RU2010142993A - Способ и система для получения чистого кремния - Google Patents

Способ и система для получения чистого кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2010142993A
RU2010142993A RU2010142993/05A RU2010142993A RU2010142993A RU 2010142993 A RU2010142993 A RU 2010142993A RU 2010142993/05 A RU2010142993/05 A RU 2010142993/05A RU 2010142993 A RU2010142993 A RU 2010142993A RU 2010142993 A RU2010142993 A RU 2010142993A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
installation
trichlorosilane
silicon
reactor
monosilane
Prior art date
Application number
RU2010142993/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2503616C2 (ru
Inventor
Кристиан ШМИД (DE)
Кристиан ШМИД
Адольф ПЕТРИК (DE)
Адольф ПЕТРИК
Йохем ХАН (DE)
Йохем ХАН
Original Assignee
Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх (De)
Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40900722&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2010142993(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх (De), Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх filed Critical Шмид Силикон Текнолоджи Гмбх (De)
Publication of RU2010142993A publication Critical patent/RU2010142993A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2503616C2 publication Critical patent/RU2503616C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04—Hydrides of silicon
    • C01B33/043—Monosilane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

1. Способ получения высокочистого кремния, включающий этапы: ! (1) получения трихлорсилана, ! (2) получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана, полученного на этапе (1), в результате чего получают моносилансодержащую реакционную смесь, которая в качестве побочного продукта содержит тетрахлорид кремния, и ! (3) термического разложения полученного таким образом моносилана на кремний и водород, ! отличающийся тем, что ! для получения трихлорсилана на этапе (1) в по меньшей мере одном процессе гидрохлорирования кремний реагирует с хлористым водородом, и параллельно этому в по меньшей мере одном процессе конверсии на этапе (2) тетрахлорид кремния, образующийся в качестве побочного продукта, взаимодействует с кремнием и водородом с образованием реакционной смеси, также содержащей трихлорсилан. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что этап (1) включает по меньшей мере один процесс очистки, в котором обрабатывают трихлорсилансодержащую реакционную смесь из по меньшей мере одного процесса гидрохлорирования и/или из по меньшей мере одного процессе конверсии, в частности - освобождают от твердых побочных продуктов. ! 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере один процесс очистки включает по меньшей мере одну стадию сухой очистки и/или по меньшей мере одну стадию мокрой очистки. ! 4. Способ по п.2 или 3, отличающийся тем, что очищенные реакционные смеси из по меньшей мере одного процесса гидрохлорирования и по меньшей мере одного процесса конверсии смешивают и перемещают в по меньшей мере один общий сборный резервуар. ! 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что соотношение составных компонентов см�

Claims (36)

