JP2010141294A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の基板上に第１の分離層を形成し、
   前記第１の分離層上に第１の半導体素子層を形成し、
   前記第１の半導体素子層及び前記第１の分離層に第１のレーザビームを照射することにより、前記第１の半導体素子層及び前記第１の分離層の一部を除去して開口部を形成し、
   前記開口部に、前記第１の半導体素子層と電気的に接続する第１の配線を形成し、
   前記第１の半導体素子層上に第１の保護材を形成し、
   前記第１の保護材中に、前記第１の配線に電気的に接続する第１の電極を形成し、
   前記第１の分離層に沿って、前記第１の基板と、前記第１の保護材が形成された前記第１の半導体素子層と、を分離し、
   第２の基板上に第２の分離層を形成し、
   前記第２の分離層上に第２の半導体素子層を形成し、
   前記第２の半導体素子層及び前記第２の分離層に第２のレーザビームを照射することにより、前記第２の半導体素子層及び前記第２の分離層の一部を除去して開口部を形成し、
   前記開口部に、前記第２の半導体素子層と電気的に接続する第２の配線を形成し、
   前記第２の半導体素子層上に第２の保護材を形成し、
   前記第２の保護材中に、前記第２の配線に電気的に接続する第２の電極を形成し、
   前記第２の保護材上に、前記第２の電極と前記第１の配線が電気的に接続されるように、前記第１の半導体素子層を貼り合わせ、
   前記第２の分離層に沿って、前記第２の基板と、前記第２の保護材が形成された前記第２の半導体素子層及び前記第１の保護材が形成された前記第１の半導体素子層と、を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１及び第２の保護材は、それぞれシート状繊維体に有機樹脂が含浸された構造体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１及び第２の電極は、それぞれ導電性樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。