JP2002009270A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JP2002009270A JP2002009270A JP2000189807A JP2000189807A JP2002009270A JP 2002009270 A JP2002009270 A JP 2002009270A JP 2000189807 A JP2000189807 A JP 2000189807A JP 2000189807 A JP2000189807 A JP 2000189807A JP 2002009270 A JP2002009270 A JP 2002009270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- imaging device
- state imaging
- solid
- photosensitive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000009271 trench method Methods 0.000 description 2
- 102100021337 Gap junction alpha-1 protein Human genes 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/016—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of thin-film-based image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感光素子の形成領域の実効面積を拡大するこ
とによりダイナミックレンジをより拡大することが可能
な固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 基板２上に感光素子Ｄ１とこの感光素子
に直接的、或いは間接的に接続されるアクティブ素子Ｔ
ｒ１，Ｔｒ２とを形成してなる固体撮像素子において、
前記感光素子の形成領域を、前記アクティブ素子の形成
領域よりも深くなるように設定すると共に、前記アクテ
ィブ素子の形成領域の直下まで広げ、且つ前記感光素子
の形成の不純物濃度は動作時にこの全域に亘って空乏化
するような濃度に設定されている。これにより、感光素
子の形成領域の実効面積を拡大する。
とによりダイナミックレンジをより拡大することが可能
な固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 基板２上に感光素子Ｄ１とこの感光素子
に直接的、或いは間接的に接続されるアクティブ素子Ｔ
ｒ１，Ｔｒ２とを形成してなる固体撮像素子において、
前記感光素子の形成領域を、前記アクティブ素子の形成
領域よりも深くなるように設定すると共に、前記アクテ
ィブ素子の形成領域の直下まで広げ、且つ前記感光素子
の形成の不純物濃度は動作時にこの全域に亘って空乏化
するような濃度に設定されている。これにより、感光素
子の形成領域の実効面積を拡大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高ダイナミックレ
ンジ化が可能な固体撮像装置に関するものである。
ンジ化が可能な固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、固体撮像装置の一例として、例
えばＣＭＯＳ Ａｃｔｉｖｅ Ｐｉｘｅｌ Ｉｍａｇｅ
Ｓｅｎｓｏｒ（以下、ＣＭＯＳ ＡＰＳと呼ぶ）やＣ
ＣＤイメージセンサ等が知られている。図７は標準的な
ＣＭＯＳ ＡＰＳの１つの画素（Ｐｉｘｅｌ）の等価回
路を示す図である。図示するように、このＣＭＯＳ Ａ
ＰＳの画素は、１つのフォトダイオードＤ１と、最低で
も３つのＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３を
有している。Ｔｒ１は、ゲートを介してフォトダイオー
ドＤ１に接続されてこのフォトダイオードＤ１に初期電
圧を供給するリセットトランジスタであり、Ｔｒ２はそ
のゲートが上記フォトダイオードＤ１の出力側に接続さ
れる増幅トランジスタである。Ｔｒ３は選択トランジス
タであり、そのゲートがロー選択信号側に接続され、コ
ラム出力を行なう。
えばＣＭＯＳ Ａｃｔｉｖｅ Ｐｉｘｅｌ Ｉｍａｇｅ
Ｓｅｎｓｏｒ（以下、ＣＭＯＳ ＡＰＳと呼ぶ）やＣ
ＣＤイメージセンサ等が知られている。図７は標準的な
ＣＭＯＳ ＡＰＳの１つの画素（Ｐｉｘｅｌ）の等価回
路を示す図である。図示するように、このＣＭＯＳ Ａ
ＰＳの画素は、１つのフォトダイオードＤ１と、最低で
も３つのＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３を
有している。Ｔｒ１は、ゲートを介してフォトダイオー
ドＤ１に接続されてこのフォトダイオードＤ１に初期電
圧を供給するリセットトランジスタであり、Ｔｒ２はそ
のゲートが上記フォトダイオードＤ１の出力側に接続さ
れる増幅トランジスタである。Ｔｒ３は選択トランジス
タであり、そのゲートがロー選択信号側に接続され、コ
ラム出力を行なう。
【０００３】更に、最近にあっては、上記各トランジス
タＴｒ１〜Ｔｒ３の他に、ＡＤコンバータ素子、ＤＳＰ
（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏ
ｒ）素子、画像圧縮機能素子等の他の周辺素子なども各
画素毎に内蔵させようとする試みもなされている。従っ
て、狭い画素領域内に益々多くのトランジスタが必要と
されるようになってきている。図８は上記画素の等価回
路の一部の構造を示す断面図である。図８中において、
Ａの部分はフォトダイオードＤ１とリセットトランジス
タＴｒ１の部分を示し、Ｂの部分は増幅トランジスタＴ
ｒ２の部分を示す。この図示例では選択トランジスタＴ
ｒ３及び配線系の記載は省略している。
タＴｒ１〜Ｔｒ３の他に、ＡＤコンバータ素子、ＤＳＰ
