JP2011195927A - 電子材料用銅合金及びその製造方法 - Google Patents
電子材料用銅合金及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011195927A JP2011195927A JP2010066397A JP2010066397A JP2011195927A JP 2011195927 A JP2011195927 A JP 2011195927A JP 2010066397 A JP2010066397 A JP 2010066397A JP 2010066397 A JP2010066397 A JP 2010066397A JP 2011195927 A JP2011195927 A JP 2011195927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper alloy
- less
- plating
- grain size
- crystal grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 6
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000000027 scanning ion microscopy Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】本発明はめっき膜の均一性に優れた電子材料用銅合金を提供する。
【解決手段】圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲において非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の占める面積率が１％以下であり、表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒の占める面積率が５０％以上である電子材料用銅合金。
【選択図】図１
【解決手段】圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲において非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の占める面積率が１％以下であり、表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒の占める面積率が５０％以上である電子材料用銅合金。
【選択図】図１
Description
本発明は優れためっき性が要求される電子材料として適した銅合金及びその製造方法に関する。
電子機器に使用される銅合金おいては、電気的性質や磁気的性質などのめっき膜自身の物性を利用した機能材料めっきのほか、ワイヤボンディングやプリント基板実装のための接合めっきが施される。例えば、端子、コネクタ、スイッチ、リレー等の導電性ばね材には接触抵抗、半田付け性及び挿抜性などの改善を目的としてＮｉめっき、Ｃｕめっき及びＳｎめっきなどが施され、リードフレームにはワイヤボンディングのためのＡｇめっき及びＣｕめっき、基板実装のための半田めっきなどが施される。
コルソン合金やリン青銅などのいくつかの種類の銅合金においては、表面にめっきを施したときにめっき膜が不均一に形成されることがある（図２）。このようなめっき膜表面を高倍率の顕微鏡で観察すると、めっき膜が薄い箇所において島状の窪み（以下、「島状めっき」という。）が見える（図３）。めっき膜が不均一だと外観上の問題の他、めっき膜によって与えられる各種機能が十分に発揮できないという問題が生じる。
ところで、一般に鋳造後、熱処理、熱間圧延、冷間圧延及びバフ研磨を適宜組み合わせて製造する銅合金においては表層に加工変質層と呼ばれる内部とは異なる層が存在する。加工変質層は最外部にある非晶質組織のペルビー層と、その内側にある微細結晶層とで構成される。結晶粒は内部に行くに従い徐々に大きくなり、やがて母相の結晶粒と同等の大きさとなる。
従来、加工変質層がめっき性に悪影響を及ぼすことが知られており、めっき前に予め加工変質層を除去することが行われてきた。
例えば、特開平１１−２９８９４号公報（特許文献１）においては、加工変質層がめっき膜と母材の密着性を阻害することから、苛性ソーダ水などのアルカリ水溶液での電解エッチング処理によって表面の加工変質層（３０〜４０μｍ程度の厚み）を除去した後にニッケルめっきを行うべきことが記載されている。
特開２００６−２２３３号公報（特許文献２）には、曲げ加工などでめっき層に割れが生じない、成形加工性に優れた被めっき物を提供することを目的として、加工変質層を除去することが記載されており、加工変質層を除去する方法として硫酸、硝酸、塩酸、過酸化水素水、フッ酸などの酸による溶解法、電解液中での通電溶解法、スパッタリング法、エッチング法などが記載されている。
特開２００７−３９８０４号公報（特許文献３）には、めっきの異常析出や酸化膜密着性の低下を生じない、めっき性に優れた電子機器用銅合金の提供を目的として、表層の加工変質層（非晶質〜結晶粒径０．２μｍ未満の組織）の厚さを０．２μｍ以下に制御した電子機器用銅合金が記載されている。ここでの加工変質層の厚さは、拡大観察の視野内において加工変質層が最も厚い位置の厚さを計測し、５ヶ所の観察箇所における計測値の平均である。加工変質層は化学的な溶解処理や電気化学的な溶解処理、スパッタリングなどの物理的処理によって除去されることが記載されており、その実施例では硫酸と過酸化水素水の混酸への浸漬、水素還元雰囲気の加熱炉における熱処理、リン酸を含有する水溶液中での電解溶解によって加工変質層を除去したことが記載されている。
先行技術文献には、めっき膜と母材の密着性やめっきの異常析出を抑制する目的で加工変質層を除去することが記載されているが、めっき膜の均一性については未だ改善の余地がある。そこで、本発明はめっき膜の均一性に優れた電子材料用銅合金を提供することを課題とする。また、本発明はそのような電子材料用銅合金の製造方法を提供することを別の課題とする。
