JP2019121717A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本願明細書において、「交差」とは2つの要素が交点において交わることに相当し、一方の要素が他方の要素に対して突き抜けない形状、例えば、一方向から見たときに2つの要素がT字形状をなすことを含む。また、本願明細書において、「に設けられる」とは、直接接して設けられる場合の他に、間に別の要素が挿入されて設けられる場合も含む。
図1は、半導体記憶装置1を示す平面図である。
図2は、図1のA1−A2線の断面図である。
図3は、図2の領域Bを示す拡大断面図である。
図1及び図2に示すように、半導体記憶装置1においては、シリコン(Si)等を含む基板10が設けられている。以下、本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を採用する。基板10の上面10aに対して平行で且つ相互に直交する2方向を「X方向」及び「Y方向」とし、上面10aに対して垂直な方向を「Z方向」とする。
セル領域Rmには、複数のメモリセルを含むメモリセルアレイが設けられている。セル領域Rmは複数設けられ、例えば、6つのセル領域RmがX方向に沿って配置されている。
層間絶縁層11は、基板10上に設けられている。層間絶縁層11は、例えばシリコン酸化物を含む。
なお、図2に示す例では、層間絶縁層11、回路部12、配線層13A及び積層体15は、領域R1及び領域R2に位置する。
コア絶縁膜31は、例えば、シリコン酸化物を含む。例えば、コア絶縁膜31は、柱状にZ方向に延びている。コア絶縁膜31は、柱状部CLに含まれなくても良い。
チャネル32は、コア絶縁膜31の周囲に設けられている。チャネル32は、半導体部であって、例えば、アモルファスシリコンを結晶化させたポリシリコンを含む。チャネル32は、筒状にZ方向に延びており、その下端は配線層13Aに接している。
電荷蓄積膜42は、トンネル絶縁膜41の周囲に設けられている。電荷蓄積膜42は電荷を蓄積するための膜であり、例えば、シリコン窒化物(SiN)を含む。
ブロック絶縁膜43は、電荷蓄積膜42の周囲に設けられている。ブロック絶縁膜43は、例えば、シリコン酸化物を含む。
柱状部CLの上端は、コンタクト等を介してビット線(図示せず)に接続されている。
配線51は、層間絶縁層11内に設けられている。配線51は、第1コンタクト領域Rcに位置する。配線51は、例えば、金属材料によって形成される。
第1コンタクト領域Rcにおいては、貫通ビア50は配線51に接続されるが、貫通ビア50の一部が配線層13Aに接続されても良い。
図4及び図5は、図2の領域Cをそれぞれ示す拡大平面図及び拡大断面図である。
図6及び図7は、第1実施形態の変形例に係る半導体記憶装置の一部をそれぞれ示す拡大平面図である。
図6及び図7に示される領域は、図4に示される領域にそれぞれ相当する。
絶縁層14は、層間絶縁層11内に設けられている。絶縁層14は、セル領域Rm、第1コンタクト領域Rc及び分断領域Rd内に位置する。絶縁層14は、例えば、シリコン窒化物を含む。絶縁層14において貫通ビア50が貫通しており、絶縁層14の下方には配線51が位置する。
例えば、導電層13BのZ方向の厚さは、配線層13AのZ方向の厚さより小さい。
例えば、支持部材52は、導電部分52aと、絶縁部分52bと、導電部分52cとによって構成される。絶縁部分52bは導電部分52a上に位置し、導電部分52cは、絶縁部分52b上に位置する。導電部分52a及び導電部分52cは、例えば、不純物が添加されたポリシリコンを含む。絶縁部分52bは、例えば、シリコン酸化物を含む。支持部材52を形成する代わりに層間絶縁層11が位置しても良い。
例えば、支持部材61は、導電部分61aと、絶縁部分61bと、導電部分61cとによって構成される。絶縁部分61bは導電部分61a上に位置し、導電部分61cは絶縁部分61b上に位置する。導電部分61a及び導電部分61cは、例えば、不純物が添加されたポリシリコンを含む。絶縁部分61bは、例えば、シリコン酸化物を含む。例えば、支持部材61は、支持部材52の形成時に形成される。支持部材61は設けなくても良く、この場合、層間絶縁層11内に絶縁部材60の下端が位置する。
さらに、2つの絶縁部材60間には、複数の支柱部80がX方向及びY方向に沿って配置される。
