.3MPa基準)は、ハロゲン化銅(II)1gに対して、通常0.1mL/分以上、好ましくは0.2mL/分以上、より好ましくは0.5mL/分以上であり、通常10mL/分以下、好ましくは5mL/分以下、より好ましくは2mL/分以下である。上記範囲内であると、モノハロシランを収率良く製造することができる。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
なお、以下に挙げる実施例及び比較例は、図2に示される反応装置(概念図)の反応管内の固定床に塩化銅(II)等を固定して、ヘリウムガス等で希釈したシランガスを含む反応ガスを流通させることにより行った。生成したガスは、株式会社島津製作所社製ガスクロマトグラフGC−17Aを用いて、TCD検出器で分析を行った。また、モノクロロシラン等の定性分析は、MASS(質量分析計)で行った。
<実施例1>
和光純薬工業株式会社製塩化銅(II)(無水)3.6gを110℃で3時間乾燥させた後に、全量を反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。ヘリウムガスを100mL/分の速度で流通させ、200℃に昇温後1時間流通させた。その後、混合ガス(シラン80%、アルゴン20%)5mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させた。1時間経過後に、混合ガス(シラン80%、アルゴン20%)を1mL/分、ヘリウムガスを20mL/分、反応管内の温度を165℃に変更して反応させた。165℃に達してから6時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ(図3にチャートを示す。)、シランの転化率は48%、モノクロロシランの収率は43%、モノクロロシランの選択率は90%であった。
<実施例2>
和光純薬工業株式会社製塩化銅(II)(無水)1.6gを110℃で3時間乾燥させた後に、全量を反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。ヘリウムガスを100mL/分の速度で流通させ、200℃に昇温後1時間流通させた。その後、100%シランガス4mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させた。1時間経過後に、100%シランガスを0.8mL/分、ヘリウムガスを20mL/分、反応管内の温度を200℃に変更して反応させた。変更した反応条件に達してから1.5時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ、シランの転化率は53%、モノクロロシランの収率は34%、モノクロロシランの選択率は64%であった。
<実施例3>
和光純薬工業株式会社製塩化銅(II)(無水)1.7gをそのまま全量反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。100
%シランガス4mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させて200℃に昇温した。1時間経過後、100%シランガスを0.8mL/分、ヘリウムガスを20mL/分に変更して反応させた。変更した反応条件に達してから6.5時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ、シランの転化率は47%、モノクロロシランの収率は12%、モノクロロシランの選択率は25%であった。
<実施例4>
和光純薬工業株式会社製塩化銅(II)(無水)1.5gをそのまま全量を反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。100%シランガス4mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させて250℃に昇温した。2時間経過後に、100%シランガスを0.8mL/分、ヘリウムガスを20mL/分に変更して反応させた。変更した反応条件に達してから1時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ、シランの転化率は63%、モノクロロシランの収率は32%、モノクロロシランの選択率は51%であった。
<実施例5>
和光純薬工業株式会社製臭化銅(II)(無水)3.1gをそのまま全量反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。100%シランガス4mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させて150℃に昇温した。1時間経過後に、350℃に昇温して、100%シランガスを0.8mL/分、ヘリウムガスを20mL/分に変更して反応させた。変更した反応条件に達してから4時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ、図4に示すチャートが得られた。図4のFR1のピークについて、GC−MASSによって改めて定性分析を行ったところ、図5の結果が得られた(図5(a):GC−MASS結果、(b):MASS結果)。MASS結果では、分子量110と112のピークが観測されるため(SiH 79BrのMw:110、SiH 81BrのMw:112、)、FR1のピークはモノブロモシランであると考えられる。即ち、シランの転化率は66%、モノブロモシランの収率は24%、モノブロモシランの選択率は36%であった。
<比較例1>
和光純薬工業株式会社製塩化銅(I)1.5gをそのまま全量反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。100%シランガス4mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させて250℃に昇温した。1時間経過後に、100%シランガスを0.8mL/分、ヘリウムガスを20mL/分に変更して反応させた。変更した反応条件に達してから1時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ、シランの転化率は61%、モノクロロシランの生成は確認できなかった。
<比較例2>
和光純薬工業株式会社製銅粉末1.8gをそのまま全量反応管に入れ、反応管内を減圧ポンプで減圧にて空気を除去した後にヘリウムガスで置換した。100%シランガス4mL/分とヘリウムガス100mL/分をガスミキサーで混合し、流通させて250℃に昇温した。1時間経過後に、100%シランガスを0.8mL/分、ヘリウムガスを20mL/分に変更して反応させた。変更した反応条件に達してから1時間後に、反応ガス組成をガスクロマトグラフで分析したところ、シランの転化率は95%、モノクロロシランの
生成は確認できなかった。
Figure 0006249487
本発明の製造方法によって得られたモノハロシランは、半導体用シリコンの製造ガスとして利用されることが期待できる。
1 シランガス(SiH)ボンベ
2 ヘリウムガス(He)ボンベ
3 緊急遮断弁(ガス検連動遮断弁)
4 減圧弁
5 マスフローコントローラ(MFC)
6 圧力計
7 ガスミキサー
8 継手
9 加熱反応装置
10 トラップ
11 ロータリーポンプ
12 システムガスクロマトグラフ
13 除害装置

