JP2010028141A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置は、pn接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離する選択酸化による素子分離層34と、素子分離層34の形成後のイオン注入で、素子分離層34の端部及び下部を覆いセンサ部の第2導電型の電荷蓄積領域36に接して形成された第1導電型の第1半導体領域351とを有する。
【選択図】図5
Description
その他の構成は、図4で説明したと同様であるので、図5において、図4に対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
Claims (8)
- pn接合型のセンサ部と、
前記センサ部を画素分離する選択酸化による素子分離層と、
前記素子分離層の形成後のイオン注入で、前記素子分離層の端部及び下部を覆い前記センサ部の第2導電型の電荷蓄積領域に接して形成された第1導電型の第1半導体領域と
を有する固体撮像装置。 - 前記センサ部が、
第2導電型の半導体領域に形成された第1導電型の第1の半導体ウェル領域と、
前記第1の半導体ウェル領域の上に形成された高抵抗半導体領域と、
前記高抵抗半導体領域の表面に形成された第2導電型の前記電荷蓄積領域と
を有して構成される
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1導電型の第1半導体領域が、前記第1の半導体ウェル領域に達して形成される
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記第1導電型の第1半導体領域と前記第1の半導体ウェル領域との間に、該前記第1導電型の第1半導体領域と前記第1の半導体ウェル領域に接して、端部が前記素子分離層の端部より内側に存するように形成された第1導電型の第2の半導体ウェル領域を有する
請求項3記載の固体撮像装置。 - 第2導電型の半導体領域に画素分離する選択酸化による素子分離層を形成する工程と、
前記素子分離層の形成後に、イオン注入により前記素子分離層の端部及び下部を覆う第1導電型の第1半導体領域を形成する工程と、
前記素子分離層にて画素分離された前記第2導電型の半導体領域に、前記第1導電型の第1半導体領域に接する第2導電型の電荷蓄積領域を有するpn接合型のセンサ部を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記第2導電型の半導体領域の所要の深さ位置に第1導電型の第1の半導体ウェル領域を形成する工程と、
前記第2導電型の半導体領域の前記第1の半導体ウェル領域で分離された表面側の領域の表面に第2導電型の電荷蓄積領域を形成し、前記分離された表面側の領域によって高抵抗領域を形成する工程と
を有する
請求項5記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1導電型の第1半導体領域を、該第1半導体領域の下部が前記第1導電型の第1の半導体ウェル領域に達するように下方に延長して形成する
請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1導電型の第1半導体領域の下部に接し、端部が前記素子分離層の端部より内方に存して、前記第1導電型の第1の半導体ウェル領域に達する第1導電型の第2の半導体ウェル領域を形成する工程を有する
請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。
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