JP2010187029A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010187029A5
JP2010187029A5 JP2010123442A JP2010123442A JP2010187029A5 JP 2010187029 A5 JP2010187029 A5 JP 2010187029A5 JP 2010123442 A JP2010123442 A JP 2010123442A JP 2010123442 A JP2010123442 A JP 2010123442A JP 2010187029 A5 JP2010187029 A5 JP 2010187029A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
supply system
liquid supply
projection apparatus
lithographic projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010123442A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5244152B2 (ja
JP2010187029A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2010187029A publication Critical patent/JP2010187029A/ja
Publication of JP2010187029A5 publication Critical patent/JP2010187029A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5244152B2 publication Critical patent/JP5244152B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

図6は、本発明による他の液体供給システム200を略図で示したものである。この液体供給システムは、以下に列挙する構成要素を以下の順序で備えている。
(1)例えば超純水(UPW)といった浸液の抽出を可能にし、取り扱うべきFWSを供給し、また、例えば過酸化溶液で洗浄するように洗浄ツールをキャビネットに接続するために使用することができる手動抽出弁201。
(2)浸液供給システムに偶発的に発生し得るバクテリアの殺菌を意図した、254nmUVランプであるUVランプ202。
(3)粗大粒子(>100nm)による機械コンポーネント、例えば弁の損傷を防止する粗粒子フィルタ203。
(4)浸液の供給を停止するために使用される空気圧弁204。
(5)供給源から流入する浸液の電気抵抗率をモニタし、不純物のレベルを検出する抵抗率センサ205。
(6)浸液供給システムへの水の逆流を防止するための逆止弁206。
(7)必要に応じて他のサブ・システムに浸液を供給することができる空気圧抽出弁207。
(8)上流側の液体供給システム内および工場内の弁のスイッチングによって生じる圧力の脈動を極めて有効に防止することができるドーム負荷圧力調整器を備えた圧力調整器208。
(9)圧力調整器の下流側の圧力をモニタし、圧力調整器の動作を確認する圧力センサ209。
(10)液浸ヘッドIHへの浸液の流量を制御する液体流量コントローラ210。このコントローラは、例えばフィルタの恒常的な目詰まりによって液体供給システムの流動抵抗が変化するという理由で使用される。このようなコントローラを使用することによって安定した流量が保証される。
(11)熱を粗調整(温度調整)するために使用される、下流側の浸液の微調整を可能にし、且つ脱気ユニットの最適性能を可能にする熱電熱交換器211。
(12)脱気ユニットの上流側の温度をモニタする温度センサ212。
(13)浸液を脱気するための、膜接触器である脱気ユニット213。液浸フード内の気泡の形成を防止するためには総溶解ガス含有量を極めて少なくしなければならない。液浸フード内の気泡はプリント欠陥の原因になり、また迷光が強化される原因になる。
(14)第2の膜接触器である、第1の接触器の有効性を改善するための脱気ユニット214。
(15)脱気ユニットの下流側の圧力をモニタする圧力センサ215。
(16)浸液から陰極イオン、例えば金属イオンを除去する陽イオンフィルタ216。
(17)液浸フードへの浸液の供給を一時的に停止する空気圧三方弁217。この弁はシャット・オフ弁ではなく、浸液の流れを維持する三方弁である。流れていない浸液は急速に劣化し、汚染問題の原因になる。流れる方向が変化した浸液はドレンに導かれる。
(18)水供給システムの主要部品を備えたキャビネットから液浸フードへ導かれる、浸液の温度安定性を強化するための絶縁ホース218。
(19)最終熱交換器の上流側にあって、熱電熱交換器211の制御ループにセットポイントを与える温度センサ219。
(20)浸液の温度を微調整するための非金属熱交換器220。浸液のイオン汚染を防止するように非金属が使用されている。
(21)液浸フードへ供給される浸液の電気抵抗率をモニタする抵抗率センサ221。この抵抗率センサを使用して、液体供給システム内の潜在的な汚染源をモニタすることができる。
(22)浸液供給システム内に残留しているすべての粒子を除去するための微粒子フィルタ222。
(23)最終熱交換器の下流側にあって、液浸フードへの浸液供給の温度をモニタするための温度センサ223。
(24)微粒子フィルタの下流側の圧力をモニタする圧力センサ224。この圧力センサ224は、フィルタを通る圧力をモニタするように圧力センサ215と共に使用され、それによりフィルタの状態をモニタすることを可能にする。
(25)液浸フードへの浸液の供給を一時的に停止することができる空気圧三方弁225。弁は、この場合もシャット・オフ弁ではなく、浸液の流れを維持する三方弁である。浸液は流れていないと急速に劣化し、汚染問題の原因になる。流れる方向が変化した浸液はドレンに導かれる。
(26)緊急事態の発生時に、液浸フード以外の方向へすべての水の流れを変えるための空気圧三方弁226。
(27)液浸フードの上流側の圧力をモニタし、また圧力の安定性をモニタするように使用することのできる圧力センサ227。

Claims (12)

  1. パターンをパターン形成デバイスから基板に転送する投影システムと、
    前記投影システムと前記基板の間の空間を少なくとも部分的に液体で充填する液体供給システムと、
    過酸化溶液を前記液体供給システムに供給して、少なくとも前記液体供給システムを洗浄する洗浄剤供給システムと、
    を有し、
    前記液体供給システムは、
    供給源から流入する前記液体の電気抵抗率をモニタし前記液体に含まれる不純物レベルを検出する抵抗率センサを有する
    リソグラフィ投影装置。
  2. 前記液体供給システムは、バクテリアを殺菌するUVランプを有する請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
  3. 前記液体供給システムは、前記液体から粒子を除去する粒子フィルタを有する請求項1又は2に記載のリソグラフィ投影装置。
  4. 前記粒子フィルタは、粗大粒子フィルタ及び微粒子フィルタを有する請求項3に記載のリソグラフィ投影装置。
  5. 前記液体供給システムは、前記液体から陰極イオンを除去する陽イオンフィルタを有する請求項1〜のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
  6. 前記液体供給システムは、前記液体を脱気する脱気ユニットを有する請求項1〜のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
  7. 前記液体供給システムは、前記液体を温度調整する熱交換器をさらに有する請求項1〜のいずれか記載のリソグラフィ投影装置。
  8. 前記液体供給システムは、液浸ヘッドへの浸液の流量を制御する液体流量コントローラをさらに有する請求項1〜7のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
  9. 前記液体供給システムは、液浸ヘッドへの浸液の供給を一時的に停止する少なくとも1つの空気圧三方弁を有する請求項1〜8のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
  10. 前記液体供給システムは、圧力の脈動を防止するドーム負荷圧力調整器を備えた圧力調整器をさらに有する請求項1〜9のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
  11. 微粒子フィルタの下流側の圧力をモニタする圧力センサをさらに有する請求項4記載のリソグラフィ投影装置。
  12. 液体供給システムから、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板との間の空間へ液体を供給するステップと、
    抵抗率センサにより供給源から前記液体供給システムに流入する液体の電気抵抗率をモニタして、前記液体に含まれる不純物レベルを検出するステップと、
    過酸化溶液を前記液体供給システムに供給して、少なくとも前記液体供給システムを洗浄するステップと、
    記投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを前記液体を介して基板に投射するステップと、
    を有するデバイス製造方法。
JP2010123442A 2003-07-31 2010-05-28 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Active JP5244152B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03254812 2003-07-31
EP03254812.5 2003-07-31

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007312122A Division JP4652392B2 (ja) 2003-07-31 2007-12-03 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010187029A JP2010187029A (ja) 2010-08-26
JP2010187029A5 true JP2010187029A5 (ja) 2012-08-09
JP5244152B2 JP5244152B2 (ja) 2013-07-24

Family

ID=34203257

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004222718A Active JP4295174B2 (ja) 2003-07-31 2004-07-30 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007312122A Expired - Fee Related JP4652392B2 (ja) 2003-07-31 2007-12-03 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010123442A Active JP5244152B2 (ja) 2003-07-31 2010-05-28 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004222718A Active JP4295174B2 (ja) 2003-07-31 2004-07-30 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007312122A Expired - Fee Related JP4652392B2 (ja) 2003-07-31 2007-12-03 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (4) US7779781B2 (ja)
JP (3) JP4295174B2 (ja)

