JP2011014675A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板10上にバックゲート電極13を形成し、バックゲート電極13の上面に凹部23を形成し、凹部23内に犠牲材を埋め込んだ後、絶縁膜14及び電極膜15を交互に積層して積層体11を形成する。次に、積層体11の中央部21にメモリホール24を形成し、その後、酸化処理を施す。これにより、メモリホール24の内面を起点として、電極膜15における絶縁膜14に接する部分が酸化され、その結果、中央部21において電極膜15が薄くなり、絶縁膜14が厚くなる。次に、積層体11の端部22において、電極膜15毎にステップ30を形成し、端部22を埋め込むように層間絶縁膜40を形成し、層間絶縁膜40中にステップ30に到達するようにプラグホール41を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する断面図であり、
図2は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のセルアレイ領域を例示する斜視図である。
なお、図2においては、図示の便宜上、主として導電部分を示し、絶縁部分は大部分省略している。
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置1(以下、単に「装置1」ともいう)においては、シリコン基板10が設けられている。シリコン基板10には、セルアレイ領域CA、配線引出領域WD、周辺回路領域SCが設定されている。配線引出領域WDはセルアレイ領域CAに隣接して配置されている。また、周辺回路領域SCはセルアレイ領域CA及び配線引出領域WDが形成された領域の周囲に配置されている。
図3(a)乃至(c)〜図11(a)乃至(c)は、本実施形態に係る不揮発性半導体装置の製造方法を例示する工程断面図であり、各図の(a)はセルアレイ領域を示し、(b)は配線引出領域を示し、(c)は周辺回路領域を示し、
図12(a)及び(b)は、本実施形態に係る不揮発性半導体装置の製造方法を例示する一部拡大断面図であり、(a)は酸化処理前の状態を示し、(b)は酸化処理後の状態を示す。
本実施形態においては、図4(a)乃至(c)に示す積層体形成工程において、絶縁膜14は最終製品における設計値よりも薄く形成し、電極膜15は最終製品における設計値よりも厚く形成する。また、積層体11全体は最終製品の設計値よりも薄く形成する。これにより、図5(a)乃至(c)に示すメモリホール形成工程において、積層体11の厚さが設計値よりも薄いため、メモリホール24の形成が容易になる。特に、エッチングが困難な絶縁膜14の膜厚を薄くすることにより、メモリホール24の形成がより一層容易になる。これにより、メモリホール24の側面が傾斜することを抑制し、メモリホール24の寸法制御性を向上させることができるため、Z方向において、メモリホール24の直径を均一化することができる。この結果、メモリトランジスタの特性が均一化されるため、積層体11における電極膜15の積層数を増加させることができる。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、それぞれ複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層され、端部において前記電極膜毎にステップが形成された積層体と、
前記積層体の端部を埋め込む層間絶縁膜と、
前記積層体の積層方向に延び前記積層体の中央部を貫く複数本の半導体ピラーと、
前記電極膜と前記半導体ピラーとの間に設けられた電荷蓄積層と、
前記層間絶縁膜中に埋設され、前記電極膜の前記ステップを構成する部分に接続されたプラグと、
を備え、
前記絶縁膜における前記中央部に位置する部分の膜厚は、前記絶縁膜における前記端部に位置する部分の膜厚よりも厚いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記電極膜における前記端部に位置する部分の膜厚は、前記電極膜における前記中央部に位置する部分の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記積層体の前記中央部の厚さは、前記積層体の前記端部の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記半導体ピラー間における前記絶縁膜の膜厚は、前記半導体ピラーに近いほど厚いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記絶縁膜は、前記電極膜を形成する材料の酸化物によって形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記電極膜はシリコンによって形成されており、前記絶縁膜はシリコン酸化物によって形成されていることを特徴とする請求項5記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記積層体は、
前記電極膜の下方に設けられたバックゲート電極と、
前記バックゲート電極内に設けられ、1本の前記半導体ピラーの下端部と他の1本の前記半導体ピラーの下端部とを相互に接続する接続部材と、
を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 基板上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体の中央部に前記積層体の積層方向に延びる複数本のメモリホールを形成する工程と、
前記メモリホールを介して、前記電極膜における前記絶縁膜に接する部分のうち、少なくとも前記メモリホール間に配置された部分を酸化する工程と、
前記メモリホールの内面上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記メモリホール内に半導体材料を埋め込んで、半導体ピラーを形成する工程と、
前記積層体の端部において、前記電極膜毎にステップを形成する工程と、
前記積層体の端部を埋め込むように、層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中に、前記電極膜における前記ステップを構成する部分に到達するようにプラグホールを形成する工程と、
前記プラグホール内に導電材料を埋め込んでプラグを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記積層体を形成する工程において、前記絶縁膜を、前記電極膜を形成する材料の酸化物によって形成することを特徴とする請求項8記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記積層体を形成する工程において、前記電極膜はシリコンによって形成し、前記絶縁膜はシリコン酸化物によって形成することを特徴とする請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記積層体を形成する工程は、
前記基板上にバックゲート電極を形成する工程と、
前記バックゲート電極の上面に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に犠牲材を埋め込む工程と、
を有し、
前記メモリホールを形成する工程においては、1本の前記メモリホールを前記犠牲材の一端部に到達させ、他の1本の前記メモリホールを前記犠牲材の他端部に到達させ、
前記酸化する工程においては、前記電極膜における前記メモリホールの内面に露出した部分も酸化して前記電極膜を覆う酸化膜を形成し、
前記酸化する工程の後、前記電荷蓄積層を形成する工程の前に、前記メモリホールを介してエッチングを行い、前記犠牲材を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項8〜10のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記犠牲材を除去する工程の後、前記電荷蓄積層を形成する工程の前に、前記電極膜を覆う酸化膜を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項11記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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