（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏ
ｒ）素子、画像圧縮機能素子等の他の周辺素子なども各
画素毎に内蔵させようとする試みもなされている。従っ
て、狭い画素領域内に益々多くのトランジスタが必要と
されるようになってきている。図８は上記画素の等価回
路の一部の構造を示す断面図である。図８中において、
Ａの部分はフォトダイオードＤ１とリセットトランジス
タＴｒ１の部分を示し、Ｂの部分は増幅トランジスタＴ
ｒ２の部分を示す。この図示例では選択トランジスタＴ
ｒ３及び配線系の記載は省略している。
【０００４】図中において、２は例えばシリコン基板等
よりなる基板であり、一方の導電型、例えばＰ型の不純
物がドープされている。この基板２の表面側に、上記と
は逆の導電型例えばＮ型の不純物が選択的にドープされ
てパターン化されたドープ層４が設けられ、この上部に
入射光を遮るためのパターン化された遮光層６が形成さ
れている。８はリセットトランジスタＴｒ１のゲート電
極であり、図示例ではゲート酸化膜の記載は省略してい
る。このゲート電極８の両側の下方には、上記リセット
トランジスタＴｒ１のドレイン１０及びソース１２がそ
れぞれ設けられる。このドレイン１０やソース１２は、
上記ドープ層４の一部を用いている。ここでソース１２
は、できるだけ大きい面積で形成されてフォトダイオー
ドＤ１の受光領域１４としても兼用されており、この受
光領域１４のドープ層４の上側にＰ型の不純物をドープ
してドープ層１６を形成し、このＰ型のドープ層１６と
Ｎ型のドープ層４との接合によりフォトダイオードＤ１
を形成している。従って、この受光領域１４の上方に
は、遮光層６を配置していない。また、上記増幅トラン
ジスタＴｒ２も、上記ドープ層４よりなるゲート電極１
８、ソース２０及びドレイン２２を有している。
よりなる基板であり、一方の導電型、例えばＰ型の不純
物がドープされている。この基板２の表面側に、上記と
は逆の導電型例えばＮ型の不純物が選択的にドープされ
てパターン化されたドープ層４が設けられ、この上部に
入射光を遮るためのパターン化された遮光層６が形成さ
れている。８はリセットトランジスタＴｒ１のゲート電
極であり、図示例ではゲート酸化膜の記載は省略してい
る。このゲート電極８の両側の下方には、上記リセット
トランジスタＴｒ１のドレイン１０及びソース１２がそ
れぞれ設けられる。このドレイン１０やソース１２は、
上記ドープ層４の一部を用いている。ここでソース１２
は、できるだけ大きい面積で形成されてフォトダイオー
ドＤ１の受光領域１４としても兼用されており、この受
光領域１４のドープ層４の上側にＰ型の不純物をドープ
してドープ層１６を形成し、このＰ型のドープ層１６と
Ｎ型のドープ層４との接合によりフォトダイオードＤ１
を形成している。従って、この受光領域１４の上方に
は、遮光層６を配置していない。また、上記増幅トラン
ジスタＴｒ２も、上記ドープ層４よりなるゲート電極１
８、ソース２０及びドレイン２２を有している。
【０００５】図９はインタライン型のＣＣＤイメージセ
ンサの一部の構造を示す断面図である。ここでも、例え
ばＰ型のシリコン基板よりなる基板２４上に他方、例え
ばＮ型の不純物が選択的にドープされてパターン化され
たドープ層２６が設けられ、この上部に遮光層２８がパ
ターン化されて形成されている。できるだけ大きい面積
で形成されたフォトダイオードＤ２の受光領域３０のド
ープ層２６の上側にＰ型の不純物をドープしてドープ層
３２を形成し、このＰ型のドープ層３２とＮ型のドープ
層２６との接合により、上記フォトダイオードＤ２を形
成している。従って、この受光領域３０の上方には、遮
光層２８を配置していない。そして、このフォトダイオ
ードＤ２の隣には、ドープ層２６を用いた転送ライン３
４が離間させて配置されており、この転送ライン３４と
上記フォトダイオードＤ２との上方には、これらを跨ぐ
ようにして、図示しないゲート酸化膜を介して転送ゲー
ト電極３６が形成されている。これにより、フォトダイ
オードＤ２において光電変換、信号電荷の蓄積を行な
い、所定の時間が経過した後に上記転送ゲート電極３６
を動作させて信号電荷を転送ライン３４側へ転送して出
力する。
ンサの一部の構造を示す断面図である。ここでも、例え
ばＰ型のシリコン基板よりなる基板２４上に他方、例え
ばＮ型の不純物が選択的にドープされてパターン化され
たドープ層２６が設けられ、この上部に遮光層２８がパ
ターン化されて形成されている。できるだけ大きい面積
で形成されたフォトダイオードＤ２の受光領域３０のド
ープ層２６の上側にＰ型の不純物をドープしてドープ層
３２を形成し、このＰ型のドープ層３２とＮ型のドープ
層２６との接合により、上記フォトダイオードＤ２を形
成している。従って、この受光領域３０の上方には、遮
光層２８を配置していない。そして、このフォトダイオ
ードＤ２の隣には、ドープ層２６を用いた転送ライン３
４が離間させて配置されており、この転送ライン３４と
上記フォトダイオードＤ２との上方には、これらを跨ぐ
ようにして、図示しないゲート酸化膜を介して転送ゲー
ト電極３６が形成されている。これにより、フォトダイ
オードＤ２において光電変換、信号電荷の蓄積を行な
い、所定の時間が経過した後に上記転送ゲート電極３６
を動作させて信号電荷を転送ライン３４側へ転送して出
力する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７及び図
８に示すように、基板２上の同一平面上にフォトダイオ
ードＤ１とリセットトランジスタＴｒ１と増幅トランジ
スタＴｒ２等の各種のＭＯＳトランジスタを配列して行
くと、必然的にフォトダイオードＤ１の占有領域（面
積）が少なくなり、これに伴って、このＣＭＯＳ ＡＰ
Ｓのダイナミックレンジの低下を引き起こしてしまう、
といった問題があった。このような問題は、多くの機能
素子を集積して設けようとすればする程、上記フォトダ
イオードＤ１の占有面積が相対的に縮小してしまう。ま
た、同様な問題は図９に示すようなＣＣＤイメージセン
サにおいても発生し、素子の微細化が進めば進む程、フ
