JP2011516376A5 - - Google Patents
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- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N Trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N Silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N Chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007038 hydrochlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Description
本発明の目的は、(1)トリクロロシランの生成、
(2)副生成物として四塩化ケイ素を含有するモノシラン含有反応混合物を与えるために区分(1)で生成されたトリクロロシランの不均化によるモノシランの生成、および
(3)こうして生成されたモノシランのシリコンおよび水素への熱的変換
の区分を有する高純度シリコンの製造方法であって、
区分(1)でトリクロロシランを生成させるためにシリコンが少なくとも1つの塩化水素処理工程において塩化水素と反応され且つ、それに並行して、区分(2)で副生成物として得られた四塩化ケイ素が、いずれの場合にもトリクロロシラン含有反応混合物を与えるために少なくとも1つの変換工程においてシリコンおよび水素と反応されることを特徴とする、前記方法、および
トリクロロシランを生成するための生成装置(1)、装置(1)において生成されたトリクロロシランの不均化によりモノシランを生成するためのさらなる装置(2)および生成されたモノシランのシリコンおよび水素への熱的分解のための装置(3)を有する高純度シリコンの製造設備であって、装置(1)が、
・トリクロロシラン含有反応混合物を与えるためにシリコンが塩化水素と反応し得る少なくとも1つの塩化水素処理反応器、
・トリクロロシラン含有反応混合物を与えるために四塩化ケイ素がシリコンおよび水素と反応し得る少なくとも1つの変換反応器、
・生成されたトリクロロシラン含有反応混合物が混合され且つ貯蔵され得る少なくとも1つの回収容器および
・好適には少なくとも1つの回収容器の下流に存在し且つトリクロロシラン含有反応混合物が少なくとも部分的にその成分に分離され得る少なくとも1つの分離装置
を有し、装置(2)が、
・装置(1)からのトリクロロシランが触媒条件下に四塩化ケイ素およびモノシラン含有反応混合物に変換され得る少なくとも1つの不均化反応器および
・クロロシランがモノシラン含有反応混合物から分離され得る少なくとも1つの分離装置
を有し、装置(3)が、
・装置(1)からのモノシランが800℃〜1450℃(表面温度)に加熱された少なくとも1つの支持材と接触し得る少なくとも1つの分解反応器
を有し、且つ装置(2)が、装置(2)において得られた四塩化ケイ素が装置(1)における少なくとも1つの変換反応器に供給され得る少なくとも1つの戻り配管を通って装置(1)に接続されている、前記の方法により高純度シリコンを製造するための、前記設備によって達成される。
本発明の方法の好適な態様は請求項2〜28に見出し得る。本発明の設備の好適な態様は請求項30〜36において規定されている。全ての請求項の表現は参照によって本明細書の記述に組み込まれる。
(2)副生成物として四塩化ケイ素を含有するモノシラン含有反応混合物を与えるために区分(1)で生成されたトリクロロシランの不均化によるモノシランの生成、および
(3)こうして生成されたモノシランのシリコンおよび水素への熱的変換
の区分を有する高純度シリコンの製造方法であって、
区分(1)でトリクロロシランを生成させるためにシリコンが少なくとも1つの塩化水素処理工程において塩化水素と反応され且つ、それに並行して、区分(2)で副生成物として得られた四塩化ケイ素が、いずれの場合にもトリクロロシラン含有反応混合物を与えるために少なくとも1つの変換工程においてシリコンおよび水素と反応されることを特徴とする、前記方法、および
トリクロロシランを生成するための生成装置(1)、装置(1)において生成されたトリクロロシランの不均化によりモノシランを生成するためのさらなる装置(2)および生成されたモノシランのシリコンおよび水素への熱的分解のための装置(3)を有する高純度シリコンの製造設備であって、装置(1)が、
・トリクロロシラン含有反応混合物を与えるためにシリコンが塩化水素と反応し得る少なくとも1つの塩化水素処理反応器、
・トリクロロシラン含有反応混合物を与えるために四塩化ケイ素がシリコンおよび水素と反応し得る少なくとも1つの変換反応器、
・生成されたトリクロロシラン含有反応混合物が混合され且つ貯蔵され得る少なくとも1つの回収容器および
・好適には少なくとも1つの回収容器の下流に存在し且つトリクロロシラン含有反応混合物が少なくとも部分的にその成分に分離され得る少なくとも1つの分離装置
を有し、装置(2)が、
・装置(1)からのトリクロロシランが触媒条件下に四塩化ケイ素およびモノシラン含有反応混合物に変換され得る少なくとも1つの不均化反応器および
・クロロシランがモノシラン含有反応混合物から分離され得る少なくとも1つの分離装置
を有し、装置(3)が、
・装置(1)からのモノシランが800℃〜1450℃(表面温度)に加熱された少なくとも1つの支持材と接触し得る少なくとも1つの分解反応器
を有し、且つ装置(2)が、装置(2)において得られた四塩化ケイ素が装置(1)における少なくとも1つの変換反応器に供給され得る少なくとも1つの戻り配管を通って装置(1)に接続されている、前記の方法により高純度シリコンを製造するための、前記設備によって達成される。
本発明の方法の好適な態様は請求項2〜28に見出し得る。本発明の設備の好適な態様は請求項30〜36において規定されている。全ての請求項の表現は参照によって本明細書の記述に組み込まれる。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008017304A DE102008017304A1 (de) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Reinstsilizium |
DE102008017304.5 | 2008-03-31 | ||
PCT/EP2009/002336 WO2009121558A2 (de) | 2008-03-31 | 2009-03-31 | Verfahren und anlage zur herstellung von reinstsilizium |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011516376A JP2011516376A (ja) | 2011-05-26 |
JP2011516376A5 true JP2011516376A5 (ja) | 2012-05-24 |
JP5632362B2 JP5632362B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=40900722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011502281A Expired - Fee Related JP5632362B2 (ja) | 2008-03-31 | 2009-03-31 | 純シリコンを製造するための方法およびシステム |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110262338A1 (ja) |
EP (1) | EP2265546B1 (ja) |
JP (1) | JP5632362B2 (ja) |
KR (1) | KR20110015527A (ja) |
CN (1) | CN102046529B (ja) |
CA (1) | CA2719858C (ja) |
DE (1) | DE102008017304A1 (ja) |
RU (1) | RU2503616C2 (ja) |
WO (1) | WO2009121558A2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010015354A1 (de) | 2010-04-13 | 2011-10-13 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Herstellung eines kristallinen Halbleiterwerkstoffs |
DE102010021004A1 (de) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Herstellung von monokristallinen Halbleiterwerkstoffen |