本発明者は上記課題を解決するべく鋭意研究したところ、加工変質層を完全に除去するよりもむしろ加工変質層の内、ベルビー層だけを除去し、微細結晶層は所定厚さだけ残存させる方がめっき膜の均一性が向上することを見出した。具体的には、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒がめっき膜の均一性向上に寄与することから、この範囲の粒径を有する結晶粒を一定の比率以上有する層を所定の厚さだけ残存させることが重要であることを見出した。
上記知見を基礎として完成した本発明は一側面において、圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲において非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の占める面積率が１％以下であり、表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める個数割合が５０％以上である電子材料用銅合金である。
本発明に係る電子材料用銅合金の一実施形態においては、圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．２μｍ未満の範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める個数割合が６０％以上である。
本発明に係る電子材料用銅合金の別の一実施形態においては、銅合金はりん青銅、チタン銅又はコルソン合金である。
本発明は別の一側面において、銅合金基材の表面に対して、＃６００〜８０００の番手を有する研磨材で研磨を実施する工程１と、次いで、０．０１〜０．５μｍの粒度（ｄ５０）をもつ研磨材で研磨を実施する工程２とを含む電子材料用銅合金の製造方法である。
本発明に係る電子材料用銅合金の製造方法の一実施形態においては、工程１で使用する研磨材がシリコンカーバイド製であり、工程２で使用する研磨材が酸化アルミ又はコロイダルシリカ製である。
本発明に係る電子材料用銅合金の製造方法の一実施形態においては、工程１及び工程２の研磨をバフ研磨により実施する。
本発明は更に別の一側面において、本発明に係る銅合金の表面にめっき膜を設けた被めっき物である。
本発明に係る被めっき物の一実施形態においては、めっき膜はＮｉ、Ｓｎ及びＡｇの何れか一種以上を含有する。
本発明によれば、銅合金表面に施しためっき膜の均一性が向上し、島状めっきが低減される。
＜１．銅合金の組成＞
本発明は各種の組成を有する銅合金に対して適用でき、特に制限はないが、島状めっきが問題となりやすいりん青銅、コルソン合金、黄銅、洋白及びチタン銅に対して好適に適用できる。
本発明は各種の組成を有する銅合金に対して適用でき、特に制限はないが、島状めっきが問題となりやすいりん青銅、コルソン合金、黄銅、洋白及びチタン銅に対して好適に適用できる。
本発明においては、リン青銅とは銅を主成分としてＳｎ及びこれよりも少ない質量のＰを含有する銅合金のことをいう。一例として、りん青銅はＳｎを３．５〜１１質量％、Ｐを０．０３〜０．３５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
本発明においては、コルソン合金とはＳｉと化合物を形成する元素（例えば、Ｎｉ，Ｃｏ及びＣｒの何れか一種以上）が添加され、母相中に第二相粒子として析出する銅合金のことをいう。一例として、コルソン合金はＮｉを１．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．３質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。別の一例として、コルソン合金はＮｉを１．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．３質量％、Ｃｒを０．０３〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを１．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを１．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％、Ｃｒを０．０３〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＳｉを０．２〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
コルソン合金には随意にその他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｂ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ａｌ及びＦｅ）が添加されてもよい。これらその他の元素は総計で２．０質量％程度まで添加するのが一般的である。例えば、更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを１．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．３質量％、Ｓｎを０．０１〜２．０質量％、Ｚｎを０．０１〜２．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
コルソン合金には随意にその他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｂ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ａｌ及びＦｅ）が添加されてもよい。これらその他の元素は総計で２．０質量％程度まで添加するのが一般的である。例えば、更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを１．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．３質量％、Ｓｎを０．０１〜２．０質量％、Ｚｎを０．０１〜２．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
本発明においては、黄銅とは、銅と亜鉛との合金で、特に亜鉛が２０質量％以上含有する銅合金のことをいう。
本発明においては、洋白とは銅を主成分として、銅を６０質量％から７５質量％、ニッケルを８．５質量％から１９．５質量％、亜鉛を１０質量％から３０質量％含有する銅合金のことをいう。