Claims (1)

  1. シランガスとハロゲン化銅(II)を40〜600℃で反応させてモノハロシランを生成させる反応工程を含むモノハロシランの製造方法。
JP2014140459A 2014-07-08 2014-07-08 モノハロシランの製造方法 Active JP6249487B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014140459A JP6249487B2 (ja) 2014-07-08 2014-07-08 モノハロシランの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014140459A JP6249487B2 (ja) 2014-07-08 2014-07-08 モノハロシランの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016017010A JP2016017010A (ja) 2016-02-01
JP6249487B2 true JP6249487B2 (ja) 2017-12-20

Family

ID=55232499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014140459A Active JP6249487B2 (ja) 2014-07-08 2014-07-08 モノハロシランの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6249487B2 (ja)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0829929B2 (ja) * 1987-06-01 1996-03-27 三井東圧化学株式会社 ハロゲン化水素化シランの製造方法
JP2612991B2 (ja) * 1992-02-28 1997-05-21 信越化学工業株式会社 けい素化合物の塩素化方法
US5939577A (en) * 1998-07-22 1999-08-17 Sandia Corporation Method for the synthesis of chlorosilanes
DE102011004058A1 (de) * 2011-02-14 2012-08-16 Evonik Degussa Gmbh Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016017010A (ja) 2016-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102844322B (zh) 制备二有机二卤代硅烷的方法
JP2009062213A (ja) クロロシラン類の精製方法
EP3296261B1 (en) Method for regenerating weakly basic ion-exchange resin
JP2011516376A5 (ja)
US20130001063A1 (en) Method for producing trichlorosilane
EP2957543B1 (en) Method for producing trichlorosilane
JP5680075B2 (ja) 触媒前駆体の処理法
JP5441924B2 (ja) クロロシランの製造方法
JP6478248B2 (ja) オリゴシランの製造方法
JP2010248104A (ja) 1,1,1,2,3−ペンタクロロプロパンの製造方法
JP6249487B2 (ja) モノハロシランの製造方法
JP6586405B2 (ja) トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法
JP2014034474A (ja) 多結晶シリコンの製造方法
CN101081802B (zh) 挂式-三环[5.2.1.02,6]癸烷的合成方法
JP6446163B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
JP5563471B2 (ja) モノシランおよびテトラアルコキシシランの製造方法
JP6624430B2 (ja) テトラメトキシシランの製造方法
CN108456225A (zh) 一种苯基三乙氧基硅烷生产流程
JP2010111544A (ja) クロロポリシランの製造方法
JP5861491B2 (ja) トリメチルシランの精製方法
JP5688653B2 (ja) トリブロモシランの製造方法
JPH05310751A (ja) ハロゲン化アルコキシシランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6249487

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250