JP2012084693A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012084693A5 JP2012084693A5 JP2010229753A JP2010229753A JP2012084693A5 JP 2012084693 A5 JP2012084693 A5 JP 2012084693A5 JP 2010229753 A JP2010229753 A JP 2010229753A JP 2010229753 A JP2010229753 A JP 2010229753A JP 2012084693 A5 JP2012084693 A5 JP 2012084693A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- layer
- pad portion
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (19)
- 受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素が形成された基板と、
前記基板の表面側に形成された配線層と、
前記配線層に形成された表面電極パッド部と、
前記基板の裏面側に形成された遮光膜と、
前記遮光膜と同一の層に形成されたパッド部下地層と、
前記遮光膜及びパッド部下地層の基板側とは反対側の上層の光入射側に形成されたオンチップレンズ層と、
前記オンチップレンズ層上部に形成された裏面電極パッド部と、
前記オンチップレンズ層、前記パッド部下地層、及び前記基板を貫通し、前記表面電極パッド部が露出するように形成された貫通孔と、
前記貫通孔内に形成され、前記表面電極パッド部、及び前記裏面電極パッド部を接続する貫通電極層と、
を備える固体撮像装置。 - 前記貫通電極層は、前記表面電極パッド部及び裏面電極パッド部と、前記パッド部下地層を電気的に接続している
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 遮光膜は、隣接する画素間を遮光する画素間遮光膜と、前記複数の画素のうち、無効画素領域を遮光するための無効画素遮光膜とで構成されている
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記画素間遮光膜及び前記無効画素遮光膜は電気的に接続されている
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記画素間遮光膜、前記無効画素領域及び前記パッド部下地層は電気的に接続されている
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記貫通孔は、前記表面電極パッド部が光入射側に露出するように形成された第1の開口部と、前記第1の開口部よりも大きな径で形成され、前記パッド部下地層が光入射側に露出するように形成された第2の開口部とから構成されている
請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記裏面電極パッド部は、前記無効画素遮光膜上部にまで延在して形成されている
請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素を基板に形成する工程と、
前記基板の表面側に、複数層の配線と、表面電極パッド部とを有する配線層を形成する工程と、
前記配線層上の同一の層に、パッド部下地層及び遮光膜を形成する工程と、
前記パッド部下地層及び遮光膜の基板側とは反対側の上層の光入射側にオンチップレンズ層を形成する工程と、
前記オンチップレンズ層上から前記パッド部下地層を貫通して前記表面電極パッド部に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極層を形成すると共に、前記表面電極パッド部と電気的に接続された裏面電極パッド部を、前記オンチップレンズ層上に形成する工程と、
前記画素上部のオンチップレンズ層表面を加工し、オンチップレンズを形成する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 前記遮光膜は、隣接する画素間を遮光する領域に形成された画素間遮光膜と、前記複数の画素の内、無効画素領域を遮光する領域に形成された無効画素遮光膜で構成される
請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記画素間遮光膜及び前記無効画素遮光膜は、電気的に接続するように形成する
請求項9に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記画素間遮光膜、前記無効画素領域及び前記パッド部下地層は、電気的に接続して形成する
請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記貫通孔を形成する工程は、前記表面電極パッド部が光入射側に露出するように第1の開口部を形成する工程と、前記パッド部下地層が光入射側に露出するように、前記第1の開口部よりも大きな径で第2の開口部を形成する工程と、
を含む請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記裏面電極パッド部は、前記無効画素遮光膜上部にまで延在して形成する
請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素が形成された基板と、前記基板の表面側に形成された配線層と、前記基板の裏面側に形成された遮光膜と、前記遮光膜と同一の層に形成されたパッド部下地層と、前記遮光膜及びパッド部下地層の基板側とは反対側の上層の光入射側に形成されたオンチップレンズ層と、を備える上層部と、基板と、基板の表面側に形成され、表面電極パッド部を備えて形成された配線層とを備える下層部とを形成し、前記上層部及び下層部の配線層同士を接着する工程と、
前記オンチップレンズ層上から前記パッド部下地層を貫通して前記表面電極パッド部に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極層を形成すると共に、前記表面電極パッド部と電気的に接続された裏面電極パッド部を、前記オンチップレンズ層上に形成する工程と、
前記画素上部のオンチップレンズ層表面に凸形状に加工し、オンチップレンズを形成する工程と、
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 前記遮光膜は、隣接する画素間を遮光する領域に形成された画素間遮光膜と、前記複数の画素の内、無効画素領域を遮光する領域に形成された無効画素遮光膜で構成される
請求項14に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記画素間遮光膜及び前記無効画素遮光膜は、電気的に接続するように形成する
請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記画素間遮光膜、前記無効画素領域及び前記パッド部下地層は、電気的に接続して形成する
請求項16に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記貫通孔の形成は、前記表面電極パッド部が光入射側に露出するように第1の開口部を形成する工程と、前記パッド部下地層が光入射側に露出するように、前記第1の開口部よりも大きな径で第2の開口部を形成する工程と、
を含む請求項17に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 光学レンズと、
受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素が形成された基板と、前記基板の表面側に形成された配線層と、前記配線層に形成された表面電極パッド部と、
前記基板の裏面側に形成された遮光膜と、前記遮光膜と同一の層に形成されたパッド部下地層と、前記遮光膜及びパッド部下地層の基板側とは反対側の上層の光入射側に形成されたオンチップレンズ層と、前記オンチップレンズ層上部に形成された裏面電極パッド部と、前記オンチップレンズ層、前記パッド部下地層、及び前記基板を貫通し、前記表面電極パッド部が露出するように形成された貫通孔と、前記貫通孔を介して前記表面電極パッド部と前記裏面電極パッド部とを接続する電極層と、を備える固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010229753A JP5640630B2 (ja) | 2010-10-12 | 2010-10-12 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
TW100133089A TWI505452B (zh) | 2010-10-12 | 2011-09-14 | 固態成像裝置,固態成像裝置之製造方法,及電子裝備 |
KR1020110097226A KR101899595B1 (ko) | 2010-10-12 | 2011-09-27 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 |
CN201110299781.5A CN102446933B (zh) | 2010-10-12 | 2011-09-30 | 固体摄像装置及其制造方法和电子设备 |
US13/252,618 US8492864B2 (en) | 2010-10-12 | 2011-10-04 | Solid-state imaging device and electronic equipment |
US13/920,257 US9006018B2 (en) | 2010-10-12 | 2013-06-18 | Method of manufacturing a solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010229753A JP5640630B2 (ja) | 2010-10-12 | 2010-10-12 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012084693A JP2012084693A (ja) | 2012-04-26 |
JP2012084693A5 true JP2012084693A5 (ja) | 2013-11-14 |
JP5640630B2 JP5640630B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=45924480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010229753A Expired - Fee Related JP5640630B2 (ja) | 2010-10-12 | 2010-10-12 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8492864B2 (ja) |
JP (1) | JP5640630B2 (ja) |
