JP2011035338A - 半導体受光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体受光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011035338A JP2011035338A JP2009182990A JP2009182990A JP2011035338A JP 2011035338 A JP2011035338 A JP 2011035338A JP 2009182990 A JP2009182990 A JP 2009182990A JP 2009182990 A JP2009182990 A JP 2009182990A JP 2011035338 A JP2011035338 A JP 2011035338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- buffer layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 263
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 92
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 53
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 46
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 17
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 92
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000701696 Symplocos nakaharae Species 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000000171 gas-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003954 pattern orientation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02647—Lateral overgrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/1808—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only Ge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体基板と、該半導体基板上に形成され、前記半導体基板とは異なる材料をその一部に含む第1の緩衝層と、該緩衝層上に形成され、前記半導体基板とは異なる格子定数を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層と同じ元素をその一部に含む第2の緩衝層と、該緩衝層上に形成された第2の半導体層とを含んで成り、前記第1の半導体層はその一部を絶縁膜に囲まれた複数の島状部分から形成され、前記第2の緩衝層は前記第1の半導体層の島と島を結合し、且つ前記絶縁膜に接することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
ここで、前記第1の緩衝層は前記絶縁膜で形成される開口部内に低温で形成され、内部に欠陥を含有する半導体層であり、構成元素はシリコンまたはシリコン・ゲルマニウムまたはゲルマニウムであると更に良い。
2…シリコン酸化膜、
3…低温成長ゲルマニウム緩衝層、
4…単結晶ゲルマニウム層、
5…n型単結晶ゲルマニウム層、
6…n型低温成長ゲルマニウム緩衝層、
7…n型単結晶ゲルマニウム層、
8…シリコン酸化膜、
9…高抵抗単結晶ゲルマニウム層、
10…p型単結晶ゲルマニウム層、
11…シリコン窒化膜、
12…窒化チタン、
13…アルミニウム、
14…埋め込み酸化膜、
15…Silicon On Insulator、
16…p型イオン打ち込み領域、
17…n型イオン打ち込み領域、
18…シリコン酸化膜、
51…シリコン基板、
52…埋め込み酸化膜、
53…Silicon On Insulator、
54…単結晶シリコン・ゲルマニウム層、
55…シリコン酸化膜、
56…単結晶ゲルマニウム層、
57…シリコン酸化膜、
58…単結晶ゲルマニウム層、
59…n型低温成長ゲルマニウム緩衝層、
60…n型単結晶ゲルマニウム層、
101…シリコン基板、
102…低温成長ゲルマニウム緩衝層、
103…単結晶ゲルマニウム層、
104…結晶欠陥、
201…シリコン基板、
202…埋め込み酸化膜、
203…Silicon On Insulator、
204…単結晶シリコン・ゲルマニウム層、
205…単結晶ゲルマニウム層、
206…シリコン酸化膜、
301…シリコン基板、
302…シリコン酸化膜、
303…開口部、
304…低温成長ゲルマニウム緩衝層、
305…単結晶ゲルマニウム層、
401…シリコン基板、
402…埋め込み酸化膜、
403…Silicon On Insulator、
404…単結晶シリコン・ゲルマニウム層、
405…単結晶ゲルマニウム層、
406…シリコン酸化膜、
501…サファイア基板、
502…絶縁膜、
503…開口部、
504…低温成長窒化ガリウム緩衝層、
505…単結晶窒化ガリウム層、
506…結晶欠陥、
601…シリコン基板、
602…シリコン酸化膜、
603…単結晶ゲルマニウム層、
604…ファセット面、
605…結晶欠陥、
701…シリコン基板、
702…絶縁膜、
703…絶縁膜、
704…単結晶ゲルマニウム層、
705…p型イオン打ち込み領域、
706…n型イオン打ち込み領域、
707…絶縁膜、
708…プラグ電極、
709…電極。
Claims (18)
- 半導体基板と、
該半導体基板上に形成され、前記半導体基板とは異なる材料をその一部に含む第1の緩衝層と、
該緩衝層上に形成され、前記半導体基板とは異なる格子定数を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層と同じ元素をその一部に含む第2の緩衝層と、
該緩衝層上に形成された第2の半導体層と
を含んで成り、
前記第1の半導体層はその一部を絶縁膜に囲まれた複数の島状部分から形成され、
前記第2の緩衝層は前記第1の半導体層の島と島を結合し、且つ前記絶縁膜に接する
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項1において、
前記第1の半導体層、前記第2の緩衝層、及び前記第2の半導体層は第1導電型であり、
前記第2の半導体層上には高抵抗で前記第2の半導体層と同種の元素を含む第3の半導体層を有し、
該第3の半導体層上には第2導電型で前記第2の半導体と同種の元素を含む第4の半導体層を有して成る
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項1において、
前記第2の緩衝層が前記絶縁膜と接する部分の近傍において前記第2の緩衝層の一部と前記第2の半導体層の一部は第1導電型であり、
前記第1の半導体層の島の中心部近傍からその上方の領域において前記第1の半導体層の一部と前記第2の緩衝層の一部と前記第2の半導体層の一部が第2導電型である
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項1において、
前記第1の半導体層は、前記第1の緩衝層と接する第1の部分と、該第1の部分を介して前記半導体基板と反対側に位置する第2の部分とから成り、
前記第1の部分はその側面を前記絶縁膜と前記第2の部分によって囲まれ、
前記第2の部分は、前記半導体基板と反対側の前記絶縁膜表面と接する
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項4において、
前記第1の半導体層の前記第2の部分、前記第2の緩衝層、及び前記第2の半導体層は第1導電型であり、
前記第2の半導体層上には高抵抗で前記第2の半導体層と同種の元素を含む第3の半導体層を有し、
該第3の半導体層上には第2導電型で前記第2の半導体と同種の元素を含む第4の半導体層を有して成る
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項5において、
