JP2011210904A5 - - Google Patents
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- 交互に配置された複数のドレイン領域および複数のソース領域と、前記複数のドレイン領域および複数のソース領域のうち隣り合うドレイン領域とソース領域の間に配置されたゲート電極と、前記複数のドレイン領域、前記複数のソース領域および前記ゲート電極の周囲に配置された基板コンタクトとを備えた、複数のトランジスタが一体化した構造を有するＥＳＤ保護用のＭＯＳトランジスタにおいて、
前記複数のドレイン領域は外部接続端子と電気的に接続され、
前記複数のソース領域はグランド電位供給ラインと電気的に接続されており、
前記複数のドレイン領域の各々に形成されたサリサイド金属と直近のゲート電極との距離が、前記基板コンタクトのうちで最も近くにある基板コンタクトからの位置に応じて、前記位置が遠くなるほど前記距離が短く形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記複数のドレイン領域上のコンタクトが各々のドレイン領域において複数列ある場合において、前記サリサイド金属の端と前記コンタクトを形成しているコンタクトホールとの距離が一定になるように前記コンタクトホールが配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
- 交互に配置された複数のドレイン領域および複数のソース領域と、前記複数のドレイン領域および複数のソース領域のうち隣り合うドレイン領域とソース領域の間に配置されたゲート電極と、前記複数のドレイン領域、前記複数のソース領域および前記ゲート電極の周囲に配置された基板コンタクトとを備えた、複数のトランジスタが一体化した構造を有するＥＳＤ保護用のＭＯＳトランジスタにおいて、
前記複数のドレイン領域は外部接続端子と電気的に接続され、
前記複数のソース領域はグランド電位供給ラインと電気的に接続されており、
前記複数のドレイン領域の各々に形成されたサリサイド金属と直近のゲート電極との距離が、前記外部端子からの位置に応じて、前記位置が遠くなるほど前記距離が短く形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記複数のドレイン領域上のコンタクトが各々のドレイン領域において複数列ある場合において、前記サリサイド金属の端と前記コンタクトを形成しているコンタクトホールとの距離が一定になるように前記コンタクトホールが配置されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
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