JP2010182976A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1導電型領域と第2導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。前記注入工程では、前記第1導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第2導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。
【選択図】図5
Description
23 コンタクトホール
107 ゲート
501、502 接触領域
8 チャネルストップ層
9 素子分離領域
Claims (9)
- 第1導電型領域と第2導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、
前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、
前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含み、
前記注入工程では、前記第1導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第2導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ホール形成工程の後であって前記プラグ形成工程の前に、前記コンタクトホールにバリアメタルを形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記注入工程では、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域に対して同時に不純物を注入する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電型領域における主要不純物の濃度が前記第2導電型領域における主要不純物の濃度よりも低く、
前記注入工程では、前記第1導電型の半導体領域を形成するための不純物を前記第1導電型領域および前記第2導電型領域に対して同時に注入する、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2導電型領域における主要不純物の濃度が前記第1導電型領域における主要不純物の濃度よりも低く、
前記注入工程では、前記第2導電型の半導体領域を形成するための不純物を前記第1導電型領域および前記第2導電型領域に対して同時に注入する、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記注入工程は、
前記第2導電型領域よりも前記第1導電型領域に対してより多くの不純物が注入されるように、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域を含む部材の表面に対して斜め方向に不純物を注入する工程と、
前記第1導電型領域よりも前記第2導電型領域に対してより多くの不純物が注入されるように、前記部材の表面に対して斜め方向に不純物を注入する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電型領域はソースまたはドレインであり、前記第2導電型領域はゲートである、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、光電変換装置を含み、前記光電変換装置は、フォトダイオードと、浮遊拡散部と、前記フォトダイオードの蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散部に転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散部に現れる信号を増幅する増幅トランジスタとを含み、
前記第1導電型領域は前記浮遊拡散部であり、前記第2導電型領域は前記増幅トランジスタのゲートである、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記増幅トランジスタは、埋め込みチャネル構造を有する、
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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