JP2010081536A - 電気回路のスイッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スイッチング装置(10)は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードD3を内蔵する主IGFET(11)と、保護スイッチ手段(12)と、保護スイッチ制御手段(13)とを有する。保護スイッチ手段(12)は主IGFET(11)のドレイン電極Dとゲート電極Gとの間に接続されている。保護スイッチ制御手段(13)は、主IGFET(11)に逆方向電圧が印加された時に保護スイッチ手段(12)をオンにする。これにより、主IGFET(11)が逆方向電圧から保護される。
【選択図】図2
Description
IGFET11のドレイン電極Dは第1の接続導体16と負荷30と一方の電源接続導体19を介して直流電源31の正側端子31aに接続され、ソース電極Sは第2の接続導体17と他方の電源接続導体20を介して直流電源31の負側端子即ちグランド側端子31bに接続されている。
IGFET11のゲート電極Gはゲート抵抗14を介してゲート制御回路32に接続されている。また、ゲート電極Gとソース電極Sとの間にバイアス抵抗15が接続されている。原理的に示されているゲート制御回路32は、スイッチ34と抵抗35とを備えている。スイッチ34は制御可能な電子スイッチ(例えばトランジスタ)からなり、この一端は出力導体18及びゲート抵抗14を介してIGFET11のゲート電極Gに接続され、この他端はIGFET11のソース電極Sに接続されている。スイッチ34の制御端子は制御信号入力端子36に接続され、IGFET11をオンにする時にオフ、逆にIGFET11をオフにする時にオンになる。抵抗35はバイアス電源端子37とスイッチ34の一端との間に接続されている。バイアス電源端子37に接続されているバイアス電源回路33は、直流バイアス電源38と逆流阻止ダイオード39とから成り、IGFET11をオン駆動することができるバイアス電圧を抵抗35とゲート抵抗14とを介してIGFET11のゲート電極Gに印加する。
しかし、ソース電極Sが正、ドレイン電極Dが負の逆方向電圧がソース電極Sとドレイン電極Dとの間に印加されると、バイアス抵抗15を介してゲート電極Gに電圧が印加され、ゲート電極Gの電位がボデイ領域49の電位よりも高くなり、ボデイ領域49とソース領域52との間のPN接合に基づいて形成される空乏層のゲート電極Gに近い部分(PN接合の露出部分)の厚みが小さくなり、第2のPN接合ダイオードD2の耐圧が低くなる。もし、ソース電極Sとドレイン電極Dとの間に高い電圧が印加された場合には、この高い電圧に比べて第2のPN接合ダイオードD2の耐圧が極めて低くなり、第2のPN接合ダイオードD2が実質的に機能しなくなり、第2のPN接合ダイオードD2を通って逆方向電流が流れ、ショットキーバリアダイオードD3を設けることによる利益が得られなくなる。なお、バイアス抵抗15を設けない場合であっても、ソース電極Sとゲート電極Gとの間、ドレイン電極Dとゲート電極Gとの間に寄生容量があるので、ゲート電極Gの電位がボデイ領域49の電位よりも高くなり、第2のPN接合ダイオードD2の耐圧低下が生じ、第2のPN接合ダイオードD2は実質的に機能しなくなる。
第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域上に配置され且つ露出面を有している第2導電型のボデイ領域と、前記ボデイ領域の中に形成され且つ露出面を有している第1導電型のソース領域と、前記ドレイン領域にオーミック接触しているドレイン電極と、前記ソース領域にオーミック接触し且つ前記ボデイ領域にショットキー接触しているソース電極と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間における前記ボデイ領域の露出面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ボデイ領域の露出面に対向しているゲート電極とを備えている主絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間を選択的に短絡するためのものであって、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続された一端と前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極に接続された他端と制御端子とを有している保護スイッチ手段と、
前記保護スイッチ手段の前記制御端子に接続され且つ前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ショットキー接触が逆バイアスされる向きの電圧が前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に印加された時に前記保護スイッチ手段をオン状態にする機能を有している保護スイッチ制御手段と
を備えていることを特徴とする電気回路のスイッチング装置に係わるものである。
また、スイッチング装置は、更に、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極と前記ソース電極との間に接続された抵抗を有していることが望ましい。
また、前記保護スイッチ手段は、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極及びボディダイオードを有し且つ前記ソース電極が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続されている第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン電極に接続されたドレイン電極、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極に接続されたソース電極、ゲート電極及びボディダイオードを有している第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えていることが望ましい。
