JP2008118142A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 受光領域および遮光領域を含む半導体基板と、
   前記受光領域および前記遮光領域において、前記半導体基板に形成される、複数のフォトダイオードと、
   前記半導体基板上に形成され、配線層間を絶縁する、層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に前記遮光領域を覆って形成され、光を遮光する上部遮光パターンと、
   前記層間絶縁膜の、前記遮光領域と前記受光領域の境界の部分に形成され、光を遮断する遮光パターンと、
   を含むことを特徴とするイメージセンサー。
2. 前記遮光パターンは、前記上部遮光パターンと前記遮光領域の前記フォトダイオードとの間に形成されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
3. 前記遮光パターンは、前記遮光領域の前記フォトダイオードと前記上部遮光パターンとを連結することを特徴とする請求項１または２に記載のイメージセンサー。
4. 前記遮光パターンの下部の面は、前記半導体基板の上部の面より低いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
5. 前記遮光パターンは、前記上部遮光パターンと同じ物質を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
6. 前記複数のフォトダイオードに隣接する複数のトランジスターと、
   前記層間絶縁膜内に、前記トランジスターを覆う複数の金属配線と、
   をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
7. 前記遮光パターンは、前記金属配線と同じ物質を含むことを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサー。
8. 前記遮光領域は、前記受光領域と隣接する第１遮光領域と、前記第１遮光領域と隣接する第２遮光領域と、を含み、
   前記遮光パターンは、前記第１遮光領域に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
9. 前記受光領域は、前記遮光領域に囲まれていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
10. 前記遮光領域は、前記受光領域の一の側辺に配置されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のイメージセンサー。
11. 受光領域および遮光領域を含む半導体基板を形成する段階と、
    前記受光領域と前記遮光領域において、前記半導体基板に複数のフォトダイオードを形成する段階と、
    前記半導体基板上に、配線層間を絶縁する層間絶縁膜を形成する段階と、
    前記層間絶縁膜の、前記受光領域と前記遮光領域の境界の部分に光を遮断する遮光パターンを形成する段階と、
    前記遮光領域の、前記層間絶縁膜上に、光を遮断する、上部遮光パターンを形成する段階と、
    を含むことを特徴とするイメージセンサーの製造方法。
12. 前記遮光パターンは、前記上部遮光パターンと前記遮光領域のフォトダイオードとの間に形成されることを特徴とする請求項１１に記載のイメージセンサーの製造方法。
13. 前記遮光パターンを形成する段階は、
    前記層間絶縁膜に、前記遮光領域のフォトダイオードを露出するコンタクトホールを形成する段階と、
    前記コンタクトホールを埋める金属膜を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載のイメージセンサーの製造方法。
14. 前記半導体基板に、前記複数のフォトダイオードに隣接する複数のトランジスターを形成する段階と、
    前記層間絶縁膜に、前記複数のトランジスターを覆う複数の金属配線を形成する段階と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１２または１３に記載のイメージセンサーの製造方法。
15. 前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上の第３層間絶縁膜と、を含み、
    前記遮光パターンを形成する段階は、前記第１層間絶縁膜に、前記遮光領域のフォトダイオードと連結する第１遮光パターンを形成する段階と、
    前記第２層間絶縁膜に、前記第１遮光パターンと連結する第２遮光パターンを形成する段階と、
    前記第３層間絶縁膜に、前記第２遮光パターンと連結する第３遮光パターンを形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のイメージセンサーの製造方法。
16. 前記金属配線は、前記第１層間絶縁膜上の第１金属配線と、前記第２層間絶縁膜上の前記第１金属配線を覆う第２金属配線と、を含み、
    前記第１遮光パターンは、前記第１金属配線と同時に形成され、
    前記第２遮光パターンは、前記第２金属配線と同時に形成され、
    前記第３遮光パターンは、前記上部遮光パターンと同時に形成されることを特徴とする請求項１５に記載のイメージセンサーの製造方法。
17. 前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜上の第３層間絶縁膜と、を含み、
    前記遮光パターンを形成する段階は、前記第２層間絶縁膜に、第２遮光パターンを形成する段階と、
    前記第３層間絶縁膜に、前記第２遮光パターンと連結する第３遮光パターンを形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のイメージセンサーの製造方法。
18. 前記金属配線は、前記第１層間絶縁膜上の第１金属配線と、前記第２層間絶縁膜上の前記第１金属配線を覆う第２金属配線と、を含み、
    前記第２遮光パターンは、前記第２金属配線と同時に形成され、
    前記第３遮光パターンは、前記上部遮光パターンと同時に形成されることを特徴とする請求項１７に記載のイメージセンサーの製造方法。
19. 前記遮光領域は、前記受光領域と隣接する第１遮光領域と、前記第１遮光領域と隣接する第２遮光領域を含み、
    前記遮光パターンは、前記第１遮光領域に形成されることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか１項に記載のイメージセンサーの製造方法。
20. 前記受光領域は、前記遮光領域に囲まれて形成されることを特徴とする請求項１９に記載のイメージセンサーの製造方法。
21. 前記遮光領域は、前記受光領域の一の側辺に形成されることを特徴とする請求項１９に記載のイメージセンサーの製造方法。