ォトダイオードＤ２の領域が占める面積は相対的に狭く
なり、ダイナミックレンジが大幅に狭くなる、といった
問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものであり、そ
の目的は感光素子の形成領域の実効面積を拡大すること
によりダイナミックレンジをより拡大することが可能な
固体撮像装置を提供することにある。
８に示すように、基板２上の同一平面上にフォトダイオ
ードＤ１とリセットトランジスタＴｒ１と増幅トランジ
スタＴｒ２等の各種のＭＯＳトランジスタを配列して行
くと、必然的にフォトダイオードＤ１の占有領域（面
積）が少なくなり、これに伴って、このＣＭＯＳ ＡＰ
Ｓのダイナミックレンジの低下を引き起こしてしまう、
といった問題があった。このような問題は、多くの機能
素子を集積して設けようとすればする程、上記フォトダ
イオードＤ１の占有面積が相対的に縮小してしまう。ま
た、同様な問題は図９に示すようなＣＣＤイメージセン
サにおいても発生し、素子の微細化が進めば進む程、フ
ォトダイオードＤ２の領域が占める面積は相対的に狭く
なり、ダイナミックレンジが大幅に狭くなる、といった
問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものであり、そ
の目的は感光素子の形成領域の実効面積を拡大すること
によりダイナミックレンジをより拡大することが可能な
固体撮像装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に規定する発明
は、基板上に感光素子とこの感光素子に直接的、或いは
間接的に接続されるアクティブ素子とを形成してなる固
体撮像素子において、前記感光素子の形成領域を、前記
アクティブ素子の形成領域よりも深くなるように設定す
ると共に、前記アクティブ素子の形成領域の直下まで広
げ、且つ前記感光素子の形成の不純物濃度は動作時にこ
の全域に亘って空乏化するような濃度に設定されている
ことを特徴とする固体撮像装置である。このような構成
により、上記感光素子の形成領域の実効面積を実質的に
拡大してダイナミックレンジを拡大させることが可能と
なる。
は、基板上に感光素子とこの感光素子に直接的、或いは
間接的に接続されるアクティブ素子とを形成してなる固
体撮像素子において、前記感光素子の形成領域を、前記
アクティブ素子の形成領域よりも深くなるように設定す
ると共に、前記アクティブ素子の形成領域の直下まで広
げ、且つ前記感光素子の形成の不純物濃度は動作時にこ
の全域に亘って空乏化するような濃度に設定されている
ことを特徴とする固体撮像装置である。このような構成
により、上記感光素子の形成領域の実効面積を実質的に
拡大してダイナミックレンジを拡大させることが可能と
なる。
【０００８】この場合、請求項２に規定するように、前
記感光素子の形成領域の上方には、この形成領域に集光
させるためのマイクロ集光手段が設けられるようにして
もよい。これによれば、感光素子の感度の向上とダイナ
ミックレンジの拡大を同時に実現できる。
記感光素子の形成領域の上方には、この形成領域に集光
させるためのマイクロ集光手段が設けられるようにして
もよい。これによれば、感光素子の感度の向上とダイナ
ミックレンジの拡大を同時に実現できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る固体撮像装
置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明の固体撮像装置の一例であるＣＭＯＳ ＡＰＳの拡
散法による製造工程を示す図である。尚、本実施例及び
これに続く他の実施例ではＰ型の導電型の基板を用いた
場合を例にとって説明するが、これに代えてＮ型の導電
型の基板を用いてもよく、このＮ型基板を用いた場合に
は、各構成部分の導電型を、Ｐ型基板を用いた場合の逆
の導電型に設定すればよい。また、ここでは図７及び図
８において説明した構成と同一構成部分については、同
一の参照符号を付して説明する。
置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明の固体撮像装置の一例であるＣＭＯＳ ＡＰＳの拡
散法による製造工程を示す図である。尚、本実施例及び
これに続く他の実施例ではＰ型の導電型の基板を用いた
場合を例にとって説明するが、これに代えてＮ型の導電
型の基板を用いてもよく、このＮ型基板を用いた場合に
は、各構成部分の導電型を、Ｐ型基板を用いた場合の逆
の導電型に設定すればよい。また、ここでは図７及び図
８において説明した構成と同一構成部分については、同
一の参照符号を付して説明する。
【００１０】まず、Ｐ型の例えばシリコン基板よりなる
基板２上に、フォトダイオードや各種のトランジスタを
形成する領域に選択的に不純物としてリン（Ｐ）やヒ素
（Ａｓ）をイオン注入し、この不純物を所定の深さまで
拡散して大きなＮウエル３を形成する（図１（Ａ））。
ここで重要な点は、このＮウエル３の不純物濃度は、動
作時に、ここに形成されるフォトダイオードが全域に亘
って空乏化するような濃度に設定することである。これ
により、空乏層領域が拡大するので、光感度は従来装置
とは変わらないが、そのダイナミックレンジを拡大する
ことが可能となる。
基板２上に、フォトダイオードや各種のトランジスタを
形成する領域に選択的に不純物としてリン（Ｐ）やヒ素
（Ａｓ）をイオン注入し、この不純物を所定の深さまで
拡散して大きなＮウエル３を形成する（図１（Ａ））。
ここで重要な点は、このＮウエル３の不純物濃度は、動
作時に、ここに形成されるフォトダイオードが全域に亘
って空乏化するような濃度に設定することである。これ
により、空乏層領域が拡大するので、光感度は従来装置
とは変わらないが、そのダイナミックレンジを拡大する
ことが可能となる。
【００１１】次に、Ｎチャネルトランジスタを形成すべ
き場所にＰ型の不純物である、例えばボロン（Ｂ）をイ
オン注入し、熱処理することにより、図中では２箇所の
Ｐウエル５を形成する（図１（Ｂ））。この時、両Ｐウ
エル５はＰ型基板２側と電気的に接続されるようにその
一部が基板２のＰ型領域に及ぶように設定される。更
に、この両Ｐウエル５の深さは、フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）の形成領域となる上記Ｎウエル３の深さよりも浅く
なるように設定する。すなわち、両Ｐウエル５の直下に
上記Ｎウエル３の一部が延びたような状態となってい
る。次に、ゲート酸化膜（図示せず）とポリシリコンを
順次成膜した後、これらを例えば反応性イオンエッチン
グ法を用いて所定のパターンにエッチングすることによ
り、ゲート電極８、１８を形成する（図１（Ｃ））。
き場所にＰ型の不純物である、例えばボロン（Ｂ）をイ
オン注入し、熱処理することにより、図中では２箇所の
Ｐウエル５を形成する（図１（Ｂ））。この時、両Ｐウ
エル５はＰ型基板２側と電気的に接続されるようにその
一部が基板２のＰ型領域に及ぶように設定される。更
に、この両Ｐウエル５の深さは、フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）の形成領域となる上記Ｎウエル３の深さよりも浅く
なるように設定する。すなわち、両Ｐウエル５の直下に
上記Ｎウエル３の一部が延びたような状態となってい
る。次に、ゲート酸化膜（図示せず）とポリシリコンを
順次成膜した後、これらを例えば反応性イオンエッチン
グ法を用いて所定のパターンにエッチングすることによ
り、ゲート電極８、１８を形成する（図１（Ｃ））。
【００１２】次に、リセットトランジスタのソースとな
る部分７に、Ｎ型の不純物をドープしてソース１２を形
成すると共に、これをフォトダイオードの形成領域と電
気的に接続する（図１（Ｄ））。そして、このソースと
なる部分には、フォトダイオードの形成領域のＮウエル
３と同等の不純物濃度となるように不純物をこの時、或
いは別途ドーピングする。次に、上記ソース１２以外の
領域に不純物として例えばリンやヒ素をイオン注入して
熱処理してドープ層４を形成することにより各トランジ
スタのソース２０、ドレイン１０、２２を完成する（図
１（Ｅ））。これにより、アクティブ素子としてのリセ
ットトランジスタＴｒ１と増幅トランジスタＴｒ２を完
成する。尚、選択トランジスタの記載は省略している。
次に、Ｎウエル３よりなるフォトダイオードの形成領域
の表面に、例えばボロンイオン注入して熱処理すること
により、Ｐ型のドープ層１６を形成し、感光素子として
のフォトダイオードＤ１を完成する（図１（Ｆ））。
る部分７に、Ｎ型の不純物をドープしてソース１２を形
成すると共に、これをフォトダイオードの形成領域と電
気的に接続する（図１（Ｄ））。そして、このソースと
なる部分には、フォトダイオードの形成領域のＮウエル
３と同等の不純物濃度となるように不純物をこの時、或
いは別途ドーピングする。次に、上記ソース１２以外の
領域に不純物として例えばリンやヒ素をイオン注入して
熱処理してドープ層４を形成することにより各トランジ
スタのソース２０、ドレイン１０、２２を完成する（図
１（Ｅ））。これにより、アクティブ素子としてのリセ
ットトランジスタＴｒ１と増幅トランジスタＴｒ２を完
成する。尚、選択トランジスタの記載は省略している。
次に、Ｎウエル３よりなるフォトダイオードの形成領域
の表面に、例えばボロンイオン注入して熱処理すること
により、Ｐ型のドープ層１６を形成し、感光素子として
のフォトダイオードＤ１を完成する（図１（Ｆ））。
【００１３】次に、この表面全体に図示しない層間絶縁
膜等を形成した後に、上記フォトダイオードＤ１の領域
以外をＡｌ等よりなる遮光層６で覆うようにし、各トラ
ンジスタＴｒ１、Ｔｒ２の領域には光が入射しないよう
にしている。このようにして、固体撮像装置が完成され
ることになる（図１（Ｇ））。尚、ここでは１つの画素
しか示していないが、このような構成の画素が平面的に
多数配列されているのは勿論である。このように、フォ
トダイオードＤ１の形成領域をアクティブ素子であるリ
セットトランジスタＴｒ１や増幅トランジスタＴｒ２の
形成領域の直下にまで広がるようにして形成したので、
このダイナミックレンジを大幅に拡大することが可能と
なる。このことは、特に微細化傾向が更に進んで、１つ
のフォトダイオードＤ１の占有面積がより小さくなる
と、上記ダイナミックレンジの拡大効果が顕著となる。
膜等を形成した後に、上記フォトダイオードＤ１の領域
以外をＡｌ等よりなる遮光層６で覆うようにし、各トラ
ンジスタＴｒ１、Ｔｒ２の領域には光が入射しないよう
にしている。このようにして、固体撮像装置が完成され
ることになる（図１（Ｇ））。尚、ここでは１つの画素
しか示していないが、このような構成の画素が平面的に
多数配列されているのは勿論である。このように、フォ
トダイオードＤ１の形成領域をアクティブ素子であるリ
セットトランジスタＴｒ１や増幅トランジスタＴｒ２の
形成領域の直下にまで広がるようにして形成したので、
このダイナミックレンジを大幅に拡大することが可能と
なる。このことは、特に微細化傾向が更に進んで、１つ
のフォトダイオードＤ１の占有面積がより小さくなる
と、上記ダイナミックレンジの拡大効果が顕著となる。
【００１４】上記実施例では、拡散法を用いてＣＭＯＳ
ＡＰＳを製造した場合を例にとって説明したが、この
製造方法に限定されず、例えばエピタキシャル成長法を
用いて本発明のＣＭＯＳ ＡＰＳを製造するようにして
もよい。図２は本発明の固体撮像装置の一例であるＣＭ
ＯＳ ＡＰＳのエピタキシャル成長法による製造工程を
示す図である。尚、図１に示す構成と同一部分について
は同一符号を付してその説明を省略する。まず、図２
（Ａ）に示すように、Ｐ型の導電型の基板２上にＮ型の
エピタキシャル層４０を厚く、且つ広く形成する。
ＡＰＳを製造した場合を例にとって説明したが、この
製造方法に限定されず、例えばエピタキシャル成長法を
用いて本発明のＣＭＯＳ ＡＰＳを製造するようにして
もよい。図２は本発明の固体撮像装置の一例であるＣＭ
ＯＳ ＡＰＳのエピタキシャル成長法による製造工程を
示す図である。尚、図１に示す構成と同一部分について
は同一符号を付してその説明を省略する。まず、図２
（Ａ）に示すように、Ｐ型の導電型の基板２上にＮ型の
エピタキシャル層４０を厚く、且つ広く形成する。
【００１５】次に、図２（Ｂ）に示すように、個々の画
素を分離するために、拡散法、或いはトレンチ法等によ
って基板２と同じ導電型、すなわちＰ型の分離壁４２を
形成し、上記エピタキシャル層４０を区画する。この分
離型４２により囲まれたエピタキシャル層４０が図１
（Ａ）中のＮウエル３に対応するものであり、このエピ
タキシャル層４０における不純物濃度も動作時にこの全
域に亘って空乏化するような濃度に設定されている。そ
して、以下の各工程は、図１を参照して説明した工程と
全く同じである。すなわち、以下の図２（Ｃ）〜図２
（Ｈ）の各工程は、図１（Ｂ）〜図１（Ｇ）の各工程に
それぞれ対応するものであるので、その説明は省略す
る。この実施例の場合にも、装置のダイナミックレンジ
の拡大を測ることが可能となる。
素を分離するために、拡散法、或いはトレンチ法等によ
って基板２と同じ導電型、すなわちＰ型の分離壁４２を
形成し、上記エピタキシャル層４０を区画する。この分
離型４２により囲まれたエピタキシャル層４０が図１
（Ａ）中のＮウエル３に対応するものであり、このエピ
タキシャル層４０における不純物濃度も動作時にこの全
域に亘って空乏化するような濃度に設定されている。そ
して、以下の各工程は、図１を参照して説明した工程と
全く同じである。すなわち、以下の図２（Ｃ）〜図２
（Ｈ）の各工程は、図１（Ｂ）〜図１（Ｇ）の各工程に
それぞれ対応するものであるので、その説明は省略す
る。この実施例の場合にも、装置のダイナミックレンジ
の拡大を測ることが可能となる。
【００１６】上記各実施例では、固体撮像装置としてＣ
ＭＯＳ ＡＰＳの製造工程を説明したが、次に、固体撮
像装置としてＣＣＤイメージセンサの製造工程を説明す
る。図３は本発明の固体撮像装置の一例であるＣＣＤイ
メージセンサの拡散法による製造工程を示す図である。
尚、ここでは図９において説明した構成と同一構成部分
については、同一の参照符号を付して説明する。まず、
Ｐ型の導電型のシリコン基板よりなる基板２４上のフォ
トダイオードを形成する領域に選択的に不純物としてリ
ンやヒ素等のイオン注入を行なって、これを所定の深さ
まで拡散し、Ｎウエル２５を形成する（図３（Ａ））。
このＮウエル２５の不純物濃度は、ここに形成されるフ
ォトダイオードの動作時に全域に亘って空乏化するよう
な濃度に設定する。これにより、空乏層領域が拡大する
ので、光感度は従来装置とは変わらないが、そのダイナ
ミックレンジを拡大することが可能となる。
ＭＯＳ ＡＰＳの製造工程を説明したが、次に、固体撮
像装置としてＣＣＤイメージセンサの製造工程を説明す
る。図３は本発明の固体撮像装置の一例であるＣＣＤイ
メージセンサの拡散法による製造工程を示す図である。
尚、ここでは図９において説明した構成と同一構成部分
については、同一の参照符号を付して説明する。まず、
Ｐ型の導電型のシリコン基板よりなる基板２４上のフォ
トダイオードを形成する領域に選択的に不純物としてリ
ンやヒ素等のイオン注入を行なって、これを所定の深さ
まで拡散し、Ｎウエル２５を形成する（図３（Ａ））。
このＮウエル２５の不純物濃度は、ここに形成されるフ
ォトダイオードの動作時に全域に亘って空乏化するよう
な濃度に設定する。これにより、空乏層領域が拡大する
ので、光感度は従来装置とは変わらないが、そのダイナ
ミックレンジを拡大することが可能となる。
【００１７】次に、転送ゲート電極及び転送ラインが形
成されるべき場所に、Ｐ型の不純物、例えばボロンをイ
オン注入して熱処理することによりＰウエル２７を形成
する（図３（Ｂ））。この時、このＰウエル２７の領域
は、Ｐ型の基板２４側と電気的に接続されるような状態
に配置する。更に、このＰウエル２７の深さは、フォト
ダイオードの形成領域となる上記Ｎウエル２５よりも浅
くなるように設定する。すなわち、このＰウエル２７の
直下に、上記Ｎウエル２５の一部が延びたような状態と
なっている。次に、上記Ｐウエル２７の表面にＮ型の不
純物をドープしてＮ型のドープ層２６を形成することに
より、転送ライン３４を完成する（図３（Ｃ））。次
に、ゲート酸化膜（図示せず）及びポリシリコン層を順
次成膜した後、反応性イオンエッチング法等を用いてパ
ターニングすることにより、転送ゲート電極３６を形成
する（図３（Ｄ））。
成されるべき場所に、Ｐ型の不純物、例えばボロンをイ
オン注入して熱処理することによりＰウエル２７を形成
する（図３（Ｂ））。この時、このＰウエル２７の領域
は、Ｐ型の基板２４側と電気的に接続されるような状態
に配置する。更に、このＰウエル２７の深さは、フォト
ダイオードの形成領域となる上記Ｎウエル２５よりも浅
くなるように設定する。すなわち、このＰウエル２７の
直下に、上記Ｎウエル２５の一部が延びたような状態と
なっている。次に、上記Ｐウエル２７の表面にＮ型の不
純物をドープしてＮ型のドープ層２６を形成することに
より、転送ライン３４を完成する（図３（Ｃ））。次
に、ゲート酸化膜（図示せず）及びポリシリコン層を順
次成膜した後、反応性イオンエッチング法等を用いてパ
ターニングすることにより、転送ゲート電極３６を形成
する（図３（Ｄ））。
【００１８】次に、上記Ｎウエル２５のフォトダイオー
ドの形成領域の表面にＰ型の不純物をイオン注入してＰ
型のドープ層３２を形成し、ここにフォトダイオードＤ
２を完成する（図３（Ｅ））。次に、この表面全体に図
示しない層間絶縁膜等を形成した後に、上記フォトダイ
オードＤ２の領域以外をＡｌ等よりなる遮光層２８で覆
うようにし、上記転送ゲート電極３６や転送ライン３４
の領域には光が入射しないようにしている。このように
して、固体撮像装置が形成されることになる（図３
（Ｆ））。尚、ここでは１つの画素しか示していない
が、このような構成の画素が平面的に多数配列されてい
るのは勿論である。
ドの形成領域の表面にＰ型の不純物をイオン注入してＰ
型のドープ層３２を形成し、ここにフォトダイオードＤ
２を完成する（図３（Ｅ））。次に、この表面全体に図