本発明においては、チタン銅とは銅を主成分としてＴｉを１．０質量％〜４．０質量％含有する銅合金のことをいう。一例として、チタン銅はＴｉを１．０〜４．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。別の一例として、チタン銅はＴｉを１．０〜４．０質量％、Ｆｅを０．０１〜１．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
＜２．断面組織＞
本発明に係る銅合金の圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察すると以下の特徴的な組織形態を有する。
本発明に係る銅合金の圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察すると以下の特徴的な組織形態を有する。
まず、非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の微細結晶粒は除去すべきである。このような組織は「島状めっき」の原因となり、めっき膜の均一性に悪影響を与えるからである。
具体的には、表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲において非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の占める面積率が１％以下であり、０．５％以下が好ましく、０％がより好ましい。表層から０．５μｍまでの深さについて規定したのは、それよりも深い箇所ではめっき膜の均一性に対する影響が少ないからである。当該面積率は、以下の方法で測定する。具体的には、表層から深さ方向に０．５μｍ、幅方向に１５μｍの測定領域を設定し、粒径０．１μｍ以上の結晶粒にマーキングを行い、マーキングを行った結晶粒とそれ以外の組織、すなわち非晶質組織及び粒径０．１μｍ未満の結晶粒とを画像処理により２値化して区別する。これにより、測定視野面積全体に対する非晶質組織及び０．１μｍ未満の結晶粒が占める面積率を算出する。５視野の平均値を測定値とする。
一方、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満である結晶粒はめっき膜の均一性の向上に寄与するので積極的に残存させるべきである。当該範囲の粒径は従来の知見では微細結晶層を構成する結晶粒に属することから、除去することが望ましいとされていたが、本発明者の研究によれば、むしろめっき膜の均一性を高めるために積極的に形成させることが望ましい。また、このサイズの結晶粒まで除去してしまうと、残存するのは更に大きなサイズの結晶粒となるが、このような大きなサイズの結晶粒もやはりめっき膜の均一性にほとんど寄与しない。
そこで、本発明に係る銅合金の一実施形態においては、表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒の占める個数割合が５０％以上であり、この個数割合は更に高いことが望ましく、例えば５０〜９０％とすることができる。しかしながら、当該粒径範囲の結晶粒の残存割合を高めようとすると非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の微細結晶粒の割合も徐々に高くなってしまい、めっき膜の均一性向上効果が薄れてくる。そこで、好ましい個数割合は８０％以下であり、より好ましくは７０％以下である。
また、本発明に係る銅合金の別の一実施形態においては、表層からの深さが０．２μｍ未満の範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶の占める個数割合が６０％以上であり、この個数割合は更に高いことが望ましく、例えば６０〜９０％とすることができる。しかしながら、上記と同様の理由により、あまり高くするとめっき膜の均一性向上効果が薄れてくるので、好ましい個数割合は９０％以下であり、より好ましくは８０％以下である。
本発明においては、各深さ範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶の占める個数割合を以下の方法で測定する。まず、測定対象となる銅合金の圧延平行断面をＦＩＢにて切断することで、断面を露出した後、倍率を８０００〜１５０００倍として断面をＳＩＭ観察する。次いで、表層から０．２μｍ未満の深さ範囲と、表層から０．２〜０．５μｍの深さ範囲とに分けて、視野中に存在するすべての結晶粒の粒径を１個ずつ測定し、粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶の占める個数割合を算出する。これを合計で５視野について行う。視野の枠を横切って一部しか見えない粒子はカウントしない。５視野の平均値を測定値とする。
本発明において、結晶粒の個々の粒径は、結晶粒内を横断することのできる深さ方向に最も長い線分と、深さ方向に直角な方向に最も長い線分の平均値として定義する。
本発明において、結晶粒の個々の粒径は、結晶粒内を横断することのできる深さ方向に最も長い線分と、深さ方向に直角な方向に最も長い線分の平均値として定義する。
また、本発明においては、上記個数割合は得られた測定値を端数処理し、５％刻みで表示することとする。例えば、測定値が４７．５％以上５２．５％未満のときは５０％と表示する。従って、下限値が５０％と設定されている場合に、測定値が４８．２％、５０．０％、５１．２％であれば何れも本発明の範囲に入る。
＜３．製造方法＞
本発明に係る銅合金は、鋳造後、熱処理、熱間圧延及び冷間圧延等の慣例の手段を組み合わせて所望の組成を有する銅合金基材を製造した後、所定の表面処理を実施することで製造することができる。
本発明に係る銅合金は、鋳造後、熱処理、熱間圧延及び冷間圧延等の慣例の手段を組み合わせて所望の組成を有する銅合金基材を製造した後、所定の表面処理を実施することで製造することができる。
表面処理の前には、素材表面に付着している油脂性の汚れを除去して清浄する理由により、脱脂及び酸洗を行うことが望ましい。脱脂方法としては、特に制限はないが、アルカリ脱脂、溶剤脱脂、電解脱脂の方法が挙げられる。酸洗の方法としては、特に制限はないが、硫酸を含有する酸洗槽に一定時間浸漬させる。
