JP2011222596A5 - - Google Patents

Description

本発明の第１態様の半導体装置は、第１面と、前記第１面とは反対の第２面と、前記第１面に設けられた電極パッドとを備えた半導体基板と、前記第２面から前記第１面に向けて前記半導体基板を貫通し、前記電極パッドを露呈する貫通孔と、前記電極パッドが露呈されている露呈部及び前記貫通孔の側面を被覆し、底面と側面とを有し、前記電極パッドと電気的に接続された貫通電極と、前記貫通孔内に充填され、前記貫通電極を被覆し、複数層で形成された保護層とを備える。この半導体装置において、前記保護層の前記複数層のうち最も前記第１面に近い層は、少なくとも前記貫通電極の前記底面と前記側面との間に位置する交差部を被覆し、ポジ型感光性樹脂からなり、二番目に前記第１面に近い層は、最も前記第１面に近い層と異なる樹脂からなる。即ち、最も前記第１面に近い前記層は、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されている。
本発明の第１態様の半導体装置においては、最も前記第１面に近い層は、前記交差部のみを被覆していてもよい。

Claims (4)

1. 半導体装置であって、
   第１面と、前記第１面とは反対の第２面と、前記第１面に設けられた電極パッドとを備えた半導体基板と、
   前記第２面から前記第１面に向けて前記半導体基板を貫通し、前記電極パッドを露呈する貫通孔と、
   前記電極パッドが露呈されている露呈部及び前記貫通孔の側面を被覆し、底面と側面とを有し、前記電極パッドと電気的に接続された貫通電極と、
   前記貫通孔内に充填され、前記貫通電極を被覆し、複数層で形成された保護層と、
   を備え、
   前記保護層の前記複数層のうち最も前記第１面に近い層は、少なくとも前記貫通電極の前記底面と前記側面との間に位置する交差部を被覆し、ポジ型感光性樹脂からなり、
   二番目に前記第１面に近い層は、最も前記第１面に近い層と異なる樹脂からなる
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 最も前記第１面に近い層は、前記交差部のみを被覆していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 半導体装置の製造方法であって、
   （Ａ）第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有する半導体基板を準備し、前記第１面に電極パッドを形成し、
   （Ｂ）前記第２面から前記第１面に向けて前記半導体基板を貫通する貫通孔を形成し、前記電極パッドを露呈し、
   （Ｃ）前記電極パッドが露呈されている露呈部及び前記貫通孔の側面を被覆し、底面と側面とを有する貫通電極を形成し、
   （Ｄ）ポジ型感光性樹脂を用いて前記貫通電極を被覆し、
   （Ｅ）前記半導体基板の前記第２面に光を照射し、
   （Ｆ）少なくとも前記貫通電極の前記底面と前記側面との間に位置する交差部に前記ポジ型感光性樹脂が残存するように、前記ポジ型感光性樹脂を除去し、
   （Ｇ）次いで、前記貫通孔内に樹脂を充填する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記工程Ｄ，前記工程Ｅ，及び前記工程Ｆを複数回繰り返すことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。