前記半導体基板はシリコンから成り、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層は単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第2の緩衝層は低温で形成され、内部に欠陥を含有するゲルマニウムまたはシリコン・ゲルマニウムから成る
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項6において、
前記第1の緩衝層は前記絶縁膜で形成される開口部内に低温で形成され、内部に欠陥を含有する半導体層であり、
該第1の緩衝層の構成元素は、シリコン、シリコン・ゲルマニウム、及びゲルマニウムのうちのいずれか1つである
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項6において、
前記第1の緩衝層は前記半導体基板と前記絶縁膜との間に有り、且つ二酸化シリコンから成る
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項4において、
前記第2の緩衝層が前記絶縁膜と接する部分の近傍において前記第2の緩衝層の一部と前記第2の半導体層の一部は第1導電型であり、
前記第1の半導体層の島の中心部近傍からその上方の領域において前記第1の半導体層の一部と前記第2の緩衝層の一部と前記第2の半導体層の一部が第2導電型である
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項9において、
前記半導体基板はシリコンから成り、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層は単結晶ゲルマニウムまたは単結晶シリコン・ゲルマニウムから成り、
前記第2の緩衝層は低温で形成され、内部に欠陥を含有するゲルマニウムまたはシリコン・ゲルマニウムから成る
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項10において、
前記第1の緩衝層は前記絶縁膜で形成される開口部内に低温で形成され、内部に欠陥を含有する半導体層であり、
該第1の緩衝層の構成元素は、シリコン、シリコン・ゲルマニウム、及びゲルマニウムのうちのいずれか1つである
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項10において、
前記第1の緩衝層は前記半導体基板と前記絶縁膜との間に有り、且つ二酸化シリコンから成る
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 半導体基板上に絶縁膜による開口部を形成する工程と、
前記半導体基板とは異なる材料をその一部に含む第1の緩衝層と前記半導体基板とは異なる格子定数を有する第1の半導体層を連続して前記開口部内に選択的にエピタキシャル成長し、熱処理により前記第1の半導体層内の結晶欠陥密度を低減する工程と、
前記第1の半導体層を前記半導体基板の表面に水平方向に結晶成長させて島状の第1の半導体領域を複数形成する工程と、
前記第1の半導体層と同じ元素をその一部に含む第一導電型の第2の緩衝層をエピタキシャル成長により形成し、前記第1の半導体領域からなる島と島とを結合する工程と、
前記第2の緩衝層上に第一導電型の第2の半導体層をエピタキシャル成長により形成し、熱処理により前記第2の半導体層内の結晶欠陥密度を低減する工程と
を有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 請求項13において、
前記第2の半導体層上に、高抵抗で前記第2の半導体層と同種の元素を含む第7の半導体層をエピタキシャル成長する工程と、
該第7の半導体層上に第2導電型で前記第2の半導体層と同種の元素を含む第8の半導体層をエピタキシャル成長する工程と
を更に有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 請求項13において、
前記第2の緩衝層が前記第1または第2の島状半導体領域同士を結合する領域の近傍において前記第2の緩衝層の一部と前記第2の半導体層の一部を第1導電型とするようにイオン打ち込みを行う工程と、
前記第1の半導体層の島の中心部近傍からその上方の領域において前記第1の半導体層の一部と前記第2の緩衝層の一部と前記第2の半導体層の一部を第2導電型とするようにイオン打ち込みを行う工程と
を更に有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 半導体基板上に第2の絶縁膜と第3の半導体層が形成された仮想基板上に前記半導体基板とは異なる格子定数を有する第4の半導体層をエピタキシャル成長により形成する工程と、
前記第3の半導体層及び前記第4の半導体層の中に存在する前記半導体基板を構成する元素と同種の元素のみを選択的に酸化して第5の半導体層を得る工程と、
前記第5の半導体層を前記半導体基板の表面に水平方向に結晶成長させて島状の第2の半導体領域を複数形成する工程と、
前記第5の半導体層と同じ元素をその一部に含む第一導電型の第3の緩衝層をエピタキシャル成長により形成し、前記第2の半導体領域からなる島と島とを結合する工程と、
前記第3の緩衝層上に第一導電型の第6の半導体層をエピタキシャル成長により形成し、熱処理により前記第6の半導体層内の結晶欠陥密度を低減する工程と
を有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 請求項16において、
前記第2または前記第6の半導体層上に、高抵抗で前記第2または第6の半導体層と同種の元素を含む第7の半導体層をエピタキシャル成長する工程と、
該第7の半導体層上に第2導電型で前記第2または第6の半導体層と同種の元素を含む第8の半導体層をエピタキシャル成長する工程と
を更に有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 請求項16において、
前記第2または第3の緩衝層が前記第1または第2の島状半導体領域同士を結合する領域の近傍において前記第2または第3の緩衝層の一部と前記第2または第6の半導体層の一部を第1導電型とするようにイオン打ち込みを行う工程と、
前記第1または第5の半導体層の島の中心部近傍からその上方の領域において前記第1第5の半導体層の一部と前記第2または第3の緩衝層の一部と前記第2または第6の半導体層の一部を第2導電型とするようにイオン打ち込みを行う工程と
を更に有することを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009182990A JP5414415B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
US12/838,445 US8294213B2 (en) | 2009-08-06 | 2010-07-17 | Semiconductor photodiode device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009182990A JP5414415B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011035338A true JP2011035338A (ja) | 2011-02-17 |
JP5414415B2 JP5414415B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=43534161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009182990A Expired - Fee Related JP5414415B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8294213B2 (ja) |
JP (1) | JP5414415B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041674A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体受光素子 |
JP2014216389A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
