TWI575756B - 顯示面板 - Google Patents

顯示面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI575756B
TWI575756B TW104101041A TW104101041A TWI575756B TW I575756 B TWI575756 B TW I575756B TW 104101041 A TW104101041 A TW 104101041A TW 104101041 A TW104101041 A TW 104101041A TW I575756 B TWI575756 B TW I575756B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
distance
metal layer
layer
display panel
edge
Prior art date
Application number
TW104101041A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201626577A (zh
Inventor
顏崇紋
梁馨宜
李淂裕
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Priority to TW104101041A priority Critical patent/TWI575756B/zh
Priority to US14/750,170 priority patent/US9543334B2/en
Priority to KR1020150116026A priority patent/KR101820206B1/ko
Priority to JP2016003142A priority patent/JP6809687B2/ja
Publication of TW201626577A publication Critical patent/TW201626577A/zh
Priority to US15/361,057 priority patent/US10170501B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI575756B publication Critical patent/TWI575756B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)

Description

顯示面板
本揭露係有關於薄膜電晶體及其顯示面板，且特別係有關於一種具有金屬層之薄膜電晶體及其顯示面板。
液晶顯示裝置近年來已經被大量應用在各式各樣產品的顯示元件上。液晶顯示裝置係利用液晶分子在不同排列狀態下，對於光線具有不同的偏振或折射效果的特性來控制光線的穿透量，進而使液晶顯示裝置得以產生影像。傳統扭轉向列型(Twisted Nematic，TN)液晶顯示裝置，具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子結構與光學特性的影響，相對其視角非常狹窄。
為了解決此問題，近來業者已開發出其它種形態的廣視角液晶顯示裝置，例如平面電場切換(In-Plane Switching，簡稱IPS)液晶顯示裝置以及邊緣電場切換(Fringe-Field Switching，簡稱FFS)液晶顯示裝置等具有廣視角的液晶顯示裝置。然而，上述顯示裝置仍可能有耐久性不佳，產品壽命短的問題。
因此，業界亟須一種可更進一步提升耐久性及產品壽命之顯示裝置。
本揭露提供一種顯示面板，包括：基板，包括顯示 區及相鄰顯示區之非顯示區，其中非顯示區包括至少一薄膜電晶體，其中薄膜電晶體包括：半導體層，設於基板上；第一絕緣層，設於半導體層上；第一金屬層，設於第一絕緣層上；第二絕緣層，設於第一金屬層上；第一開口排(via hole series)及第二開口排，分別設於第一金屬層之兩側，第一開口排包括多個第一開口，而第二開口排包括多個第二開口，且第一開口及第二開口依序貫穿第二絕緣層、第一絕緣層並露出半導體層之表面；第二金屬層，設於第二絕緣層上，其中第二金屬層包括第一部分及第二部分，分別設於第一金屬層之兩側，其中第一部分對應第一開口排，且填入多個第一開口以電性連接至半導體層，而第二部分對應第二開口排，且填入多個第二開口以電性連接至半導體層，其中第二金屬層之第一部分的邊緣至第一金屬層之邊緣的最短距離為第一距離，第二金屬層之第二部分的邊緣至第一金屬層之邊緣的最短距離為第二距離，第二距離大於第一距離。
本揭露更提供一種顯示面板，包括：一彩色濾光片基板，與基板相對設置；液晶層，設於基板與彩色濾光片基板之間。
為讓本揭露之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
10‧‧‧薄膜電晶體基板
20‧‧‧基板
30‧‧‧顯示區
40‧‧‧非顯示區
50‧‧‧次畫素
50C‧‧‧次畫素欄
50R‧‧‧次畫素列
60‧‧‧閘極驅動電路
70‧‧‧源極驅動電路
80‧‧‧線路
90‧‧‧線路
100‧‧‧主動元件
100A‧‧‧主動元件
100B‧‧‧主動元件
200‧‧‧主動元件
202‧‧‧基板
204‧‧‧緩衝層
206‧‧‧半導體層
206S‧‧‧表面
208‧‧‧第一絕緣層
210‧‧‧第一金屬層
210E‧‧‧邊緣
212‧‧‧第二絕緣層
214‧‧‧第一開口
214S‧‧‧第一開口排
216‧‧‧第二開口
216S‧‧‧第二開口排
218‧‧‧第二金屬層
218A‧‧‧第一部分
218AE‧‧‧邊緣
218B‧‧‧第二部分
218BE‧‧‧邊緣
300‧‧‧主動元件
306‧‧‧半導體層
310‧‧‧第一金屬層
310A‧‧‧第一分支部
310B‧‧‧第二分支部
314‧‧‧第一開口
314S‧‧‧第一開口排
316‧‧‧第二開口
316S‧‧‧第二開口排
318‧‧‧第二金屬層
318A‧‧‧第一部分
318B‧‧‧第二部分
400‧‧‧主動元件
402‧‧‧基板
404‧‧‧緩衝層
406‧‧‧半導體層
406S‧‧‧表面
408‧‧‧第一絕緣層
