JP2008085304A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 184
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 35
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 33
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/146—Imager structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】 光電変換装置の製造方法において、第1の層間絶縁層に配された第1のホールに配された第1の導電体によって、第1の半導体領域と増幅用MOSトランジスタのゲート電極とが配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続されている。さらに、第2の導電体によって、第1の半導体領域とは異なる第2の半導体領域と配線とが電気的に接続されている。この第2の導電体は第1の層間絶縁層に配された第2のホールに配された第3の導電体と、第2の層間絶縁層に配された第3のホールに配された第4の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。そして、第1の導電体と第3の導電体とは同一工程で形成される。
【選択図】 図1
Description
まず、本発明が適用されうるMOS型光電変換装置の回路について説明する。図6は、MOS型光電変換装置の回路の一例を示したものである。101a及び101bは光電変換素子であり、102a及び102bは光電変換素子の電荷を転送する転送用MOSトランジスタである。本実施形態においては、光電変換素子にて生じる電荷のうち電子を信号電荷として取り扱う。また転送用MOSトランジスタはN型である。103は光電変換素子101a及び101bや、転送用MOSトランジスタのドレイン領域をリセットするためのリセット用MOSトランジスタである。また、104は光電変換素子に生じた電荷に基づく信号を増幅して信号線106へ出力する増幅用MOSトランジスタである。増幅用MOSトランジスタは、ソースフォロワ回路の一部を構成し、そのドレイン領域には電源電圧が供給されている。105は信号線への読み出しを制御する選択用MOSトランジスタである。これら転送用トランジスタ、リセット用トランジスタ、増幅用MOSトランジスタ、選択用MOSトランジスタを含めて読み出し用MOSトランジスタとよぶ。図6では、この読み出し用MOSトランジスタに含まれる103、104、105を2つの光電変換素子101a及び101bで共有している。124は光電変換素子が配列された光電変換領域である。
本実施形態では、光電変換素子で生じた電荷が転送される半導体領域(第1の半導体領域)と増幅用MOSトランジスタのゲート電極とを電気的に接続する第1の導電体にシェアードコンタクト構造を用いている。更に、その他のMOSトランジスタと配線との電気的接続にスタックコンタクト構造を用いている。
次に、図2を用いて光電変換装置の製造方法の一例を説明する。符号は図1と対応している。
図3に本実施形態の構成を示す。図3における符号は、図1と対応している。本実施形態の特徴は、第2の導電体が有するバリア膜の構造である。第3の導電体11と活性領域8の間にはバリア膜24−1及び24−2が設けられ、第4の導電体13と第3の導電体の間にはバリア膜25が設けられている。これは第1の導電体及び第3の導電体を配する工程の前に、ホールに2層のバリア膜を形成する工程を有し、第4の導電体を配する工程の前に、ホールに単層のバリア膜を形成する工程を追加することにより形成できる。例えば、導電体としてタングステンを用いる場合、第1の導電体9や第3の導電体11のバリア膜をTi膜とTiN膜との2層構造とし、第4の導電体13のバリア膜はTiN膜の単層とする。この構成によって、第2の導電体のような構造を有する光電変換装置の歩留を向上させることが可能となる。
本実施形態では、第1の導電体(シェアードコンタクト構造)の、増幅MOSトランジスタのゲート電極の直上領域の一部に配されている領域の長さと、第1の導電体の、活性領域の直上領域の一部に配されている領域の長さとの比を規定している。この長さ規定について図9及び図10を用いて述べる。
図11を用いて本実施形態の光電変換装置の構成を説明する。図11では図1の構成に対して、更に反射防止膜1101が設けられている。また、第3の導電体11上に配線1102が配され、その同じ層に配線1103が配されている。反射防止膜1101をホール形成時のエッチングストップ膜として用いることが可能となり、制御よくホールを形成することが可能となる。また、第3の導電体11上の層に配線1102や配線1103が配されることによって、低背化が可能となる。
図7は、上述の実施形態にて説明した光電変換装置を、撮像システムの一例であるビデオカメラへ適用した場合のブロック図である。他の撮像システムとしてデジタルスチルカメラ等があげられる。以下、図7を元に詳細に説明する。
2、5 第2導電型の半導体領域
4 転送用MOSトランジスタのゲート電極
6 素子分離領域
7 増幅用MOSトランジスタのゲート電極
8 MOSトランジスタのソースもしくはドレイン領域
9、11、13 導電体
10、12、14 バリア膜
15 配線
16 バリア膜
17、18、19 層間絶縁層
Claims (12)
- 光電変換素子と、
前記光電変換素子の電荷を第1の半導体領域に転送する転送用MOSトランジスタと、前記転送された電荷に基づく信号を読み出すための増幅用MOSトランジスタとを含む複数のMOSトランジスタと、が半導体基板に配され、
複数の配線を含む配線層と、
前記光電変換素子及び前記複数のMOSトランジスタを覆って配された第1の層間絶縁層と前記第1の層間絶縁層上に積層された第2の層間絶縁層とを含む複数の層間絶縁層と、が半導体基板上に配された光電変換装置の製造方法において、
前記光電変換装置は、前記第1の層間絶縁層に配された第1のホールに配され、前記第1の半導体領域と前記増幅用MOSトランジスタのゲート電極とを前記配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続する第1の導電体と、
前記第1の半導体領域とは異なる第2の半導体領域と前記配線層に含まれる第1の配線とを電気的に接続する第2の導電体と、を有し、
前記第2の導電体は、前記第1の層間絶縁層に配された第2のホールに配された第3の導電体と、前記第2の層間絶縁層に配された第3のホールに配された第4の導電体とが、積層され電気的に接続された構成であり、
前記第1のホールに前記第1の導電体を配する工程と、前記第2のホールに前記第3の導電体を配する工程とが同一工程であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の導電体と前記第3の導電体とが同一の高さであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
- 更に、前記複数のMOSトランジスタに含まれる前記増幅用MOSトランジスタとは異なるMOSトランジスタのゲート電極と前記配線層に含まれる第2の配線とを電気的に接続する第5の導電体を有し、
当該第5の導電体は、前記第1の層間絶縁層に配された第4のホールに配された第6の導電体と前記第2の層間絶縁層に配された第5のホールに配された第7の導電体とが積層され電気的に接続された構成であり、
前記第1のホールに前記第1の導電体を配する工程と前記第4のホールに前記第6の導電体を配する工程とが同一工程であることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第2の半導体領域は、前記複数のMOSトランジスタの電極領域のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のホールに前記第1の導電体を配する工程及び前記第2のホールに前記第3の導電体を配する工程の前に、前記第1のホール及び第2のホールに2層のバリア膜を形成する工程を有し、
前記第3のホールに前記第4の導電体を配する工程の前に、前記第3のホールに単層のバリア膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記第1の導電体と前記第3の導電体と前記第4の導電体はタングステンからなり、
前記単層のバリア膜は、TiN、TaN、WSi、WNのいずれかからなることを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記配線層に含まれる第3の配線が、前記第2の層間絶縁層の上であって、前記第1の導電体の直上の領域の少なくとも一部に配されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第3の配線は前記増幅用MOSトランジスタへ電源電圧を供給する電源線あるいは前記増幅用MOSトランジスタから前記信号が出力される信号線であることを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1の導電体は、前記第1の半導体領域の直上の領域の一部に配された第1の領域と、前記増幅用MOSトランジスタのゲート電極の直上の領域の一部に配された第2の領域とを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域との境界線に交差する方向における、前記第2の領域の前記第1の領域に対する長さの比は0.6以上1未満となるように、前記第1のホールを形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記比が0.7以上であることを特徴とする請求項9に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記ゲート電極の一部は素子分離領域の上部に配されており、前記素子分離領域はSTIであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 半導体基板に配される複数の光電変換素子と、
前記光電変換素子の電荷を第1の半導体領域に転送する転送MOSトランジスタと、前記転送された電荷に基づく信号を読み出すための増幅用MOSトランジスタと、を有する光電変換装置の製造方法であって、
前記半導体基板に前記光電変換素子、前記第1の半導体領域、前記転送MOSトランジスタ及び前記増幅MOSトランジスタを形成する工程と、
前記光電変換素子、前記転送MOSトランジスタ及び前記増幅MOSトランジスタを覆って第1の層間絶縁層を形成する工程と、
前記増幅MOSトランジスタのゲート電極の一部及び前記第1の半導体領域の一部を含む領域を露出させる単一のホールを前記第1の層間絶縁層に形成する工程と、
前記増幅用MOSトランジスタの電極領域の少なくとも一部を含む領域を露出させるホールを前記第1の層間絶縁層に形成する工程と、
前記単一のホールに第1の導電体を埋め込む工程と、
前記増幅MOSトランジスタの電極領域の少なくとも一部を含む領域に対応して形成されたホールに第2の導電体を埋め込む工程と、
前記第1の導電体及び前記第2の導電体を覆って第2の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁層の、前記第2の導電体の少なくとも一部を含む領域に対応するホールを形成する工程と、
前記第2の導電体の少なくとも一部を含む領域に対応して形成されたホールに第3の導電体を埋め込む工程と、
前記第3の導電体上に当該第3の導電体と電気的に接続される配線を形成する工程と、を有し、
前記第1の導電体を埋め込む工程と前記第2の導電体を埋め込む工程とが、同一工程で行なわれることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007189447A JP5305622B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-07-20 | 光電変換装置の製造方法 |
US11/840,583 US7749788B2 (en) | 2006-08-31 | 2007-08-17 | Manufacturing method of photoelectric conversion device |
EP07114764A EP1895591B1 (en) | 2006-08-31 | 2007-08-22 | Manufacturing method of photoelectric conversion device |
US12/784,567 US7842988B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-05-21 | Manufacturing method of photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236760 | 2006-08-31 | ||
JP2006236760 | 2006-08-31 | ||
JP2006235936 | 2006-08-31 | ||
JP2006235936 | 2006-08-31 | ||
JP2007189447A JP5305622B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-07-20 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085304A true JP2008085304A (ja) | 2008-04-10 |
JP5305622B2 JP5305622B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=38669190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007189447A Expired - Fee Related JP5305622B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-07-20 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7749788B2 (ja) |
EP (1) | EP1895591B1 (ja) |
JP (1) | JP5305622B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067774A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2010182976A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
US8482646B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device and camera |
JP2013247182A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
US8670059B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an n-type buried layer, and camera |
US8723285B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device manufacturing method thereof, and camera |
US9171799B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, image pickup system, and manufacturing method therefor |
US10096545B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus, system, and method of manufacturing semiconductor apparatus |
WO2019082546A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4425809B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-03-03 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP5110820B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
JP5110831B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2008181965A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Sharp Corp | 積層型光電変換装置及びその製造方法 |
JP5159120B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP4110192B1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム |
JP5305623B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム |
KR20100045094A (ko) * | 2008-10-23 | 2010-05-03 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
JP2010161236A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法 |
JP5558857B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
JP5627202B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2014-11-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5558916B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JP5563257B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-07-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
JP2011216865A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-27 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP6041607B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-12-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6128787B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-05-17 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
CN106416230B (zh) * | 2014-01-22 | 2019-09-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置以及摄像装置 |
US9935139B2 (en) * | 2014-08-22 | 2018-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor and method for forming the same |
KR101676810B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2016-11-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자, 이를 포함하는 디스플레이 드라이버 집적 회로 및 디스플레이 장치 |
JP6700655B2 (ja) | 2014-10-30 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
JP6744748B2 (ja) | 2016-04-06 | 2020-08-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0955440A (ja) * | 1995-08-17 | 1997-02-25 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001028401A (ja) * | 1999-05-12 | 2001-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2003197889A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Sony Corp | Mos型固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2004165236A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2004356614A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5387536A (en) * | 1994-01-26 | 1995-02-07 | Eastman Kodak Company | Method of making a low capacitance floating diffusion structure for a solid state image sensor |
JPH08181205A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の配線構造およびその製造方法 |
JP3064999B2 (ja) * | 1997-11-13 | 2000-07-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6169317B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and image sensor |
JP2001237408A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2002368203A (ja) | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP3840214B2 (ja) | 2003-01-06 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法及び同光電変換装置を用いたカメラ |
KR101028137B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2011-04-08 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 씨모스 이미지 센서의 단위화소 |
US7268369B2 (en) * | 2004-07-06 | 2007-09-11 | Fujifilm Corporation | Functional device and method for producing the same |
JP4646577B2 (ja) | 2004-09-01 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
KR100652379B1 (ko) * | 2004-09-11 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | Cmos 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US7115925B2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-10-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor and pixel having an optimized floating diffusion |
JP4618786B2 (ja) | 2005-01-28 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP4695902B2 (ja) | 2005-03-18 | 2011-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-07-20 JP JP2007189447A patent/JP5305622B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-17 US US11/840,583 patent/US7749788B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-22 EP EP07114764A patent/EP1895591B1/en not_active Not-in-force
-
2010
- 2010-05-21 US US12/784,567 patent/US7842988B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0955440A (ja) * | 1995-08-17 | 1997-02-25 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001028401A (ja) * | 1999-05-12 | 2001-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2003197889A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Sony Corp | Mos型固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2004165236A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2004356614A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067774A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
US8723285B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device manufacturing method thereof, and camera |
US8053272B2 (en) | 2009-02-06 | 2011-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabrication method |
US8482646B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device and camera |
US8670059B2 (en) | 2009-02-06 | 2014-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an n-type buried layer, and camera |
JP2010182976A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
US9171799B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, image pickup system, and manufacturing method therefor |
JP2013247182A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
US10096545B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor apparatus, system, and method of manufacturing semiconductor apparatus |
WO2019082546A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
JPWO2019082546A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2020-11-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
US11569279B2 (en) | 2017-10-27 | 2023-01-31 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
JP7530717B2 (ja) | 2017-10-27 | 2024-08-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7749788B2 (en) | 2010-07-06 |
EP1895591B1 (en) | 2013-01-09 |
EP1895591A2 (en) | 2008-03-05 |
US20080057615A1 (en) | 2008-03-06 |
US7842988B2 (en) | 2010-11-30 |
JP5305622B2 (ja) | 2013-10-02 |
US20100230728A1 (en) | 2010-09-16 |
EP1895591A3 (en) | 2011-11-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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