1. Способ получения высокочистого кремния, включающий этапы:
(1) получения трихлорсилана,
(2) получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана, полученного на этапе (1), в результате чего получают моносилансодержащую реакционную смесь, которая в качестве побочного продукта содержит тетрахлорид кремния, и
(3) термического разложения полученного таким образом моносилана на кремний и водород,
отличающийся тем, что
для получения трихлорсилана на этапе (1) в по меньшей мере одном процессе гидрохлорирования кремний реагирует с хлористым водородом, и параллельно этому в по меньшей мере одном процессе конверсии на этапе (2) тетрахлорид кремния, образующийся в качестве побочного продукта, взаимодействует с кремнием и водородом с образованием реакционной смеси, также содержащей трихлорсилан.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что этап (1) включает по меньшей мере один процесс очистки, в котором обрабатывают трихлорсилансодержащую реакционную смесь из по меньшей мере одного процесса гидрохлорирования и/или из по меньшей мере одного процессе конверсии, в частности - освобождают от твердых побочных продуктов.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере один процесс очистки включает по меньшей мере одну стадию сухой очистки и/или по меньшей мере одну стадию мокрой очистки.
4. Способ по п.2 или 3, отличающийся тем, что очищенные реакционные смеси из по меньшей мере одного процесса гидрохлорирования и по меньшей мере одного процесса конверсии смешивают и перемещают в по меньшей мере один общий сборный резервуар.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что соотношение составных компонентов смеси, состоящей из реакционных смесей из по меньшей мере одного процесса гидрохлорирования и по меньшей мере одного процесса конверсии, устанавливают в диапазоне от 1:10 и 10:1.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что этап (1) включает по меньшей мере один процесс термического разделения, который предпочтительно следует за по меньшей мере одним процессом очистки, и в котором трихлорсилансодержащую реакционную смесь из по меньшей мере одного процесса гидрохлорирования и/или по меньшей мере одного процесса конверсии по меньшей мере частично разделяют на ее компоненты.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что тетрахлорид кремния, отделенный в по меньшем мере одном процессе термического разделения, подают в по меньшей мере один процесс конверсии этапа (1).
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один процесс гидрохлорирования осуществляют при температуре в диапазоне от 320°С до 400°С, предпочтительно - от 350°С до 370°С.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один процесс гидрохлорирования осуществляют при давлении от 2 бар до 12 бар.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что кремний, преобразуемый в по меньшей мере одном процессе гидрохлорирования, используют в виде порошка, причем частицы кремния предпочтительно имеют диаметр в диапазоне от 0,4 до 3,3 мм.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один процесс конверсии осуществляют при температуре в диапазоне от 450°С до 650°С, предпочтительно - от 500°С до 600°С.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один процесс конверсии осуществляют при давлении в диапазоне от 8 до 15 ат.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что кремний, преобразуемый в по меньшей мере одном процессе гидрохлорирования, используют в виде порошка, причем частицы кремния предпочтительно имеют диаметр в диапазоне от 0,4 до 2,0 мм.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что в по меньшей мере одном процессе конверсии используют железосодержащий кремний.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что диспропорционирование трихлорсилана на этапе (2) осуществляют в неравновесных условиях.
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что диспропорционирование осуществляют на твердом органическом катализаторе.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что твердый органический катализатор представляет собой слабоосновную макропористую анионообменную смолу с функциональными группами из третичных и четвертичных аминов.
18. Способ по любому из п.16 или 17, отличающийся тем, что диспропорционирование трихлорсилана, полученного на этапе (1), осуществляют в по меньшей мере одном реакторе для диспропорционирования, в частности - в по меньшей мере одной колонне, предпочтительно на 75-85% заполненном твердым органическим катализатором.
19. Способ по п.1, отличающийся тем, что диспропорционирование осуществляют при температурах в диапазоне от 60°С до 120°С.
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что диспропорционирование осуществляют при давлении в диапазоне от 2 ат до 10 ат.
21. Способ по п.1, отличающийся тем, что этап (2) включает по меньшей мере один процесс термического разделения, в ходе которого образующуюся при диспропорционировании моносилансодержащую реакционную смесь по меньшей мере частично разделяют на ее компоненты.
22. Способ по п.21, отличающийся тем, что полученные при разделении реакционной смеси монохлорсилан, дихлорсилан и трихлорсилан подают для повторного преобразования в по меньшей мере один реактор для диспропорционирования.
23. Способ по п.1, отличающийся тем, что термическое разложение моносилана на этапе (3) осуществляют в по меньшей мере одном реакторе для разложения, в котором моносилан приводят в контакт с по меньшей мере одним носителем, нагретым до температуры 800°С-1450°С (температура поверхности).
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что моносилан подают в по меньшей мере один реактор для разложения в виде смеси с газом-носителем.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что долю моносилана в смеси устанавливают в диапазоне от 0,5 мол.% до 15 мол.%.
26. Способ по любому из пунктов 24 или 25, отличающийся тем, что смесь в процессе циркуляции проходит через по меньшей мере один реактор для разложения.
27. Способ по п.26, отличающийся тем, что циркуляцию смеси осуществляют в условиях принудительной конвекции.
28. Способ по п.27, отличающийся тем, что по меньшей мере часть смеси после прохождения через по меньшей мере один реактор для разложения удаляют из кругооборота и возвращают на этап (1), в частности - в процесс конверсии на этапе (1).
29. Система для получения высокочистого кремния, в частности - способом по любому из предыдущих пунктов, включающая производственную установку (1) для получения трихлорсилана, дополнительную установку (2) для получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана, полученного в установке (1), и установку (3) для термического разложения полученного моносилана до кремния и водорода, причем
установка (1) содержит
- по меньшей мере один реактор для гидрохлорирования, в котором кремний может взаимодействовать с хлористым водородом с получением трихлорсилансодержащей реакционной смеси,
- по меньшей мере один реактор для конверсии, в котором тетрахлорид кремния может взаимодействовать с кремнием и водородом с получением трихлорсилансодержащей реакционной смеси,
- по меньшей мере один сборный резервуар, в котором можно смешать и хранить полученные трихлорсилансодержащие реакционные смеси, и
- по меньшей мере один сепаратор, который предпочтительно расположен после по меньшей мере одного сборного резервуара, в котором трихлорсилансодержащую реакционную смесь можно по меньшей мере частично разделить на ее компоненты,
установка (2) содержит
- по меньшей мере один реактор для диспропорционирования, в котором трихлорсилан из установки (1) в каталитических условиях можно преобразовать в тетрахлорид кремния и моносилансодержащую реакционную смесь, и
- по меньшей мере один сепаратор, в котором можно выделить хлорсиланы из моносилансодержащей реакционной смеси,
установка (3) содержит
- по меньшей мере один реактор для разложения, в котором моносилан из установки (1) можно привести в контакт с по меньшей мере одним носителем, нагретым до 800°С-1450°С (температура поверхности),
причем установка (2) соединена с установкой (1) по меньшей мере одним обратным трубопроводом, по которому образующийся в установке (2) тетрахлорид кремния можно подать в по меньшей мере один реактор для конверсии установки (1).
30. Система по п.29, отличающаяся тем, что по меньшей мере один сепаратор установки (1) соединен по меньшей мере одним обратным трубопроводом с по меньшей мере одним реактором для конверсии установки (1), так что тетрахлорид кремния, отделенный в по меньшей мере одном сепараторе установки (1) можно подать в по меньшей мере один реактор для конверсии установки (1).
31. Система по любому из п.29 или 30, отличающаяся тем, что по меньшей мере один сепаратор установки (2) соединен по меньшей мере одним обратным трубопроводом с по меньшей мере одним реактором для диспропорционирования установки (2), так что хлорсиланы, отделенные в по меньшей мере одном сепараторе установки (2), можно подать для повторного преобразования в по меньшей мере один реактор для диспропорционирования.
32. Система по п.29, отличающаяся тем, что по меньшей мере один реактор для разложения установки (3) соединен по меньшей мере одним обратным трубопроводом с установкой (1), в частности - с по меньшей мере одним реактором для конверсии установки (1).
33. Система по п.29, отличающаяся тем, что по меньшей мере один сепаратор установки (1) и/или по меньшей мере один сепаратор установки (2) включает по меньшей мере одну ректификационную колонну.
34. Система по п.29, отличающаяся тем, что реактора для диспропорционирования представляет собой по меньшей мере одну колонну, в частности - колонну, которая на 75-85% заполнена твердым органическим катализатором.
35. Система по п.29, отличающаяся тем, что установка (3) устроена таким образом, что смесь моносилана и газа-носителя в процессе циркуляции может быть пропущена через по меньшей мере один реактор для разложения.
36. Система по п.35, отличающаяся тем, что установка (3) содержит по меньшей мере один вентилятор, с помощью которого можно обеспечить принудительную конвекцию в циркуляционном контуре.
RU2010142993/05A 2008-03-31 2009-03-31 Способ и система для получения чистого кремния RU2503616C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008017304.5 2008-03-31
DE102008017304A DE102008017304A1 (de) 2008-03-31 2008-03-31 Verfahren und Anlage zur Herstellung von Reinstsilizium
PCT/EP2009/002336 WO2009121558A2 (de) 2008-03-31 2009-03-31 Verfahren und anlage zur herstellung von reinstsilizium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010142993A true RU2010142993A (ru) 2012-05-10
RU2503616C2 RU2503616C2 (ru) 2014-01-10