表面処理は、銅合金基材の表面に対して、＃６００〜８０００の番手を有する研磨材で研磨を実施する工程１と、次いで、０．０１〜０．２μｍの粒度を有する研磨材で研磨を実施する工程２とを含む。
工程１は加工変質層を形成することを目的としている。加工変質層は慣例の手段によって銅合金を製造する過程でも多少は形成されるが、工程１によって十分な厚みの加工変質層を形成することが望ましい。粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒を十分な深さ範囲で存在させるためである。加工変質層を形成するのに有効な研磨材の番手は、ＪＩＳ６００１（１９９８）に規定する＃６００〜＃８０００の範囲であり、＃１２００〜＃４０００の範囲が好ましく、＃１５００〜＃３０００の範囲がより好ましい。工程１で使用する研磨材の材質としては限定的ではないが、例えばシリコンカーバイド、酸化アルミ、ダイヤモンド等が挙げられ、上記番手の規定内であれば特に限定されない。
工程２では工程１で作り込んだ加工変質層から最外部のベルビー層（本発明では非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の微細結晶粒に相当する）を除去することを目的としている。加工変質層からベルビー層を選択的に除去するのに有効な研磨材の粒度は、レーザ回折散乱法により測定して、ｄ５０が０．０１〜０．５μｍの範囲であり、０．０５〜０．４μｍの範囲が好ましく、０．１〜０．３μｍの範囲がより好ましい。０．１μｍよりも大きな粒度では粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒まで容易に除去されてしまう。工程２で使用する研磨材の材質としては限定的ではないが、小さい粒度を有することから酸化アルミニウム又はコロイダルシリカが好ましい。
工程１及び工程２の研磨はバフ研磨により実施することが好ましい。本発明において、バフ研磨とは、研磨材をペースト状や懸濁液（スラリー）にして研磨布にしみ込ませて行う研磨のことを指し、バフの回転動作の有無を問わないが、研磨精度を高めて粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒の分布を均一化する上ではバフを高速回転させながら銅合金基板に一定圧力で押し当てて行うことが望ましい。
工程１及び工程２の間には、第２の研磨でベルビー層のみを除去しやすくするために酸洗を実施してもよい。ただし、この時点での酸洗は硫酸、好ましくは濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸を使用することが望ましい。硫酸と過酸化水素の混酸だと、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒まで容易に除去してしまうからである。
＜４．めっきの種類＞
本発明に係る銅合金に対しては各種のめっきを施すことができ、その種類に特に制限はない。例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ等のめっきを施すことができる。中でも、Ｎｉは島状めっきが形成されやすいため、本発明を特に好適使用することができる。従って、本発明の一実施形態においては、めっき膜はＮｉ、Ｓｎ及びＡｇの何れか一種以上を含有する。
本発明に係る銅合金に対しては各種のめっきを施すことができ、その種類に特に制限はない。例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ等のめっきを施すことができる。中でも、Ｎｉは島状めっきが形成されやすいため、本発明を特に好適使用することができる。従って、本発明の一実施形態においては、めっき膜はＮｉ、Ｓｎ及びＡｇの何れか一種以上を含有する。
めっき方法としては、特に制限はないが、例えば電気めっきや無電解めっきのような湿式めっき、或いはＣＶＤやＰＶＤのような乾式めっきにより得ることができる。生産性、コストの観点から電気めっきが好ましい。
＜５．用途＞
本発明に係る銅合金は種々の伸銅品、例えば板、条、管、棒及び線に加工された形態で提供されることができ、リードフレーム、コネクタ、ピン、端子、リレー、スイッチ、二次電池用箔材等の電子部品等に好適に使用することができる。
本発明に係る銅合金は種々の伸銅品、例えば板、条、管、棒及び線に加工された形態で提供されることができ、リードフレーム、コネクタ、ピン、端子、リレー、スイッチ、二次電池用箔材等の電子部品等に好適に使用することができる。
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
表１に示す組成の銅合金を鋳造後、熱処理、熱間圧延及び冷間圧延を適宜繰り返して厚さ０．１ｍｍの銅合金板をそれぞれ製造した。これらの銅合金板に対してアルカリ脱脂により脱脂し、次いで１００ｇ／Ｌの硫酸を含有する酸洗槽に浸漬することにより酸洗した後、表１に記載の手順で表面処理を行った。表１中、「バフ研磨（１）」では、研磨材としてシリコンカーバイドを使用した。「酸洗」における「硫酸」は濃度１００ｇ／Ｌの硫酸に試験板を１０秒間浸漬させる処理であり、「混酸」は硫酸を１００ｇ／Ｌ、過酸化水素を１０ｇ／Ｌ含む水溶液に試験版を１０秒間浸漬させる処理である。「バフ研磨（２）」の「＃３０００」は研磨材としてシリコンカーバイドを使用した。バフ研磨（２）で使用した研磨材の粒度（ｄ５０）は、（株）島津製作所製レーザ回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−２１００を用いて測定した。
表面処理後の銅合金板に対して、先述した方法により、
Ａ）表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲における非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の面積率、
Ｂ）表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める面積率、及び
Ｃ）表層からの深さが０．２μｍ未満の範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める面積率
を求めた。
表中、ＢとＣの値に関しては、測定値を端数処理し、５％刻みとした値を記載してある。例えば、６２．５％以上６７．５％未満は６５％として記載した。