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR20180054929A (ko) * 2003-04-11 2018-05-24 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101242815B1 (ko) * 2003-06-13 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법
KR101419663B1 (ko) * 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7384149B2 (en) * 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
KR20190002749A (ko) 2003-07-28 2019-01-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201839806A (zh) 2003-08-29 2018-11-01 日商尼康股份有限公司 液體回收裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1670043B1 (en) 2003-09-29 2013-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR101361892B1 (ko) 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
ATE490548T1 (de) * 2003-10-22 2010-12-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2005055296A1 (ja) 2003-12-03 2005-06-16 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品
KR101111363B1 (ko) * 2003-12-15 2012-04-12 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법
KR101941351B1 (ko) * 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
KR101911681B1 (ko) * 2004-01-05 2018-10-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7697110B2 (en) * 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101227211B1 (ko) * 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7557900B2 (en) * 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
WO2005093791A1 (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR101747662B1 (ko) * 2004-06-09 2017-06-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101556454B1 (ko) * 2004-06-10 2015-10-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8384874B2 (en) * 2004-07-12 2013-02-26 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member
JP3977364B2 (ja) * 2004-09-03 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
WO2006106832A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006278795A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 検出装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7411654B2 (en) * 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101344142B1 (ko) * 2005-04-25 2013-12-23 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR20070122445A (ko) * 2005-04-28 2007-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7268357B2 (en) * 2005-05-16 2007-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and method
JP2007005525A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7291569B2 (en) * 2005-06-29 2007-11-06 Infineon Technologies Ag Fluids for immersion lithography systems
US7170583B2 (en) * 2005-06-29 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus immersion damage control
US7583358B2 (en) * 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
US7456928B2 (en) * 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
JP2007109741A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Canon Inc 露光装置及び露光方法
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
EP2044488A1 (en) * 2006-07-21 2009-04-08 Entegris, Inc. Apparatus and method for conditioning an immersion fluid
US7443483B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-28 Entegris, Inc. Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
JP5277731B2 (ja) * 2008-06-02 2013-08-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102008050868A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 M+W Zander Products Gmbh Einrichtung zur Temperaturstabilisierung von Flüssigkeiten, vorzugsweise von ultrareinem Wasser, bei der Herstellung von Chips sowie Verfahren zur Temperaturstabilisierung von Flüssigkeiten zur Anwendung bei der Herstellung von Chips
WO2013142083A2 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Nikon Corporation Mirror assembly with heat transfer mechanism
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
WO2015189875A1 (ja) * 2014-06-12 2015-12-17 富士電機株式会社 不純物添加装置、不純物添加方法及び半導体素子の製造方法
WO2018046280A1 (en) * 2016-09-09 2018-03-15 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and support structures background
KR20180064582A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 주식회사 탑 엔지니어링 디스펜서 및 디스펜서의 토출량 검사 방법
CN112684673A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸没流场的压力测量装置及压力测量方法
US12013362B2 (en) * 2022-04-18 2024-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Liquid detection apparatus and method of detecting liquid in wafer processing device

Family Cites Families (219)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS502392B1 (ja) * 1967-01-28 1975-01-25
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
NL7606482A (nl) 1976-06-16 1977-12-20 Philips Nv Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.
US4162973A (en) * 1977-06-02 1979-07-31 Afl Industries, Inc. Water polishing system
JPS5919912Y2 (ja) 1978-08-21 1984-06-08 清水建設株式会社 複合熱交換器
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
US4234419A (en) * 1979-10-09 1980-11-18 Coillet Dudley W Process for the removal of inorganic salts from a water stream
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS57153433U (ja) 1981-03-20 1982-09-27
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPH0652708B2 (ja) * 1984-11-01 1994-07-06 株式会社ニコン 投影光学装置
JPS61113376A (ja) 1984-11-07 1986-05-31 Sony Corp テレビジヨン信号の動き検出装置
JPS6265326U (ja) 1985-10-16 1987-04-23
JPS62121417U (ja) 1986-01-24 1987-08-01
US4683054A (en) * 1986-06-23 1987-07-28 Turnbull William E Appliance for purifying water
JPS63157419U (ja) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0285188A (ja) * 1988-09-20 1990-03-26 Mitsui Constr Co Ltd 液体貯蔵槽
JPH0285188U (ja) 1988-12-21 1990-07-03
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3257368B2 (ja) 1995-09-20 2002-02-18 松下電器産業株式会社 塗膜形成装置および塗膜形成方法
JPH09206743A (ja) * 1996-02-01 1997-08-12 Japan Organo Co Ltd 超純水製造供給装置及びその洗浄方法
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US5702611A (en) * 1997-01-14 1997-12-30 Shipley Company, L.L.C. Process for removing heavy metal ions by ion exchange
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
KR100251649B1 (ko) * 1997-04-22 2000-04-15 윤종용 반도체장치제조공정용초순수의제조를위한살균조성물 및 이를이용한초순수제조장치의살균방법
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
US5925240A (en) * 1997-05-20 1999-07-20 United States Filter Corporation Water treatment system having dosing control
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1505699A (en) 1997-12-12 1999-07-05 Nikon Corporation Projection exposure method and projection aligner
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP3728205B2 (ja) * 1998-07-02 2005-12-21 マイクロリス・コーポレイション 固体表面を液状配合物で被覆する方法
JP2000042390A (ja) 1998-07-31 2000-02-15 Yokogawa Electric Corp 液体希釈装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
AU5653699A (en) 1999-09-20 2001-04-24 Nikon Corporation Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US6508069B2 (en) * 2000-02-29 2003-01-21 Peter M. Sibilia Temperature controlled gravity feed fountain solution supply apparatus
US6328881B1 (en) * 2000-03-08 2001-12-11 Barnstead Thermolyne Corporation Water purification system and method including dispensed volume sensing and control
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
WO2001099168A1 (fr) * 2000-06-23 2001-12-27 Fujitsu Limited Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP2002085188A (ja) * 2000-09-20 2002-03-26 Aisin Seiki Co Ltd ヘッドレスト
JP2002143751A (ja) 2000-10-17 2002-05-21 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 処理液分配装置及び方法
JP2002170792A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Mitsubishi Electric Corp 研磨液供給装置及び研磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製造方法
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US6558450B2 (en) * 2001-03-22 2003-05-06 Celgard Inc. Method for debubbling an ink
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
JP3878452B2 (ja) * 2001-10-31 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
JP3985500B2 (ja) 2001-11-06 2007-10-03 栗田工業株式会社 超純水供給方法
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
JP3906684B2 (ja) 2001-12-25 2007-04-18 栗田工業株式会社 超純水供給装置
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
US6905974B2 (en) * 2002-08-08 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Methods using a peroxide-generating compound to remove group VIII metal-containing residue
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2004053950A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
EP1571700A4 (en) 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
ATE424026T1 (de) 2002-12-13 2009-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
WO2004057589A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
AU2003283717A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP1611482B1 (en) 2003-04-10 2015-06-03 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
EP3352015A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
KR101506431B1 (ko) 2003-04-10 2015-03-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
KR20180054929A (ko) 2003-04-11 2018-05-24 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
EP2161620A1 (en) 2003-04-11 2010-03-10 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1480065A3 (en) 2003-05-23 2006-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI347741B (en) 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060027832A (ko) 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
KR20190002749A (ko) 2003-07-28 2019-01-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
WO2005024517A2 (en) 2003-09-03 2005-03-17 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US20070105050A1 (en) 2003-11-05 2007-05-10 Dsm Ip Assets B.V. Method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
JP5106858B2 (ja) 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN1910494B (zh) 2004-01-14 2011-08-10 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101099913B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
JP4843503B2 (ja) 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
JP2007520893A (ja) 2004-02-03 2007-07-26 ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
DE602005003665T2 (de) 2004-05-17 2008-11-20 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches projektionsobjektiv mit zwischenbildern
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010187029A5 (ja)
JP2008072147A5 (ja)
JP2008525163A (ja) 脱イオンおよび電気化学的浄化用の関連構成要素および装置および電極の再生方法
KR20210018207A (ko) 초순수 제조 장치 및 초순수 제조 방법
JP7032381B2 (ja) 超純水を処理するための方法及びシステム
JP2009228991A (ja) ボイラシステム及びボイラシステムの運転方法
JP2003305465A (ja) 純水製造システムおよび水質モニタリング方法
JP4432583B2 (ja) 超純水製造装置
JP6738726B2 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
JP2008210763A (ja) 燃料電池装置
WO2019155672A1 (ja) 超純水製造システムの微粒子管理方法
WO2018123193A1 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
JP3732330B2 (ja) ガス溶解水製造装置
JP6107987B1 (ja) 超純水製造システムの洗浄方法
JP2020175380A (ja) 冷却塔充填材のスケール防止・除去装置、方法及び冷却システム。
JP7307410B2 (ja) 半導体製造装置及び湿度制御方法
JP6889628B2 (ja) 純水製造装置および純水製造方法
JP2022512245A (ja) 除害方法及び装置
JP2009221733A (ja) 水処理供給システム
CN207845386U (zh) 用于浸没式光刻具有自动除菌功能的超纯水制备装置
JP5588225B2 (ja) 液浸露光用超純水の製造方法及び装置
JP2004122038A (ja) 水質制御装置を有する水冷装置
JP6205865B2 (ja) 純水製造装置の運転管理方法
CN214846379U (zh) 流体控制系统
JP5474610B2 (ja) ボイラ用の脱酸素および脱炭酸水の供給装置