JP2016119341A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 猛英 白土 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN109478586A (zh) * | 2016-07-05 | 2019-03-15 | Lg 伊诺特有限公司 | 半导体元件 |
JP2019131441A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 京セラ株式会社 | 結晶成長方法および半導体素子の製造方法 |
JP2020511777A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-04-16 | ソイテックSoitec | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 |
JP2022009378A (ja) * | 2018-01-31 | 2022-01-14 | 京セラ株式会社 | 結晶成長方法および半導体素子用基板 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9029866B2 (en) | 2009-08-04 | 2015-05-12 | Gan Systems Inc. | Gallium nitride power devices using island topography |
US9818857B2 (en) | 2009-08-04 | 2017-11-14 | Gan Systems Inc. | Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices |
CA2769940C (en) | 2009-08-04 | 2016-04-26 | Gan Systems Inc. | Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors |
AU2011241423A1 (en) | 2010-04-13 | 2012-11-08 | Gan Systems Inc. | High density gallium nitride devices using island topology |
US8592292B2 (en) | 2010-09-02 | 2013-11-26 | National Semiconductor Corporation | Growth of multi-layer group III-nitride buffers on large-area silicon substrates and other substrates |
JP5898698B2 (ja) | 2011-12-12 | 2016-04-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体光素子 |
FR2984221B1 (fr) | 2011-12-19 | 2014-05-16 | Michelin Soc Tech | Pneumatique comportant des cables d'armature de carcasse presentant une faible permeabilite, et des fils textiles associes a l'armature de carcasse |
MX2016006407A (es) * | 2013-11-26 | 2016-10-28 | Pirelli | Metodo, proceso y planta para construir llantas. |
US9799689B2 (en) | 2014-11-13 | 2017-10-24 | Artilux Inc. | Light absorption apparatus |
CN107210308B (zh) | 2014-11-13 | 2018-06-29 | 光澄科技股份有限公司 | 光吸收设备 |
KR102284657B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2021-08-02 | 삼성전자 주식회사 | 포토 다이오드 및 이를 포함하는 광통신 시스템 |
US9437427B1 (en) * | 2015-12-30 | 2016-09-06 | International Business Machines Corporation | Controlled confined lateral III-V epitaxy |
CN109244152B (zh) * | 2018-08-02 | 2023-09-29 | 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 | 一种短距离通信高速光电二极管芯片及其制作方法 |
CN109950201B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电器件外延结构的制造方法 |
CN110943145B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电二极管及制备方法、显示基板、显示装置 |
TWI777590B (zh) * | 2021-06-03 | 2022-09-11 | 華星光通科技股份有限公司 | 光電二極體之半導體結構及其製作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6195579A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2000021789A (ja) * | 1997-08-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
WO2003025263A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Japan Science And Technology Agency | Substrat semi-conducteur de nitrure, son procede d'obtention et dispositif optique a semi-conducteur utilisant ledit substrat |
JP2005142217A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Toshiba Corp | 素子形成用基板 |
JP2006513584A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-20 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 能動領域の欠陥が低減されユニークな接触スキームを有する半導体デバイス |
JP2007123852A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Sharp Corp | ゲルマニウム光検出装置の製造方法 |
JP2008140808A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kazumi Wada | 光検出器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0176202B1 (ko) * | 1996-04-09 | 1999-04-15 | 김광호 | 에스.오.아이형 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US6015979A (en) * | 1997-08-29 | 2000-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same |
JP3652977B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2005-05-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置およびその製造方法 |
JP5401203B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-01-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-08-06 JP JP2009182990A patent/JP5414415B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-17 US US12/838,445 patent/US8294213B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6195579A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2000021789A (ja) * | 1997-08-29 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
WO2003025263A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Japan Science And Technology Agency | Substrat semi-conducteur de nitrure, son procede d'obtention et dispositif optique a semi-conducteur utilisant ledit substrat |
JP2006513584A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-20 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 能動領域の欠陥が低減されユニークな接触スキームを有する半導体デバイス |
JP2005142217A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Toshiba Corp | 素子形成用基板 |
JP2007123852A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Sharp Corp | ゲルマニウム光検出装置の製造方法 |
JP2008140808A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kazumi Wada | 光検出器 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041674A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体受光素子 |
JP2014216389A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
JP2016119341A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 猛英 白土 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN109478586A (zh) * | 2016-07-05 | 2019-03-15 | Lg 伊诺特有限公司 | 半导体元件 |
CN109478586B (zh) * | 2016-07-05 | 2022-06-21 | 苏州乐琻半导体有限公司 | 半导体元件 |
JP2020511777A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-04-16 | ソイテックSoitec | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 |
JP7332158B2 (ja) | 2017-03-21 | 2023-08-23 | ソイテック | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 |
JP2019131441A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 京セラ株式会社 | 結晶成長方法および半導体素子の製造方法 |
JP2022009378A (ja) * | 2018-01-31 | 2022-01-14 | 京セラ株式会社 | 結晶成長方法および半導体素子用基板 |
JP7090201B2 (ja) | 2018-01-31 | 2022-06-23 | 京セラ株式会社 | 結晶成長方法および半導体素子用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5414415B2 (ja) | 2014-02-12 |
US20110031529A1 (en) | 2011-02-10 |
US8294213B2 (en) | 2012-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5414415B2 (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
US10830952B2 (en) | Integrated photonics including germanium | |
KR101141195B1 (ko) | 다이오드-기반의 장치들 및 그 제조 방법들 | |
US11393940B2 (en) | Photodetector and method for forming the same | |
JP5416212B2 (ja) | エピタキシャル層の成長によるデバイス形成 | |
JP6091273B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
CN102859650B (zh) | 通过利用衬底图案化的无掩膜工艺的位错和应力管理以及设备制造方法 | |
US20170077330A1 (en) | Photovoltaics on silicon | |
JP5917978B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007123852A (ja) | ゲルマニウム光検出装置の製造方法 | |
WO2004061911A2 (en) | Semiconductor devices with reduced active region defects and unique contacting schemes | |
WO2015109456A1 (zh) | Soi衬底制备方法和soi衬底 | |
CN112563189A (zh) | 一种压应力goi的制作方法 | |
JP2014183194A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN107863399B (zh) | 基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法 | |
KR102012506B1 (ko) | Ge 디바이스 및 SiGe 디바이스에서의 품질 개선을 위한 유전체 측벽 구조체 | |
CN111668090B (zh) | 一种半导体结构及其制造方法 | |
CN111681951B (zh) | 一种半导体结构及其制造方法 | |
JP6696735B2 (ja) | Ge系光素子及びその製造方法 | |
CN103280425B (zh) | 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法 | |
US9401583B1 (en) | Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth | |
JP6970845B1 (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
CN117476799A (zh) | 一种锗硅光电二极管 | |
CN115621336A (zh) | 一种光电探测器及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130702 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131112 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |