JP2011505246A5 - - Google Patents

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  1. 水素及びハロゲンを含むケイ素化合物を不均化するための触媒において、
    前記触媒が1つの担体材料と、少なくとも1つの線状、環状、分枝状、及び/又は架橋されたアミノアルキル官能性シロキサン及び/又はシラノールとを含み、この際、少なくとも1つのシロキサン又はシラノールが理想化された形態で一般式II
    Figure 2011505246
    [式中、Aはアミノアルキル基−(CH23−N(R12に相応し、
    1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
    2は相互に独立して水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又はYに相応し、かつ
    3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又は−OYに相応し、この際、Yは前記担体材料を表し、HWは酸であり、ここでWは無機又は有機の酸基に相応し、ただしa≧1はシラノールを表し、a≧2はシロキサンを表し、かつw≧0である]
    に相応することを特徴とする、触媒。
  2. 前記ケイ素化合物が、一般式III
    Figure 2011505246
    [式中、Xは相互に独立してフッ素、塩素、臭素、及び/又はヨウ素に相応し、かつ1≦n<(2m+2)、かつ1≦m≦12である]
    に相応することを特徴とする、請求項1に記載の触媒。
  3. 前記ケイ素化合物がHSiCl3、H2SiCl2、及び/又はH3SiClに相応することを特徴とする、請求項1又は2に記載の触媒。
  4. 前記シロキサン及び/又はシラノールが、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピル基、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピル基、及び/又は3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピル基から選択される少なくとも1つのアミノアルキル基を有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の触媒。
  5. 前記担体材料が、SiO2及び/又はゼオライトを含むことを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の触媒。
  6. Wが、ハロゲン化物、ケイ酸基、硫酸塩、及び/又はカルボン酸塩に相応することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の触媒。
  7. 請求項1から6までのいずれか1項に記載の触媒の製造方法において、
    1つの担体材料、及び一般式I
    Figure 2011505246
    [式中、Aはアミノアルキル基−(CH23−N(R12に相応し、かつ
    1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
    2は水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、又はイソ−プロピル基に相応し、かつ
    3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、及び/又はイソ−プロピル基に相応する]
    の少なくとも1つのアルコキシシランを、水及び/又は溶剤の存在下、並びに場合により酸を添加しながら加水分解し、かつ場合により縮合し、そして既に存在していた、又は反応の際に生じるアルコールを除去することを特徴とする、製造方法。
  8. 一般式Iのアルコキシシラン中で、
    1が、イソ−ブチル基、n−ブチル基、又はt−ブチル基に相応し、
    2がメチル基、エチル基、n−プロピル基、又はイソ−プロピル基に相応し、かつ
    4及びR3がメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、及び/又はイソプロポキシ基に相応することを特徴とする、請求項7に記載の方法。
  9. 前記アルコキシシランが、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジ−n−ブチルアミノ)プロピルトリエトキシシラン、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジ−t−ブチルアミノ)プロピルトリエトキシシラン、3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、又は3−(N,N−ジ−イソ−ブチルアミノ)プロピルトリエトキシシランに相応することを特徴とする、請求項7又は8に記載の方法。
  10. アルコキシシリル基に対して0.5〜50molの水が加水分解の際に存在していることを特徴とする、請求項7から9までのいずれか1項に記載の方法。
  11. 反応が、0〜150℃の間で行われることを特徴とする、請求項7から10までのいずれか1項に記載の方法。
  12. 前記触媒が質量定数まで乾燥されることを特徴とする、請求項7から11までのいずれか1項に記載の方法。
  13. 前記担体材料が、SiO2粒子又はSiO2成形体を有することを特徴とする、請求項7から12までのいずれか1項に記載の方法。
  14. 請求項7から13までのいずれか1項に記載の方法により得られる、触媒。
  15. 水素及びハロゲンを含むケイ素化合物の不均化のための、請求項1から14までのいずれか1項に記載の触媒の使用。
  16. 反応器内に存在する触媒を用いた、水素及びハロゲンを含むケイ素化合物の不均化のための方法において、
    1つの担体材料と、少なくとも1つの線状、環状、分枝状の及び/又は架橋されたアミノアルキル官能性シロキサン及び/又はシラノールとから成る触媒を、水素及びハロゲンを含むケイ素化合物と接触させ、
    この際、少なくとも1つのシロキサン又はシラノールが、理想化された形態で一般式II
    Figure 2011505246
    [式中、Aはアミノアルキル基−(CH23−N(R12に相応し、
    1は同一であるか又は異なっており、かつイソ−ブチル基、n−ブチル基、t−ブチル基、及び/又はシクロヘキシル基に相応し、
    2は相互に独立して水素、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、又はYに相応し、かつ
    3及びR4は相互に独立してヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソ−プロポキシ基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ−プロピル基、及び/又は−OYに相応し、この際、Yは前記担体材料を表し、HWは酸であり、ここでWは無機又は有機の酸基に相応し、ただしa≧1はシラノールを表し、a≧2はシロキサンを表し、かつw≧0である]
    に相応し、
    この際に、生成する反応混合物の少なくとも一部を後処理することを特徴とする、方法。
  17. 前記触媒に、反応器内で連続的に少なくとも1つの一般式III
    Figure 2011505246
    [式中、Xは相互に独立してフッ素、塩素、臭素、及び/又はヨウ素に相応し、かつ1≦n<(2m+2)であり、かつ1≦m≦12である]
    の不均化すべきケイ素化合物を流すことを特徴とする、請求項16に記載の方法。
  18. 前記ケイ素化合物がトリクロロシランであることを特徴とする、請求項16又は17に記載の方法。
  19. ジクロロシラン、モノクロロシラン、及び/又はモノシランが得られることを特徴とする、請求項16から18までのいずれか1項に記載の方法。
  20. 反応器に少なくとも1つの塔が配置されていることを特徴とする、請求項16から19までのいずれか1項に記載の方法。
  21. 生成する反応混合物の少なくとも一部を蒸留により後処理し、これによって比較的水素化されたケイ素化合物が易沸騰成分として塔頂で得られ、比較的塩化されたケイ素化合物が難沸騰成分として収容容器に蓄積され、かつ少なくとも1つの未反応のケイ素化合物が中沸点成分として塔で得られ、かつこの中沸点成分が、配置された反応器に新たに供給されることを特徴とする、請求項16から20までのいずれか1項に記載の方法。
  22. 前記触媒が、塔のあらゆる分離棚に配置されていることを特徴とする、請求項20又は21に記載の方法。
  23. 請求項1から14までのいずれか1項に記載の触媒を含む、水素及びハロゲンを含むケイ素化合物を不均化するための装置であって、
    当該装置は、塔の受け器(1.1)及び塔頂(1.2)を有する少なくとも1つの蒸留塔(1)、触媒床(3)を有する少なくとも1つの側方反応器(2)、少なくとも1つの出発原料投入(1.3)、生成物取り出し(1.4)、及び少なくとも1つのさらなる生成物取り出し(1.5若しくは1.8)を有し、この際、蒸留塔(1)に少なくとも1つの炉床(4)が備えられており、かつ少なくとも1つの側方反応器(2)が少なくとも3つの配管(5、6、7)を介して、
    蒸留塔(1)に通じる導管(5)の移行部が、炉床(4)から濃縮物を流出させるために、触媒床(3)の上端よりも高いところに位置するように、
    導管(6)が、側方反応器(2)から液相を排出するために、炉床(4)の下方で蒸留塔(1)に合流するように、かつ
    この合流部(6)が触媒床(3)の上端よりも低いところにあるように、並びに
    導管(7)が、連結している側方反応器(2)から気相を排出するために、炉床(4)の面より上方で蒸留塔(1)に通じているように、
    蒸留塔(1)と接続されており、この際に塔の受け器を加熱することができ、かつこの塔が冷却可能である、装置。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004037675A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Degussa Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid
DE102005041137A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007007874A1 (de) 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007014107A1 (de) 2007-03-21 2008-09-25 Evonik Degussa Gmbh Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme
DE102007048937A1 (de) * 2007-10-12 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen
DE102007050199A1 (de) * 2007-10-20 2009-04-23 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen
DE102007050573A1 (de) * 2007-10-23 2009-04-30 Evonik Degussa Gmbh Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102008054537A1 (de) * 2008-12-11 2010-06-17 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus Siliciumverbindungen durch Adsorption und/oder Filtration
DE102009027728A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Behandlung von Katalysator-Präkursoren
DE102009027730A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-27 Evonik Degussa Gmbh Verahren und Verwendung von aminofunktionellen Harzen zur Dismutierung von Halogensilanen und zur Entfernung von Fremdmetallen
DE102009053804B3 (de) 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
DE102010002342A1 (de) 2010-02-25 2011-08-25 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren
DE102010043649A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Spaltung höherer Silane
DE102010043648A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur selektiven Spaltung höherer Silane
DE102011002436A1 (de) * 2011-01-04 2012-07-05 Evonik Degussa Gmbh Hydrierung von Organochlorsilanen und Siliciumtetrachlorid
DE102011004058A1 (de) 2011-02-14 2012-08-16 Evonik Degussa Gmbh Monochlorsilan, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
CN103241743B (zh) * 2013-05-22 2015-07-22 黄国强 三氯氢硅直接歧化制备硅烷的反应精馏方法及设备
CN103449449B (zh) * 2013-08-30 2015-09-09 中国恩菲工程技术有限公司 制备三氯氢硅的方法及其设备
CN111659329B (zh) * 2019-03-07 2022-05-24 江西福特化工新材料有限公司 缩合反应装置
CN113651844B (zh) * 2021-08-20 2023-09-12 唐山偶联硅业有限公司 连续法制备二甲基氢氯硅烷的工艺

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2008A (en) * 1841-03-18 Gas-lamp eok conducting gas pkom ah elevated buhner to one below it
US358259A (en) * 1887-02-22 Halp to aaeon a- haepee
US2009A (en) * 1841-03-18 Improvement in machines for boring war-rockets
US403202A (en) * 1889-05-14 Xjohn s stewart macarthur
CA988275A (en) * 1970-12-17 1976-05-04 Carl J. Litteral Disproportionation of chlorosilicon hydrides
BE784818A (fr) * 1971-06-14 1972-12-13 Westinghouse Electric Corp Etalonnage du profil de deplacement de la position d'un entrainement par moteur
US3968199A (en) 1974-02-25 1976-07-06 Union Carbide Corporation Process for making silane
US4676967A (en) * 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
US4613491A (en) * 1984-05-17 1986-09-23 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Redistribution catalyst and methods for its preparation and use to convert chlorosilicon hydrides to silane
KR860000661B1 (ko) * 1984-05-17 1986-05-29 한국과학기술원 염화실란의 불균등화 반응촉매의 제조방법
DE3711444A1 (de) 1987-04-04 1988-10-13 Huels Troisdorf Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan
DE3712098A1 (de) * 1987-04-10 1988-10-20 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von disproportionierungsprodukten von dichlormethylsilan in gegenwart eines katalysators
DE3828549A1 (de) * 1988-08-23 1990-03-08 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur entfernung von silanverbindungen aus silanhaltigen abgasen
US5417938A (en) 1988-09-02 1995-05-23 Sulzer Brothers Limited Device for carrying out catalyzed reactions
DE3925357C1 (ja) * 1989-07-31 1991-04-25 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
DE4323406C2 (de) * 1993-07-13 2001-02-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen aus Methylchlordisilanen
DE4419270A1 (de) * 1994-06-01 1995-12-07 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Alkyl- oder Aryldichlorsilanen
EP0702017B1 (de) * 1994-09-14 2001-11-14 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von chloridarmen bzw. chloridfreien aminofunktionellen Organosilanen
DE19516386A1 (de) * 1995-05-04 1996-11-07 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Herstellung von an chlorfunktionellen Organosilanen armen bzw. freien aminofunktionellen Organosilanen
DE19520737C2 (de) * 1995-06-07 2003-04-24 Degussa Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen
DE19649023A1 (de) * 1996-11-27 1998-05-28 Huels Chemische Werke Ag Verfahren zur Entfernung von Restmengen an acidem Chlor in Carbonoyloxysilanen
DE19746862A1 (de) * 1997-10-23 1999-04-29 Huels Chemische Werke Ag Vorrichtung und Verfahren für Probenahme und IR-spektroskopische Analyse von hochreinen, hygroskopischen Flüssigkeiten
DE19847786A1 (de) * 1998-10-16 2000-04-20 Degussa Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters
DE19849196A1 (de) * 1998-10-26 2000-04-27 Degussa Verfahren zur Neutralisation und Minderung von Resthalogengehalten in Alkoxysilanen oder Alkoxysilan-basierenden Zusammensetzungen
EP0999214B1 (de) * 1998-11-06 2004-12-08 Degussa AG Verfahren zur Herstellung von chloridarmen oder chloridfreien Alkoxysilanen
DE19918114C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19918115C2 (de) * 1999-04-22 2002-01-03 Degussa Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen
DE19963433A1 (de) * 1999-12-28 2001-07-12 Degussa Verfahren zur Abscheidung von Chlorsilanen aus Gasströmen
DE10017168A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-11 Bayer Ag Verfahren und Anlage zur Herstellung von Silan
US6576588B2 (en) * 2000-04-07 2003-06-10 Catalytic Distillation Technologies Process for selective hydrogenation of alkynes and catalyst therefor
DE10057521B4 (de) 2000-11-21 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE10057519A1 (de) * 2000-11-21 2002-05-23 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE10057522B4 (de) * 2000-11-21 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silanen
DE10061680A1 (de) * 2000-12-11 2002-06-20 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Silan
DE10116007A1 (de) * 2001-03-30 2002-10-02 Degussa Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von im Wesentlichen halogenfreien Trialkoxysilanen
DE10330022A1 (de) * 2003-07-03 2005-01-20 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Iow-k dielektrischen Filmen
DE102004008442A1 (de) * 2004-02-19 2005-09-15 Degussa Ag Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips
DE102004025766A1 (de) * 2004-05-26 2005-12-22 Degussa Ag Herstellung von Organosilanestern
DE102004037675A1 (de) * 2004-08-04 2006-03-16 Degussa Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wasserstoffverbindungen enthaltendem Siliciumtetrachlorid oder Germaniumtetrachlorid
DE102004045245B4 (de) * 2004-09-17 2007-11-15 Degussa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen
EP1661628A1 (en) * 2004-11-25 2006-05-31 Total Petrochemicals Research Feluy Process for dispersing functional molecules on the surface of a support and support made by this process
RU2279403C1 (ru) * 2004-12-27 2006-07-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) Способ получения моносилана высокой чистоты
DE102005041137A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Degussa Ag Reaktor, Anlage und großtechnisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von hochreinem Siliciumtetrachlorid oder hochreinem Germaniumtetrachlorid
UA13211U (en) * 2005-10-10 2006-03-15 Yurii Oleksandrovych Kasatkin A method for producing monosilane
DE102006003464A1 (de) * 2006-01-25 2007-07-26 Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung
DE102007023759A1 (de) * 2006-08-10 2008-02-14 Evonik Degussa Gmbh Anlage und Verfahren zur kontinuierlichen industriellen Herstellung von Fluoralkylchlorsilan
DE102007007874A1 (de) * 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007014107A1 (de) * 2007-03-21 2008-09-25 Evonik Degussa Gmbh Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme
DE102007048937A1 (de) * 2007-10-12 2009-04-16 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von polaren organischen Verbindungen und Fremdmetallen aus Organosilanen
DE102007050199A1 (de) * 2007-10-20 2009-04-23 Evonik Degussa Gmbh Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen
DE102007050573A1 (de) * 2007-10-23 2009-04-30 Evonik Degussa Gmbh Großgebinde zur Handhabung und für den Transport von hochreinen und ultra hochreinen Chemikalien
DE102008004397A1 (de) * 2008-01-14 2009-07-16 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Verminderung des Gehaltes von Elementen, wie Bor, in Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
US20090197014A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-06 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research Apparatus and method for coating diamond on work pieces via hot filament chemical vapor deposition
DE102009053804B3 (de) * 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen

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