KR (1) | KR101899595B1 (ja) |
CN (1) | CN102446933B (ja) |
TW (1) | TWI505452B (ja) |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5921129B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-05-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2013077711A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TWI577001B (zh) * | 2011-10-04 | 2017-04-01 | Sony Corp | 固體攝像裝置、固體攝像裝置之製造方法及電子機器 |
JP2013084785A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置 |
US9224773B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
JP5970826B2 (ja) | 2012-01-18 | 2016-08-17 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器 |
US9224770B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor device and method |
US9455288B2 (en) | 2012-05-21 | 2016-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor structure to reduce cross-talk and improve quantum efficiency |
WO2014002852A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2014022402A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US9232122B2 (en) * | 2012-09-19 | 2016-01-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Camera module having an array sensor |
JP6041607B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-12-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6128787B2 (ja) | 2012-09-28 | 2017-05-17 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
US10270003B2 (en) * | 2012-12-04 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for CMOS sensor packaging |
CN103066088B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-08-19 | 豪威科技(上海)有限公司 | 背照式cmos影像传感器的制造方法 |
CN103107178B (zh) * | 2013-01-14 | 2015-10-07 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法 |
CN103066093B (zh) * | 2013-01-14 | 2015-12-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种用深槽隔离制造影像传感器的方法及影像传感器结构 |
CN103117290B (zh) * | 2013-03-07 | 2015-08-19 | 豪威科技(上海)有限公司 | 背照式cmos影像传感器及其制造方法 |
KR102011102B1 (ko) | 2013-03-13 | 2019-08-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN111430385B (zh) * | 2013-03-29 | 2024-04-23 | 索尼公司 | 摄像元件和摄像装置 |
JP6184240B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-08-23 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6200835B2 (ja) | 2014-02-28 | 2017-09-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR102154184B1 (ko) | 2014-03-10 | 2020-09-09 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법 |
US9281338B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor image sensor device having back side illuminated image sensors with embedded color filters |
US9614000B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Biased backside illuminated sensor shield structure |
CN103985725B (zh) * | 2014-06-03 | 2017-03-08 | 豪威科技(上海)有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
JP2016001633A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
US10204952B2 (en) * | 2014-08-29 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device having recess filled with conductive material and method of manufacturing the same |
US9515111B2 (en) * | 2014-10-20 | 2016-12-06 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuitry for biasing light shielding structures and deep trench isolation structures |
JP2016174016A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9690051B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-06-27 | International Business Machines Corporation | Backside binary grated lens coupled to front side waveguide |
US10522582B2 (en) * | 2015-10-05 | 2019-12-31 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus |
US10014271B2 (en) * | 2015-11-20 | 2018-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and method of manufacturing the same |
JP6907944B2 (ja) * | 2016-01-18 | 2021-07-21 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
JP2018011018A (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP2018081945A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
KR102619669B1 (ko) | 2016-12-30 | 2023-12-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN106847872B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
US11594567B2 (en) * | 2017-04-04 | 2023-02-28 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
KR102412617B1 (ko) | 2017-05-10 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP7038494B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2022-03-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子 |
CN110870071B (zh) * | 2017-07-18 | 2024-03-22 | 索尼半导体解决方案公司 | 成像装置以及成像装置的制造方法 |
JP2019040892A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器 |
JP7204319B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2023-01-16 | キヤノン株式会社 | エネルギー線の検出器、検出装置、機器 |
JP2019179783A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子 |
CN110739325A (zh) | 2018-07-18 | 2020-01-31 | 索尼半导体解决方案公司 | 受光元件以及测距模块 |
JP2020145397A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-09-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、それを含む機器 |