Family

ID=40900722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010142993/05A RU2503616C2 (ru) 2008-03-31 2009-03-31 Способ и система для получения чистого кремния

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20110262338A1 (ru)
EP (1) EP2265546B1 (ru)
JP (1) JP5632362B2 (ru)
KR (1) KR20110015527A (ru)
CN (1) CN102046529B (ru)
CA (1) CA2719858C (ru)
DE (1) DE102008017304A1 (ru)
RU (1) RU2503616C2 (ru)
WO (1) WO2009121558A2 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010015354A1 (de) 2010-04-13 2011-10-13 Schmid Silicon Technology Gmbh Herstellung eines kristallinen Halbleiterwerkstoffs
WO2011128292A1 (de) 2010-04-13 2011-10-20 Schmid Silicon Technology Gmbh Herstellung von monokristallinen halbleiterwerkstoffen
DE102010021004A1 (de) 2010-05-14 2011-11-17 Schmid Silicon Technology Gmbh Herstellung von monokristallinen Halbleiterwerkstoffen
DE102010034469A1 (de) * 2010-08-06 2012-02-09 Schmid Silicon Technology Gmbh Anlage zur Herstellung von Monosilan
DE102010044755A1 (de) * 2010-09-08 2012-03-08 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit
CN103260716B (zh) * 2010-12-20 2015-10-14 Memc电子材料有限公司 在涉及歧化操作的基本闭环方法中制备多晶硅
WO2013074425A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-23 Centrotherm Photovoltaics Usa, Inc. Processes and systems for non-equilibrium trichlorosilane production
CN102807222B (zh) * 2012-08-17 2014-04-02 中国天辰工程有限公司 一种四氯化硅提纯方法
CN102951646A (zh) * 2012-11-22 2013-03-06 覃攀 硅烷的生产方法
CN103112860B (zh) * 2013-02-26 2015-09-02 天津大学 改良西门子法联产制备高纯硅烷的方法
CN103241743B (zh) * 2013-05-22 2015-07-22 黄国强 三氯氢硅直接歧化制备硅烷的反应精馏方法及设备
CN103936009B (zh) * 2014-04-21 2015-12-30 浙江中宁硅业有限公司 一种硅烷热分解生产纳米级高纯硅粉的装置及方法
RU2593634C2 (ru) * 2014-12-25 2016-08-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" Способ глубокой очистки моносилана
DE102015209008A1 (de) * 2015-05-15 2016-11-17 Schmid Silicon Technology Gmbh Verfahren und Anlage zur Zersetzung von Monosilan
CN104828827B (zh) * 2015-05-15 2017-03-08 国电内蒙古晶阳能源有限公司 提纯三氯氢硅的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968199A (en) * 1974-02-25 1976-07-06 Union Carbide Corporation Process for making silane
GB2028289B (en) * 1978-08-18 1982-09-02 Schumacher Co J C Producing silicon
US4676967A (en) * 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
US4340574A (en) * 1980-08-28 1982-07-20 Union Carbide Corporation Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns
US4526769A (en) * 1983-07-18 1985-07-02 Motorola, Inc. Trichlorosilane production process
FR2572312B1 (fr) 1984-10-30 1989-01-20 Rhone Poulenc Spec Chim Procede de fabrication de barreaux de silicium ultra-pur
US4585643A (en) * 1985-05-31 1986-04-29 Union Carbide Corporation Process for preparing chlorosilanes from silicon and hydrogen chloride using an oxygen promoter
US5910295A (en) * 1997-11-10 1999-06-08 Memc Electronic Materials, Inc. Closed loop process for producing polycrystalline silicon and fumed silica
DE19860146A1 (de) 1998-12-24 2000-06-29 Bayer Ag Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan
DE10044794A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE10057522B4 (de) * 2000-11-21 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE10061682A1 (de) * 2000-12-11 2002-07-04 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
DE10062413A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-04 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE102005046105B3 (de) * 2005-09-27 2007-04-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Monosilan
RU2313485C2 (ru) * 2005-10-10 2007-12-27 Юрий Александрович Касаткин Способ получения моносилана

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008017304A1 (de) 2009-10-01
WO2009121558A3 (de) 2010-02-04
JP2011516376A (ja) 2011-05-26
CN102046529A (zh) 2011-05-04
EP2265546B1 (de) 2013-12-04
EP2265546A2 (de) 2010-12-29
CA2719858C (en) 2016-06-21
WO2009121558A9 (de) 2010-04-29
KR20110015527A (ko) 2011-02-16
WO2009121558A2 (de) 2009-10-08
CA2719858A1 (en) 2009-10-08
JP5632362B2 (ja) 2014-11-26
RU2503616C2 (ru) 2014-01-10
CN102046529B (zh) 2013-04-24
US20110262338A1 (en) 2011-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010142993A (ru) Способ и система для получения чистого кремния
JP2011516376A5 (ru)
CA2727442A1 (en) Method for removing boron-containing impurities from halogen silanes and apparatus for performing said method
JP5721848B2 (ja) 高次シランの選択的分解法
JP5879283B2 (ja) トリクロロシランの製造方法
KR101395275B1 (ko) 폐가스의 정제방법 및 정제장치
CN103253676B (zh) 一种三氯氢硅的制备方法
JP2013014504A (ja) ポリシリコンの製造法
CA2767176C (en) Method and system for producing monosilane
CN103180247A (zh) 制备三氯硅烷的方法
CN108467042B (zh) 电子级多晶硅的制备方法
RU2457178C1 (ru) Способ получения высокочистого моносилана и тетрахлорида кремния
US10207932B2 (en) Trichlorosilane purification system and method for producing polycrystalline silicon
JP5914240B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
WO2014100705A1 (en) Conserved off gas recovery systems and processes
WO2012013123A1 (en) Process and system for preparing silane from trichlorosilane
KR20170091623A (ko) 공정 배출가스 흐름 내에 함유된 클로로실란 혼합물로부터 헥사클로로디실란의 회수 방법
JP5742622B2 (ja) トリクロロシラン製造方法及び製造装置
WO2011024257A1 (ja) アミン化合物によるクロロシラン類の精製
CN103820852A (zh) 一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法
RU2008128297A (ru) Способ получения трихлорсилана
JPS643807B2 (ru)
CN106032275A (zh) 三氯氢硅合成工艺及系统
CN219291372U (zh) 一种电子级四甲基硅烷的制备装置
JP2009242238A (ja) 多結晶シリコンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210401