その後、以下の条件でＮｉめっきを行った。
表面処理後の銅合金板に対して、先述した方法により、
Ａ）表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲における非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の面積率、
Ｂ）表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める面積率、及び
Ｃ）表層からの深さが０．２μｍ未満の範囲において粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める面積率
を求めた。
表中、ＢとＣの値に関しては、測定値を端数処理し、５％刻みとした値を記載してある。例えば、６２．５％以上６７．５％未満は６５％として記載した。
その後、以下の条件でＮｉめっきを行った。
＜Ｎｉめっき条件＞
浴組成： ＮｉＳＯ4−６Ｈ2Ｏ ２８０ｇ／Ｌ
めっき条件： 電流密度：５Ａ／ｄｍ2
めっき時間：１５ｓ
浴組成： ＮｉＳＯ4−６Ｈ2Ｏ ２８０ｇ／Ｌ
めっき条件： 電流密度：５Ａ／ｄｍ2
めっき時間：１５ｓ
その後、各めっき表面の光学顕微鏡写真（倍率：×１００、視野面積０．１５ｍｍ2）を撮影し、島状めっきの面積率を測定観察した。評価は下記の通りである。
Ｓ：島状めっきなし
Ａ：島状めっきの面積率が１０％以下
Ｂ：島状めっきの面積率が１０％を超えて２０％以下
Ｃ：島状めっきの面積率が２０％を超えて５０％以下
Ｄ：島状めっきの面積率が５０％を越える
健全部と島状めっき部とを画像解析装置により２値化し、島状めっきの面積率を算出する。
Ｓ：島状めっきなし
Ａ：島状めっきの面積率が１０％以下
Ｂ：島状めっきの面積率が１０％を超えて２０％以下
Ｃ：島状めっきの面積率が２０％を超えて５０％以下
Ｄ：島状めっきの面積率が５０％を越える
健全部と島状めっき部とを画像解析装置により２値化し、島状めっきの面積率を算出する。
結果を表１に記載する。図１はＮｏ．１４のめっき表面のＳＥＭ写真である。
表１より、本発明に係る銅合金Ｎｏ．１〜２７は島状めっきが低減され、均一めっき性に優れていることが分かる。
一方、比較例Ｎｏ．２８、３３、３５、３７、３９、４１、４３、４５、４７、４９、５１及び５３では、バフ研磨を行っていないため、加工変質層自体が形成されなかった。そのため、優れためっき性が得られなかった。
比較例Ｎｏ．２９、３４、３６、３８、４０、４２、４４、４６、４８、５０、５２及び５４では、一回目のバフ研磨は行ったため、加工変質層は形成されたものの、それを除去しなかったため、ベルビー層が残存した。その結果、優れためっき性が得られなかった。
比較例Ｎｏ．３０は一回目のバフ研磨で形成した加工変質層を強力な酸洗で除去してしまったため、ベルビー層のみならず、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒までも過剰に除去されてしまった。その結果、発明例と比較してめっき性が劣った。
比較例Ｎｏ．３１は一回目のバフ研磨で形成した加工変質層を強力な酸洗で除去した上、２回目のバフ研磨も行ったことから、ベルビー層のみならず、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒までも完全に除去されてしまった。その結果、発明例と比較してめっき性が劣った。
比較例Ｎｏ．３２は一回目のバフ研磨で形成した加工変質層を強力な酸洗で除去し、改めて一回目と同様のバフ研磨を行った。その結果、比較例２９と同様の特性となった。
一方、比較例Ｎｏ．２８、３３、３５、３７、３９、４１、４３、４５、４７、４９、５１及び５３では、バフ研磨を行っていないため、加工変質層自体が形成されなかった。そのため、優れためっき性が得られなかった。
比較例Ｎｏ．２９、３４、３６、３８、４０、４２、４４、４６、４８、５０、５２及び５４では、一回目のバフ研磨は行ったため、加工変質層は形成されたものの、それを除去しなかったため、ベルビー層が残存した。その結果、優れためっき性が得られなかった。
比較例Ｎｏ．３０は一回目のバフ研磨で形成した加工変質層を強力な酸洗で除去してしまったため、ベルビー層のみならず、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒までも過剰に除去されてしまった。その結果、発明例と比較してめっき性が劣った。
比較例Ｎｏ．３１は一回目のバフ研磨で形成した加工変質層を強力な酸洗で除去した上、２回目のバフ研磨も行ったことから、ベルビー層のみならず、粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒までも完全に除去されてしまった。その結果、発明例と比較してめっき性が劣った。
比較例Ｎｏ．３２は一回目のバフ研磨で形成した加工変質層を強力な酸洗で除去し、改めて一回目と同様のバフ研磨を行った。その結果、比較例２９と同様の特性となった。
Claims (8)
- 圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．５μｍ以下の範囲において非晶質組織及び粒径が０．１μｍ未満の結晶粒の占める面積率が１％以下であり、表層からの深さが０．２〜０．５μｍの範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める個数割合が５０％以上である電子材料用銅合金。
- 圧延平行方向の断面をＳＩＭで観察したときに、表層からの深さが０．２μｍ未満の範囲において粒径が０．１μｍ以上の結晶粒全体に対して粒径が０．１μｍ以上０．２μｍ未満の結晶粒が占める個数割合が６０％以上である請求項１記載の電子材料用銅合金。
- 銅合金はりん青銅、チタン銅又はコルソン合金である請求項１又は２記載の電子材料用銅合金。
- 銅合金基材の表面に対して、＃６００〜８０００の番手を有する研磨材で研磨を実施する工程１と、次いで、０．０１〜０．５μｍの粒度（ｄ５０）をもつ研磨材で研磨を実施する工程２とを含む電子材料用銅合金の製造方法。
- 工程１で使用する研磨材がシリコンカーバイド製であり、工程２で使用する研磨材が酸化アルミ又はコロイダルシリカ製である請求項４記載の製造方法。