図8及び図9は、分断領域Rdをそれぞれ示す拡大平面図及び拡大断面図である。
図8及び図9に示される領域は、図4及び図5に示される領域にそれぞれ相当し、図4及び図5をそれぞれ簡略化して示した図に相当する。
また、交差部60aは、セル領域Rmに配置されても良く、この場合、例えば、交差部60aに支持部材61を設けなくても良く、セル領域Rmと分断領域Rdの間の第1コンタクト領域Rcは設けなくても良い。
図10は、半導体記憶装置1を示す平面図である。
図10に示すように、半導体記憶装置1は、スリットST1に形成された絶縁部材70と、スリットST2に形成された絶縁部材60とによって、複数の領域に分けられている。例えば、図10の絶縁部材70は、図4において、絶縁部材60と交差する絶縁部材70に相当し、図10の絶縁部材60は、図4の絶縁部材60に相当する。図10の絶縁部材70間には、図4において、絶縁部材60と交差しない絶縁部材70によって分けられた領域(フィンガー)が含まれている。図10において、例えば、絶縁部材60及び絶縁部材70によって分けられた領域のメモリ容量Mcは概ね同じである。
先ず、基板10上に、回路部12と、絶縁層14と、配線層13Aと、導電層13Bとを順に形成する。例えば、配線層13A及び導電層13Bの形成時に、支持部材52及び支持部材61が形成される。
続いて、層間絶縁層11を形成した後、層間絶縁層11上に、絶縁層20及び犠牲層を交互に積層した積層体を形成する。絶縁層20は、シリコン酸化物により形成され、犠牲層はシリコン窒化物により形成される。
このようにして、半導体記憶装置1が製造される。
3次元構造の半導体記憶装置においては、階段領域において、コンタクト及び配線を介して積層体の電極層(ワード線)と周辺回路とを電気的に接続している。電極層(ワード線)を、片側、例えば、X方向の一端で駆動するように、コンタクト及び配線は積層体の外へ引き出される。電極層をX方向の一端で駆動する場合、半導体記憶装置は電極層がX方向に長い構造を有することになる。このような電極層の構造に加えて、積層体における積層数の増加や、電極層におけるピッチの縮小によって電極層の抵抗値が高くなる虞がある。
本実施形態によれば、電気特性が向上した半導体記憶装置を提供する。
図11及び図12は、半導体記憶装置1Aの一部をそれぞれ示す拡大平面図及び拡大断面図である。
図11及び図12に示される領域は、図4及び図5に示される領域にそれぞれ相当する。
本実施形態に係る半導体記憶装置1Aは、絶縁部材65において第1実施形態の半導体記憶装置1とは異なる。それ以外の構成は第1実施形態と同じであるので詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態では、絶縁部材60に沿ってY方向に互いに離隔して複数の絶縁部材65が配置されているが、配置される絶縁部材65の数は任意である。
本実施形態の半導体記憶装置1Aでは、分断領域Rd内の絶縁部材60間であって、積層体15内をY方向に沿って複数の絶縁部材65が設けられている。このような絶縁部材65によって、スリットST1によって分けられた積層体15(電極層21)の領域(例えば、フィンガー)の構造上強度が低下することを抑制し、積層体15の変形を抑制できる。
なお、第2実施形態の他の効果は、第1実施形態の効果と同じである。
図13及び図14は、半導体記憶装置1Bの一部をそれぞれ示す拡大平面図及び拡大断面図である。
図13及び図14に示される領域は、図4及び図5に示される領域にそれぞれ相当する。
本実施形態に係る半導体記憶装置1Bは、絶縁部材60の構成において第1実施形態の半導体記憶装置1とは異なる。それ以外の構成は第1実施形態と同じであるので詳細な説明は省略する。
なお、第3実施形態の効果は、第1実施形態の効果と同じである。
図15は、半導体記憶装置2を示す断面図である。
図15に示される領域は、図2に示される領域に相当する。
図15に示すように、半導体記憶装置2には、セル領域Rmと、階段領域Rsと、分断領域Rdと、周辺領域Rpと、が設けられている。
セル領域Rmには、複数のメモリセルを含むメモリセルアレイが設けられている。
階段領域Rsには、例えば、Z方向に延びる複数のコンタクトが設けられている。
分断領域Rdには、Y方向及びZ方向に延びる絶縁部材60が複数設けられている。
周辺領域Rpには、周辺回路(図示せず)が設けられている。例えば、周辺回路は、階段形状の複数の電極層21に電気的に接続される。本実施形態では、メモリセルの下に配置された回路部12が設けられておらず、周辺回路が形成された周辺領域Rpが階段領域Rsの外側に位置する。
また、分断領域Rdは、領域R1及び領域R2間であって、半導体記憶装置2内の中央付近に設けられている。分断領域Rdによって、領域R1及び領域R2が分断されている。
積層体15は、基板10上に設けられている。積層体15には複数の絶縁層20及び複数の電極層21が設けられており、絶縁層20及び電極層21が1層ずつ交互にZ方向に積層されている。
図16及び図17は、分断領域Rdをそれぞれ示す拡大平面図及び拡大断面図である。
なお、図16は、Y方向に延びる絶縁部材60は、X方向に延びる複数の絶縁部材70の全てと交差し、X方向に延びる絶縁部材71に交差していない構成を示している。
絶縁部材70は、積層体15内を複数設けられており、X方向及びZ方向に延びている。図16に示すように、絶縁部材70は、セル領域Rm内であって、X方向及びZ方向に延びるスリットST1内に位置する。例えば、絶縁部材70の下端は基板10上に位置する。
また、セル領域Rmは、柱状部CLが形成される領域Rclを含んでおり、柱状部CLの下端は、接続部10bを介して基板10上に位置する。接続部10bは、例えば、基板10のシリコンをエピタキシャル成長することで形成されたエピタキシャル層である。
なお、第4実施形態の効果は、第1実施形態の効果と同じである。
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、第1方向に互いに離れて積層され、前記基板の上面に平行な第2方向に延びる複数の電極層を有する積層体と、
前記積層体内に設けられ、前記第1方向及び前記第2方向に延びる複数の第1部材と、
前記積層体内に設けられ、前記第2方向において前記複数の電極層を複数の領域に分けるように、前記第1方向と、前記第2方向に交差し前記基板の上面に平行な第3方向とに延びる少なくとも1つの第1絶縁部材と、
を備えた半導体記憶装置。 - 前記複数の第1部材の少なくとも1つと、前記第1絶縁部材とは交差する請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第1方向から見たときに、前記複数の第1部材の少なくとも1つと、前記第1絶縁部材とは、T字形状または十字形状で交差する請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 前記積層体内に設けられ、前記第1方向に延びており、半導体部をそれぞれ有する複数の柱状部と、
前記積層体内に設けられ、前記積層体の上部の電極層を前記第3方向に分けるように前記第2方向に延びる第2絶縁部材と、
前記複数の柱状部が位置する第1領域と、前記第1絶縁部材が位置する第2領域との間に設けられ、前記第2絶縁部材の一部が位置する第3領域において、前記積層体の形状は階段状である請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記基板と前記積層体の間に設けられた配線と、
前記積層体内に設けられ、前記第1方向に延びており、半導体部をそれぞれ有する複数の柱状部と、
前記複数の柱状部が位置する第1領域と、前記第1絶縁部材が位置する第2領域との間に設けられた第3領域において、前記積層体を貫通して前記配線に接続する貫通ビアと、
をさらに備えた請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記第2領域には複数の第1絶縁部材が位置し、
前記積層体内に設けられ、前記第1絶縁部材間で、互いに離隔するように前記第3方向に配置された複数の第3絶縁部材をさらに備えた請求項5記載の半導体記憶装置。 - 前記第2領域には複数の第1絶縁部材が位置し、
前記第1絶縁部材間には、前記積層体の一部が位置し、
前記積層体の前記第2方向の両端の形状は、階段状である請求項5記載の半導体記憶装置。 - 前記基板と前記積層体の間に設けられた支持部材をさらに備え、
前記第1絶縁部材は、前記複数の第1部材の少なくとも1つと交差する交差部を有し、
前記交差部は、前記支持部材上に位置する請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
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