また、前記保護スイッチ制御手段は、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された抵抗と、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と前記第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続された逆流阻止ダイオードと、前記第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極を直接に又は電流制限抵抗を介して電源共通導体に接続する導体とを備えていることが望ましい。
また、前記保護スイッチ手段を、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極及びボディダイオードを有し且つ前記ソース電極が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続されている保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン電極と前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極との間に接続された逆流阻止ダイオードとで構成することもできる。
また、前記保護スイッチ手段を、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ソース電極と前記ゲート電極との間に接続された接合型トランジスタで構成することもできる。
また、前記保護スイッチ制御手段を、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ショットキー接触が逆バイアスされる向きの逆電圧が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に印加されているか否かを検出する逆電圧検出手段と、前記逆電圧検出手段から得られた逆電圧を示す信号に応答して前記保護スイッチ手段をオン駆動する駆動手段とで構成することもできる。
本発明の好ましい実施形態によれば、保護スイッチ手段が第1及び第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタの直列回路で構成されている。第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタの周知の内蔵ダイオードは、主IGFETに対して正方向電圧が印加された時の逆流阻止の機能を有し、且つ主IGFETに対して逆方向電圧が印加された時の主IGFETのドレイン電極とゲート電極との短絡回路の形成機能を有する。従って、図5の実施例のように第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタを個別の逆流阻止ダイオードに置き換えることができる。しかし、個別の逆流阻止ダイオードの内部抵抗は絶縁ゲート型電界効果トランジスタの内部抵抗よりも高い。図2に示す本発明の好ましい実施形態では、第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対して直列に第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタが接続され、主IGFETに対して逆方向電圧が印加された時、第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタがオン駆動される。これにより、第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのFETスイッチと内蔵ダイオードとの両方が導通し、第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのオン抵抗(オン時の内部抵抗)が個別の逆流阻止ダイオードに比べて小さくなる。
また、本発明の好ましい実施形態によれば、第1及び第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極が逆流阻止ダイオードを介して相互に接続され、第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極は直接又は抵抗を介して電源共通導体(グランド側導体)に接続されている。これにより、主IGFETに対して逆方向電圧が印加された時、第1及び第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタの両方を同時且つ自動的にオン駆動することができる。
また、第1及び第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する本発明の好ましい実施形態において、第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に定電圧ダイオードが接続されているので、第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間を過電圧から保護できる。
本発明の別の好ましい実施形態における保護スイッチ手段は、接合型トランジスタから成る。接合型トランジスタは逆流阻止機能を有するので、主絶縁ゲート電界効果トランジスタに正方向電圧が印加された時に保護スイッチ手段を電流(逆流)が流れることを阻止するための個別の素子を接合型トランジスタに直列に接続することが不要になる。これにより、逆方向電圧印加時に主IGFETのドレイン電極とゲート電極とを短絡する保護スイッチ手段のオン抵抗を低減できる。
本発明の更に別の好ましい実施形態における保護スイッチ制御手段は、主IGFETのドレイン電極とソース電極との間に逆電圧が印加されているか否かを検出する逆電圧検出手段を有し、この逆電圧検出手段から得られた逆電圧を示す信号に応答して保護スイッチ手段をオン駆動するので、逆電圧が印加された時に直ちに保護スイッチ手段をオン駆動して、主IGFETを保護することができる。
主IGFET11、保護スイッチ手段12及び保護スイッチ制御手段13の動作の詳細は追って説明する。
この実施例では、N-型の半導体基板を用意し、この一方の主面にN型不純物を拡散することによってN+型(第1導電型)の第1のドレイン領域47が形成されている。しかし、N+型の半導体基板にN-型半導体をエピタキシャル成長させることによってN-型(第1導電型)の第2のドレイン領域48を得ることもできる。なお、N-型の第2のドレイン領域48は、N-型の半導体基板に各領域47、49,52を形成した後の残存部分に相当する。
次に、図2のスイッチング装置10を伴った電気回路の動作を説明する。
図2において実線で示すように電池等の直流電源31の正端子31aが負荷30を介して主IGFET11のドレイン電極Dに接続され、その負端子31bが主IGFET11のソース電極Sに接続されている正常接続状態において、ゲート制御回路32の制御信号入力端子36にスイッチ34をオフにする制御信号が入力している時には、主IGFET11がオン状態になる。即ち、ゲート制御回路32のスイッチ34がオフの時には、バイアス電源端子37のバイアス電圧が抵抗35及びゲート抵抗14を介して主IGFET11のゲート電極Gに印加される。更に詳細には、バイアス電源端子37のバイアス電圧が、抵抗35とゲート抵抗14とバイアス抵抗15とで分圧され、バイアス抵抗15の端子間電圧が主IGFET11のゲート電極Gとソース電極Sとの間にゲート電圧として印加され、主IGFET11がオン状態(導通状態)になる。即ち、主IGFET11のゲート電極Gとソース電極Sとの間に閾値(Vth)以上のゲート制御電圧が印加されると、ボデイ領域49のトレンチ43に露出する面の近傍にチャネル56が形成され、ドレイン電極D、ドレイン領域46、チャネル56、ソース領域52及びソース電極Sの経路にドレイン電流が流れる。なお、ドレイン領域46とボデイ領域49との間のPN接合55に相当する図2に示す第1のPN接合ダイオードD1は逆バイアスされ、オフである。従って、この時に第2のPN接合ダイオードD2及びショットキーバリアダイオードD3を通って電流は流れない。
なお、バイアス抵抗15を省略することができる。この場合には、バイアス電源端子37のバイアス電圧が主IGFET11のゲート電極Gとソース電極Sとの間に印加される。
主IGFET11の正常オン動作期間においては、第1の保護用IGFET21のゲート電極Gの電位がソース電極Sの電位と等しいために、第1の保護用IGFET21はオフ状態に保たれる。また、正常オン動作期間においては、逆流阻止ダイオード24がオフであるので、第2の保護用IGFET22のゲート電極Gの電位がグランド電位であり、第2の保護用IGFET22のソース電極Sの電位よりも低いために、第2の保護用IGFET22はオフ状態に保たれる。従って、第1及び第2の保護用IGFET21,22は主IGFET11のオン動作を妨害しない。
図2において実線で示すように電池等の直流電源31の正端子31aが負荷30を介して主IGFET11のドレイン電極Dに接続され、その負端子31bが主IGFET11のソース電極Sに接続されている正常接続状態において、ゲート制御回路32の制御信号入力端子36にスイッチ34をオンにする制御信号が入力している時には、主IGFET11がオフ状態になる。即ち、ゲート制御回路32のスイッチ34がオンの時には、ゲート制御回路32の出力導体18がグランド電位になり、主IGFET11のゲート電極Gの電位もグランド電位になり、主IGFET11のゲート電極Gとソース電極Sとの間に主IGFET11をオンにすることができる電圧が印加されず、主IGFET11はオフ状態(非導通状態)になる。
この主IGFET11の正常オフ動作期間において、第1及び第2の保護用IGFET21,22は主IGFET11の正常オン動作期間と同様にオフ状態(非導通状態)に保たれ、主IGFET11の正常オフ動作を妨害しない。
図2において点線で示すように電池等の直流電源31の正端子31aが他方の接続導体20を介して主IGFET11のソース電極Sに接続され、その負端子31bが一方の接続導体19と負荷30を介して主IGFET11のドレイン電極Dに接続されている異常接続状態即ち逆接続状態においては、逆流阻止ダイオード24が順バイアス状態になり、導通する。これにより、第1の保護用IGFET21のゲート電極Gの電位が第1の保護用IGFET21のソース電極Sの電位よりも高くなるので、第1の保護用IGFET21はオン状態になる。また、第2の保護用IGFET22のボディダイオードD12が順バイアス状態になり、導通する。また、第2の保護用IGFET22のゲート電極Gの電位が第2の保護用IGFET22のドレイン電極Dの電位よりも高くなるので、第2の保護用IGFET22のEFTスイッチQ12もオン状態になる。この結果、主IGFET11のドレイン電極Dとゲート電極Gとの間が第1及び第2の保護用IGFET21,22から成る保護スイッチ手段12によって短絡される。これにより、主IGFET11のゲート電極Gの電位がドレイン電極Dの電位と同一又はほぼ同一になり、主IGFET11のゲート電極Gの電位が第2のボデイ領域51の電位よりも高くなることが阻止又は抑制され、第2のボデイ領域51と第1のソース領域53との間のPN接合に基づいて形成される第2のPN接合ダイオード(寄生ダイオード)D2の耐圧の低下を阻止又は抑制することができる。このため、主IGFET11に逆方向電圧が印加された時に第2のPN接合ダイオード(寄生ダイオード)D2を通る逆方向電流が抑制され、主IGFET11又は負荷30を逆方向電流から保護することができる。
(1)主IGFET11は、図2に等価的に示す第1のPN接合ダイオードD1のみでなくショットキーバリアダイオードD3及び第2のPN接合ダイオード(寄生ダイオード)D2を内蔵している。もし、保護スイッチ手段12を設けない場合には、ショットキーバリアダイオードD3及び第2のPN接合ダイオードD2を逆バイアスする向きの逆方向電圧がソース電極Sとドレイン電極Dとの間に印加された時に、第2のPN接合ダイオードD2の耐圧が低下し、この第2のPN接合ダイオードD2が逆流阻止機能を失うことがある。これに対し、本発明に従う保護スイッチ手段12を設けた場合には、ドレイン電極Dとソース電極Sとの間に逆方向電圧が印加された時に、保護スイッチ手段12がオン状態になり、主IGFET11のゲート電極Gの電位が、ドレイン電極Dの電位と同一又はほぼ同一になり、第2のボデイ領域51の電位よりも高くなることが阻止又は抑制され、第2のボデイ領域51と第1のソース領域53との間のPN接合に基づいて形成される第2のPN接合ダイオードD2の耐圧の低下を阻止又は抑制することができる。この結果、主IGFET11に逆方向電圧が印加された時の第2のPN接合ダイオードD2を通る逆方向電流が抑制され、主IGFET11又は負荷30を逆方向電流から保護することができる。
