JP2011516376A5 - - Google Patents

Description

本発明の目的は、（１）トリクロロシランの生成、
（２）副生成物として四塩化ケイ素を含有するモノシラン含有反応混合物を与えるために区分（１）で生成されたトリクロロシランの不均化によるモノシランの生成、および
（３）こうして生成されたモノシランのシリコンおよび水素への熱的変換
の区分を有する高純度シリコンの製造方法であって、
区分（１）でトリクロロシランを生成させるためにシリコンが少なくとも１つの塩化水素処理工程において塩化水素と反応され且つ、それに並行して、区分（２）で副生成物として得られた四塩化ケイ素が、いずれの場合にもトリクロロシラン含有反応混合物を与えるために少なくとも１つの変換工程においてシリコンおよび水素と反応されることを特徴とする、前記方法、および
トリクロロシランを生成するための生成装置（１）、装置（１）において生成されたトリクロロシランの不均化によりモノシランを生成するためのさらなる装置（２）および生成されたモノシランのシリコンおよび水素への熱的分解のための装置（３）を有する高純度シリコンの製造設備であって、装置（１）が、
・トリクロロシラン含有反応混合物を与えるためにシリコンが塩化水素と反応し得る少なくとも１つの塩化水素処理反応器、
・トリクロロシラン含有反応混合物を与えるために四塩化ケイ素がシリコンおよび水素と反応し得る少なくとも１つの変換反応器、
・生成されたトリクロロシラン含有反応混合物が混合され且つ貯蔵され得る少なくとも１つの回収容器および
・好適には少なくとも１つの回収容器の下流に存在し且つトリクロロシラン含有反応混合物が少なくとも部分的にその成分に分離され得る少なくとも１つの分離装置
を有し、装置（２）が、
・装置（１）からのトリクロロシランが触媒条件下に四塩化ケイ素およびモノシラン含有反応混合物に変換され得る少なくとも１つの不均化反応器および
・クロロシランがモノシラン含有反応混合物から分離され得る少なくとも１つの分離装置
を有し、装置（３）が、
・装置（１）からのモノシランが８００℃〜１４５０℃（表面温度）に加熱された少なくとも１つの支持材と接触し得る少なくとも１つの分解反応器
を有し、且つ装置（２）が、装置（２）において得られた四塩化ケイ素が装置（１）における少なくとも１つの変換反応器に供給され得る少なくとも１つの戻り配管を通って装置（１）に接続されている、前記の方法により高純度シリコンを製造するための、前記設備によって達成される。
本発明の方法の好適な態様は請求項２〜２８に見出し得る。本発明の設備の好適な態様は請求項３０〜３６において規定されている。全ての請求項の表現は参照によって本明細書の記述に組み込まれる。