JP6729654B2 - 半導体装置、固体撮像素子、および電子機器 - Google Patents
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Description
(1)
複数の素子が形成される素子形成部と、
前記素子形成部に積層され、前記素子間を接続する配線が形成される配線部と
を備え、
前記素子形成部に、
光の影響を受ける受動素子と、
前記受動素子の周辺に配置される周辺回路を構成する能動素子と、
前記受動素子および前記能動素子の間に、前記素子形成部の厚み方向の隙間が所定の間隔以下となるように形成され、光の伝搬を妨げる材料により構成される構造物と
が配置される
半導体装置。
(2)
前記受動素子は、光を受光して光電変換を行う受光素子である
上記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記素子形成部に前記配線部が積層される表面に対して反対側となる裏面に、前記受光素子が受光する光が照射され、
前記素子形成部および前記配線部が積層されて構成される基板の表面側に、その基板を支持する支持基板が接合されて構成される
上記(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記構造物は、前記素子形成部に前記配線部が積層される表面から形成され、前記構造物の先端と、前記表面に対して反対側となる裏面との隙間が所定の間隔以下となるように形成される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の半導体装置。
(5)
前記構造物は、前記素子形成部に前記配線部が積層される表面に対して反対側となる裏面から形成され、前記構造物の先端と、前記表面との隙間が所定の間隔以下となるように形成される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の半導体装置。
(6)
前記構造物は、前記素子形成部に前記配線部が積層される表面から形成される第1の構造物の先端と、前記表面に対して反対側となる裏面から形成される第2の構造物の先端との隙間が所定の間隔以下となるように形成される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の半導体装置。
(7)
前記構造物は、前記能動素子から前記受動素子に向かう間の複数個所に形成される
上記(1)から(6)までのいずれかに記載の半導体装置。
(8)
前記構造物は、前記素子形成部において前記能動素子が形成される側となる表面から形成される第1の構造物と、前記表面に対して反対側となる裏面から形成される第2の構造物とが、前記能動素子から前記受動素子を見たときに重ね合わされて配置される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の半導体装置。
(9)
前記構造物が、前記素子形成部の厚み方向の隙間が設けられることなく、前記素子形成部を貫通するように形成される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の半導体装置。
(10)
前記構造物は、光を屈折または吸収する材料により構成される
上記(1)から(9)までのいずれかに記載の半導体装置。
(11)
前記構造物は、前記素子形成部の厚み方向に向かう側壁が、その厚み方向に対して傾斜して形成される
上記(10)に記載の半導体装置。
(12)
前記構造物は、光を反射する金属により構成される
上記(1)から(9)までのいずれかに記載の半導体装置。
(13)
前記構造物の周囲を取り囲む絶縁物をさらに有する
上記(12)に記載の半導体装置。
(14)
前記構造物の電位を取り出すための電極をさらに有する
上記(12)または(13)に記載の半導体装置。
(15)
前記受動素子は、光ノイズに対して高感度のアナログ素子である
上記(1)から(14)までのいずれかに記載の半導体装置。
(16)
前記構造物は、前記受動素子が形成される領域と、前記能動素子が形成される領域との間を通り、平面的に見て前記受動素子が形成される領域を囲うように配置される
上記(1)から(15)までのいずれかに記載の半導体装置。
(17)
前記構造物は、前記受動素子が形成される領域と、前記能動素子が形成される領域との間を通り、平面的に見て前記能動素子が形成される領域を囲うように配置される
上記(1)から(15)までのいずれかに記載の半導体装置。
(18)
前記構造物は、前記受動素子が形成される領域と、前記能動素子が形成される領域との間で、前記受動素子と前記能動素子とを結ぶ直線上に少なくとも存在するように配置される
上記(1)から(15)までのいずれかに記載の半導体装置。
(19)
複数の前記受動素子が配置される素子領域と、前記素子領域の周辺に配置され、前記能動素子により構成される周辺回路との間に、1本または複数本の前記構造物が形成される構造物形成領域が設けられる
上記(1)に記載の半導体装置。
(20)
前記構造物は、前記素子形成部を構成するシリコン層内で赤外光を反射または吸収する材料により構成される
上記(19)に記載の半導体装置。
(21)
前記素子形成部を構成する基板は、シリコン層の間に、前記シリコンとは屈折率の異なる材料により構成される層が形成されて構成される
上記(19)または(20)に記載の半導体装置。
(22)
前記構造物は、前記素子形成部を構成するシリコン層内で赤外光を反射または吸収する材料により構成される
上記(21)に記載の半導体装置。
(23)
前記構造物は、平面的に見て前記素子領域を囲うように、少なくとも二重に配置されるとともに、周方向に複数に分割されており、隣り合う前記構造物どうしが、半周期ずらして配置されている
上記(19)から(22)までのいずれかに記載の半導体装置。
(24)
複数の前記構造物が、平面的に見て前記素子領域の周囲を連続的に囲うように配置されている
上記(19)から(22)までのいずれかに記載の半導体装置。
(25)
複数の素子が形成される素子形成部と、
前記素子形成部に積層され、前記素子間を接続する配線が形成される配線部と
を備え、
前記素子形成部に、
光を受光して光電変換を行う受光素子と、
前記受光素子の周辺に配置される周辺回路を構成する能動素子と、
前記受光素子および前記能動素子の間に、前記素子形成部の厚み方向の隙間が所定の間隔以下となるように形成され、光の伝搬を妨げる材料により構成される構造物と
が配置され、
前記素子形成部に前記配線部が積層される表面に対して反対側となる裏面に、前記受光素子が受光する光が照射され、
前記素子形成部および前記配線部が積層されて構成される基板の表面側に、その基板を支持する支持基板が接合されて構成される
固体撮像素子。
(26)
複数の素子が形成される素子形成部と、
前記素子形成部に積層され、前記素子間を接続する配線が形成される配線部と
を備え、
前記素子形成部に、
光を受光して光電変換を行う受光素子と、
前記受光素子の周辺に配置される周辺回路を構成する能動素子と、
前記受光素子および前記能動素子の間に、前記素子形成部の厚み方向の隙間が所定の間隔以下となるように形成され、光の伝搬を妨げる材料により構成される構造物と
が配置され、
前記素子形成部に前記配線部が積層される表面に対して反対側となる裏面に、前記受光素子が受光する光が照射され、
前記素子形成部および前記配線部が積層されて構成される基板の表面側に、その基板を支持する支持基板が接合されて構成される
固体撮像素子を備える電子機器。
Claims (16)
- 複数の素子が形成される素子形成部と、
前記素子形成部に積層され、前記素子間を接続する配線が形成される配線部と
を備え、
前記素子形成部は、
入射光を光電変換する複数の受動素子を含む画素領域と、
前記画素領域の周辺に配置される複数の能動素子を含む周辺領域と、
断面視では前記画素領域および前記周辺領域との間に少なくとも設けられ、平面視では前記画素領域を囲んで設けられた構造物と
を有し、
前記構造物は、
前記素子形成部において前記配線部が積層される面に対して反対側となる面から前記配線部が積層される面側へ、前記素子形成部を貫通せずに設けられ、
前記素子形成部の厚み方向において前記配線部が積層される面との間隔が、前記能動素子の駆動に際して発生する光の通り抜けを防止する所定の長さ以下であり、
光を吸収する材料を含む
半導体装置。 - 前記所定の長さは、400nmである
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記能動素子は、ダイオードである
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記配線部において前記素子形成部が積層される面に対して反対側となる面に接合される支持基板
をさらに備える請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記支持基板は、接合層を介して前記配線部に接合される
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記入射光は、前記素子形成部において前記配線部が積層される面に対して反対側となる面に照射される
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物は、前記能動素子から前記受動素子に向かう間の複数個所に設けられる
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物である第1の構造部と、
前記素子形成部において前記能動素子が設けられる側の面から設けられ、前記素子形成部の厚み方向において前記能動素子が設けられる側の反対側の面との間隔が、前記能動素子の駆動に際して発生する光の通り抜けを防止する所定の長さ以下であり、光を吸収する材料を含む第2の構造部とが、
前記能動素子から前記受動素子を見たときに重ね合わされて配置される
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物は、前記素子形成部の厚み方向に向かう側壁が、その厚み方向に対して傾斜して設けられる
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物は、前記画素領域と、前記周辺領域との間で、前記受動素子と前記能動素子とを結ぶ直線上に少なくとも存在するように配置される
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記素子形成部が、前記画素領域と、前記周辺領域との間に、1本または複数本の前記構造物が設けられる構造物領域をさらに有する
請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物は、赤外光を吸収する材料を含む
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物は、平面視において前記画素領域を囲って、少なくとも二重に配置されるとともに、周方向に複数に分割されており、隣り合う前記構造物どうしが、半周期ずらして配置されている
請求項1乃至12のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記構造物は、平面視において前記画素領域を連続的に囲って設けられる
請求項1乃至13のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 複数の素子が形成される素子形成部と、
前記素子形成部に積層され、前記素子間を接続する配線が形成される配線部と、
前記素子形成部が積層される面に対して反対側となる前記配線部の面に接合される支持基板と
を備え、
前記素子形成部が、
入射光を光電変換する複数の受動素子を含む画素領域と、
前記画素領域の周辺に配置される複数の能動素子を含む周辺領域と、
断面視では前記画素領域および前記周辺領域との間に少なくとも設けられ、平面視では前記画素領域を囲んで設けられた構造物と
を有し、
前記構造物は、
前記配線部が積層される面に対して反対側となる前記素子形成部の面から前記配線部が積層される面側へ、前記素子形成部を貫通せずに設けられ、
前記素子形成部の厚み方向において、前記配線部が積層される面との間隔が、前記能動素子の駆動に際して発生する光の通り抜けを防止する所定の長さ以下であり、
光を吸収する材料を含み、
前記入射光は、前記素子形成部において前記配線部が積層される面に対して反対側となる面に照射される
固体撮像素子。 - 複数の素子が形成される素子形成部と、
前記素子形成部に積層され、前記素子間を接続する配線が形成される配線部と、
前記素子形成部が積層される面に対して反対側となる前記配線部の面に接合される支持基板と
を備え、
前記素子形成部が、
入射光を光電変換する複数の受動素子を含む第1の素子領域と、
前記第1の素子領域の周辺に配置される複数の能動素子を含む第2の素子領域と、
断面視では前記第1の素子領域および前記第2の素子領域との間において、前記配線部が積層される面に対して反対側となる前記素子形成部の面から前記配線部が積層される面側へ、前記素子形成部を貫通せずに設けられ、前記配線部が積層される面との、前記素子形成部の厚み方向の隙間が、前記能動素子の駆動に際して発生する光の通り抜けを防止する所定の間隔以下となり、平面視では前記第1の素子領域を囲うように形成され、光を吸収する材料により構成される構造物と
を有し、
前記入射光は、前記素子形成部において前記配線部が積層される面に対して反対側となる面に照射される
固体撮像素子を備える電子機器。
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