(2)保護スイッチ手段12が第1及び第2の保護用IGFET21,22の直列回路で構成されている。第2の保護用IGFET22の周知の内蔵ダイオードD12は、主IGFET11に対して正方向電圧が印加された時に保護スイッチ手段12に電流が流れることを阻止する機能(逆流阻止機能)を有し、且つ主IGFET11に対して逆方向電圧が印加された時の主IGFET11のドレイン電極Dとゲート電極Gとの間の短絡回路を形成する機能を有する。従って、第2の保護用IGFET22を個別の逆流阻止ダイオードに置き換えることができる。しかし、個別の逆流阻止ダイオードの内部抵抗はIGFETの内部抵抗よりも高い。これに対し、図2に示す本実施例においては、主IGFET11に対して逆方向電圧が印加された時、第2の保護用IGFET22の内蔵ダイオードD12が導通すると同時に第2の保護用IGFET22のFETスイッチがオン駆動される。この結果、第2の保護用IGFET22のオン抵抗(オン時の内部抵抗)が個別の逆流阻止ダイオードに比べて小さくなる。
(3)第1及び第2の保護用IGFET21、22のゲート電極Gの相互間が逆流阻止ダイオード24を介して接続され、第2の保護用IGFET22のゲート電極Gは抵抗25を介して電源共通導体(グランド側導体)としての他方の接続導体17に接続されている。これにより、主IGFET11に対して逆方向電圧が印加された時、第1及び第2の保護用IGFET21,22の両方を同時且つ自動的にオン駆動することができる。
(4)第1の保護用IGFET21のソース電極Sとゲート電極Gとの間に定電圧ダイオード23が接続されているので、第1の保護用IGFET21のソース電極Sとゲート電極Gとの間を過電圧から保護できる。
(5)ゲート抵抗14及びバイアス抵抗15を有するので、主IGFET11に対して逆方向電圧が印加された時、保護スイッチ手段12を流れる電流を制限することができる。
(6)保護スイッチ制御手段13の逆流阻止ダイオード24は、主IGFET11に対して正方向電圧が印加された時に保護スイッチ制御手段13に流れる電流を阻止又は制限する。これにより、損失の小さいスイッチ装置10を提供できる。
なお、図5において負荷30の接続箇所を図4と同様に主IGFET11のソース電極Sとグランド接続導体20との間に移し、抵抗25の下端をグランド接続導体20に接続することもできる。
比較的不純物濃度の高い第2の部分50b,51bが形成された主IGFET11aは、第2の部分50b,51bを形成しない例えば図3の主IGFET11よりも約1V高いのスレッショルド電圧Vthを有する。なお、第2の部分50b,51bは、限定的に形成されているので、主IGFET11aの耐圧及びオン抵抗にほとんど影響を与えない。
実施例5は、上述した主IGFET11aのスレッショルド電圧Vthの上昇効果と、ライフタイム短縮の効果の他に、実施例1と同一の効果も有する。
(1)図2のスイッチング装置10をモノリシックICで構成する代わりに、ハイブリッドIC又は個別部品で図2と同一の回路に構成することもできる。
(2)ゲート抵抗14を半導体基体内の拡散領域で構成する代わりに、半導体基体上の絶縁層の上に多結晶シリコン層等の抵抗層を形成し、この抵抗層をゲート抵抗とすることができる。
11、11a、11b、11c、1d 主IGFET
12,12a、12b、12c 保護スイッチ手段
13、13a、13b 保護スイッチ制御手段
Claims (14)
- 第1導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域上に配置され且つ露出面を有している第2導電型のボデイ領域と、前記ボデイ領域の中に形成され且つ露出面を有している第1導電型のソース領域と、前記ドレイン領域にオーミック接触しているドレイン電極と、前記ソース領域にオーミック接触し且つ前記ボデイ領域にショットキー接触しているソース電極と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間における前記ボデイ領域の露出面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ボデイ領域の露出面に対向しているゲート電極とを備えている主絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間を選択的に短絡するためのものであって、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続された一端と前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極に接続された他端と制御端子とを有している保護スイッチ手段と、
前記保護スイッチ手段の前記制御端子に接続され且つ前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ショットキー接触が逆バイアスされる向きの電圧が前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に印加された時に前記保護スイッチ手段をオン状態にする機能を有している保護スイッチ制御手段と
を備えていることを特徴とする電気回路のスイッチング装置。 - 更に、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタをオン・オフ制御するための制御信号を入力させるための制御信号入力導体と前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極との間に接続された抵抗を有していることを特徴とする請求項1記載の電気回路のスイッチング装置。
- 更に、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極と前記ソース電極との間に接続された抵抗を有していることを特徴とする請求項1又は2記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ手段は、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極及びボディダイオードを有し且つ前記ソース電極が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続されている第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン電極に接続されたドレイン電極、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極に接続されたソース電極、ゲート電極及びボディダイオードを有している第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えていることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ制御手段は、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された抵抗と、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と前記第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続された逆流阻止ダイオードと、前記第2の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極を直接に又は電流制限抵抗を介して電源共通導体に接続する導体とを備えていることを特徴とする請求項4記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ制御手段は、更に、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された定電圧ダイオードを有していることを特徴とする請求項5記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ手段は、ドレイン電極、ソース電極、ゲート電極及びボディダイオードを有し且つ前記ソース電極が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続されている保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン電極と前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極との間に接続された逆流阻止ダイオードとを備えていることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ制御手段は、前記保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された抵抗と、前記保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と電源共通導体との間に接続された逆流阻止ダイオードとを備えていることを特徴とする請求項7記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ制御手段は、更に、前記第1の保護用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された定電圧ダイオードを有していることを特徴とする請求項8記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ手段は、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ソース電極と前記ゲート電極との間に接続された接合型トランジスタを備え、
前記保護スイッチ制御手段は、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ショットキー接触が逆バイアスされる向きの電圧が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に印加された時に、前記接合型トランジスタをオン状態にするためのベース電流を供給するために前記接合型トランジスタのベースに接続されたベース電流供給回路から成ることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の電気回路のスイッチング装置。 - 前記接合型トランジスタのコレクタは前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極に接続され、前記接合型トランジスタのエミッタは前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ゲート電極に接続されていること特徴とする請求項10記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記ベース電流供給回路は、前記接合型トランジスタの前記コレクタに接続されたソース電極、前記接合型トランジスタの前記ベースに接続されたドレイン電極、ゲート電極及びボディダイオードを有するトランジスタ制御用絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記トランジスタ制御用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された抵抗と、前記トランジスタ制御用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と電源共通導体との間に接続された逆流阻止ダイオードと備えていることを特徴とする請求項11記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記ベース電流供給回路は、更に、前記トランジスタ制御用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された定電圧ダイオードを有していることを特徴とする請求項12記載の電気回路のスイッチング装置。
- 前記保護スイッチ制御手段は、前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ショットキー接触が逆バイアスされる向きの逆電圧が前記主絶縁ゲート型電界効果トランジスタの前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に印加されているか否かを検出する逆電圧検出手段と、前記逆電圧検出手段から得られた逆電圧を示す信号に応答して前記保護スイッチ手段をオン駆動する駆動手段とから成ることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の電気回路のスイッチング装置。
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