- 工程１及び工程２の研磨をバフ研磨により実施する請求項４又は５記載の製造方法。
- 請求項１〜３何れか一項記載の銅合金の表面にめっき膜を設けた被めっき物。
- めっき膜がＮｉ、Ｓｎ及びＡｇの何れか一種以上を含有する請求項７記載の被めっき物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010066397A JP4629154B1 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
| TW100109511A TWI429763B (zh) | 2010-03-23 | 2011-03-21 | Copper alloy for electronic materials and method for manufacturing the same |
| CN201180015302.0A CN102803574B (zh) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 电子材料用铜合金及其制备方法 |
| KR1020127020755A KR101335201B1 (ko) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 전자 재료용 구리 합금 및 그 제조 방법 |
| EP11759455.6A EP2551384A4 (en) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | Copper alloy for electronic material and method of manufacture for same |
| PCT/JP2011/057026 WO2011118650A1 (ja) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
| MX2012010887A MX2012010887A (es) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | Aleacion de cobre para material electronico y metodo de manufactura del mismo. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010066397A JP4629154B1 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP4629154B1 JP4629154B1 (ja) | 2011-02-09 |
| JP2011195927A true JP2011195927A (ja) | 2011-10-06 |
Family
ID=43638543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010066397A Active JP4629154B1 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2551384A4 (ja) |
| JP (1) | JP4629154B1 (ja) |
| KR (1) | KR101335201B1 (ja) |
| CN (1) | CN102803574B (ja) |
| MX (1) | MX2012010887A (ja) |
| TW (1) | TWI429763B (ja) |
| WO (1) | WO2011118650A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013119639A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金板 |
| JP2015017286A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 三菱伸銅株式会社 | 光沢度に優れためっき付き銅合金板 |
| JP2015129321A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | 三菱伸銅株式会社 | Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板の製造方法 |
| JP2016128600A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき層を有するチタン銅 |
| JP2016211078A (ja) * | 2016-07-26 | 2016-12-15 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 |
| WO2017038825A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 古河電気工業株式会社 | 耐熱性に優れためっき材及びその製造方法 |
| JP2018070938A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4831552B1 (ja) * | 2011-03-28 | 2011-12-07 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金板 |
| JP6085536B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-02-22 | 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ | 銅条、めっき付銅条、リードフレーム及びｌｅｄモジュール |
| JP6265125B2 (ja) | 2013-08-14 | 2018-01-24 | 三菱ケミカル株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法、および反射防止物品の製造方法 |
| JP6662685B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-03-11 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき層を有するチタン銅箔 |
| JP6271626B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2018-01-31 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき層を有するチタン銅箔 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002356726A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-12-13 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高強度チタン銅合金及びその製造法並びにそれを用いた端子・コネクター |
| JP2007039804A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-02-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金及びその製造方法 |
| JP2008223106A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ベアボンディング性に優れるリードフレーム用銅合金及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5516415A (en) * | 1993-11-16 | 1996-05-14 | Ontario Hydro | Process and apparatus for in situ electroforming a structural layer of metal bonded to an internal wall of a metal tube |
| JP3550482B2 (ja) | 1997-07-09 | 2004-08-04 | 三島光産株式会社 | 連続鋳造に用いる鋳型片のめっき方法 |
| FR2781922B1 (fr) * | 1998-07-31 | 2001-11-23 | Clariant France Sa | Procede de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau a base de cuivre |
| JP2006002233A (ja) | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 成形加工性に優れた被めっき物 |
| US7946022B2 (en) * | 2005-07-05 | 2011-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy for electronic machinery and tools and method of producing the same |
| CN100560797C (zh) * | 2007-12-28 | 2009-11-18 | 天津大学 | 一种在紫铜表面制备纳米厚度的薄膜表面的方法 |
| US20100316879A1 (en) * | 2008-02-08 | 2010-12-16 | Kuniteru Mihara | Copper alloy material for electric/electronic components |
| CN101509850A (zh) * | 2009-03-20 | 2009-08-19 | 北京科技大学 | 一种制备电铸铜金相样品及显示组织的方法 |
-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010066397A patent/JP4629154B1/ja active Active
-
2011
- 2011-03-21 TW TW100109511A patent/TWI429763B/zh active
- 2011-03-23 KR KR1020127020755A patent/KR101335201B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-23 MX MX2012010887A patent/MX2012010887A/es active IP Right Grant
- 2011-03-23 CN CN201180015302.0A patent/CN102803574B/zh active Active
- 2011-03-23 EP EP11759455.6A patent/EP2551384A4/en not_active Withdrawn
- 2011-03-23 WO PCT/JP2011/057026 patent/WO2011118650A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002356726A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-12-13 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高強度チタン銅合金及びその製造法並びにそれを用いた端子・コネクター |
| JP2007039804A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-02-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金及びその製造方法 |
| JP2008223106A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ベアボンディング性に優れるリードフレーム用銅合金及びその製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013119639A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金板 |