US11244978B2 (en) | 2018-10-17 | 2022-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment including the same |
US11121160B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and equipment comprising a light shielding part in a light receiving region and a light shielding film in a light shielded region |
JP2020077848A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
KR102651605B1 (ko) * | 2019-01-11 | 2024-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN113348729A (zh) * | 2019-02-01 | 2021-09-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置、显示装置制造方法以及电子设备 |
CN110085616A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-02 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器的形成方法 |
US11393861B2 (en) * | 2020-01-30 | 2022-07-19 | Omnivision Technologies, Inc. | Flare-suppressing image sensor |
US11469264B2 (en) * | 2020-01-30 | 2022-10-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Flare-blocking image sensor |
CN115039227A (zh) * | 2020-03-17 | 2022-09-09 | 索尼半导体解决方案公司 | 成像元件和半导体芯片 |
KR20210133363A (ko) * | 2020-04-28 | 2021-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 센서와 그를 포함한 표시 장치 |
US20220050988A1 (en) * | 2020-08-17 | 2022-02-17 | Au Optronics Corporation | Fingerprint sensing device |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4443865B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4046069B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
JP4525129B2 (ja) | 2004-03-26 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法 |
US7964926B2 (en) * | 2005-02-02 | 2011-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensing devices including image sensor chips, image sensor package modules employing the image sensing devices, electronic products employing the image sensor package modules, and methods of fabricating the same |
JP2006261638A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
KR100801447B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2008-02-11 | (주)실리콘화일 | 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP4659783B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2011-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 裏面照射型撮像素子の製造方法 |
JP4609497B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
JP5422914B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2014-02-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2009283503A (ja) | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4799594B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4966931B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2012-07-04 | シャープ株式会社 | 電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 |
JP5985136B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
US8227288B2 (en) * | 2009-03-30 | 2012-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor and method of fabricating same |
JP5418044B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-02-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5077310B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2012-11-21 | ソニー株式会社 | 裏面照射型固体撮像装置および裏面照射型固体撮像装置の製造方法 |
JP5853351B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2016-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
-
2010
- 2010-10-12 JP JP2010229753A patent/JP5640630B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-14 TW TW100133089A patent/TWI505452B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-09-27 KR KR1020110097226A patent/KR101899595B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-30 CN CN201110299781.5A patent/CN102446933B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-04 US US13/252,618 patent/US8492864B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-18 US US13/920,257 patent/US9006018B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012084693A5 (ja) | ||
US11387189B2 (en) | Image pickup apparatus and camera module | |
JP2009176777A5 (ja) | ||
TWI667779B (zh) | 固態成像裝置,固態成像裝置之製造方法及電子設備 | |
TWI379411B (en) | Electronic assembly for image sensor device | |
JP6729654B2 (ja) | 半導体装置、固体撮像素子、および電子機器 | |
TWI496462B (zh) | 用於相機模組之電磁干擾屏蔽 | |
WO2015016140A1 (ja) | 撮像素子、電子機器、および撮像素子の製造方法 | |
TW201110676A (en) | Electronic assembly for an image sensing device, wafer level lens set | |
EP2228826A3 (en) | Solid-state image pickup device and a method of manufacturing the same | |
JP2013080838A5 (ja) | ||
JP2015029047A5 (ja) | ||
JP2014099582A5 (ja) | ||
JP2009182223A5 (ja) | ||
JP2014099582A (ja) | 固体撮像装置 | |
EP2120264A3 (en) | Method of manufacturing solid-state imaging device and method of manufacturing electronic apparatus | |
KR20130025805A (ko) | 이미지 센서를 위한 계단형 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2009065098A5 (ja) | ||
JP2012209542A5 (ja) | ||
JP2009283902A5 (ja) | ||
TW201101471A (en) | Solid-state imaging device comprising through-electrode | |
JP2008210846A5 (ja) | ||
JP2014225536A (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
TWI456748B (zh) | 背面照射型固態攝像裝置及其之製造方法 | |
JP2013084763A5 (ja) |