410‧‧‧第一金屬層
410A‧‧‧第一分支部
410AE‧‧‧邊緣
410B‧‧‧第二分支部
410BE‧‧‧邊緣
412‧‧‧第二絕緣層
414‧‧‧第一開口
414S‧‧‧第一開口排
416‧‧‧第二開口
416S‧‧‧第二開口排
417‧‧‧第三開口
417S‧‧‧第三開口排
418‧‧‧第二金屬層
418A‧‧‧第一部分
418AE‧‧‧邊緣
418B‧‧‧第二部分
418BE‧‧‧邊緣
418C‧‧‧第三部分
418CE‧‧‧邊緣
500‧‧‧顯示面板
502‧‧‧薄膜電晶體基板
504‧‧‧彩色濾光片基板
506‧‧‧液晶層
600‧‧‧顯示裝置
602‧‧‧背光模組
A1‧‧‧方向
A2‧‧‧方向
E1‧‧‧弧形端部
E2‧‧‧弧形端部
E3‧‧‧弧形端部
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D3‧‧‧距離
D4‧‧‧距離
D5‧‧‧距離
D6‧‧‧距離
D7‧‧‧距離
L2‧‧‧長度
L3‧‧‧長度
L4‧‧‧長度
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
CH2‧‧‧通道
2B-2B‧‧‧線段
4B-4B‧‧‧線段
第1圖係本揭露實施例之薄膜電晶體基板之上視圖。
第2A圖係本揭露一實施例之設於非顯示區之主動元件的上 視圖。
第2B圖係沿著第2A圖之線段2B-2B所繪製之剖面圖。
第3圖係本揭露另一實施例之設於非顯示區之主動元件的上視圖。
第4A圖係本揭露另一實施例之設於非顯示區之主動元件的上視圖。
第4B圖係沿著第4A圖之線段4B-4B所繪製之剖面圖。
第5圖係本揭露實施例之顯示面板之剖面圖。
第6圖係本揭露實施例之顯示裝置之剖面圖。
以下針對本揭露之薄膜電晶體及其顯示面板作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式儘為簡單描述本揭露。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」 時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖示的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖示的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。
在此，「約」、「大約」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內。在此給定的數量為大約的數量，意即在沒有特定說明的情況下，仍可隱含「約」、「大約」之含義。
本揭露實施例係將非顯示區中的薄膜電晶體的源極至閘極之距離設為與汲極至閘極之距離不同，以提升顯示裝置之耐久性及產品壽命。
首先，參見第1圖，該圖係本揭露實施例之薄膜電晶體基板10的上視圖。如第1圖所示，薄膜電晶體基板10包括一基板20。此基板20可為透明基板，例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板。且此基板20包括顯示區30及相鄰顯示區30之非顯示區40。顯示區30係指薄膜電晶體基板10中設有包括電晶體之畫素顯示的區域，而此電晶體例如可為薄膜電晶體。而非顯示區40即為薄膜電晶體基板10中除顯示區30外之其它區域。在此實施例中，非顯示區40係包圍顯示區30。
如第1圖所示，此顯示區30中設有多個次畫素50，而非顯示區40中設有閘極驅動電路60以及源極驅動電路70。此閘極 驅動電路60係用以提供掃描脈衝訊號至顯示區30之次畫素50，而此源極驅動電路70係用以提供源極訊號至顯示區30之次畫素50，並配合上述掃描脈衝訊號一同控制設於顯示區30內之各個次畫素50以產生影像。
詳細而言，閘極驅動電路60與源極驅動電路70中可設有至少一主動元件100，例如設於閘極驅動電路60中的主動元件100A以及設於源極驅動電路70中的主動元件100B。此主動元件100可為薄膜電晶體。在顯示影像時，設於閘極驅動電路60中的主動元件100A透過線路80同時提供掃描脈衝訊號至多個次畫素50，例如同時提供掃描脈衝訊號至一次畫素列50R中的所有次畫素50，而設於源極驅動電路70中的主動元件100B透過線路90同時提供源極訊號至多個次畫素50，例如同時提供源極訊號至一次畫素行50C中的所有次畫素50。
參見第2A圖及第2B圖，此兩圖繪示本揭露之一實施例之主動元件200。第2A圖係為此主動元件200的上視圖，而第2B圖係沿著第2A圖之線段2B-2B所繪製之剖面圖。此主動元件200係設於薄膜電晶體基板之非顯示區。更詳細而言，此的主動元件200可設於第1圖之薄膜電晶體基板10之非顯示區40的閘極驅動電路60及/或源極驅動電路70中。在一實施例中，此主動元件200可為薄膜電晶體。
上述主動元件200包括設於基板202上之緩衝層204，以及設於此緩衝層204上之半導體層206。此基板202即為第1圖所示之基板20，其可為透明基板，例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板。上述緩衝層204可提升 半導體層206之薄膜品質。此緩衝層204之材料可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述之組合。上述半導體層206可包括單晶結構、多晶結構或非晶結構的矽或鍺之元素半導體；非晶矽(amorphous silicon)、多晶矽(polycrystalline silicon)、氧化銦鎵鋅(Indium galliurm zinc oxide)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(silicon carbide)、砷化鎵(gallium arsenic)、磷化鎵(gallium phosphide)、磷化銦(indium phosphide)、砷化銦(indium arsenide)或銻化銦(indium antimonide)等化合物半導體；SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP或GaInAsP等合金半導體或其它適合的材料及/或上述組合。