| JP2015017286A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 三菱伸銅株式会社 | 光沢度に優れためっき付き銅合金板 |
| JP2015129321A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | 三菱伸銅株式会社 | Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板の製造方法 |
| JP2016128600A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき層を有するチタン銅 |
| US10092970B2 (en) | 2015-01-09 | 2018-10-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Titanium-copper alloy having plating layer |
| WO2017038825A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 古河電気工業株式会社 | 耐熱性に優れためっき材及びその製造方法 |
| JPWO2017038825A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-11-02 | 古河電気工業株式会社 | 耐熱性に優れためっき材及びその製造方法 |
| KR20180044886A (ko) * | 2015-09-01 | 2018-05-03 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 내열성이 우수한 도금재 및 그 제조방법 |
| KR102503365B1 (ko) | 2015-09-01 | 2023-02-24 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 내열성이 우수한 도금재 및 그 제조방법 |
| JP2016211078A (ja) * | 2016-07-26 | 2016-12-15 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 |
| JP2018070938A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX2012010887A (es) | 2012-12-17 |
| TWI429763B (zh) | 2014-03-11 |
| CN102803574B (zh) | 2015-09-02 |
| KR101335201B1 (ko) | 2013-11-29 |
| WO2011118650A1 (ja) | 2011-09-29 |
| EP2551384A4 (en) | 2017-07-19 |
| JP4629154B1 (ja) | 2011-02-09 |
| TW201139703A (en) | 2011-11-16 |
| KR20120114341A (ko) | 2012-10-16 |
| CN102803574A (zh) | 2012-11-28 |
| EP2551384A1 (en) | 2013-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4629154B1 (ja) | 電子材料用銅合金及びその製造方法 | |
| KR101336495B1 (ko) | 전자기기용 석출형 구리합금의 제조방법 | |
| TWI330202B (en) | Copper alloy sheet material for electric and electronic parts | |
| JP2007039804A (ja) | 電子機器用銅合金及びその製造方法 | |
| JP5468423B2 (ja) | 高強度高耐熱性銅合金材 | |
| KR20090016485A (ko) | Ｃｕ-Ｎｉ-Ｓｉ 계 합금 | |
| JP2007039804A5 (ja) | ||
| JPWO2015146981A1 (ja) | 銅合金板材、コネクタ、および銅合金板材の製造方法 | |
| WO2011019042A1 (ja) | 電気電子部品用銅合金材料 | |
| US20130004793A1 (en) | Copper alloy for electronic material and method of manufacture for same | |
| JP5587935B2 (ja) | Ｓｎめっき材 | |
| JP2007254803A (ja) | チタン銅 | |
| JP2015175056A (ja) | 強度、耐熱性及び曲げ加工性に優れたＦｅ−Ｐ系銅合金板 | |
| WO2015125350A1 (ja) | コネクタ端子用銅合金材料、及びコネクタ端子用銅合金材料の製造方法 | |
| TWI774682B (zh) | 銅合金輥軋材料及其製造方法以及電氣電子零件 | |
| JP2013067848A (ja) | Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金条及びその製造方法 | |
| JP6767147B2 (ja) | 薄膜めっき用金属材料 | |
| JP2014141725A (ja) | Ｎｉめっき付き銅又は銅合金板 | |
| WO2023033038A1 (ja) | めっき皮膜付端子材及び端子材用銅板 | |
| TW202041687A (zh) | 銅合金板、附鍍敷被膜銅合金板及此等之製造方法 | |
| JP2006002233A (ja) | 成形加工性に優れた被めっき物 | |
| JP2014145092A (ja) | Ｎｉめっき付き銅又は銅合金板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101110 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4629154 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |