JP2010187029A5 - - Google Patents
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図6は、本発明による他の液体供給システム200を略図で示したものである。この液体供給システムは、以下に列挙する構成要素を以下の順序で備えている。
(1)例えば超純水(UPW)といった浸液の抽出を可能にし、取り扱うべきFWSを供給し、また、例えば過酸化溶液で洗浄するように洗浄ツールをキャビネットに接続するために使用することができる手動抽出弁201。
(2)浸液供給システムに偶発的に発生し得るバクテリアの殺菌を意図した、254nmUVランプであるUVランプ202。
(3)粗大粒子(>100nm)による機械コンポーネント、例えば弁の損傷を防止する粗粒子フィルタ203。
(4)浸液の供給を停止するために使用される空気圧弁204。
(5)供給源から流入する浸液の電気抵抗率をモニタし、不純物のレベルを検出する抵抗率センサ205。
(6)浸液供給システムへの水の逆流を防止するための逆止弁206。
(7)必要に応じて他のサブ・システムに浸液を供給することができる空気圧抽出弁207。
(8)上流側の液体供給システム内および工場内の弁のスイッチングによって生じる圧力の脈動を極めて有効に防止することができるドーム負荷圧力調整器を備えた圧力調整器208。
(9)圧力調整器の下流側の圧力をモニタし、圧力調整器の動作を確認する圧力センサ209。
(10)液浸ヘッドIHへの浸液の流量を制御する液体流量コントローラ210。このコントローラは、例えばフィルタの恒常的な目詰まりによって液体供給システムの流動抵抗が変化するという理由で使用される。このようなコントローラを使用することによって安定した流量が保証される。
(11)熱を粗調整(温度調整)するために使用される、下流側の浸液の微調整を可能にし、且つ脱気ユニットの最適性能を可能にする熱電熱交換器211。
(12)脱気ユニットの上流側の温度をモニタする温度センサ212。
(13)浸液を脱気するための、膜接触器である脱気ユニット213。液浸フード内の気泡の形成を防止するためには総溶解ガス含有量を極めて少なくしなければならない。液浸フード内の気泡はプリント欠陥の原因になり、また迷光が強化される原因になる。
(14)第2の膜接触器である、第1の接触器の有効性を改善するための脱気ユニット214。
(15)脱気ユニットの下流側の圧力をモニタする圧力センサ215。
(16)浸液から陰極イオン、例えば金属イオンを除去する陽イオンフィルタ216。
(17)液浸フードへの浸液の供給を一時的に停止する空気圧三方弁217。この弁はシャット・オフ弁ではなく、浸液の流れを維持する三方弁である。流れていない浸液は急速に劣化し、汚染問題の原因になる。流れる方向が変化した浸液はドレンに導かれる。
(18)水供給システムの主要部品を備えたキャビネットから液浸フードへ導かれる、浸液の温度安定性を強化するための絶縁ホース218。
(19)最終熱交換器の上流側にあって、熱電熱交換器211の制御ループにセットポイントを与える温度センサ219。
(20)浸液の温度を微調整するための非金属熱交換器220。浸液のイオン汚染を防止するように非金属が使用されている。
(21)液浸フードへ供給される浸液の電気抵抗率をモニタする抵抗率センサ221。この抵抗率センサを使用して、液体供給システム内の潜在的な汚染源をモニタすることができる。
(22)浸液供給システム内に残留しているすべての粒子を除去するための微粒子フィルタ222。
(23)最終熱交換器の下流側にあって、液浸フードへの浸液供給の温度をモニタするための温度センサ223。
(24)微粒子フィルタの下流側の圧力をモニタする圧力センサ224。この圧力センサ224は、フィルタを通る圧力をモニタするように圧力センサ215と共に使用され、それによりフィルタの状態をモニタすることを可能にする。
(25)液浸フードへの浸液の供給を一時的に停止することができる空気圧三方弁225。弁は、この場合もシャット・オフ弁ではなく、浸液の流れを維持する三方弁である。浸液は流れていないと急速に劣化し、汚染問題の原因になる。流れる方向が変化した浸液はドレンに導かれる。
(26)緊急事態の発生時に、液浸フード以外の方向へすべての水の流れを変えるための空気圧三方弁226。
(27)液浸フードの上流側の圧力をモニタし、また圧力の安定性をモニタするように使用することのできる圧力センサ227。
(1)例えば超純水(UPW)といった浸液の抽出を可能にし、取り扱うべきFWSを供給し、また、例えば過酸化溶液で洗浄するように洗浄ツールをキャビネットに接続するために使用することができる手動抽出弁201。
(2)浸液供給システムに偶発的に発生し得るバクテリアの殺菌を意図した、254nmUVランプであるUVランプ202。
(3)粗大粒子(>100nm)による機械コンポーネント、例えば弁の損傷を防止する粗粒子フィルタ203。
(4)浸液の供給を停止するために使用される空気圧弁204。
(5)供給源から流入する浸液の電気抵抗率をモニタし、不純物のレベルを検出する抵抗率センサ205。
(6)浸液供給システムへの水の逆流を防止するための逆止弁206。
(7)必要に応じて他のサブ・システムに浸液を供給することができる空気圧抽出弁207。
(8)上流側の液体供給システム内および工場内の弁のスイッチングによって生じる圧力の脈動を極めて有効に防止することができるドーム負荷圧力調整器を備えた圧力調整器208。
(9)圧力調整器の下流側の圧力をモニタし、圧力調整器の動作を確認する圧力センサ209。
(10)液浸ヘッドIHへの浸液の流量を制御する液体流量コントローラ210。このコントローラは、例えばフィルタの恒常的な目詰まりによって液体供給システムの流動抵抗が変化するという理由で使用される。このようなコントローラを使用することによって安定した流量が保証される。
(11)熱を粗調整(温度調整)するために使用される、下流側の浸液の微調整を可能にし、且つ脱気ユニットの最適性能を可能にする熱電熱交換器211。
(12)脱気ユニットの上流側の温度をモニタする温度センサ212。
(13)浸液を脱気するための、膜接触器である脱気ユニット213。液浸フード内の気泡の形成を防止するためには総溶解ガス含有量を極めて少なくしなければならない。液浸フード内の気泡はプリント欠陥の原因になり、また迷光が強化される原因になる。
(14)第2の膜接触器である、第1の接触器の有効性を改善するための脱気ユニット214。
(15)脱気ユニットの下流側の圧力をモニタする圧力センサ215。
(16)浸液から陰極イオン、例えば金属イオンを除去する陽イオンフィルタ216。
(17)液浸フードへの浸液の供給を一時的に停止する空気圧三方弁217。この弁はシャット・オフ弁ではなく、浸液の流れを維持する三方弁である。流れていない浸液は急速に劣化し、汚染問題の原因になる。流れる方向が変化した浸液はドレンに導かれる。
(18)水供給システムの主要部品を備えたキャビネットから液浸フードへ導かれる、浸液の温度安定性を強化するための絶縁ホース218。
(19)最終熱交換器の上流側にあって、熱電熱交換器211の制御ループにセットポイントを与える温度センサ219。
(20)浸液の温度を微調整するための非金属熱交換器220。浸液のイオン汚染を防止するように非金属が使用されている。
(21)液浸フードへ供給される浸液の電気抵抗率をモニタする抵抗率センサ221。この抵抗率センサを使用して、液体供給システム内の潜在的な汚染源をモニタすることができる。
(22)浸液供給システム内に残留しているすべての粒子を除去するための微粒子フィルタ222。
(23)最終熱交換器の下流側にあって、液浸フードへの浸液供給の温度をモニタするための温度センサ223。
(24)微粒子フィルタの下流側の圧力をモニタする圧力センサ224。この圧力センサ224は、フィルタを通る圧力をモニタするように圧力センサ215と共に使用され、それによりフィルタの状態をモニタすることを可能にする。
(25)液浸フードへの浸液の供給を一時的に停止することができる空気圧三方弁225。弁は、この場合もシャット・オフ弁ではなく、浸液の流れを維持する三方弁である。浸液は流れていないと急速に劣化し、汚染問題の原因になる。流れる方向が変化した浸液はドレンに導かれる。
(26)緊急事態の発生時に、液浸フード以外の方向へすべての水の流れを変えるための空気圧三方弁226。
(27)液浸フードの上流側の圧力をモニタし、また圧力の安定性をモニタするように使用することのできる圧力センサ227。
Claims (12)
- パターンをパターン形成デバイスから基板に転送する投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間を少なくとも部分的に液体で充填する液体供給システムと、
過酸化溶液を前記液体供給システムに供給して、少なくとも前記液体供給システムを洗浄する洗浄剤供給システムと、
を有し、
前記液体供給システムは、
供給源から流入する前記液体の電気抵抗率をモニタして、前記液体に含まれる不純物レベルを検出する抵抗率センサを有する
リソグラフィ投影装置。 - 前記液体供給システムは、バクテリアを殺菌するUVランプを有する請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、前記液体から粒子を除去する粒子フィルタを有する請求項1又は2に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記粒子フィルタは、粗大粒子フィルタ及び微粒子フィルタを有する請求項3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、前記液体から陰極イオンを除去する陽イオンフィルタを有する請求項1〜4のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、前記液体を脱気する脱気ユニットを有する請求項1〜5のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、前記液体を温度調整する熱交換器をさらに有する請求項1〜6のいずれか記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、液浸ヘッドへの浸液の流量を制御する液体流量コントローラをさらに有する請求項1〜7のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、液浸ヘッドへの浸液の供給を一時的に停止する少なくとも1つの空気圧三方弁を有する請求項1〜8のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記液体供給システムは、圧力の脈動を防止するドーム負荷圧力調整器を備えた圧力調整器をさらに有する請求項1〜9のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
- 微粒子フィルタの下流側の圧力をモニタする圧力センサをさらに有する請求項4記載のリソグラフィ投影装置。
- 液体供給システムから、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板との間の空間へ液体を供給するステップと、
抵抗率センサにより供給源から前記液体供給システムに流入する液体の電気抵抗率をモニタして、前記液体に含まれる不純物レベルを検出するステップと、
過酸化溶液を前記液体供給システムに供給して、少なくとも前記液体供給システムを洗浄するステップと、
前記投影システムを用いて、パターンが形成された放射線ビームを前記液体を介して基板に投射するステップと、
を有するデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03254812 | 2003-07-31 | ||
EP03254812.5 | 2003-07-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007312122A Division JP4652392B2 (ja) | 2003-07-31 | 2007-12-03 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010187029A JP2010187029A (ja) | 2010-08-26 |
JP2010187029A5 true JP2010187029A5 (ja) | 2012-08-09 |
JP5244152B2 JP5244152B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=34203257
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004222718A Active JP4295174B2 (ja) | 2003-07-31 | 2004-07-30 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007312122A Expired - Fee Related JP4652392B2 (ja) | 2003-07-31 | 2007-12-03 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010123442A Active JP5244152B2 (ja) | 2003-07-31 | 2010-05-28 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004222718A Active JP4295174B2 (ja) | 2003-07-31 | 2004-07-30 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007312122A Expired - Fee Related JP4652392B2 (ja) | 2003-07-31 | 2007-12-03 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7779781B2 (ja) |
JP (3) | JP4295174B2 (ja) |
Families Citing this family (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
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TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
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- 2007-12-03 JP JP2007312122A patent/JP4652392B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2010-07-14 US US12/836,543 patent/US8142852B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-03 US US13/288,855 patent/US8937704B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
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