此外，此主動元件200更包括設於半導體層206上之第一絕緣層208、設於此第一絕緣層208上之第一金屬層210、以及設於此第一金屬層210上之第二絕緣層212。
此第一絕緣層208係作為閘極介電層，其材料可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介電常數(high-k)介電材料、或其它任何適合之介電材料、或上述之組合。此高介電常數(high-k)介電材料之材料可為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬矽化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬矽化物、金屬的氮氧化物、金屬鋁酸鹽、鋯矽酸鹽、鋯鋁酸鹽。例如，此高介電常數(high-k)介電材料可為LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta2O5、Y2O3、SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、BaZrO、HfO2、HfO3、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO3(BST)、Al2O3、其它適當材料之其它高介電常數介電材料、或上述組合。此閘極介電層可藉由化學氣相沉積法(CVD) 或旋轉塗佈法形成，此化學氣相沉積法例如可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。
此第一金屬層210係作為閘極電極，其材料可包括但不限於銅(copper)、鋁(aluminum)、鉬(molybdenum)、鎢(tungsten)、鈦(titanium)、鉭(tantalum)、鉑(platinum)或鉿(hafnium)。此閘極電極之材料可藉由前述之化學氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沉積方式形成。
上述第二絕緣層212係作為第一金屬層210(閘極電極)與後續第二金屬層218(作為源極及/或汲極電極)之間的層間介電層，其材料可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介電常數(high-k)介電材料、或其它任何適合之介電材料、或上述之組合。在一較佳實施例中，此第二絕緣層212具有平坦的上表面。此第二絕緣層212可使用前述化學氣相沉積法(CVD)形成。
繼續參見第2A及2B圖，主動元件200更包括一第一開口排(via hole series)214S及一第二開口排216S。此第一開口排214S及第二開口排216S分別鄰設於第一金屬層210之兩側(或稱設於此第一金屬層之第一分支部之兩側)，且第一開口排214S包括多個第一開口214，而第二開口排216S包括多個第二開口216。此第一開口214及第二開口216依序貫穿第二絕緣層212、第一絕緣層 208並露出半導體層206之表面206S，如第2B圖所示。此第一開口214及第二開口216係以第一絕緣層208之側壁、第二絕緣層212之側壁及半導體層206之表面206S定義。且如第2A圖所示，多個第一開口214之間係彼此等距排列，而多個第二開口216之間亦彼此等距排列。
繼續參見第2A及2B圖，主動元件200更包括設於第二絕緣層212上且填入上述第一開口214及第二開口216之第二金屬層218。詳細而言，此第二金屬層218包括第一部分218A及第二部分218B。此第一部分218A及第二部分218B係分別設於第一金屬層210之兩側(或稱設於此第一金屬層之第一分支部之兩側)，且可分別作為源極電極與汲極電極。例如，在一實施例中，第一部分218A係作為源極電極，而第二部分218B係作為汲極電極。然而，在其它實施例中，第一部分218A係作為汲極電極，而此時第二部分218B係作為源極電極。此外，設於第二金屬層218(作為閘極電極)下之半導體層206於第二金屬層218之第一部分218A及第二部分218B(作為源極電極與汲極電極)之間具有一通道CH2，此通道CH2之長度為長度L2。
繼續參見第2A及2B圖，第二金屬層218之第一部分218A係對應第一開口排214S設置，且填入多個第一開口214以電性連接至半導體層206。而第二金屬層218之第二部分218B係對應第二開口排216S設置，且填入多個第二開口216以電性連接至半導體層206。詳細而言，第二金屬層218之第一部分218A係覆蓋第一開口214中第一絕緣層208之側壁、第二絕緣層212之側壁及半導體層206之表面206S，而第二部分218B亦覆蓋第二開口216中第一 絕緣層208之側壁、第二絕緣層212之側壁及半導體層206之表面206S。且此第二金屬層218之第一部分218A及第二部分218B皆未完全填滿第一開口214及第二開口216。然而，需注意的是，在其它實施例中，第二金屬層218之第一部分218A及第二部分218B亦可完全填滿第一開口214及第二開口216，本揭露之範圍並不以第2A-2B圖所示之實施例為限。
繼續參見第2A及2B圖，第二金屬層218之第一部分218A的邊緣218AE至第一金屬層210之邊緣210E的最短距離為距離D1，第二金屬層218之第二部分218B的邊緣218BE至第一金屬層210之邊緣210E的最短距離為距離D2，距離D2大於距離D1。如第2B圖所示，距離D2比距離D1長出的距離為距離D3。易言之，距離D2為距離D1加上距離D3(D2=D1+D3)。
需注意的是，由於第二金屬層218對應開口之部分的寬度(亦即寬度W1與寬度W3)與其對應兩個開口之間的部分的寬度(亦即寬度W2與寬度W4)具有一寬度差(亦即W2-W1或W4-W3)，故第2A圖之距離D1、D2與第2B圖之距離D1、D2實際上亦具有此寬度差(亦即W2-W1或W4-W3)。然而，由於此寬度差遠小於距離D1與距離D2，故在此假設第2A圖之距離D1、D2與第2B圖之距離D1、D2大抵相等，以方便說明本案特徵。
繼續參見第2A圖，該圖中作為閘極電極之第一金屬層210之長軸延伸方向為A1，而與此方向A1垂直之方向為方向A2。而上述最短距離D1係指於方向A2上，邊緣218AE至邊緣210E之最短距離。同理，上述最短距離D2係指於方向A2上，邊緣218BE至另一邊緣210E之最短距離。更詳細而言，將邊緣218AE與邊緣 210E投影至基板202上，而此兩個投影於方向A2上之最短距離即為上述距離D1。同理，將邊緣218BE與邊緣210E投影至基板202上，而此兩個投影於方向A2上之最短距離即為上述距離D2。
本揭露藉由拉長通道CH2一個距離D3，增加裝置之電阻並降低電流量，使裝置產生的溫度降低，來提升顯示裝置之耐久性及產品壽命。在實施上述的作法上，僅拉長第二部分218A與第一金屬層210之間一個距離D3而第一部分218B與第一金屬層210之間的距離保持不變，可進一步降低熱載子效應，對提升顯示裝置之耐久性與壽命上有相當的幫助。
上述距離D2比距離D1長約0.1μm至1.0μm(亦即距離D3)，例如長約0.2μm至0.7μm。需注意的是，若此長度差(亦即距離D3)太大，例如大於1.0μm，則會過度提高裝置之電阻，使裝置之整體性能下降。然而，若此長度差(亦即距離D3)太小，例如小於0.1μm，則無法有效降低裝置之電流量。
繼續參見第2A圖，第二金屬層218之第一部分218A的邊緣218AE至第二部分218B的邊緣218BE之最短距離為距離D4，且距離D4小於第一開口排214S之長度L3。詳細而言，上述距離D4係指於方向A2上，第二金屬層218之第一部分218A的邊緣218AE至第二部分218B的邊緣218BE之最短距離。或者更詳細而言，將邊緣218AE與邊緣218BE投影至基板202上，而此兩個投影於方向A2上之最短距離即為上述距離D4。而上述第一開口排214S之長度L3係指於第一金屬層210之長軸延伸方向為A1上，第一開口排214S中最遠兩第一開口214之邊緣之間相隔的最大距離。同理，上述距離D4亦小於第二開口排216S之長度L4。長度L4之定義 與上述長度L3類似，故在此不再次贅述。
此外，如第2A圖所示，第一金屬層210具有弧形端部E1，第二金屬層218之第一部分218A具有弧形端部E2，而第二金屬層218之第二部分218B亦具有弧形端部E3。此弧形端部可避免靜電荷累積在金屬尖端，能夠減少主動元件200遭到靜電荷炸傷的機率。
此外，第二金屬層218之第一部分218A對應第一開口214之部分的寬度W1小於其對應兩個第一開口214之間的部分的寬度W2。同理，第二金屬層218之第二部分218B對應第二開口216之部分的寬度W3亦小於其對應兩個第二開口216之間的部分的寬度W4。此寬度變化可更進一步平均分散第二金屬層218中的電流，故可更進一步提升裝置之壽命。
應注意的是，雖然上述第1-2B圖所示之實施例中作為閘極電極之第一金屬層僅具有單一長條型電極，然而此第一金屬層亦可具有多個長條型電極，如以下第3圖之實施例所示。故第1-2B圖所示之實施例僅為說明之用，本揭露之範圍並不以此為限。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
參見第3圖，第3圖為本揭露另一實施例之設於非顯示區之主動元件300的上視圖。第3圖所示之實施例與前述第1-2B圖之實施例之差別在於第一金屬層310包括第一分支部310A及第二分支部310B。此第一分支部310A鄰近第二金屬層318之第一部分318A，而第二分支部310B鄰近第二金屬層318之第二部分 318B。且第一金屬層310之第一分支部310A至第二金屬層318之第一部分318A的最短距離即為上述距離D1，而第一金屬層310之第二分支部310B至第二金屬層318之第二部分318B的最短距離即為上述距離D2。此外，第一金屬層310之第一分支部310A及第二分支部310B之間未設有第二金屬層318。上述包括第一分支部310A及第二分支部310B之第一金屬層310可對其下之通道具有更佳之控制能力。
應注意的是，雖然上述第1-3圖所示之實施例中作為源極及/或汲極電極之第二金屬層僅具有兩個部分，然而此第二金屬層亦可具有三個部分，如以下第4A-4B圖之實施例所示。故第1-3圖所示之實施例僅為說明之用，本揭露之範圍並不以此為限。
參見第4A-4B圖，第4A圖為本揭露另一實施例之設於非顯示區之主動元件400的上視圖，而第4B圖係沿著第4A圖之線段4B-4B所繪製之剖面圖。第4A-4B圖所示之實施例與前述第1-3圖之實施例之差別在於主動元件400之第二金屬層418包括第一部分418A、第二部分418B及第三部分418C，且此主動元件400具有三個開口排。
詳細而言，此主動元件400可於基板402上依序設有緩衝層404、半導體層406、第一絕緣層408、第一金屬層410、第二絕緣層412。此第一金屬層410包括第一分支部410A及第二分支部410B，且第一分支部410A及第二分支部410B彼此電性連接，如第4A圖所示。
此外，主動元件400更包括第一開口排(via hole series)414S、第二開口排416S及第三開口排417S。此第一開口排 414S係鄰設於第一金屬層410之第一分支部410A外側，此第三開口排417S係鄰設於第一分支部410A與第二分支部410B之間，而此第二開口排416S係鄰設於第一金屬層410之第二分支部410B外側，如第4A圖所示。此外，此第一開口排414S包括多個第一開口414，第二開口排416S包括多個第二開口416，第三開口排417S包括多個第三開口417，此第一開口414、第二開口416及第三開口417皆依序貫穿第二絕緣層412、第一絕緣層408並露出半導體層406之表面406S。
繼續參見第4A-4B圖，主動元件400更包括設於第二絕緣層412上且填入第一開口414、第二開口416及第三開口417之第二金屬層418。詳細而言，此第二金屬層418包括第一部分418A、第二部分418B及第三部分418C，依序對應上述第一開口排414S、第二開口排416S及第三開口排417S設置。且第二金屬層418之第一部分418A、第二部分418B及第三部分418C依序填入第一開口414、第二開口416及第三開口417中以電性連接至半導體層406。
在此主動元件400中，上述第一金屬層410係作為主動元件400之閘極電極。上述第二金屬層418之第一部分418A及第二部分418B係作為主動元件400之源極電極或汲極電極的其中之一，而第二金屬層418之第三部分418C係作為源極電極或汲極電極之另一。例如，在一實施例中，第一部分418A及第二部分418B係作為此主動元件400之源極電極，而此時第三部分418C則作為汲極電極。然而，在其它實施例中，第一部分418A及第二部分418B係作為此主動元件400之汲極電極，而此時第三部分418C則作為源極電極。
如第4A-4B圖所示，第二金屬層418之第一部分418A的邊緣418AE至第一金屬層410之第一分支部410A的邊緣410AE的最短距離為距離D1，第二金屬層418之第三部分418C的邊緣418CE至第一金屬層410之第一分支部410A的邊緣410AE的最短距離為距離D5，此距離D5大於距離D1。
同理，第二金屬層418之第三部分418C的邊緣418CE至第一金屬層410之第二分支部410B的邊緣410BE的最短距離為距離D6，第二金屬層418之第二部分418B的邊緣至第一金屬層410之第二分支部410B的邊緣410BE的最短距離為距離D2，此距離D2大於距離D6，且距離D5大於距離D6。上述距離D5比距離D1大約0.1μm至1.0μm(亦即距離D7)，例如大約0.2μm至0.7μm。
需注意的是，由於第二金屬層418對應開口之部分的寬度與其對應兩個開口之間的部分的寬度具有一寬度差，故第4A圖之距離D1、D2、D5及D6與第4B圖之距離D1、D2、D5及D6實際上亦具有此寬度差。然而，由於此寬度差遠小於距離D1、D2、D5及D6，故在此假設第4A圖之距離D1、D2、D5及D6與第4B圖之距離D1、D2、D5及D6大抵相等，以方便說明本案特徵。
此外，應注意的是，上述距離D1、距離D2之詳細定義與第2A-2B圖之實施例之距離D1及距離D2類似，故在此並不再贅述。
本揭露藉由拉長通道一個距離D7，增加裝置之電阻並降低電流量，使裝置產生的溫度降低，來提升顯示裝置之耐久性及產品壽命。在實施上述的作法上，僅拉長第二金屬層418之第三部分418C與第一金屬層410之第一分支部410A之間一個距離D7 而第一金屬層410之第一部分418A與第一金屬層之第一分支部410A之間的距離保持不變，可進一步降低熱載子效應，對提升顯示裝置之耐久性與壽命上有相當的幫助。同樣的，僅拉長第二金屬層418之第二部分418B與第一金屬層410之第二分支部分410B之間一個距離D7而第二金屬層418之第三部分418C與第一金屬層410之第二分支部410B之間的距離保持不變，也可達到降低熱載子效應的效果。
此外，主動元件400中源極-閘極間電容較佳與汲極-閘極間電容相等。例如，在一實施例中，第二金屬層418之第一部分418A及第二部分418B係作為源極電極，而第三部分418C係作為汲極電極。而包括第一分支部410A及第二分支部410B之第一金屬層410係作為閘極電極。
此第一部分418A(作為源極電極)與第一分支部410A(作為閘極電極)之間具有第一源極-閘極間電容，而此第二部分418B(作為源極電極)與第二分支部410B(作為閘極電極)之間具有第二源極-閘極間電容。而第二金屬層418之第三部分418C(作為汲極電極)與第一分支部410A及第二分支部410B(作為閘極電極)之間分別具有第一汲極-閘極間電容與第二汲極-閘極間電容。而上述第一源極-閘極間電容與第二源極-閘極間電容之總和較佳和第一汲極-閘極間電容與第二汲極-閘極間電容之總和相等。
使主動元件400中源極-閘極間電容與汲極-閘極間電容相等可提升裝置性能。詳細而言，由於源極與汲極僅由電極間的電流方向定義，因此上述第二金屬層418之第一部分418A、第二部分418B、及第三部分418C皆可作為源極或是汲極。因此，使 主動元件400中源極-閘極間電容與汲極-閘極間電容相等可使上述第一部分418A、第二部分418B、及第三部分418C在源極與汲極之間轉換時不會因不同之電容值而造成誤差，並可提升裝置性能。
此外，本揭露亦提供以包括上述主動元件之薄膜電晶體基板之顯示面板。參見第5圖，該圖係本揭露實施例之顯示面板500之剖面圖。如第5圖所示，顯示面板500包括薄膜電晶體基板502、上基板504、以及設於此薄膜電晶體基板502與上基板504之間的顯示介質層506。在本揭露實施例中，顯示面板500為液晶顯示面板，上基板504為彩色濾光片基板，顯示介質層506係為液晶層。在本揭露另一實施例中，顯示面板500為有機發光顯示面板，上基板504為透明基板，顯示介質層506係為有機發光層。在本揭露又一實施例中，顯示面板500為有機發光顯示面板，上基板504為彩色濾光片基板，顯示介質層506係為有機發光層。
此薄膜電晶體基板502可於非顯示區設有上述第2A圖及第2B圖之實施例中的主動元件200、第3圖之實施例中的主動元件300或是第4A-4B圖之實施例中的主動元件400。而此彩色濾光片基板504可包括一透明基板以及設於此透明基板上之彩色濾光層(未繪示)。此彩色濾光層可為紅色濾光層、綠色濾光層、藍色濾光層、或其它任何適合之彩色濾光層。此液晶層506可為向列型液晶(nematic)、層列型液晶(smectic)、膽固醇液晶(cholesteric)、藍相液晶(Blue phase)或其它任何適合之液晶材料。
由於薄膜電晶體基板502中的主動元件200、300或400可增加裝置之電阻並降低電流量，使裝置產生的溫度降低，並降低熱載子效應，故此顯示面板500可具有更佳之耐久性及產品壽 命。
此外，本揭露亦提供以此顯示面板製造之顯示裝置。參見第6圖，該圖係本揭露實施例之顯示裝置600之剖面圖。如第6圖所示，顯示裝置600包括背光模組602以及設於此背光模組602上之顯示面板500。此背光模組602可為發光二極體背光模組或其它任何適合之背光模組。需知悉的是，若顯示面板500為有機發光顯示面板，則背光模組亦可省去。由於顯示面板500中的主動元件可增加裝置之電阻並降低電流量，使裝置產生的溫度降低，並降低熱載子效應，因此顯示裝置600可具有更佳之耐久性及產品壽命。
綜上所述，本揭露實施例係將非顯示區中的薄膜電晶體的源極至閘極之距離設為與汲極至閘極之距離不同，故可增加裝置之電阻並降低電流量，使裝置產生的溫度降低，並降低熱載子效應，因此可提升顯示裝置之耐久性及產品壽命。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構 成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
200‧‧‧主動元件
206‧‧‧半導體層
210‧‧‧第一金屬層
210E‧‧‧邊緣
214‧‧‧第一開口
214S‧‧‧第一開口排
216‧‧‧第二開口
216S‧‧‧第二開口排
218‧‧‧第二金屬層
218A‧‧‧第一部分
218AE‧‧‧邊緣
218B‧‧‧第二部分
218BE‧‧‧邊緣
A1‧‧‧方向
A2‧‧‧方向
2B-2B‧‧‧線段
E1‧‧‧弧形端部
E2‧‧‧弧形端部
E3‧‧‧弧形端部
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D4‧‧‧距離
L3‧‧‧長度
L4‧‧‧長度
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度

Claims (17)

  1. 一種顯示面板，包括：一基板，包括一顯示區及相鄰該顯示區之一非顯示區；一薄膜電晶體，位於該基板之該非顯示區上；其中該薄膜電晶體包括：一半導體層，位於該基板上；一第一絕緣層，位於該半導體層上；一第一金屬層，位於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上；一第一開口排及一第二開口排，分別鄰設於該第一金屬層之兩側，該第一開口排包括多個第一開口，而該第二開口排包括多個第二開口，且該多個第一開口及該多個第二開口係以該第一絕緣層之側壁、該第二絕緣層之側壁及該半導體層之表面定義；一第二金屬層，位於該第二絕緣層上，其中該第二金屬層包括一第一部分及一第二部分，其中該第一部分通過該多個第一開口以電性連接至該半導體層，而該第二部分通過該多個第二開口以電性連接至該半導體層，其中該第一部分的邊緣至該第一金屬層之一邊緣的最短距離為一第一距離，該第二部分的邊緣至該第一金屬層之另一邊緣的最短距離為一第二距離，該第二距離大於該第一距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二距離比該第一距離大約0.1μm至1.0μm之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二金屬層之該第一部分的邊緣至該第二部分的邊緣之最短距離為一第三距離，且該第三距離小於該第一開口排之長度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一金屬層具有一弧形端部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二金屬層對應該第一開口之部分的寬度小於該第二金屬層對應兩個該第一開口之間的部分的寬度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該多個第一開口彼此等距排列，該多個第二開口彼此等距排列。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一金屬層包括一第一分支部和一第二分支部，其中該第一分支部鄰近該第二金屬層之該第一部分，而該第二分支部鄰近該第二金屬層之該第二部分。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中該第一金屬層之該第二分支部具有一弧形端部。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中該第一金屬層之該第一分支部及該第二分支部彼此電性連接。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中該第一分支部至該第二金屬層之該第一部分的最短距離為該第一距離，而該第二分支部至該第二金屬層之該第二部分的最短距離為該第二距離。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該顯示面板更包括一第三開口排，位於該第一金屬層之該 第一分支部和該第二分支部之間，且該第三開口排包括多個第三開口，該多個第三開口係以該第一絕緣層之側壁、該第二絕緣層之側壁及該半導體層之表面定義；該第二金屬層更包括一第三部分，且該第三部分通過該多個第三開口以電性連接至該半導體層，其中該第三部分的邊緣至該第一分支部的一邊緣的最短距離為一第三距離，該第三部分的邊緣至該第二分支部的一邊緣的最短距離為一第四距離，該第三距離大於該第四距離。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中該第三距離比該第四距離大約0.1μm至1.0μm之間。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中該第二距離大於該第四距離，且該第三距離大於該第一距離。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中該第二金屬層之該第二部分的邊緣至該第三部分的邊緣之最短距離為一第五距離，且該第五距離小於該第三開口排之長度。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中該第二金屬層對應該第三開口之部分的寬度小於該第二金屬層對應兩個該第三開口之間的部分的寬度。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一彩色濾光片基板；一液晶層，位於該基板與該彩色濾光片基板之間。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一上基板；一有機發光層，位於該基板與該上基板之間。
TW104101041A 2015-01-13 2015-01-13 顯示面板 TWI575756B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104101041A TWI575756B (zh) 2015-01-13 2015-01-13 顯示面板
US14/750,170 US9543334B2 (en) 2015-01-13 2015-06-25 Display panel
KR1020150116026A KR101820206B1 (ko) 2015-01-13 2015-08-18 디스플레이 패널
JP2016003142A JP6809687B2 (ja) 2015-01-13 2016-01-12 表示パネル
US15/361,057 US10170501B2 (en) 2015-01-13 2016-11-24 Display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104101041A TWI575756B (zh) 2015-01-13 2015-01-13 顯示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201626577A TW201626577A (zh) 2016-07-16
TWI575756B true TWI575756B (zh) 2017-03-21

Family

ID=56368072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104101041A TWI575756B (zh) 2015-01-13 2015-01-13 顯示面板

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9543334B2 (zh)
JP (1) JP6809687B2 (zh)
KR (1) KR101820206B1 (zh)
TW (1) TWI575756B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016212251A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US10571758B2 (en) * 2018-01-05 2020-02-25 Innolux Corporation Display device
CN116314292A (zh) * 2019-12-12 2023-06-23 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200709725A (en) * 2005-08-16 2007-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method of manufacturing an AMOLED
US20070284578A1 (en) * 2006-05-22 2007-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and method of testing
US20110241219A1 (en) * 2008-12-24 2011-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201415639A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 低溫多晶矽薄膜電晶體、其製備方法及顯示裝置
US20140145179A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Samsung Display Co., Ltd. Tft, method of manufacturing the tft, and method of manufacturing organic light emitting display device including the tft

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0888369A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置
JP3111918B2 (ja) * 1997-02-05 2000-11-27 日本電気株式会社 半導体集積回路
US6465842B2 (en) * 1998-06-25 2002-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba MIS semiconductor device and method of fabricating the same
JP4798322B2 (ja) * 2001-01-26 2011-10-19 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP4662647B2 (ja) * 2001-03-30 2011-03-30 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100857132B1 (ko) * 2001-12-06 2008-09-05 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100635045B1 (ko) 2002-10-07 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US7285902B2 (en) * 2003-04-17 2007-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display with improved white balance
KR100536234B1 (ko) 2003-11-24 2005-12-12 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
JP5046565B2 (ja) * 2005-06-10 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101451580B1 (ko) * 2008-06-24 2014-10-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
JP5529607B2 (ja) * 2010-03-29 2014-06-25 セイコーインスツル株式会社 半導体装置
KR101712204B1 (ko) 2010-08-30 2017-03-03 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
JP5917060B2 (ja) * 2011-09-21 2016-05-11 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置
CN204536697U (zh) 2015-01-13 2015-08-05 群创光电股份有限公司 显示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200709725A (en) * 2005-08-16 2007-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method of manufacturing an AMOLED
US20070284578A1 (en) * 2006-05-22 2007-12-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and method of testing
US20110241219A1 (en) * 2008-12-24 2011-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201415639A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 低溫多晶矽薄膜電晶體、其製備方法及顯示裝置
US20140145179A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Samsung Display Co., Ltd. Tft, method of manufacturing the tft, and method of manufacturing organic light emitting display device including the tft

Also Published As

Publication number Publication date
US10170501B2 (en) 2019-01-01
US20170077145A1 (en) 2017-03-16
US9543334B2 (en) 2017-01-10
JP6809687B2 (ja) 2021-01-06
JP2016130851A (ja) 2016-07-21
KR20160087330A (ko) 2016-07-21
US20160204124A1 (en) 2016-07-14
TW201626577A (zh) 2016-07-16
KR101820206B1 (ko) 2018-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201704961A (zh) 觸控顯示裝置
US20210013235A1 (en) Semiconductor device and display device
US10162200B1 (en) Electro-optic phase modulator and method of manufacturing the same
US20160133754A1 (en) Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel having the same
TWI575756B (zh) 顯示面板
TWI584468B (zh) 主動矩陣基板及液晶顯示裝置
TWI590423B (zh) 顯示裝置
WO2019134177A1 (zh) 显示面板和显示装置
TWI614556B (zh) 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置
US20170062622A1 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
KR102346679B1 (ko) 디스플레이 장치
US10600817B2 (en) Thin film transistor and flat display device
US20140253854A1 (en) Liquid crystal display
CN110262144B (zh) 显示面板
CN204536697U (zh) 显示面板
KR101939223B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그를 이용한 표시장치
US10381487B2 (en) Thin film transistor
US10431693B2 (en) Array substrate and display panel
US10304958B2 (en) Thin film transistor substrate and display panel using the same
TWI589974B (zh) 液晶顯示器面板及其畫素單元的製備方法
US20190043990A1 (en) Thin film transistor
KR102263253B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 표시장치
US20170373014A1 (en) Display device and active element substrate