示しない層間絶縁膜等を形成した後に、上記フォトダイ
オードＤ２の領域以外をＡｌ等よりなる遮光層２８で覆
うようにし、上記転送ゲート電極３６や転送ライン３４
の領域には光が入射しないようにしている。このように
して、固体撮像装置が形成されることになる（図３
（Ｆ））。尚、ここでは１つの画素しか示していない
が、このような構成の画素が平面的に多数配列されてい
るのは勿論である。
【００１９】このように、フォトダイオードＤ２の形成
領域をアクティブ素子である転送ゲート３６と転送ライ
ン３４とよりなる素子の形成領域の直下にまで広がるよ
うに形成したので、このダイナミックレンジを大幅に拡
大することができる。このことは、特に微細化傾向が更
に進んで、１つのフォトダイオードＤ２の占有面積がよ
り小さくなると、上記ダイナミックレンジの拡大効果が
顕著となる。上記実施例では、拡散法を用いてＣＣＤイ
メージセンサを製造した場合を例にとって説明したが、
この製造方法に限定されず、例えばエピタキシャル成長
法を用いて本発明のＣＣＤイメージセンサを製造するよ
うにしてもよい。図４は本発明の固体撮像装置の一例で
あるＣＣＤイメージセンサのエピタキシャル成長法によ
る製造工程を示す図である。尚、図３に示す構成と同一
部分については同一符号を付してその説明を省略する。
まず、図４（Ａ）に示すように、Ｐ型の導電型の基板２
４上にＮ型のエピタキシャル層５０を厚く、且つ広く形
成する。
領域をアクティブ素子である転送ゲート３６と転送ライ
ン３４とよりなる素子の形成領域の直下にまで広がるよ
うに形成したので、このダイナミックレンジを大幅に拡
大することができる。このことは、特に微細化傾向が更
に進んで、１つのフォトダイオードＤ２の占有面積がよ
り小さくなると、上記ダイナミックレンジの拡大効果が
顕著となる。上記実施例では、拡散法を用いてＣＣＤイ
メージセンサを製造した場合を例にとって説明したが、
この製造方法に限定されず、例えばエピタキシャル成長
法を用いて本発明のＣＣＤイメージセンサを製造するよ
うにしてもよい。図４は本発明の固体撮像装置の一例で
あるＣＣＤイメージセンサのエピタキシャル成長法によ
る製造工程を示す図である。尚、図３に示す構成と同一
部分については同一符号を付してその説明を省略する。
まず、図４（Ａ）に示すように、Ｐ型の導電型の基板２
４上にＮ型のエピタキシャル層５０を厚く、且つ広く形
成する。
【００２０】次に、図４（Ｂ）に示すように、個々の画
素を分離するために、拡散法、或いはトレンチ法等によ
って基板２４と同じ導電型、すなわちＰ型の分離壁５２
を形成し、上記エピタキシャル層４０を区画する。この
分離型５２により囲まれたエピタキシャル層５０が図３
（Ａ）中のＮウエル３５に対応するものであり、このエ
ピタキシャル層５０における不純物濃度も動作時にこの
全域に亘って空乏化するような濃度に設定されている。
そして、以下の各工程は、図３を参照して説明した工程
と全く同じである。すなわち、以下の図４（Ｃ）〜図４
（Ｇ）の各工程は、図３（Ｂ）〜図３（Ｆ）の各工程に
それぞれ対応するものであるので、その説明は省略す
る。この実施例の場合にも、装置のダイナミックレンジ
の拡大を測ることが可能となる。
素を分離するために、拡散法、或いはトレンチ法等によ
って基板２４と同じ導電型、すなわちＰ型の分離壁５２
を形成し、上記エピタキシャル層４０を区画する。この
分離型５２により囲まれたエピタキシャル層５０が図３
（Ａ）中のＮウエル３５に対応するものであり、このエ
ピタキシャル層５０における不純物濃度も動作時にこの
全域に亘って空乏化するような濃度に設定されている。
そして、以下の各工程は、図３を参照して説明した工程
と全く同じである。すなわち、以下の図４（Ｃ）〜図４
（Ｇ）の各工程は、図３（Ｂ）〜図３（Ｆ）の各工程に
それぞれ対応するものであるので、その説明は省略す
る。この実施例の場合にも、装置のダイナミックレンジ
の拡大を測ることが可能となる。
【００２１】また、上記各実施例では、ダイナミックレ
ンジを主として拡大するように構成した場合を例にとっ
て説明したが、図５及び図６に示すようにマイクロ集光
手段を設けて光感度も向上させるようにしてもよい。図
５は図１或いは図２において示したＣＭＯＳ ＡＰＳ上
に、マイクロ集光手段６０を設けた状態を示しており、
装置の上面の透明保護層６２上に、例えば透明樹脂より
なる略半球状のマイクロレンズ体６４を各フォトダイオ
ードＤ１に対応させて設けている。これにより、マイク
ロレンズ体６４で集めた光をフォトダイオードＤ１上に
集光させて、その感度を向上させることが可能となる。
ンジを主として拡大するように構成した場合を例にとっ
て説明したが、図５及び図６に示すようにマイクロ集光
手段を設けて光感度も向上させるようにしてもよい。図
５は図１或いは図２において示したＣＭＯＳ ＡＰＳ上
に、マイクロ集光手段６０を設けた状態を示しており、
装置の上面の透明保護層６２上に、例えば透明樹脂より
なる略半球状のマイクロレンズ体６４を各フォトダイオ
ードＤ１に対応させて設けている。これにより、マイク
ロレンズ体６４で集めた光をフォトダイオードＤ１上に
集光させて、その感度を向上させることが可能となる。
【００２２】また、図６は、図１或いは図２において示
したＣＭＯＳ ＡＰＳ上に、他の構造のマイクロ集光手
段６６を設けた状態を示しており、ここでは、透明保護
層６２上に、例えば低屈折率材よりなる集光基板６８を
設け、そして、この集光基板６８に上記各フォトダイオ
ードＤ１に対応させて入射面側（図中、上方）が拡径さ
れて射出面側（図中、下方）が縮径された截頭四角錐台
形状の高屈折率透明部材７０を嵌め込み、この透明部材
７０と集光基板６８との接合面で入射光を反射させて下
方のフォトダイオードＤ１側へ導くようになっている。
この場合にも、入射光がフォトダイオードＤ１に向けて
集光されるので、その感度を向上させることが可能とな
る。尚、ＣＣＤイメージセンサに対しても、図５及び図
６にて説明したマイクロ集光手段６０、６６を適用でき
るのは勿論である。
したＣＭＯＳ ＡＰＳ上に、他の構造のマイクロ集光手
段６６を設けた状態を示しており、ここでは、透明保護