CA2795395C (en) | 2010-04-13 | 2018-05-29 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Production of monocrystalline semiconductor materials |
DE102010034469A1 (de) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Anlage zur Herstellung von Monosilan |
DE102010044755A1 (de) * | 2010-09-08 | 2012-03-08 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit |
US8715597B2 (en) * | 2010-12-20 | 2014-05-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems that involve disproportionation operations |
EP2780283A4 (en) * | 2011-11-14 | 2015-12-30 | Sitec Gmbh | METHOD AND SYSTEMS FOR METABOLIC TRICHLORINE PRODUCTION |
CN102807222B (zh) * | 2012-08-17 | 2014-04-02 | 中国天辰工程有限公司 | 一种四氯化硅提纯方法 |
CN102951646A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-03-06 | 覃攀 | 硅烷的生产方法 |
CN103112860B (zh) * | 2013-02-26 | 2015-09-02 | 天津大学 | 改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法 |
CN103241743B (zh) * | 2013-05-22 | 2015-07-22 | 黄国强 | 三氯氢硅直接歧化制备硅烷的反应精馏方法及设备 |
CN103936009B (zh) * | 2014-04-21 | 2015-12-30 | 浙江中宁硅业有限公司 | 一种硅烷热分解生产纳米级高纯硅粉的装置及方法 |
RU2593634C2 (ru) * | 2014-12-25 | 2016-08-10 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" | Способ глубокой очистки моносилана |
DE102015209008A1 (de) | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Verfahren und Anlage zur Zersetzung von Monosilan |
CN104828827B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-03-08 | 国电内蒙古晶阳能源有限公司 | 提纯三氯氢硅的方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3968199A (en) * | 1974-02-25 | 1976-07-06 | Union Carbide Corporation | Process for making silane |
GB2028289B (en) * | 1978-08-18 | 1982-09-02 | Schumacher Co J C | Producing silicon |
US4676967A (en) | 1978-08-23 | 1987-06-30 | Union Carbide Corporation | High purity silane and silicon production |
US4340574A (en) * | 1980-08-28 | 1982-07-20 | Union Carbide Corporation | Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns |
US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
FR2572312B1 (fr) | 1984-10-30 | 1989-01-20 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de fabrication de barreaux de silicium ultra-pur |
US4585643A (en) * | 1985-05-31 | 1986-04-29 | Union Carbide Corporation | Process for preparing chlorosilanes from silicon and hydrogen chloride using an oxygen promoter |
US5910295A (en) * | 1997-11-10 | 1999-06-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Closed loop process for producing polycrystalline silicon and fumed silica |
DE19860146A1 (de) * | 1998-12-24 | 2000-06-29 | Bayer Ag | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan |
DE10044794A1 (de) * | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
DE10057522B4 (de) * | 2000-11-21 | 2009-04-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
DE10061682A1 (de) * | 2000-12-11 | 2002-07-04 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium |
DE10062413A1 (de) * | 2000-12-14 | 2002-07-04 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
DE102005046105B3 (de) * | 2005-09-27 | 2007-04-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Monosilan |
RU2313485C2 (ru) * | 2005-10-10 | 2007-12-27 | Юрий Александрович Касаткин | Способ получения моносилана |
-
2008
- 2008-03-31 DE DE102008017304A patent/DE102008017304A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2011502281A patent/JP5632362B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-31 CN CN2009801197226A patent/CN102046529B/zh active Active
- 2009-03-31 RU RU2010142993/05A patent/RU2503616C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-03-31 KR KR1020107024197A patent/KR20110015527A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-03-31 EP EP09727868.3A patent/EP2265546B1/de active Active
- 2009-03-31 CA CA2719858A patent/CA2719858C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-31 US US12/935,093 patent/US20110262338A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-31 WO PCT/EP2009/002336 patent/WO2009121558A2/de active Application Filing
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