JP2006041237A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 センサ部の不純物領域に対するイオン注入と熱処理の少なくとも一部を他のイオン注入や熱処理と分離して先に行う。例えば、シリコン基板1のウェル領域5に、センサ部の電子蓄積領域となるn型不純物領域3を形成する場合、先にセンサ部へのn型イオン注入を行い、その熱処理後に、その他の工程を行う。また、n型不純物領域3の上にp型不純物領域4を形成する場合、n型不純物領域3だけを先に形成したり、あるいは、n型不純物領域3とp型不純物領域4の両方を先に形成することが可能である。
【選択図】 図1
Description
このCMOS型イメージセンサでは、各画素内にセンサ部と各種の画素トランジスタを設けたものであり、センサ部で生成した信号電荷を画素内で電気信号に変換し、所定のタイミングで外部に出力する構成となっている。
一方、CCD型イメージセンサにおいても、2次元アレイ状の画素(センサ部)やCCD転送レジスタを含む画素領域と、この画素領域から読み出した画素信号に信号処理を施す信号処理回路やCCD転送レジスタの駆動回路等が同一半導体基板上に設けられている。
したがって、いずれのイメージセンサにおいても、同一基板上にセンサ部のフォトダイオードとトランジスタ等の素子を形成することが必要となる。
例えば代表的な製造工程の例としては、画素領域及び周辺回路領域の素子分離形成→画素領域及び周辺回路領域のウェル形成→MOSトランジスタの所望の閾値を得るための不純物注入→画素領域及び周辺回路領域のゲート電極形成→センサ部の形成→配線形成といった順序となる。
しかし、最近では、両者の特性にあった工程を用いて機能の高度化を図る目的で、画素領域と周辺回路領域の処理工程を分離することも提案されている(例えば特許文献1参照)。
これに対し、MOSトランジスタの不純物領域については、各素子の微細化が進んでおり、注入したイオンをできるだけ拡散させず、他の領域との干渉を抑制し、閾値等の微妙な特性の制御を可能とすることが求められている。
したがって、このような正反対の要求を共通の熱処理によって実現することは極めて困難な状況となりつつある。
一方、上述した画素領域と周辺回路領域の処理工程を分離する方法では、実質的には同一の工程を重複して行う回数が多くなり、製造工程の増大や煩雑化を招き、製造コストの増大や製造時間の長期化を招いてしまうことになる。
この結果、トランジスタ等の各素子の小型化とセンサ部の高機能化の双方を満足した固体撮像装置を提供できる効果がある。
例えば、シリコン基板のウェル領域に、センサ部の電子蓄積領域となるn型不純物領域を形成する場合、先にセンサ部へのn型イオン注入を行い、その熱処理後に、その他の工程を行う。これにより、センサ部に対する十分な熱処理を行うことができ、暗電流や白傷ノイズの防止に貢献できるとともに、他の領域に対する過剰な熱処理を抑制し、微妙な特性の制御や素子の微細化等に貢献できる。
また、電荷蓄積容量を増大するために、濃度の異なるn型不純物領域を基板の深さ方向に階層的に形成する場合、例えば深層側のn型不純物領域だけについて先にイオン注入及び熱処理を行い、その後、表層側のn型不純物領域を他の素子のイオン注入及び熱処理とともに行うことができる。これにより、特にイオン注入時のダメージが大きく、かつ熱が加わり難い深層側のn型不純物領域に対しては十分な熱処理によってダメージの緩和を図り、表層側のn型不純物領域については熱処理を抑制して不純物の拡散を防止し、領域の形状を精度よく形成できるようにすることも可能である。
あるいは、高濃度のp型不純物領域を形成する場合には、高濃度イオンによって分子結晶に生じる歪が大きくなるため、この歪を修正すべく、十分な熱処理を行うために、このp型不純物領域を先にp型イオン注入及び熱処理によって形成し、その後に他の工程を行うようにしてもよい。これにより、高濃度のp型不純物領域(正孔蓄積領域)によって高機能化したセンサ部を形成することが可能となる。
なお、高濃度化したp型不純物領域と階層化したn型不純物領域のイオン注入と熱処理を全て先に行うことももちろん可能である。
また、通常は先に基板中に形成されるp型ウェル領域を、上述したセンサ部のイオン注入及び熱処理後に、その他の工程とともに行うことにより、ウェル領域の形状を精度よく形成できるようにすることも可能である。
図1及び図2に示す例は、シリコン基板に信号電子の蓄積領域となるn型不純物領域と正孔の蓄積領域となるp+型不純物領域を設けてフォトダイオードを形成する場合に、n型不純物領域とp+型不純物領域のイオン注入及び熱処理を他の領域に先立って行うようにしたものである。
次に、図1(B)及び図2(B)では、センサ部を除いてフォトレジスト層11のマスクを形成し、図1(B)に示すように、センサ部にn型不純物領域3となるリン等のn型イオン注入を行う。このn型イオン注入は高エネルギで行い、所定の深さ位置にn型不純物領域が形成されるようにする。
次に、図1(C)に示すように、センサ部の表面にp+型不純物領域4となるボロン等のp型イオン注入を行う。このp型イオン注入では、高濃度イオンの注入を行い、高い正孔蓄積作用を得る。なお、これらのイオン注入工程では、図2(B)及び図2(C)に示すように、周辺領域側はフォトレジスト層11で覆ったままである。
次に、図1(D)及び図2(D)では、フォトレジスト層11を除去し、例えば900°Cの高温で熱処理を行い、先に注入したn型イオンとp型イオンの熱拡散を行い、イオン注入によるダメージや歪を緩和する。以上が本例で特徴となる工程である。
さらに、図1(F)及び図2(F)では、ゲート電極9を形成し、さらに画素領域及び周辺回路領域のMOSトランジスタのソース及びドレイン領域10を形成する。この後は、従来の製造工程と同様の工程で、図示しない上層膜の形成や熱処理等を行うが、本発明には直接関係しないので説明は省略する。
図3及び図4に示す例は、シリコン基板に信号電子の蓄積領域となるn型不純物領域と正孔の蓄積領域となるp+型不純物領域を設けてフォトダイオードを形成する場合に、n型不純物領域のイオン注入及び熱処理は他の領域に先立って行い、p+型不純物領域のイオン注入及び熱処理は他の領域とともに後工程で行うようにしたものである。
次に、図3(B)及び図4(B)では、センサ部を除いてフォトレジスト層11のマスクを形成し、図3(B)に示すように、センサ部にn型不純物領域3となるリン等のn型イオン注入を行う。このn型イオン注入は高エネルギで行い、所定の深さ位置にn型不純物領域が形成されるようにする。
次に、図3(C)及び図4(C)では、フォトレジスト層11を除去し、例えば900°Cの高温で熱処理を行い、先に注入したn型イオンの熱拡散を行い、イオン注入によるダメージや歪を緩和する。以上が本例で特徴となる工程である。
さらに、図3(E)及び図4(E)では、センサ部の表面にp+型不純物領域4となるボロン等のp型イオン注入を行うとともに、ゲート電極9を形成し、さらに画素領域及び周辺回路領域のMOSトランジスタのソース及びドレイン領域10を形成する。この後は、従来の製造工程と同様の工程で、図示しない上層膜の形成や熱処理等を行うが、本発明には直接関係しないので説明は省略する。
このような本例では、センサ部のn型不純物領域3のイオン注入と熱処理だけを先に行い、p+型不純物領域4は従来と同様に後の工程で行うようにしたことから、n型不純物領域3の高エネルギによるイオン注入によって生じたダメージについては、十分な熱処理によって緩和でき、かつ、p+型不純物領域4については熱拡散を抑制して高精度の加工を行うことが可能となる。
図示のように、本例の製造方法を用いることにより、MOSトランジスタの各不純物領域を適正な熱処理によって高精度に制御でき、主に閾値の低下、短チャネル効果の増大を実現できる。
そして、フォトダイオード102で生成した信号電荷を読み出しトランジスタ103によってフローティングデフュージョンFDに読み出し、その電位変動を増幅トランジスタ104によって電気信号に変換し、これを垂直選択トランジスタ106を通して垂直信号線108に出力する。また、FDの電位は、リセットトランジスタ105によって電源電位に定期的にリセットされる。
また、本発明の製造方法は、図1〜図4に示した工程に限らず、その他にも種々の変形が可能である。
例えば、上述のように、n型不純物領域を基板の深さ方向に階層的に形成する場合、その全部の階層または一部の階層を先にn型イオン注入して熱処理を行うようにしてもよい。
また、上述した正孔蓄積領域となるp型不純物領域を形成しない素子構造のフォトダイオードを設けるものについても同様に適用できるものである。
さらに、イオン注入と熱処理を先に行う領域の組み合わせについては、種々の形態を採用できるものであり、本発明は特許請求の範囲の記載の趣旨を逸脱しない範囲で、それらを全て含むものとする。
Claims (8)
- 半導体基板上に光電変換を行うセンサ部の不純物領域と、その他の素子の不純物領域とを形成するための複数の不純物注入工程と、
前記不純物注入工程によって不純物が注入された領域に熱処理を行う複数の熱処理工程とを有し、
前記センサ部の不純物領域に対する不純物注入工程の少なくとも一部の不純物注入と、前記センサ部の不純物領域に対する熱処理工程の少なくとも一部の熱処理を先行して行い、その後、残りの不純物注入及び熱処理を行う、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記センサ部の不純物領域は、光電子を蓄積するためのn型不純物領域と、前記n型不純物領域の上層に形成されて正孔を蓄積するためのp型不純物領域とを有し、前記n型不純物領域及びp型不純物領域の不純物注入と熱処理を先行して行うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記センサ部の不純物領域は、光電子を蓄積するためのn型不純物領域と、前記n型不純物領域の上層に形成されて正孔を蓄積するためのp型不純物領域とを有し、前記n型不純物領域の不純物注入と熱処理を先行して行うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記センサ部の不純物領域は、光電子を蓄積するためのn型不純物領域と、前記n型不純物領域の上層に形成されて正孔を蓄積するためのp型不純物領域とを有し、前記p型不純物領域の不純物注入と熱処理を先行して行うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記センサ部の不純物領域は、光電子を蓄積するための複数のn型不純物領域が半導体基板の深さ方向に階層的に形成され、前記複数のn型不純物領域の少なくとも一部のn型不純物領域の不純物注入と熱処理を先行して行うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記複数のn型不純物領域の深層側のn型不純物領域の不純物注入と熱処理を先行して行うことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記半導体基板の内部にウェル領域の不純物注入を行う工程を有し、前記センサ部の不純物領域に対する不純物注入工程の少なくとも一部の不純物注入と、前記センサ部の不純物領域に対する熱処理工程の少なくとも一部の熱処理を先行して行い、その後の工程で前記ウェル領域の不純物注入を行うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記半導体基板の表面に素子分離領域とチャネリング防止用の熱酸化膜を形成する工程を有し、前記素子分離領域及び熱酸化膜を形成した後に、前記センサ部の不純物領域に対する不純物注入工程の少なくとも一部の不純物注入と、前記センサ部の不純物領域に対する熱処理工程の少なくとも一部の熱処理を行うことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。
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JPH05275674A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2002009270A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP2003282858A (ja) * | 2002-02-09 | 2003-10-03 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトダイオードを有するイメージセンサ及びその製造方法 |
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