層６２上に、例えば低屈折率材よりなる集光基板６８を
設け、そして、この集光基板６８に上記各フォトダイオ
ードＤ１に対応させて入射面側（図中、上方）が拡径さ
れて射出面側（図中、下方）が縮径された截頭四角錐台
形状の高屈折率透明部材７０を嵌め込み、この透明部材
７０と集光基板６８との接合面で入射光を反射させて下
方のフォトダイオードＤ１側へ導くようになっている。
この場合にも、入射光がフォトダイオードＤ１に向けて
集光されるので、その感度を向上させることが可能とな
る。尚、ＣＣＤイメージセンサに対しても、図５及び図
６にて説明したマイクロ集光手段６０、６６を適用でき
るのは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。フォトダイオード等の感光素子の形成領域
を、アクティブ素子の直下まで拡大させて形成したの
で、このダイナミックレンジを拡大させることができ
る。従って、被写体をひずみ無しで再生し得る輝度レベ
ルの範囲を拡大することができる。
装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。フォトダイオード等の感光素子の形成領域
を、アクティブ素子の直下まで拡大させて形成したの
で、このダイナミックレンジを拡大させることができ
る。従って、被写体をひずみ無しで再生し得る輝度レベ
ルの範囲を拡大することができる。
【図１】本発明の固体撮像装置の一例であるＣＭＯＳ
ＡＰＳの拡散法による製造工程を示す図である。
ＡＰＳの拡散法による製造工程を示す図である。
【図２】本発明の固体撮像装置の一例であるＣＭＯＳ
ＡＰＳのエピタキシャル成長法による製造工程を示す図
である。
ＡＰＳのエピタキシャル成長法による製造工程を示す図
である。
【図３】本発明の固体撮像装置の一例であるＣＣＤイメ
ージセンサの拡散法による製造工程を示す図である。
ージセンサの拡散法による製造工程を示す図である。
【図４】本発明の固体撮像装置の一例であるＣＣＤイメ
ージセンサのエピタキシャル成長法による製造工程を示
す図である。
ージセンサのエピタキシャル成長法による製造工程を示
す図である。
【図５】図１或いは図２において示したＣＭＯＳ ＡＰ
Ｓ上にマイクロ集光手段を設けた状態を示す図である。
Ｓ上にマイクロ集光手段を設けた状態を示す図である。
【図６】図１或いは図２において示したＣＭＯＳ ＡＰ
Ｓ上に他の構造のマイクロ集光手段を設けた状態を示す
図である。
Ｓ上に他の構造のマイクロ集光手段を設けた状態を示す
図である。
【図７】標準的なＣＭＯＳ ＡＰＳの１つの画素（Ｐｉ
ｘｅｌ）の等価回路を示す図である。
ｘｅｌ）の等価回路を示す図である。
【図８】画素の等価回路の一部の構造を示す断面図であ
る。
る。
【図９】インタライン型のＣＣＤイメージセンサの一部
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
２，２４…基板、４，２６，３２…ドープ層、６，２８
…遮光層、８…ゲート電極、１０，２２…ドレイン、１
２，２０…ソース、３４…転送ライン、３６…転送ゲー
ト電極、６０，６６…マイクロ集光手段、Ｄ１，Ｄ２…
フォトダイオード（感光素子）、Ｔｒ１…リセットトラ
ンジスタ（アクティブ素子）、Ｔｒ２…増幅トランジス
タ（アクティブ素子）。
…遮光層、８…ゲート電極、１０，２２…ドレイン、１
２，２０…ソース、３４…転送ライン、３６…転送ゲー
ト電極、６０，６６…マイクロ集光手段、Ｄ１，Ｄ２…
フォトダイオード（感光素子）、Ｔｒ１…リセットトラ
ンジスタ（アクティブ素子）、Ｔｒ２…増幅トランジス
タ（アクティブ素子）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｂ Ｄ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4M118 AA02 AB01 BA14 CA03 CA17 DD12 EA01 EA15 FA26 FA27 GB11 GD04 5C024 AX01 CX41 CX43 CY47 EX43 GX03 GY01 GY31 5F049 MA02 NA01 NA03 NA12 NB05 QA15 RA03 RA08 SE09 SE11 TA11 TA12 UA11
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に感光素子とこの感光素子に直接
的、或いは間接的に接続されるアクティブ素子とを形成
してなる固体撮像素子において、前記感光素子の形成領
域を、前記アクティブ素子の形成領域よりも深くなるよ
うに設定すると共に、前記アクティブ素子の形成領域の
直下まで広げ、且つ前記感光素子の形成の不純物濃度は
動作時にこの全域に亘って空乏化するような濃度に設定
されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記感光素子の形成領域の上方には、こ
の形成領域に集光させるためのマイクロ集光手段が設け
られることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189807A JP2002009270A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189807A JP2002009270A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009270A true JP2002009270A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18689392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000189807A Pending JP2002009270A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002009270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041237A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| EP1376701A3 (en) * | 2002-06-27 | 2008-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | CMOS image sensor with a special MOS transistor |
-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000189807A patent/JP2002009270A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1376701A3 (en) * | 2002-06-27 | 2008-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | CMOS image sensor with a special MOS transistor |
| US7705381B2 (en) | 2002-06-27 | 2010-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device and camera system using the same |
| US7723766B2 (en) | 2002-06-27 | 2010-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device and camera system using the same |
| EP2270863A3 (en) * | 2002-06-27 | 2013-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | CMOS image sensor with a special MOS transistor |
| US8436406B2 (en) | 2002-06-27 | 2013-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device and camera system using the same |
| US8580595B2 (en) | 2002-06-27 | 2013-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device and camera system the same |
| JP2006041237A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6486521B2 (en) | Optimized floating P+ region photodiode for a CMOS image sensor | |
| US7898000B2 (en) | Solid-state image pickup device and method for producing the same | |
| US7465598B2 (en) | Solid-state imaging device and method for fabricating same | |
| US7063998B2 (en) | Image sensor having photo diode and method for manufacturing the same | |
| JP2007110134A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサとその製造方法 | |
| US20130126952A1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus | |
| JP2004039832A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| KR100640980B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2003101004A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2002009270A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2006024934A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサーの製造方法 | |
| KR100792334B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| JP4115446B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 | |
| JPS6018957A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2007180536A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP2010028141A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| KR100449952B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100649001B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JPH03101164A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2006041237A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |